电子赛道动能依旧芯周期破暗将明

电子周期下行缓慢筑底，行业呈现结构性变迁电子行业是由创新驱动的成长性新兴产业，创新是支撑行业长期繁荣的底层逻辑。从产品驱动层面判断，每隔1020年子业会划时的技和产出现带着费子导体显面等求增长，此时业长点由品周主9起主的以联和车电为表新应随着5、AI汽电等用，电赛以张导业量持高，将行来1020的高成长提巨基动。时代移动互联时代IoT时代Wiw、液晶显示等推动液晶电视等需求增长；苹果推出时代移动互联时代IoT时代Wiw、液晶显示等推动液晶电视等需求增长；苹果推出i以Gl推出开放式的ri手机系统苹果、谷歌、三星等型号不断更新，智能手机市场爆发、、数据中心汽电子等速透、物联网、等兴起手机迅速长，新品堆叠创新手机逐步及；平板电脑快速透.0.0.0.0.0.0.0.0.0.0.0申万电子/万得全A（除科创板） 台湾电子/台湾加权指数（右轴）

.0.9.8.7.6.5.4.3.2.1.0:wind电子行业周期下行慢底汽车电子上及消电子后期复苏助推侧局良机于子造属及高度全化产链订库格动短因素具扰行运的可性我综上原材本和下需及业量格多维的息得电行景度情体看电行业景气指自1年4始下在22年7到近6内低具电子器销层据BAI统计整销额比化（以0年9月准归化理同自21年4月始滑下至22年8月现复本行景下主归因全经不气消费预性蓄强行业新不足因传下费子表相疲，外020疫后子业现供链缺象产部分货及涨影产陆放后货解库水之变我们认为当前于此轮电子行业周底位置，展望后市汽车子控等需求持续逆势行伴着消费电子需触反弹行业受多驱动迎新一轮周期另一方面当前半体销售额周期峰值过据历史经验下一轮周也将接踵而至期间存黄金布局时机。图：016年至今电子行业单月景气度2.521.510.5JJn-16Jl-16Jn-17Jl-17Jn-18Jl-18Jn-19Jl-19Jn-20Jl-20Jn-21Jl-21Jn-22Jl-22-0.5-1:tys

图：电子元器件销售景气度（以200年9月为基准）6%4%2%SeSe-20No-20Jn-21ar-21ay-1Jl-21Se-21No-21Jn-22ar-22ay-2Jl-22Se-22-2%-4%-6%资料来:BMI半导体方面，们全半导销额盘导景气期用比据小于0谷点分轮周，19962019年半体业经历了7个整景周期2022年体于行区。导行周为库、资本支品大交叠当前时点来看导体三大周期表现为存端已上行显现压力本开支端绝对值仍创新高但边调下滑产品端迎汽车电等新兴应用起势结构变化贯穿行业此轮期使得成长属性强化。图：全球半导体行业周期下行缓慢筑底:wind库存周期位于主动库阶段冬末春初有望键节点过踪各导体存力况美计算及电子产品存货出货比、日本月末库存数量等数据指标可以看出，当前半导体行业存货上行，大体位于主动去库阶段考到果业公司绩有化但体相稳季即进入费子季伴苹果部厂商机布折屏及VRAR技加起等库存点望消电底部苏动我预拐点在4或231现。图：全球半导体库存压力情况4.543.532.521.510.50AM AD 电容器 微控制器 模拟 无线:EIA图：美国及日本存货情况:winMTI资本开支周期边际滑但仍处于高位点本支中要反能投与品求的迟性，周期约35年据Cis测2年球半体本出为5美，长为，较去年降14个分但本支续历新虑到费子求部分商产发部分应商特是DAM闪造商经布削今的资支预。此时，于圆扩的本支中70用购半体设，游圆资开支化密影半体设行收增。图日本半导体制造设备年度出货额增速及全球主要晶圆代工厂本开支增速（%）10%10%5%2207208209210211212213214215216217218219220221222H1

图：联电/中芯华虹稼动率（）10%10%8%6%4%2%Q01Q01Q02Q03Q4Q06Q7Q08Q09Q11Q12Q13Q14Q16Q17Q18Q19Q21Q22-5%-10% 日本半导体制造设备出货额增速（%）主要晶圆代工厂资本开支增速（%）

联电 中芯国际 华虹资料来:lombgwind产品周期迎新生力量业呈现结构性变迁周期所周的础显示游品动是最的周期（约10年0以来半体业游用结性化显一面，费芯弱期旋，型代表需疲下RAM&D降、单清库；一面以业、规云务芯为代的需求较旺们计在车四驱下汽车子将半体场的要长气将进延续。图：全球半导体行业砍单情况变化（高表示砍单情况少）:EA

