二极管三极管场管课件

DE3VRuiuouRuD例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，ui

=6sintV,E=3V,试画出

uo波形。t

t

ui

/Vuo/V6330022–6第1章1.3uR？DERuiuouRuD例2：下图是二极管限幅电路1t

6302例3：双向限幅电路t03–3DE3VRDE3V第1章1.3uiuouRuD

ui

/Vuo/V–3t6302例3：双向限幅电路t03–321.4稳压管IFUF0正向特性反向击穿区UZIminIZmaxDZ正极负极符号伏安特性

稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。第1章1.4工作在反向击穿区1.4稳压管IFUF0正向特性反向击穿区UZIminIZ30

稳压管的主要参数1.稳定电压UZ

2.最小稳定电流Imin

3.最大稳定电流IZmax4.动态电阻RZIZUZRZ=IZ

UZ5.电压温度系数

VZT6.最大允许耗散功率PM第1章1.4IFUFIminIZmaxUZ工作在反向击穿区：电流变化大，电压几乎不变0稳压管的主要参数1.稳定电压UZ2.最小4第1章1.4例题：已知ui

=10sintV,UZ=5.5V（稳压值），正向压降为0.7V，试画出

uo波形。DZUZRuiuouRt

t

ui

/Vuo/V105.55.50022–0.70.7解：IU0UZIminIZmax第1章1.4例题：已知ui=10sintV,5N型硅二氧化硅保护膜BECN+P型硅1.5.1半导体三极管的结构（a）平面型N型锗ECB铟球铟球PP+（b）合金型1.5半导体三极管第1章1.5N型硅二氧化硅保护膜BECN+P型硅1.5.1半导体三61.NPN型三极管集电区集电结基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极E

三极管的结构分类和符号PECB符号第1章1.51.NPN型三极管集电区集电结基区发射结发射区NN7集电区集电结基区发射结发射区

CBEN集电极C发射极E基极BNPPN2.PNP型三极管第1章1.5集电区集电结基区发射结发射区CBEN集电极C发射极E基极B8ECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.5.2

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:

（1）发射结正向偏置（加正向电压）；（2）集电结反向偏置（加反向电压）。第1章1.5EBRBIBECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路1.59发射区向基区扩散电子IEIB电子在基区扩散与复合集电区收集电子

电子流向电源正极形成ICICNPN电源负极向发射区补充电子形成

发射极电流IE

三极管的电流控制原理电源正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB第1章1.5VCCRCVBBRBCBE发射区向基区IEIB电子在基区集电区收集电子电子流向电源正10由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以：IC>>IB同样有:IC>>

IB所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。第1章1.5电流关系：IE=IB+ICECRCIC

UCECEBUBEEBRBIBIEIC=IB直流电流放大系数

=

IC

IB由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子11ECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.5.2

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:输出回路输入回路公共端第1章1.5EBRBIBIEUBE

>0UBC

<

0即

VC>

VB>

VEECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路1.512ECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.5.2

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于PNP型三极管应满足:输出回路输入回路公共端第1章1.5EBRBIBIE即

VC

<VB

<

VEUBC

>0UBE<

0ECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路1.513IBUBE0UCE

≥

1V死区电压1.三极管的输入特性IB

=f(UBE)UCE=常数1.5.3三极管的特性曲线第1章1.5ECRCIC

UCECEBUBE输出回路输入回路公共端EBRBIBIEIBUBE0UCE≥1V死区电压1.三极管的输入14IB

=40µAIB

=60µAUCE

0IC

IB增加IB

减小IB

=20µAIB=

常数IC

=f

(UCE)2.三极管的输出特性第1章1.5IB=40µAIB=60µAUCE0ICIB增加IB15IC

/mAUCE

/V0放大区三极管输出特性上的三个工作区IB=

0µA20µA40µA截止区饱和区60µA80µA第1章1.5UCE小IC小IC/mAUCE/V0放大区三极管输出特性上的三个16共发射极接法放大电路（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:VC

>

VB

>

VE且IC=

IB对于PNP型三极管应满足:

VC

<VB

<

VE且IC=

IBRBEBECRCIC

UCECEBIBUBE（一）放大状态条件特征3、三极管在三个区的工作状态IE共发射极接法放大电路（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏17（二）饱和状态集电结、发射结均反向偏置，即UBE<0（1）IB增加时，IC基本不变，且IC

