光刻与刻蚀工艺

lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程光刻机光刻胶掩膜版图形曝光与刻蚀

图形曝光（lithography，又译光刻术）利用掩膜版（mask）上的几何图形，通过光化学反应，将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上（称为光致抗蚀剂、光刻胶或光阻，resist，简称抗蚀剂）的一种工艺步骤这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域，如离子注入、接触窗（contactwindow）与压焊（bonding－pad）区。

刻蚀由图形曝光所形成的抗蚀剂图案，并不是电路器件的最终部分，而只是电路图形的印模。为了产生电路图形，这些抗蚀剂图案必须再次转移至下层的器件层上。这种图案转移（patterntransfer）是利用腐蚀（etching）工艺，选择性地将未被抗蚀剂掩蔽的区域去除。图形曝光与刻蚀ULSI对光刻有哪些基本要求？高分辨率在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。高灵敏度的光刻胶光刻胶的灵敏度是指光刻胶的感光速度。产品的产量曝光时间确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度ULSI对光刻有哪些基本要求？

低缺陷缺陷关系成品率精密的套刻对准集成电路芯片的制作需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。ULSI的图形线宽在1um以下，通常采用自对准技术。大尺寸硅片上的加工ULSI的芯片尺寸为1～2cm2提高经济效益和硅片利用率洁净室（1）洁净室（2）

洁净室的等级定义方式：（1）英制系统：每立方英尺中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值。（2）公制系统每立方米中直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不准超过设计等级数值（以指数计算，底数为10）。洁净室（3）

例子：（1）等级为100的洁净室（英制），直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不超过100个/ft3（2）等级为M3.5的洁净室（公制），直径大于或等于0.5um的尘埃粒子总数不超过103.5（约3500个/m3)100个/ft3=3500个/m3一个英制等级100的洁净室相当于公制等级M3.5的洁净室。洁净室（4）

对一般的IC制造区域，需要等级100的洁净室，约比一般室内空气低4个数量级。在图形曝光的工作区域，则需要等级10或1的洁净室。lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程光刻机光刻胶掩膜版光刻原理理（1）掩膜版图图形转移到光刻胶在光刻过过程中，，光刻胶胶受到光光辐射之之后发生生光化学学反应，，其内部部分子结结构发生生变化，，在显影液液中光刻刻胶感光光部分与与未感光光部分的的溶解速速度相差差非常大大。利用光刻刻胶的这这种特性性，就可可以在硅硅片的表表面涂上上光刻胶胶薄层，，通过掩掩膜版对对光刻胶胶辐照，，从而使使某些区区域的光光刻胶感感光之后后，再经过显影影就可以以在光刻刻胶上留留下掩膜膜版的图图形。光刻胶图图形转移到硅表面的的薄膜在集成电电路制作作中，利利用这层层剩余的的光刻胶胶图形作作为保护护膜，可可以对硅硅表面没没有被光光刻胶覆覆盖的区区域进行行刻蚀，，或者对对这些区区域进行行离子注注入，从从而把光刻胶上上的图形形转移到到硅表面面的薄膜膜上去，，由此形形成各种种器件和和电路的的结构，，或者对对未保护护区进行行掺杂。。