图0：全球半导体各下游应用景气度复盘5%4%3%2%1%--1-4-7-0-1-4-7-0-1-5-8-1-2-5-8-1-2-5-8汽车 工业 通讯 消费资料来:EA分具产来止2年8月部存芯低压率件期现定下压FTBT、模拟端控等平货仍持且价呈上趋货期续4个度们认为后续随全供调4缺将渐后映交周慢下回正水高端品需求续。图1：分立器件平均货期（周） 图2：模拟产品平均货期（周）6040200低压OSFET 高压OFT 小信号OFTIGT 肖特基二极管 开关二极管T二极管 桥式整流器:富昌子

6050403020100传感器 多源模拟/电源 开关稳压器汽车模拟和电源 接口 信号链资料来:富昌子图3：存储芯片平均货期（周）50403020100CDRM RAM NorLCNAND eMC EROM:富昌子

图4：高端器件平均货期（周）60504030201008位CU 32位CU 车规CU 32位U资料来:富昌子新一轮周期布局时点来临，引领半导体行业优质赛道标的价值重估电子行业跌幅第一估性价比凸显。自2初至9月30日根万一行指比，炭行涨幅居子业幅%同导行业数近10年位经较性比区，可逢布。图5：电子行业年初至今跌幅3.74（截止222年9月0日）4%3%2%1%0%-1%-2%-3%-4%煤综煤综交通运石油石房地产农林牧银建筑装美容护商贸零食品饮公用事通有色金基础化汽纺织服家用电电力设环机械设轻工制国防军非银金医药生建筑材计算机传媒电子:win半导体存货率对指投往往有前瞻效应。半导指相标普500超额益存率数行对发现导存率对先于额益情当导体业货高盘或下时一时后城半指数超收下见此过中投机主体现被去存主补库阶业气底复这一时期企业估值性价比较高。半导体股价反应往往提前于周期来临前，从估值角度看，目前半导体板块估值合理，对于下行周期悲预测已基本体现，一布局时点愈发接近。图6：半导体存货指标相对领先.0.0.0.0.0.094/094/0/0496/0/0498/0/0400/0/0402/0/0404/0/0406/0/0408/0/0400/0/0402/0/0404/0/040600408/0/0400/0/0402/0/04

0050000

图7：半导体指数估值已处于近十年502分位000 0000020202-1-08203-0-07204-0-19204-1-24205-0-03205-0-03205-1-10206-0-16206-0-19206-1-24207-0-31207-0-04207-1-08208-0-18208-0-20208-1-25209-0-08209-0-05200-0-13200-0-25200-0-23201-0-29201-0-10201-1-19202-0-23202-0-30

500050000:

指数点位 市盈率TT（右轴费城半导体指标普0 半导体存货率指数（右轴） 分位点（右轴） 危险值（右轴）中位数（右轴） 机会值（右轴资料来:w中位数（右轴） 机会值（右轴新一轮周期引领优赛标的价值重估半导体业兼具周期与成长性投资机遇交叠出现新轮周期前期布局需更为精寻找绩确定与预期改善道半导体设备及零部国产层辑本开投资维高备证期长过繁分头企护河厚特是国空领填型商关注在C&D领技突的荆技及平化局北华；设零件面小美赛核心确性强但体跨机器仪仪光元等个道个股征为显因难以块性机深细产链进发（特种主控子元件产双驱7年建军年斗标及5年防军现化目标固求正研持续进助行业放量（）电力电子SSC性优势车动化潮下求业供应求气续为产商提长窗口关三光天先进瞻局合半体、兰自建6产加速赶此，芯结构特征呈车级U缺芯源制解器汽模芯未来年能棒汽生产制约，值望涨持关注加新气高背下具核竞争标兆创、邦股。表：半导体行业核心标的盈利预测（ind一致预期，截止222年9月30日）分类 公

收盘价（元股

净利润（亿元） PE PSE E E E E E E E 半导体

北方华创 .0 .0 .4 .7 .7 .5 .6 .6 .8 .9.1 .0 .4 .8 .8 .3 .4 .3 .7.9 .1 .1 .0 .4 .8 .8 .3 .4 .3 .7.9 .1 .8 .6 .1 .8 .4 .1 .5.3 .7 .1 .8 .5 .0 .6 .1 .3.4 .0 .6 .9 .6 .8 .5 .3 .7.0.0.0.7振华风光国博电子特种IC紫光国微臻镭科技电力子