UC/RC

（2）UCE0

晶体管C、E之间相当于短路（三）截止状态即UCE<

UBE

（1）IB=0、IC

0（2）UCE

EC晶体管C、E之间相当于开路共发射极接法放大电路条件特征（1）发射结正向偏置；（2）集电结正向偏置。条件特征RBEBECRCIC

UCECEBIBUBEIE（二）饱和状态集电结、发射结均反向偏置，即UBE<181.5.4三极管的主要参数1.电流放大系数

(1)直流电流放大系数

(2)交流电流放大系数

=

IC

IB

2.穿透电流ICEO

3.集电极最大允许电流ICM

4.集--射反相击穿电压U(BR)CEO

5.集电极最大允许耗散功率PCM极限参数使用时不允许超过!第1章1.5

=

IC

IB1.5.4三极管的主要参数1.电流放大系数(11960µA0

20µA1.52.3在输出特性上求

,

=IC

IB

=1.5mA40µA=37.5

=IC

IB

=2.3–1.5(mA)60–40(µA)=40设UCE=6V,IB由40µA加为60µA。第1章1.5IC

/mAUCE

/VIB

=40µA660µA020µA1.52.3在输出特性上求 20重点：1、三极管的三种工作状态2、电流关系：IE=IB+ICIC=IB

作业：1—5、1—6、1—91—4（选做）注意：各点波形要对应画出，否则按错误处理。重点：1、三极管的三种工作状态2、电流关系：作业：1—5、210IB=

0µA20µA40µA60µA80µA由三极管的极限参数确定安全工作区安全工作区过损耗区PCM曲线第1章1.5IC

/mAUCE

/VICEOICMU(BR)CEO0IB=0µA20µA40µA60µA80µA由三22SiO2结构示意图1.6.1

N沟道增强型绝缘栅场效应管P型硅衬底源极S栅极G漏极D1.6绝缘栅场效应管衬底引线BN+N+DBSG符号1.结构和符号第1章1.6SiO2结构示意图1.6.1N沟道增强型绝缘栅场效应管P23SiO2结构示意图P型硅衬底耗尽层衬底引线BN+N+SGDUDSID

=0D与S之间是两个PN结反向串联，无论D与S之间加什么极性的电压，漏极电流均接近于零。2.工作原理(1)UGS=0第1章1.6SiO2结构示意图P型硅衬底耗尽层衬底引线BN+N+SGDU24P型硅衬底N++BSGD。耗尽层ID=0(2)0<UGS

<UGS(th)由柵极指向衬底方向的电场使空穴向下移动,电子向上移动,在P型硅衬底的上表面形成耗尽层。仍然没有漏极电流。UGSN+N+第1章1.6UDSP型硅衬底N++BSGD。耗尽层ID=0(2)025P型硅衬底N++BSGD。UDS耗尽层ID栅极下P型半导体表面形成N型导电沟道，当D、S加上正向电压后可产生漏极电流ID。(3)UGS>UGS(th)N型导电沟道N+N+第1章1.6UGSP型硅衬底N++BSGD。UDS耗尽层ID(3)UGS>264321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA可变电阻区：UGS不变，ID与UDS成正比，漏源之间相当于一个可变电阻。4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m274321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA饱和区：UDS大于一定值，在UGS一定，ID几乎不变，ID受UGS的控制。4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m284321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA截止区：UDS过大，ID急剧增加。4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m294321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA转移特性：ID=f（

UGS）|UDS=常数4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m30结构示意图1.6.2

N沟道耗尽型绝缘栅场效应管P型硅衬底源极S漏极D栅极G衬底引线B耗尽层1.结构特点和工作原理N+N+正离子N型沟道SiO2DBSG符号制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。第1章1.6结构示意图1.6.2N沟道耗尽型绝缘栅场效应管P型硅衬底源31432104812UGS

=1V–2V–3V输出特性转移特性耗尽型NMOS管的特性曲线

1230V–1012–1–2–3UGS/V2.特性曲线IDUGSUGs(off)UDS/VUDS=10V第1章1.6ID/mAID/mA432104812UGS=1V–2V–3V输出特性转移特性32N型硅衬底N++BSGD。耗尽层PMOS管结构示意图P沟道1.6.3

P沟道绝缘栅场效应管（PMOS）PMOS管与NMOS管互为对偶关系，使用时UGS

、UDS的极性也与NMOS管相反。P+P+第1章1.6UGSUDSIDN型硅衬底N++BSGD。耗尽层PMOS管结构示意图P沟道1331.P沟道增强型绝缘栅场效应管开启电压UGS(th)为负值，UGS<UGS(th)

