微机原理：第五章 存储器原理与接口1

第五章存储器原理与接口存储器分类多层存储结构的概念主存储器及存储控制8086存储器组织5.1存储器分类存储器分类方式1、按存储介质分类

半导体存储器

磁表面（磁盘和磁带等）存储器

光电存储器2、半导体存储器按存取方式分类随机存储器RAM(RandomAccessMemory)只读存储器ROM（Read-OnlyMemory）串行访问存储器SAS(SerialAccessStorage)SAS分顺序存取存储器（SAM）和直接存取存储器（DAM）。3、按在计算机中的作用分类

主存储器(内存)

辅助存储器(外存)

高速缓冲存储器

半导体存储器的分类制作工艺：双极型、MOS、TTL、ECL等1、随机存取存储器RAM2、只读存储器ROM1、随机存取存储器RAMa.静态RAM:SRAM

（ECL，TTL，MOS）

b.动态RAM:DRAMc.组合RAM:IRAMd.FLASH:SRAM+EEPROM2、只读存储器ROMa.掩膜式ROMb.可编程的PROMc.可用紫外线擦除、可编程的EPROMd.可用电擦除、可编程的E2PROM等分类掩模ROM可编程ROM（PROM）可擦除可编程ROM（EPROM）随机存储器RAM静态存储器SRAM动态存储器DRAM按功能(Read-OnlyMemory)(RandomAccessMemory)(ProgrammableROM)(ErasablePROM)UVEPROMEEPROM只读存储器ROMFlashMemory(Ultra-Violet)(Electrically)电可擦除紫外线擦除(StaticRAM)快闪存储器(DynamicRAM)只能读出不能写入,断电不失还可以按制造工艺分为双极型和MOS型。顺序存取存储器SAMFIFO先入先出CCD电荷耦合器件

存储器芯片主要指标：

存储容量、存取速度。

存储容量:单元数×位数表示，

也可只用位数表示。

如，某动态存储器的容量为109位/片。5.2多层存储结构概念

1、解决容量、速度、价格间的矛盾，建立起多层存储结构。金字塔结构的多层存储体系,充分体现出容量和速度关系2、多层存储结构寄存器Cache(高速缓存)内存（主存）磁盘磁道、光盘辅存（主存）

Cache—主存层次：解决CPU与主存的速度上的差距；

主存—辅存层次：解决存储的大容量要求和低成本之间的矛盾。5.3主存储器及存储控制5.3.1主存储器1、主存储器的主要技术指标存储容量存取速度可靠性功耗

1）存储容量存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量

（寻址空间，由CPU的地址线决定）

实际存储容量：在计算机系统中具体配置了多少内存。

2）存取速度

存取时间

指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，又称为读写周期。

SDRAM同步动态随机存储器: 12ns10ns8ns

RDRAM存储器总线式动态随机存储器: 1ns 0.625ns2）存取速度存储周期

连续启动两次独立的存储器操作(如连续两次读操作)所需要的最短间隔时间称为存储周期。一般情况下，存储周期略大于存取时间。3）可靠性

可靠性是用平均故障间隔时间来衡量（MTBF,MeanTimeBetweenFailures）4）功耗

功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小2、主存储器的基本操作

存储器读存储器写M/IO5.3.2主存储器的基本组成半导体存储器芯片、译码电路半导体存储器芯片的结构存储体地址译码输入输出控制存储体：是存储芯片的主体，由基本存储元按照一定的排列规律构成。地址译码器：接收CPU的k位地址，译码后产生2k个地址选择信号，对片内存储单元选址。I/O控制电路：