光刻原理理（2）光刻原理理（3）光刻三要要素：光光刻胶、、掩膜版版和光刻刻机光刻胶又又叫光致致抗蚀剂剂，它是是由光敏化合合物、基基体树脂脂和有机机溶剂等混合而而成的胶状液体体光刻胶受受到特定定波长光光线的作作用后，，导致其其化学结构构发生变变化，使光刻刻胶在某某种特定定溶液中中的溶解解特性改改变光刻过程程的主要要步骤：：曝光、显显影、刻刻蚀Resistcoat(wafertrack)etch(ionimplantation)Develop(wafertrack)Expose(illuminationtool)resiststrippositivetonenegativetonemaskresistsubstrateProcessflowopticallitho光刻工艺艺过程涂胶coating前烘prebaking曝光exposure显影development坚膜postbake刻蚀etch去胶strip检验inspection1、涂胶1、涂胶涂胶目的的在硅片表表面形成成厚度均均匀、附附着性强强、并且且没有缺缺陷的光光刻胶薄薄膜。怎样才能能让光刻刻胶粘的的牢一些些？可以开始始涂胶了了……怎么涂？？旋转涂胶胶法：把把胶滴在在硅片，，然后使使硅片高高速旋转转，液态态胶在旋旋转中因因离心力力作用由由轴心沿沿径向（（移动））飞溅出出去，但但粘附在在硅表面面的胶受受粘附力力的作用用而留下下。在旋旋转过程程中胶所所含的溶溶剂不断断挥发，，故可得得到一层层均匀的的胶膜怎样才算算涂的好好？膜厚均匀匀，正胶胶<2%，负胶<5%涂胶-----转速Vs膜厚转速Vs膜厚其中：T表示膜厚厚，S表示转速速；从上上式可以以看出，，光刻胶胶的膜厚厚与旋转转速度的的平方根根成反比比。2、前烘（（softbake）－－再次改善善光刻胶胶粘附性性目的去除胶内的的溶剂，，提高胶胶的粘附附力提高胶的的抗机械械摩擦的的能力减小高速速旋转形形成的薄薄膜应力力条件:温度：：90to120℃时间：60sto120s2、前烘（（softbake）－－再再次改善善光刻胶胶粘附性性前烘不足足光刻胶与与硅片黏黏附性变变差因光刻胶胶中溶剂剂含量过过高致使使曝光的的精确度度下降前烘过量量延长时间间，产量量降低过高的温温度使光光刻胶层层的粘附附性会因因光刻胶胶变脆而而降低过高的温温度会使使光刻胶胶中的感感光剂发发生反应应，使光光刻胶在在曝光时时的敏感感度变差差3、曝光（（Exposure）3、曝光（（Exposure）曝光光通过掩模版照射，使使照射到到的光刻刻胶起光光化学反反应感光与未未感光的的光刻胶胶对碱性性溶液的的溶解度度不同掩模版上上的图案案，完整整地传递递(Transfer)到晶片表表面的光光阻上目的：确定图案案的精确确形状和和尺寸完成顺序序两次光光刻图案案的准确确套制曝光后烘烘焙（PEB）驻波效应应定义：入入射光与与反射光光间的相相长和相相消干涉涉造成的的效应影响：曝曝光过程程中，在在曝光区区与非曝曝光区边边界将会会出现驻驻波效应应，影响响显影后后所形成成的图形形尺寸和和分辨率率改善措施施：曝光光后烘焙焙4、显影（（Development）4、显影（（Development）原理显影时曝曝光区与与非曝光光区的光光刻胶不同程度度的溶解解显影过程程把已曝光光的硅晶晶片浸入入显影液液中，通通过溶解解部分光光刻胶的的方法使使胶膜中的的潜影显现出来来的过程程显影留下下的光刻刻胶图形形将在后后续的刻刻蚀和离离子注入入工艺中中作为掩膜膜4、显影（（Development）显影方式式：浸渍显影影；旋转喷雾雾显影影响显影影效果的的因素：：a.曝光时间间；b.前烘的温温度和时时间；c.