时导通。SGDB符号

ID/mAUGS

/V0UGS(th)

转移特性2.P沟道耗尽型绝缘栅场效应管DBSG符号

ID/mAUGS

/V0UGS(off)

转移特性夹断电压UGS(off)为正值，UGS

<

UGS(off)时导通。第1章1.61.P沟道增强型绝缘栅场效应管开启电压UGS(th)为SG34在UDS=0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。1.6.4绝缘栅场效应管的主要参数1.开启电压UGS(th)

指在一定的UDS下，开始出现漏极电流所需的栅源电压。它是增强型MOS管的参数，NMOS为正，PMOS为负。2.夹断电压UGS(off)

指在一定的UDS下，使漏极电流近似等于零时所需的栅源电压。是耗尽型MOS管的参数，NMOS管是负值，PMOS管是正值。3.直流输入电阻RGS（DC）4.低频跨导gm

UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压的微变量之比称为跨导,即第1章1.6在UDS=0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。1.635另外，漏源极间的击穿电压U(BR)DS、栅源极间的击穿电压U(BR)GS以及漏极最大耗散功率PDM是管子的极限参数，使用时不可超过。gm=ID

/UGSUGS=常数跨导是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。第1章1.6gm=ID/UGSUGS=常数第1章1.636第一章复习题一、单项选择题1.在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V，这三极管的类型是-------。（1）PNP型锗管 （2）PNP型硅管 （3）NPN型锗管 （4）NPN型硅管 答案（2）2.在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V，则分别代表管子的三个极是-------。（1）e、c、b（3）b、c、e（4）c、b、e（2）e、b、c答案（2）3.在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V，这三极管的类型是-------。（1）PNP型锗管 （2）PNP型硅管 （3）NPN型锗管 （4）NPN型硅管 答案（3）第一章复习题一、单项选择题1.在放大电路中，若测得某管的374.在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V，则分别代表管子的三个极是-------。（1）e、c、b（3）b、c、e（4）c、b、e（2）e、b、c答案（2）5.一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作区为-------（1）饱和区（2）截止区（3）放大区答案（1）6.一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE>0，UBC<0，UCE>0，则此管工作区为-------（1）饱和区（2）截止区（3）放大区答案（3）4.在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1387.一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE<0，UBC<0，UCE>0，则此管工作区为-------（1）饱和区（2）截止区（3）放大区答案（2）8.稳压管工作在------状态。（1）正向导通（2）反向截止（3）反向击穿9.稳压管稳压电路如图所示，其中UZ1=7V，UZ2=3V，它们的正向导通压降为0.7V，其输出电压为------。DZ1UZ1RuiuoUZ2DZ2（1）0.7V（2）1.7V（3）3V（4）7.7V答案（3）答案（4）7.一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE<0，U391、在图所示电路中，E=5V、ui=10sintV，D为理想二极管，试画出输出uO的波形。DERuiuot

t

ui

/Vuo/V10550022–10二、计算下列各题1、在图所示电路中，E=5V、ui=10sintV，D为理402、两个稳压管的稳压值分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.5V、若得到6V电压，试画出稳压电路。DZ15.5VRuiuoDZ2解：0.5V3、两个稳压管的稳压值分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.6V、若得到14V电压，试画出稳压电路。DZ18.5VRuiuoDZ2解：5.5V2、两个稳压管的稳压值分别为5.5V和8.5V41本章结束本章结束42DE3VRuiuouRuD例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，ui

=6sintV,E=3V,试画出

uo波形。t

t

ui

/Vuo/V6330022–6第1章1.3uR？DERuiuouRuD例2：下图是二极管限幅电路43t

6302例3：双向限幅电路t03–3DE3VRDE3V第1章1.3uiuouRuD

ui

/Vuo/V–3t6302例3：双向限幅电路t03–3441.4稳压管IFUF0正向特性反向击穿区UZIminIZmaxDZ正极负极符号伏安特性

稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。第1章1.4工作在反向击穿区1.4稳压管IFUF0正向特性反向击穿区UZIminIZ450

稳压管的主要参数1.稳定电压UZ

2.最小稳定电流Imin

3.最大稳定电流IZmax4.动态电阻RZIZUZRZ=IZ

UZ5.电压温度系数

VZT6.最大允许耗散功率PM第1章1.4IFUFIminIZmaxUZ工作在反向击穿区：电流变化大，电压几乎不变0稳压管的主要参数1.稳定电压UZ2.最小46第1章1.4例题：已知ui

