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5V33V5V3.3V1。LDO5V3.3V2.0~3.0V5V3.3V3(LDO)稳压器的压降为几1LDOLDO4·通路晶体管；·带隙参考；·运放；·反响电阻分压器。量会获得最正确设计。IGNDIGNDIOUT>>IQLDO速响应瞬时线路和负载变化。承受齐纳二极管的低本钱电源方案113.3VLDO它的效率较低，功率总是消耗在电阻R和二极管DR限制到MCUMCUVDD由于跨接在齐纳二极管上的反向电压随流经的电流变化而变化，所以要认真地考虑R(MCURRMCU(MCURVDDMCUVDD承受三个整流二极管的低本钱电源MCU2)极管要小。依据所选二极管正向压降是流经二极管电流的函R1MCUVDDMCUVDDD1-D3最大负载(MCUD1-D3MCUVDD承受开关稳压器的电源方案Q1MOSFETON或OFF)，所以高的源电源可以格外有效地变换到较低的输出电压。建立输入和输出之间的关系：(VS-VO)×ton=VO×(T-ton)MOSFETQ1Duty-CycleQ1=VO/VS10%：V=L×(di/dt)L=(VS-VO)×(ton/IO×0.10)在可承受的范围内。ZO=C=L/R

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