电力电子技术期末考试样卷含答案

一、10分，每小题1.0分）阅卷教师900晶闸管变流一器就可实现有源逆变。(时，晶闸管承受反向阳极电压立刻关断。、（）在目前所有电力电子器件开关中，电力场效应管开关速度最快。、（IGBT可视为一个场效应管和一个电力晶体管的达林顿连接。、（）三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率300H。Z）移相控制角越大，整流电路的功率因数越高。、（）晶闸管内部可视为两个晶体三极管的负反馈连接。.4U。、（）高频PWM逆变电路输出电压含有低次谐波。10、（）晶闸管整流电路中的功率因数与电流波形畸变无关。二、单项选择题（20分，每小题2.0分）二、由IGBT组成的无源逆变器中其换流方式是（）A.电网换流B.器件换流C.强迫换流D.负载换流、带电阻性负载的单相全控桥，晶闸管所承受的最大正向和反向电(压为。A.2,2B.2,22C.2/2,2D.2,2/2UUUUUUUU22222222234Ucos1.15A.B.IIUcos2R2RddC.9Ucos0.45UcosID.IR2R2dd、带电感性负载的三相全控桥，变压器二次侧相电流有效(值为。A./3B.2/3/3D.2/3C.IIIIddddA.快速熔断器B.压敏电阻C.快速开关D.过流继电器、设开关周期和开关导通时间分别为,，在直流升降压斩波电路中，电源电压TtEtTt与负载电压平均值U之间的关系是（,）To1UEB.C.D.UEUEUE1oooo、能实现有源逆变的晶闸管整流电路(为。A.单相全控桥式电路B.单相半控桥式电路C.带续流二极管的单相全控桥式电路D.带续流二极管的单相半控桥式电路、异步调制中，若要改变SPWM逆变器的输出电压基波频率，可改(变。A.三角载波幅值B.三角载波频率C.正弦调制波的幅值D.正弦调制波的频率、A.IGBTGTRGTOB.GTOGTRIGBTD.GTRGTOIGBTC.IGBTGTOGTR10、移相全桥电路是应用最广泛的的软开关电路。它利用开关管并联的缓冲电容和反并联二极管，再加上一个电感构谐振软开关电路。B.零电压开通C.零电流关断D.零电流开通三、201.0在本题下的表格中）三、电力电子技术是使用1对2进行变34、5和67是高频、8、高功率密度和9。几乎所有的电力半导体器件均为10PowerDiodeSCRGTOGTRPowerMOSFETIGBT11，开关频率最高的是_12。PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现13效应。电力MOSFET漏源极之间有寄生14。其通态电阻具有15流有利。IGBT内部存在寄生16。软开关技术可以分为17和18两大类。三相六拍1800。,ia,b,ca,b,c开关接通，i相应地，开关关断，Z为相阻抗）,图中V为直流侧电源。当开关函数a,b,c'''Sa,b,}时，可计算出相电压U19U20。ab,c1014181115191216201317四、20分）1、无源逆变电路和有源逆变电路有何不四同？（5分）答：2（33带来什么问题？（4分）答：3、提高晶闸管整流电路网侧功率因数的主要方法有哪些？（5分）答：五、30分）五试画出PWM10S35E，占空比为tdiD，式中t为S导通时间，T为开关周期，t为开关关断时间，UL，LonToffdtl式中L为电感值，i为流过电感的电流，ttTL010E50V,R,T50s,t20s,Con输出电压平均值U和输出电流平均值I2oo解：一、10分，每小题1.0分）123456789ⅩⅩ√√√ⅩⅩⅩⅩⅩ二、单项选择题（20分，每小题2.0分）题号1答案B345678910BCCBBCADB三、20分，每空1.0主回路（功率变换器）PMOS（电力场效应管）SCR(晶闸)晶闸管零电流（零电压）VV评分标准：6内容顺序无关但不能重复；70单向或单极都可算正确，但填写“半导体开关”或“可控开关”错17；18光有电压201/3,1缺少V，可判定会计算，相应只扣一分。四、20分）1、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？（5分）自关断器件或采用带辅助换流电路的晶闸管；有源逆变电路交流输出侧是电网，可以采用晶闸管工作在有源逆变状态。评分标准：空白或答案内容与题目完全不符，零分，其它相应扣分；2（33带来什么问题？（4分）1f2谐波频率的平方与L,CL,C而减轻了滤波器的体积和重量；对于变压器来说，当输入电压为正弦波时，U4.4.4f•N•B•SfN和线圈截面积S参数值会减小，从而减小了变压器的体积和重量。高频化会带来电磁噪声干扰和开关损耗问题，而软件开关技术则是解决高频化问题的一种特殊技术。评分标准：答对滤波器体积重量降低原因3（2它内容与答案内容不附者，相应扣分。3、提高晶闸管整流电路网侧功率因数的主要方法有哪些？（5分）答：、附加有源功率因数校正器；、增加整流相数即整流电路多重化；、设计时尽量设法让整流装置运行在移相控制角比较小的状况下；、用全控器件组成高频PWM整流电路取代低频晶闸管相控整流电路。评分标准：空白零分；填写内容与题意完全相符且要点全出者，满分；所写内容与题意不完全相符，相应扣分。五、30分）分；无图无符号或空白者，扣10分。分；没有等效电路扣3分。5V导通时，电源E向L充电能；VD关断，充电的电容CR放电；开关V关断时，VD开通，充好能量的电感和电源一起向电容充电且向负载供电。2-33分；2-无文字说明者，扣5分。设V通态的时间为ton，此阶段电感L积蓄的能量为：EIt1设V断态的时间为toff，此期间电感L释放的能量为：UE)It01稳态时，一个周期TL积蓄能量与释放能量相等：EItUE)It101ttT1可得：UEoffEEon1D0ttoffoff评分标准：直接写出结果者，扣8分；有推导过程但原理不对，扣37