=10sintV,UZ=5.5V（稳压值），正向压降为0.7V，试画出

uo波形。DZUZRuiuouRt

t

ui

/Vuo/V105.55.50022–0.70.7解：IU0UZIminIZmax第1章1.4例题：已知ui=10sintV,47N型硅二氧化硅保护膜BECN+P型硅1.5.1半导体三极管的结构（a）平面型N型锗ECB铟球铟球PP+（b）合金型1.5半导体三极管第1章1.5N型硅二氧化硅保护膜BECN+P型硅1.5.1半导体三481.NPN型三极管集电区集电结基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极E

三极管的结构分类和符号PECB符号第1章1.51.NPN型三极管集电区集电结基区发射结发射区NN49集电区集电结基区发射结发射区

CBEN集电极C发射极E基极BNPPN2.PNP型三极管第1章1.5集电区集电结基区发射结发射区CBEN集电极C发射极E基极B50ECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.5.2

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:

（1）发射结正向偏置（加正向电压）；（2）集电结反向偏置（加反向电压）。第1章1.5EBRBIBECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路1.551发射区向基区扩散电子IEIB电子在基区扩散与复合集电区收集电子

电子流向电源正极形成ICICNPN电源负极向发射区补充电子形成

发射极电流IE

三极管的电流控制原理电源正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB第1章1.5VCCRCVBBRBCBE发射区向基区IEIB电子在基区集电区收集电子电子流向电源正52由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以：IC>>IB同样有:IC>>

IB所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。第1章1.5电流关系：IE=IB+ICECRCIC

UCECEBUBEEBRBIBIEIC=IB直流电流放大系数

=

IC

IB由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子53ECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.5.2

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:输出回路输入回路公共端第1章1.5EBRBIBIEUBE

>0UBC

<

0即

VC>

VB>

VEECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路1.554ECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.5.2

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于PNP型三极管应满足:输出回路输入回路公共端第1章1.5EBRBIBIE即

VC

<VB

<

VEUBC

>0UBE<

0ECRCICUCECEBUBE共发射极接法放大电路1.555IBUBE0UCE

≥

1V死区电压1.三极管的输入特性IB

=f(UBE)UCE=常数1.5.3三极管的特性曲线第1章1.5ECRCIC

UCECEBUBE输出回路输入回路公共端EBRBIBIEIBUBE0UCE≥1V死区电压1.三极管的输入56IB

=40µAIB

=60µAUCE

0IC

IB增加IB

减小IB

=20µAIB=

常数IC

=f

(UCE)2.三极管的输出特性第1章1.5IB=40µAIB=60µAUCE0ICIB增加IB57IC

/mAUCE

/V0放大区三极管输出特性上的三个工作区IB=

0µA20µA40µA截止区饱和区60µA80µA第1章1.5UCE小IC小IC/mAUCE/V0放大区三极管输出特性上的三个58共发射极接法放大电路（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:VC

>

VB

>

VE且IC=

IB对于PNP型三极管应满足:

VC

<VB

<

VE且IC=

IBRBEBECRCIC

UCECEBIBUBE（一）放大状态条件特征3、三极管在三个区的工作状态IE共发射极接法放大电路（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏59（二）饱和状态集电结、发射结均反向偏置，即UBE<0（1）IB增加时，IC基本不变，且IC