光刻胶的的厚度；；d.显影液的的浓度；；e.显影液的的温度；；f.显影液的的搅拌情情况4、显影（（Development）4、显影（（Development）显影之后后的检查查掩膜版选选用是否否正确光刻胶的的质量是是否满足足要求（（污染、、划痕、、气泡和和条纹））图形的质质量（有有好的边边界，图图形尺寸寸和线宽宽满足要要求）套准精度度是否满满足要求求光刻是唯唯一可以以返工的的工艺步步骤5、坚膜—显影后必必须进一一步增强强光刻胶胶粘附力力坚膜在光刻显显影后，，再经过过一次烘烘烤，进进一步将将胶内残留的的溶剂含含量由蒸蒸发降到到最低，，使其硬硬化坚膜的目目的去除光刻刻胶中剩剩余的溶溶剂，增强光刻刻胶对硅硅片表面面的附着着力提高光刻刻胶在刻刻蚀和离离子注入入过程中中的抗蚀性和和保护能能力5、坚膜—显影后必必须进一一步增强强光刻胶胶粘附力力6、去胶6、去胶经过刻蚀蚀或离子子注入后后，将光光刻胶从从表面除除去去胶方法法湿法去胶胶有机溶液液去胶不腐蚀金金属，去去除Al上的光刻刻胶需用用有机溶溶剂无机溶液液去胶干法去胶胶等离子体体将光刻刻胶剥除除刻蚀效果果好，但但有反应应残留物物玷污问问题，故故与湿法法腐蚀搭搭配使用用lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程程光刻机分辨率－－曝光光光源套准光刻胶光刻机光刻机的性性能可由下下面三个参参数来判别别分辨率光刻机的性性能可由下下面三个参参数来判别别套准精度产率对一给定的的掩膜版，，每小时能能曝光完成成的晶片数数量光刻机光刻机发展展为两大类类型，即光光学光刻机机和非光学学光刻机，，如图所示示。光学光刻机机采用紫外线作为光光源，而非光学光刻刻机的光源则来自自电磁光谱的其他他成分。曝光光源曝光光源普通光源光的波长范范围大，图图形边缘衍衍射现象严严重，满足足不了特征征尺寸的要要求。晶圆生产用用的曝光光光源晶圆生产用用的曝光光光源最广泛使用用的曝光光光源是高压汞灯产生的光为为紫外光（（UV）三条发射线线I线(365nm)H线(405nm)G线(436nm)(0.35um工艺)曝光光源晶圆生产用用的曝光光光源产生的光为为深紫外光光（DUV）氟化氪KrF（248nm）（0.35um,0.25um,0.18CMOS技术）氟化氩ArF（193nm）(0.2um以下工艺））曝光光源曝光光源超细线条光光刻技术甚远紫外线线(EUV)（13.4nm)电子束光刻刻(波粒二相性性，更多显显示粒子性性）以上两种曝曝光光源比比较有前景景，可以对对亚100nm，亚50nm的特征尺寸寸进行光刻刻X射线离子束光刻刻光学曝光方方法光学曝光方方法遮蔽式曝光光接触式曝光光提供约1um的分辨率对掩膜版造造成损伤接近式曝光光可以减小掩掩膜版损伤伤间隙会在掩掩膜版图案案边缘造成成光学衍射射分辨率降低低至2um～5um光学曝光方方法光学曝光方方法投影式曝光光利用投影的的方法，将将掩膜版上上图案投影影至相距好好几厘米的的晶片上。。（a）晶片整片片扫描（b）1：1步进重复光学曝光方方法lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程光刻机分辨率－曝曝光光源套准光刻胶套准精度对准把所需图形形在晶园表表面上定位位或对准。。如果说光刻刻胶是光刻刻工艺的“材料”核心，那么对准准和曝光则则是该工艺艺的“设备”核心。图形的准准确对准是是保证器件件和电路正正常工作的的决定性因因素之一。。对准法则第一次光刻刻只是把掩膜膜版上的Y轴与晶园上上的平边成成90º，如图所示示。接下来的掩掩膜版都用用对准标记与上一层带带有图形的的掩膜对准。。对准标记记是一个特殊的图图形（见图图），分布在每个个芯片图形形的边缘。经过光刻工工艺对准标标记就永远留留在芯片表表面，同时时作为下一一次对准使使用。