模拟电子技术基础-课后答案

(N)型和(P)(N)型半导体中的多子。空穴是P)型半导体中的少子。(本征激发)(掺杂)而产生。(杂质)(温度)变化显著。．导体中的(扩散)电流与载流子浓度梯度成正比；(漂移)电流与电场强度成正比。．当(P)区外接高电位而(N)区外接低电位时，PN结正偏。PN结又称为(空间电荷区(耗尽层(阻挡层和(势垒区。PN结的伏安方程为(Ieu/U(PN结的基本DTS特性是(单向导电性)特性。此外，PN结还有(电容)效应和反向击穿)特性。PN结电容包括(势垒电容和(扩散)电容。PN(势)电容。反偏越大，该电容越(越小。．普通Si二极管的导通电压的典型值约为(0.7)伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为(0.3伏。(锗)二极管的反向饱和电流远大于(硅)二极管的反向饱和电流。11PN结的反向击穿分为(齐纳击穿和(雪崩击穿两种机理。26．稳压管是利于PN(反向击穿特性工作的二极管。PN(反向特性工作的二极管。14．二极管交流电阻r的定义式是()，r的估算式是rdDddDQUI(，其中热电压U在=300K时，值约为(26)mV。TTD．当发射结正偏，集电结反偏时，BJT工作在(放大区，当发射结和集电结都(正偏时，BJT饱和；当发射结和集电结都(反偏)时，BJT截止。NPN(UUUCBE偏置的PNP管，三电极的电位关系是(UUU。CBE．为了提高值，BJT在结构上具有发射区杂质密度(远远高于基区杂质密度和基区(很薄的特点。I表示(集电极反向饱和电流O表示(发射极开路CEOCBO表示(C-E间的穿透电流，下标O表示(基极开路。这两个电流之间的关系是(II。i与i的关系为(iiISi管而言i(。iCBCCBB20．共射直流放大系数与共基直流电流放大系数的关系是(。1．在放大区，ii和i近似成(线性u则是(指ECBBE数关系。BJT27电流，此现象称为(基区宽度调制效应。23．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是if(u)(()。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是BuCEif(u)。CiB．当温度增加时，(增大CBO(增大，而共射输入特性曲线(左移使得U减小。BEIPBJT的三个主要极限参数是(((U。CBR(CEO)iiC．交流β的定义式为(；直流的定义式为EuCE常数ICE(。I1时的频率称为BJT(特征频率。r和交流β其实是两个共射H参数，它们与混合π参数的关系是beberrbbgr=(=(。bemberU是为了便于估算反映基调效应的混合π参数()Acer(。bc28(静态工作点中的(电容开路，(电感短路。．交流通路只反映(交流电压与(交流电流之间的关系。在画交流通路时，应将耦合和傍路电容及恒压源(短路。3．题2.13(3)所示共射放大器的输出直流负载线方程近似为UEI(RR)(。该电路的交流负CCCe1载线是经过(Q点，且斜率为(的一条直线。共射放RRCL大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点(u,i)(的运动轨迹。CECCE放大器工作点选在(交流负载线．放大器信号源的等效负载是放大器的(输入R输L出功率的等效信号源的内阻是放大器的(输出电阻。．多级放大器的增益等于各级增益分贝数(相加。若放大器A=7倍，u则A的分贝数=(37。u(直接耦合，(阻容耦合和(变压器)耦合。直流电源存在内阻是采用(电源去耦电路。．高增益直流放大器要解决的一个主要问题是(零点漂移（温漂）。29(出信号产生了新的频率成分）。．图13）和（）是两个无源单口网络。图（R等ab）．图14是某放大器的通用模型。如果该放大器的端电压增益A=-100，uuoipΩΩ．在BJT三种基本放大器中，CE组态使用较多的一个原因是(功率增益I)增加，而CEO30(减小，使图13(16)偏置电路的工作点向(上移动。UBE13(16)电路的(基极(集电极)电流明显增大，(U电压明显减小。CE．图．所示偏置电路称为(射极（或工作点稳定电路）偏置电路。当电路Re满足条件((时，稳定Q效果较好。II1B．图13(18)电路中，只有电阻(R工作点会移向(饱和区。对I几乎无影响，但R增加时，CCC311．在半导体集成电路中，(BJT)元件占芯片面积最小，(R)和(C元件的值越大，占芯片面积越大，而(L元件无法集成。．集成放大器的偏置电路往往采用(恒流源电路。而集成放大器的负载常采(有源负载负载，其目的是为了(提高电压增益。3．IC中的恒压源和恒流源电路属于非线性电阻性单口器件。前者有很小的(交流电阻，后者的(交流电阻很大。4．图3．19所示CE基本差动放大器的差模输入电压u的线性范围约为id(26。．在图19中，当u超过大约(100)mV时，输出出现明显限幅。id．差动放大器依靠电路的(对称性(共模负反馈来抑制零点漂移。．出电压几乎相同，其原因是(差放抑制共模信号。．采用恒流源偏置的差动放大器可以明显提高(共模抑制比。．NPN-PNP(共集电极功放电路，对发射结加一定正偏电压的目的是为了克服(交越失真。．