UC/RC

（2）UCE0

晶体管C、E之间相当于短路（三）截止状态即UCE<

UBE

（1）IB=0、IC

0（2）UCE

EC晶体管C、E之间相当于开路共发射极接法放大电路条件特征（1）发射结正向偏置；（2）集电结正向偏置。条件特征RBEBECRCIC

UCECEBIBUBEIE（二）饱和状态集电结、发射结均反向偏置，即UBE<601.5.4三极管的主要参数1.电流放大系数

(1)直流电流放大系数

(2)交流电流放大系数

=

IC

IB

2.穿透电流ICEO

3.集电极最大允许电流ICM

4.集--射反相击穿电压U(BR)CEO

5.集电极最大允许耗散功率PCM极限参数使用时不允许超过!第1章1.5

=

IC

IB1.5.4三极管的主要参数1.电流放大系数(16160µA0

20µA1.52.3在输出特性上求

,

=IC

IB

=1.5mA40µA=37.5

=IC

IB

=2.3–1.5(mA)60–40(µA)=40设UCE=6V,IB由40µA加为60µA。第1章1.5IC

/mAUCE

/VIB

=40µA660µA020µA1.52.3在输出特性上求 62重点：1、三极管的三种工作状态2、电流关系：IE=IB+ICIC=IB

作业：1—5、1—6、1—91—4（选做）注意：各点波形要对应画出，否则按错误处理。重点：1、三极管的三种工作状态2、电流关系：作业：1—5、630IB=

0µA20µA40µA60µA80µA由三极管的极限参数确定安全工作区安全工作区过损耗区PCM曲线第1章1.5IC

/mAUCE

/VICEOICMU(BR)CEO0IB=0µA20µA40µA60µA80µA由三64SiO2结构示意图1.6.1

N沟道增强型绝缘栅场效应管P型硅衬底源极S栅极G漏极D1.6绝缘栅场效应管衬底引线BN+N+DBSG符号1.结构和符号第1章1.6SiO2结构示意图1.6.1N沟道增强型绝缘栅场效应管P65SiO2结构示意图P型硅衬底耗尽层衬底引线BN+N+SGDUDSID

=0D与S之间是两个PN结反向串联，无论D与S之间加什么极性的电压，漏极电流均接近于零。2.工作原理(1)UGS=0第1章1.6SiO2结构示意图P型硅衬底耗尽层衬底引线BN+N+SGDU66P型硅衬底N++BSGD。耗尽层ID=0(2)0<UGS

<UGS(th)由柵极指向衬底方向的电场使空穴向下移动,电子向上移动,在P型硅衬底的上表面形成耗尽层。仍然没有漏极电流。UGSN+N+第1章1.6UDSP型硅衬底N++BSGD。耗尽层ID=0(2)067P型硅衬底N++BSGD。UDS耗尽层ID栅极下P型半导体表面形成N型导电沟道，当D、S加上正向电压后可产生漏极电流ID。(3)UGS>UGS(th)N型导电沟道N+N+第1章1.6UGSP型硅衬底N++BSGD。UDS耗尽层ID(3)UGS>684321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA可变电阻区：UGS不变，ID与UDS成正比，漏源之间相当于一个可变电阻。4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m694321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA饱和区：UDS大于一定值，在UGS一定，ID几乎不变，ID受UGS的控制。4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m704321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA截止区：UDS过大，ID急剧增加。4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m714321051015UGS

=5V6V4V3V2VID/mAUDS=10V增强型

NMOS

管的特性曲线

0123饱和区击穿区可变电阻区246UGS

/

V3.特性曲线UGs(th)输出特性转移特性UDS/V第1章1.6ID/mA转移特性：ID=f（

UGS）|UDS=常数4321051015UGS=5V6V4V3V2VID/m72结构示意图1.6.2

N沟道耗尽型绝缘栅场效应管P型硅衬底源极S漏极D栅极G衬底引线B耗尽层1.结构特点和工作原理N+N+正离子N型沟道SiO2DBSG符号制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。第1章1.6结构示意图1.6.2N沟道耗尽型绝缘栅场效应管P型硅衬底源73432104812UGS

=1V–2V–3V输出特性转移特性耗尽型NMOS管的特性曲线

1230V–1012–1–2–3UGS/V2.特性曲线IDUGSUGs(off)UDS/VUDS=10V第1章1.6ID/mAID/mA432104812UGS=1V–2V–3V输出特性转移特性74N型硅衬底N++BSGD。耗尽层PMOS管结构示意图P沟道1.6.3

P沟道绝缘栅场效应管（PMOS）PMOS管与NMOS管互为对偶关系，使用时UGS

、UDS的极性也与NMOS管相反。P+P+第1章1.6UGSUDSIDN型硅衬底N++BSGD。耗尽层PMOS管结构示意图P沟道1751.P沟道增强型绝缘栅场效应管开启电压UGS(th)为负值，UGS<UGS(th)

时导通。SGDB符号

ID/mAUGS

/V0UGS(th)

转移特性2.P沟道耗尽型绝缘栅场效应管DBSG符号

ID/mAUGS

/V0UGS(off)

转移特性夹断电压UGS(off)为正值，UGS

<

UGS(off)时导通。第1章1.61.P沟道增强型绝缘栅场效应管开启电压UGS(th)为SG76在UDS=0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。1.6.4绝缘栅场效应管的主要参数1.开启电压UGS(th)

指在一定的UDS下，开始出现漏极电流所需的栅源电压。它是增强型MOS管的参数，NMOS为正，PMOS为负。2.夹断电压UGS(off)

指在一定的UDS下，使漏极电流近似等于零时所需的栅源电压。是耗尽型MOS管的参数，NMOS管是负值，PMOS管是正值。