对准标记未对准种类类：(a)X方向(b)转动(c)伸出lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程光刻机光刻胶掩膜版光刻胶的基基本属性主要有两种种光刻胶：：正胶：曝光后显显影时曝光光部分被溶溶解，而没没有曝光的的部分留下下来——邻叠氮醌类类负胶：曝光后显显影时没有有曝光部分分被溶解，，而曝光的的部分留下下来——聚乙烯醇肉肉桂酸酯和和聚乙烯氧氧乙基肉桂桂酸酯基本光刻技技术*实际工艺中中正胶用的的比较多，，why?a.分辨率高b.抗干法腐蚀蚀的能力较较强c.抗热处理的的能力强d.可用水溶液液显影，溶溶涨现象小小e.可涂得较厚厚(2-3um)不影响分辨辨率，有较较好台阶覆覆盖性f.适合1：1及缩小的投投影光刻负胶也有一一些优点，，如:粘附性好，，抗湿法腐腐蚀能力强强等光刻胶的主要成分分1.树脂(高分子聚合合物)光照不发生生反应，保保证光刻胶胶薄膜的附附着性和抗抗腐蚀性，，决定光刻刻胶薄膜的的膜厚、弹弹性和热稳稳定性等光刻胶的主要成分分2.光敏剂（PAC）受光辐照之之后会发生生化学反应应光刻胶的主要成分分3.溶剂使光刻胶在在涂到硅片片表面之前前保持为液液态光刻胶的基基本属性光学性质光敏度，折折射率力学和化学学性质固溶度、粘粘滞度、粘粘着度、抗抗腐蚀性、、热稳定性性、流动性性和对环境境的敏感度度其它特性纯度、金属属含量、可可应用的范范围、储存存的有效期期和燃点对比度对比度会直直接影响到到曝光后光光刻胶膜的的倾角和线线宽。光刻胶的对对比度越高高，光刻胶胶层的侧面面越陡，线线宽描述掩掩模尺寸的的准确度就就越高。且且陡峭的光光刻胶在干干法刻蚀中中可以减小小刻蚀过程程中的钻蚀蚀效应，从从而提高分分辨率。光刻胶的基基本属性光刻胶的膨膨胀在显影过程程中，若显显影液渗透透到光刻胶胶中，光刻胶的体体积就会膨膨胀，这将导致致图形尺寸寸发生变化化，影响分辨率率。正胶不发生生膨胀，负负胶发生膨膨胀现象。故正胶分分辨率高于于负胶，负负胶可通过过减小厚度度来提高分分辨率在相同的分分辨率下，，与负胶相相比可以使使用较厚的的正胶，从而得到到更好的平平台覆盖并并能降低缺缺陷的产生生，同时抗抗干法刻蚀蚀的能力也也更强。光刻胶的基基本属性光刻胶的基基本属性光敏度指光刻胶完完成所需图图形曝光的的最小曝光光剂量曝光剂量（（mj/cm2）＝光强（（单位面积积的功率））×曝光时间光敏度由曝曝光效率决决定曝光效率：：参与光刻刻胶曝光的的光子能量量与进入光光刻胶中的的光子能量量的比值正胶比负胶胶有更高的的曝光效率率，故正胶的的光敏度大大，光敏度度大可减小小曝光时间间光刻胶的基基本属性抗刻蚀能力力图形转移时时，光刻胶胶抵抗刻蚀蚀的能力。。光刻胶对湿湿法腐蚀有有比较好的的抗腐蚀能能力，对大大部分的干干法刻蚀，，光刻胶的的抗刻蚀能能力则比较较差热稳定性通常干法刻刻蚀的工作作温度比湿湿法腐蚀要要高，所以以光刻胶应应能够承受受200℃以上的工作作温度光刻胶的基基本属性黏着力在刻蚀过程程中，如果果光刻胶黏黏附不牢就就会发生钻蚀和浮胶胶，这将直接接影响光刻刻的质量，，甚至使整整个图形丢丢失。增强黏附性性的方法：：1.涂胶前脱水水处理2.使用增粘剂剂（HMDS)3.提高坚膜的的循环温度度光刻胶的基基本属性光刻胶的溶溶解度光刻胶是由由溶剂溶解解了固态物物质（如树树脂）所形形成的液体体，其中溶溶解的固态态物质所占占的比重称称为溶解度度光刻胶的粘粘滞度影响甩胶后后光刻胶膜膜厚光刻胶的基基本属性微粒数量和和金属含量量光刻胶的纯纯净度与光刻胶中中的微粒数数量和金属属含量有关关。光刻胶的生生产过程中中需要经过过严格的过过滤和包装装，且需要要在使用前前过滤。随随存储时间间的增加，，光刻胶中中的微粒数数量还会继继续增加。。光刻胶中的的金属含量量主要指钠和钾的含含量，钠和钾会会带来污染染，降低器器件的性能能。