三安光电 .8 .5 .8 .4 .5 .1 .7 .0 .0 .3功率IM 士兰微 .5 .4 .8 .0 .5 .3 .5 .5 .2功率IM 士兰微 .5 .4 .8 .0 .5 .3 .5 .5 .2 .0模拟 圣邦股份 .9 .0 .3 .6 .9 .1 .6 .4 .5 .9存储MCU模拟 圣邦股份 .9 .0 .3 .6 .9 .1 .6 .4 .5 .9资料来：in，：不含半体设零部（零部见后）半导体设备及零部件：产能周期国产逻辑未变，高弹性细分赛道龙头脱颖而出中美半导体产业博升加码设备国产确性《森协制国晶对V设备采购后2年8美署《片科法》续限中芯制业展，内圆在进程升上受阻此外中大分C设企被国实体单法台三等圆工进先进程代3电国陆售从20低至12当中国陆m以制比例处于较位台电2为%我们造端游备为体业链展现可控在眉前内导备高领基被所断在前政治局设国产确性持续。图8：台积电分技术节点销售结构（）10080604020

图9：台积电分地区销售结构（%）%%%%%%%%%%%%8%6%4%2%0%0203204211212213214221225nm 7nm 16m 20m28m 4045nm 65m 90m0.11/0.13μm 0.15/0.18μm 0.25μ:SMC

北美 中国大陆 亚太 EMEA 日本资料来:TMC新能源车A高性能计算浪潮迭起2年全球前端晶圆厂设备出额增长％达90亿美元根据Si，预计23年Fy分均设出，次存，2和3分占32和33；微控含P预在2年大加47率关备计也强长33地区划分方面，预中台设出将在位在1年大增后中湾B备出计年增长47%至0美2年中国湾中大的备支将所晶厂备支的。图0：全球B前道制造设备资本开支（十亿美元）1010806040200220221222E223E:EI资本开支投资持续速能周期国产为国导体设备及零部件长层逻辑4全球B数量上至4个I预计12中将增8座圆开设占球例近SA中国陆0半产能球24同随着线逐升圆厂各设数和能的求将继续之升在现同芯制产的况，对备求也相增加。表：中芯及华虹主要ab扩产规划（万片月）公司 地点工厂晶圆尺寸主要应用工艺规划产中芯国际上ABS1”逻辑电、混信号/MOS.μm.0.5.5.5.5.5.5中芯国际北”.µm6666666中芯国际天”逻辑电、混信号/MOS.μm.08中芯国际天”中芯国际宁”射频、拟.0.5.5.5.5.5.5中芯国际宁”射频、拟.024555中芯国际宁”逻辑电、混信号/MOS.512.5.5中芯国际绍一期”MES功率.057中芯国际绍二期”MES功率.0247中芯东方上临港B”m及上24中芯北方北”Psn工艺.5.5.5.5.5.5.5中芯北方北”KMG工艺m及下.512.5.5.5.5中芯京城北”MOS逻辑路36中芯深圳深”逻辑电、混信号/MOS.μm.μm.07777中芯深圳深”m及上41344中芯南方上S2”m及下7.6.9.53.5.5华虹宏力上AB1”EPOM模拟BD.0.5.5.5.5.5.5华虹宏力上AB2”功率.0666666华虹宏力上AB3”逻辑、拟、BD.0.3.3.3.3.3.3华虹宏力无AB7一期”嵌入式易失存储功率、/m6246666华虹宏力无AB7二期”模拟、频、辑/m623666上海华力上海 AB5上海华力上海 AB6””逻辑、频、压、入式闪存、OR闪、传器/m、.84.82.84.84.84.84.84资料来：华半导、中国官网、告，我们跟踪国内半导体设备进口指数进行设备景气度指标分析，此外，日本半导体设备在全球份额在%左右（213数够全球导设景度供一指于01全晶厂入扩产，整体备本支比2年速有缓1年112月起国内进口指数及日出额增速均呈现下滑态势持续2个季度左右后在2年6月出现拐点我们预计在下一轮扩产规划加求复苏中迎来新的景气周期。图1：国内半导体设备进口价格/价值数量指数 图2：日本半导体制造设备出货额及增速（百亿日元，）0050000

5 0%0 0%5 0%0%0 5 2%209-1209-3209-5209-1209-3209-5209-7209-9209-11200-1200-3200-5200-7200-9200-11201-1201-3201-5201-7201-9201-11202-1202-3202-5202-70201020803030310040504120507060206090704071108060901090800030010010501120207:

进口价指数 进口价指数 进口数指数

日本半导体制造设备出货额（百亿日元） yoy（右轴）资料来:wind国内导设国化程持推由设认过程证期圆选国设时为谨，企业竞仍主集在对内白域覆细赛龙地将分稳我们关注北方创及拓科技在具备国产先发优势的情况下持续深入研发，展开横向及纵向布局，获得各细分领域中更多议价权及绩增量空间。表：半导体前道制造设备国产化率及对应供应商设备 国产化率 国内厂商 海外厂商光刻设备

EUV

<1%

ASML刻蚀设备20%左右北方华创/中微公司/屹唐半导体刻蚀设备20%左右北方华创/中微公司/屹唐半导体泛林/东京电子/应用材料清洗设备 20%左右 盛美上海/北方华创/至纯科技 迪恩士/东京电子/泛林薄膜沉积设备薄膜沉积设备10%左右拓荆科技/北方华创应用材料/Evatc/Uvac离子注入设备＜10%凯世通/中科信应用材料/雅舍利科技/SMITCMP设备 10%左右 华海清科离子注入设备＜10%凯世通/中科信应用材料/雅舍利科技/SMIT资料来：盛上海股说书前瞻产研究，Owk，4%3%3%2%2%1%1%5%0%图34%3%3%2%2%1%1%5%0%wind具体而言薄膜积类备细分品类差异较台化扩展的研发成较而刻蚀设备底技术通工艺面横向扩展性价比偏关注平台化企90拓科技ED备中机数占江储上海华力无华和海塔招量，关注司借EDD种键备发优实现渗透率速方产品盖离刻设PC氧扩洗备纵扩成长速，在客户验证上也将取得一定优势，作为国产刻蚀薄膜沉积环节设备核心供应商，平台化发展将持续推动拓宽司成空。设备零部件方面小而赛道需深度挖掘细产链中优质标的备零件透及业增长确性强但备部件跨械电器仪学件多大赛股征为显难以有块机深细分业进发一方导设零件仅是杂业系尖端之一，部企在导领域外发同值重视。表：国内半导体设备零部件供应商主营业务及进展供应商 主营业务 业务规划布局及进展 现有业务进展9年建厂，建成宁波余姚、上海奉贤、沈阳沈北零江丰电

主营业务为超高纯金属靶材及半导体产业装备机台关键零部件生产。零部件业务包括传输腔体、反应腔体、膛体、圆环类组件、腔体遮蔽件、保护盘体、冷却盘体、加热盘体、气体分配盘、气体缓冲盘等其他产品，主要用于半导体芯片以及液晶面板生产线的机台，覆盖包括DCV、刻蚀、离子注入及产业机器人领域。

部件生产基地，实现了多品种、大批量、高品质的零件量产，与国内半导体设备龙头北方华创、拓荆科技芯源微、上海盛美、上海微电子、屹唐科技等多家厂形成战略合作，新开发的各种半导体精密零部件产品速放量。《项目协议书》，投资建设“超高洁净及超高纯管路系统项目”，达产后预计将增加年销售额约15亿。除自建厂房外，公司也同时在淮安实施租赁厂房扩产。公司淮安工厂租赁厂区计划7月开始试生产，达产后预计年营收3亿元。合肥晶合、无锡华恒、德淮半导体等。域。1《项目协议书》，投资建设“超高洁净及超高纯管路系统项目”，达产后预计将增加年销售额约15亿。除自建厂房外，公司也同时在淮安实施租赁厂房扩产。公司淮安工厂租赁厂区计划7月开始试生产，达产后预计年营收3亿元。合肥晶合、无锡华恒、德淮半导体等。域。1年2月与江苏淮安经济开发区管理委员会签订气体系统半导体客户：主要客户有长江存储、惠科、物医药和泛半导体等需要制程污染控制的领利润6亿元。程厂商如亚翔集成、至纯科技、中电四、正帆科技等统的关键组件，产品主要应用于食品饮料、生项目的生产能力，预计每年实现销售收入2.9亿元，净中芯国际、长江存储、华星光电、惠科等，并配合工新莱应材 件等，属于高洁净流体管路系统和超高真空系约2年底，可形成年产4万件超高洁净管阀件新莱应材面对终端客户，如无锡海力士、合肥长鑫、统、气体管路系统、泵、阀、法兰、管道和管设备目前仍处于小批量生产及推广阶段，项目完全达产北方华创、中微半导体、电科8所等；在厂务端，材料的研发、生产与销售，主营产品为真空系伸，尤其针对气体系统。截止2021Q3，公司气体系统真空系统方面客户：设备厂商包括应材、拉姆研究、主营业务为以高纯不锈钢为母材的高洁净应用募投半导体气体系统设备：9年2月公告可转债项目募资8亿元，主要方向为应用于半导体行业的超高洁净管阀件，具体包括UHP无缝管道、UHP无缝管件、UHP气体接头、UHP气体阀类四类。本次募投项目产品是产品技术工艺的升级和向无缝管制造领域的