图）所示复合管等效为一只(NPN标出各电极。其等效=(，等效=()r。rbe1121211．使用P=lW的BJT作甲类功放时，只能输出(0.25)W功率，而用两只CMP=lW的NPN和PNP管组成乙类功效，却能输出(5)W功率。CM32．对于OCL或OTL电路，当负载电阻减小时，最大输出功率(增大。14．当功率管的饱和压降U增大时，各指标的变化为P(减小)，CESomaxη(降低，(不变和(不变。maxEmaxT1max33．场效应管(FET)依靠(栅源电压GS控制漏极电流i，故称为(电压控D制器件。FET工作于放大区，又称为(饱和区或(恒流区。此时i主要受(栅D源u电压控制，而i几乎不随(漏源u电压的改变而变化。GSDDSN沟道FET放大偏置时，沟道电流i的方向是从(漏极到(源极；P沟D道FET放大偏置时，i的方向是从(源极到(漏极。D．沟道预夹断是指沟道在(靠近漏极位置刚好消失的状态。此时，u与GSDS满足的关系式称为(预夹断方程。5．FET的小信号跨导定义为g=(D)，对于耗尽型管；对于增强型umGS常数uDS2Iu(1)ig((DUUmm0I()()DSS2Iu(管g(GS。mUUGS(th)GS(th)6．在放大区，耗尽型管转移特性曲线近似满足的平方律关系式为uuIDSS)2I(2(，而增强型管的平方律关系式为(GS。UUDOGS(off)GS(th)FETBJT(基极、(发射极和(集电极极相似。．在FET分立元件放大电路中，常采用的偏置电路是(自偏压电路和分压式34自偏压电路。但自偏压式偏置电路不能用于增强型MOSFET。FET的三种基本放大组态：CS组态、CD组态和CG组态，其放大特性分别与BJT(CE组态、(CC组态和(CB组态相似。FET(沟道调制效应与BJT的基区宽调效应相似。基区宽调效应使集电结反偏电压变化对各极电流有影响，而FET的该效应使(u)电压的变化对DDS产生影响。11FET的小信号参数(r是沟道调制效应的反映。ds35(正弦稳态(频率特性函数。．在低频段，由于(耦合电容、旁路电容（等电抗元件）的存在，使放大器的增益是频率的函数；在高频段，由于(极间电容、分布电容、杂散电容等使增益也是频率的函数。1．当输入信号频率降低或升高至使增益)下降到中频段增益A(倍o2时所对应的频率，分别称为增益的(下限截止频率f．和(上限截止频率f。LH通频带就是在(ff之间的频率范围。f和f又称为(3)dB(截止频LHLH率。BW又称为(3)dB带宽。．大器对输入信号的高频分量或低频分量的放大倍数不相同，输出波形就会发生畸变，这种输出失真称为(幅频失真。放大器对输入信号的某些频率成分的时延不同，或者说对不同频率的输入信号产生的附加相移不与频率成正比，也会使输出波形畸变，这种输出失真称为(相频失真。以上两种失真统称为(频率失真。．与非线性失真最根本的区别是：发生频率失真时，输出波形中不会出现(新的频率（谐波）成分。所以，频率失真又称为(线性失真。．将频率特性函数A(j中的(代以(Sj(s)。使0的取值称为放大器增益函数的(零点，使(s)的取值称为放大器增益函数的(极点。367．电压增益的频率特性函数20lg|A)）u1008060A(j)A)e()jA。其中)的含义是uuu(幅频特性－表示放大器增益的幅值与频率4020的关系，()含义是(相频特性－表示放大678图12(8)）器增益的相位与频率的关系。8．如图12(8)A幅频波特图所对应的中频增益A=(10倍，5uuof=(Hz。H．如果放大器小信号模型中只有一个独立电容，则该放大器的任何频率特性函1数的截止角频率都等于((其中R为该电容两端的等效电阻)ORCO3s142A()．某放大器的电压增益函数sss62(2)，经u224A=(300ω=(100radω=(10rad。6uoLH（此为全频段的增益函数，需画出波特图才能知道中频增益的大小）先将增益函数变为变为标准作图式：310ss222()310)A2ssssu))))2222101010102626可先画括号部分的波特图，然后下移20lg(310)dB237电压串联，电压并联，电流串联，电流并联四种；若把输出端短路后，反馈因而消失者，就是电压反馈；反馈并电流短路就是并联反馈，否则，则是串联反馈。）为了充分提高负反馈的效果，串联反馈要求信号源内阻小，并联反馈要求信号源内阻大载电阻大。电阻小）电流串联负反馈放大器是一种输出端取样为电流电压的负反馈放大器，它使输入电阻增大，输出电阻增大。（4）电压并联负反馈放大器是一种输出端取样为电压，输入端比较量为电流的负反馈放大器，它使输入电阻减小，输出电阻减小。）若要减小放大器从信号源索取电流，应引入串联负放大器带负载能力，应引入电压负反馈。反馈，若要提高）一个电压串联负反馈放大器，无反馈时电压增益为80dB，为使有反馈时的电压增益为20dB，则反馈深度（）应为60。反馈系数B约等于0.1。（7）负反馈系统产生自激的条件是AjBj，相应的振幅条件是11，相位条件是(2AjBjn。TAB）放大器的闭环增益为40dB，基本放大器放大倍数变化了10%，闭环增益变化了，则开环增益为60dB38）理想集成运放开环电压放大倍数A=，输入电阻R=，输udid出电阻R=0，共模抑制比K=，开环带宽=。0C