储存寿命光刻胶中的的成分随时时间和温度度发生变化化通常正胶的的寿命高于于负胶的在存储期间间，由于交交叉链接的的作用，正正胶中的高高分子成分分会增加，，感光剂不不可溶，结结晶成沉淀淀物。光刻胶的基基本属性lithographyIntroduction光刻洁净室工艺流程光刻机光刻胶掩膜版掩膜版掩膜版上的的图形代表表一层IC设计，将综综合的布局图按照照IC工艺分成各层掩膜版版，如隔离离区为一层、栅栅极区为另另一层等，这些些掩膜版的的组合就是一组组IC工艺流程。。掩膜板的制制造传统掩膜版版是在石英英板上淀积积薄的铬(ge)层，在铬层上形成成图形。掩膜版是由由电子束或者激光束直接接刻写在铬层上的的。通常，制作作一个完整整的ULSI芯片需要20到25块不同的掩掩膜。掩膜版的构构成石英玻璃板板铬层铬铬的氮化物物或氧化物物+铬+抗反射层掩膜版的保保护膜：密密封掩膜版版，防止空空气中的微微粒以及其其它形式的的污染掩膜板的制制造掩膜板的制制造掩膜版好坏坏的关键因因素：缺陷陷密度缺陷的产生生原因制造掩膜版版时产生图形曝光时时产生缺陷密度对对IC成品率的影影响其中：D为每单位面面积致命缺缺陷的平均均数，A为IC芯片的面积积，N为掩膜版的的层数要提高大面积芯片片的成品率，掩膜膜版的检查与清洗是非常重要要的。分辨率增强强技术－移移相掩膜移相掩膜（（phase-shiftingmask,PSM)在IC工艺中，光学图形曝曝光系统追求较佳的的分辨率、、较深的聚聚焦深度与与较广的曝曝光宽容度度基本原理是是在掩膜版版的某些透透明图形上上增加或减减少一个透透明的介质质层，称为为移相器，，使光波通通过这个介介质层后产产生180度的相位差差，与邻近近透明区域域透过的光光波产生干干涉，从而而抵消图形形边缘的光光衍射效应应，提高曝光的的分辨率。lithographyIntroduction光刻刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀什么叫刻蚀蚀？刻蚀——把进行光刻刻前所沉积积的薄膜中中没有被光光刻胶覆盖盖及保护的的部分，以以化学反应应或是物理理作用的方方式加以去去除，以完完成转移掩掩膜图案到到薄膜上面面的目的。。刻蚀分类湿法刻蚀（（WETETCHING）：利用液态化化学试剂或或溶液通过过化学反应进行刻蚀的的方法干法刻蚀（（DRYETCHING）：主要指利用用低压放电电产生的等等离子体中中的离子或或游离基(处于激发态态的分子、、原子及各各种原子基基团等)与材料发生化学反反应或通过轰击击等物理作用而达到刻蚀蚀的目的刻蚀术语BIAS（偏差）腐蚀后的图图形与版图图的水平偏偏差。TOLERANCE（容差）各批图形间间的偏差。。ETCHINGRATE（腐蚀速率率均匀度））=（最高速速率-最低速率））/（最高速率率+最低速率））*100%OVERETCHING（过腐蚀））SELECTIVITY（选择性））SFS=腐蚀FILM速率/腐蚀SUBSTRATE速率会出现光刻刻胶的钻蚀蚀---方向性腐蚀剂会腐腐蚀衬底而而改变衬底底形貌---选择性lithographyIntroduction光刻刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀刻蚀湿法腐蚀：：湿法化学刻刻蚀在半导导体工艺中中有着广泛泛应用优点是选择性好、重复性好好、生产效效率高、设设备简单、、成本低缺点是钻蚀蚀严重、各向同性腐腐蚀，对图形的的控制性较较差在工业生产产中一般以以3um线宽为界限限，小于3um普遍应用干干法刻蚀技技术。各向同性和和异性假设hf为下层材料料的厚度，，l为抗蚀剂底底下的侧面面钻蚀距离离，可以定定义各向异异性的比值值Af为：其中：t为时间，而而Rl和Rv则分别为水水平方向与与垂直方向向腐蚀的速速率；对各各向同性腐腐蚀而言，，Rl＝Rv，Af＝0；对各向异异性腐蚀的的极限情况况而言，Rl＝0，Af＝1；湿法刻蚀技技术（1）WetEtchingSilicon（硅刻蚀））腐蚀液成份份：HNO3、HF、CH3COOH（水）醋酸比水好好，可以抑抑制HNO3的分解反应方程：：Si+HNO3+6HFH2SiF6+HNO3+H2+H2O混合液成份份不同腐蚀蚀速率不同同各向同性腐腐蚀WetEtchingSiliconDioxide（二氧化硅硅刻蚀）腐蚀液成份份：HF、氟化氨（（NH4F）水溶液反应方程：：SiO2+6HFH2+SiF6+2H2O腐蚀蚀液液中中加加入入一一定定的的氟氟化化氨氨作作为为缓缓冲冲剂剂形成成的的腐腐蚀蚀液液称称为为BHF，又又称称作作缓缓冲冲氧氧化化层层腐腐蚀蚀（（buffered-oxide-etch,BOE)湿法法刻刻蚀蚀技技术术（（2）湿法法刻刻蚀蚀技技术术（（3）WetEtchingSi3N4（氮氮化化硅硅刻刻蚀蚀））腐蚀蚀液液成成份份：：180℃℃浓度度为为85％的的磷磷酸酸溶溶液液WetEtchingAl（铝铝刻刻蚀蚀））腐蚀蚀液液成成份份:lithographyIntroduction光刻刻刻蚀蚀湿法法腐腐蚀蚀干法法刻刻蚀蚀溅射射与与离离子子束束铣铣（（xi）蚀蚀：：通过过高高能能惰惰性性气气体体离离子子的的物物理理轰轰击击作作用用刻刻蚀蚀，，各各向向异异性性性性好好，，但但选选择择性性较较差差等离离子子刻刻蚀蚀(PlasmaEtching)：利用用放放电电产产生生的的游游离离基基（（游游离离态态的的原原子子、、分分子子或或原原子子团团））与与材材料料发发生生化化学学反反应应，，形形成成挥挥发发物物，，实实现现刻刻蚀蚀。。选选择择性性好好、、对对衬衬底底损损伤伤较较小小，，但但各各向向异异性性较较差差反应应离离子子刻刻蚀蚀(ReactiveIonEtching，简简称称为为RIE)：通过过活活性性离离子子对对衬衬底底的的物物理理轰轰击击和和化化学学反反应应双双重重作作用用刻刻蚀蚀。。具具有有溅溅射射刻刻蚀蚀和和等等离离子子刻刻蚀蚀两两者者的的优优点点，，同同时时兼兼有有各各向向异异性性和和选选择择性性好好的的优优点点。。目目前前，，RIE已成成为为VLSI工艺艺中中应应用用最最广广泛泛的的主主流流刻刻蚀蚀技技术术DRYETCHING干法法刻刻蚀蚀DRYETCHING干法法刻刻蚀蚀干法法刻刻蚀蚀优优点点：：分辨辨率率高高各向向异异性性腐腐蚀蚀能能力力强强某些些情情况况下下腐腐蚀蚀选选择择比比大大均匀匀性性、、重重复复性性好好便于于连连续续自自动动操操作作干法法刻刻蚀蚀的的应应用用Si，Si3N4，SiO2Poly-Si,硅化化物物Al及其其合合金金耐熔熔金金属属（（Mo，W，Ta，Ti）DRYETCHING干法法刻刻蚀蚀湿法法刻刻蚀蚀工工艺艺和和干干法法刻刻蚀蚀工工艺艺的的比比较较？？干法法刻刻蚀蚀优优缺缺点点：：分辨辨率率高高各向向异异性性腐腐蚀蚀能能力力强强均匀匀性性、、重重复复性性好好便于于连连续续自自动动操操作作成本本高高，，选选择择比比一一般般较较低低湿法法刻刻蚀蚀的的优优缺缺点点：：成本本低低廉廉选择择比比高高各向向同同性性腐蚀蚀速速率率难难以以控控制制半导导体体工工业业的的持持续续成成长长，，是是因因为为可可将将越越来来越越小小的的电电路路图图案案转转移移到到半半导导体体晶晶片片上上。。转转移移图图案案的的两两个个主主要要工工艺艺为为图图形形曝曝光光与与刻刻蚀蚀。。目前前大大部部分分的的图图形形曝曝光光设设备备为为光光学学系系统统，，我我们们讲讲到到了了光光学学图图形形曝曝光光系系统统的的各各种种曝曝光光工工具具、、掩掩膜膜版版、、抗抗蚀蚀剂剂与与洁洁净净室室。。限限制制光光学学图图