1年，公司零部件销售额6万元，同比+239.96。公司参股和控股部分设备零部件公司开展零部件研发，涉及0余个产品，2年预计实现小几亿元收入，订单主要来自北方华创。上市募集0亿元资金用于全工艺智能制造生产基地建公司现已通过美国应用材料公司AMATSSQA审设，目前处于上市申报阶段，预计将新增集成电路装备富创精密主营产品为工艺零部件、结构零部件、模组产品和气体管路，是全球为数不多的能够量产应用于m工艺制程半导体设备的精密零部件造商。零部件年产能933,200件，包含含机加工（腔体类零件0件年、平板类零件5000件年、内衬类零件0件年、OLED零件200件年、其他零件万件年）、管路焊接（超洁净管路件0万件年、气柜0件年）、组装（组装模组件4000件年）、钣金加工（骨架类零件0件年、板材类零件0万件年）。核、日本东京电子TEL质量体系审核、阀门制造商T审核。截止1年底，公司工艺零部件年产量9件、结构零部件501,224件、模组产品件、气体管路1件。2021年公司前五大客户分别为应用材料、北方华创、华海清科、客户C和拓荆科技，9-1年前五大客户收入占比5%。1年公司真空产品实现营收2亿元，同比主营业务为螺杆压缩机及真空泵。公司已有能公司台湾台中厂三期2年一季度开始逐步投入使+，毛利率。半导体领域，成功拓展台积电满足半导体最先进工艺的全系列中真空式真空汉钟精机用，上海厂三期预计3年一季度开始逐步投入使客户。真空泵收入情况：半导体方面1年全年实泵产品。公司有三个系列产品用于半导体工艺中：F系列、iPM系列、iPH系列。用。现0万，今年下游扩产需求较高，销售有望翻倍到1亿左右。2021年半导体等电子材料行业收入7,067.57万主要业务板块包“大直径单晶硅材料”，“硅零元,，同比+74.66。截止2019年底，公司具备功率部件”“半导体大尺寸硅片”，核心产品过去几控制电源系统产能5000台/年，台均单价7.1万元。年成功打入国际先进半导体材料供应链体系，公司已成为中微MOCVD设备电源稳定供应商。2021神工股份并已逐步替代国外同类产品。公司以大直径硅年半导体方面订单量从6000万增长至2亿，截止材料经过切片、磨片、腐蚀、打微孔、形状加2022M4新增泛半导体订单1亿；客户层面，2021年工、抛光、清洗等一系列精密加工后形成等离从900多家客户增加到1200多家客户，大部分新增子刻蚀机用硅零部件。都是半导体客户。国内领先的功率控制电源、特种工业电源设备1年来自于半导体等电子材料行业的销售收入供应企业，产品下游包括光伏、玻璃玻纤、钢0年上市募投4亿新增电力电子设备0台/7万元,占营收比重10.71，同比+%；铁冶金、机械制造、半导体材料等多个行业。英杰电气公司半导体电源核心产品D系列可变编程年的生产能力，其中功率控制器0台/年，模块电源0台年,系统类电源3,500台年，预计3年截止9年底，公司具备功率控制电源系统产能0台年，台均单价1万元。直流电源）下游覆盖：电子级多晶硅、单晶硅；D用蓝宝石、D外延片；以及碳化起投产，4年满产，完全达产后，预计年销售收入0万元，净利润5,474.52万元。公司为中微半导体稳定供应MOCVD设备电源。预计2年随中微MOCVD设备逐步放量，订单将延硅、蓝宝石、人造钻石相关设备配套的特种电续高增长。源产品。主营业务围绕下游客户的核心工艺流程，设计提供符合标准的工艺介质和工艺环境解决方案，括气体化学品供应系统设计、生产、安2年9月公告定增募投气体业务：装及配套服务，高纯特种气体的生产、销售和合肥高纯氢气（1,260万立方氢气及0万瓶罐装特种sx正在进行半导体设备厂商认证，包括中微、正帆科技洁净厂房配套系统的设计、施工。气体）、潍坊高纯大宗（新建一套液体空分设施，年产拓荆科技等，子公司鸿舸半导体2H1实现盈利。公司掌握了介质供应系统微污染控制、流体系1万标准立方米氧、氮、氩）统设计与模拟仿真、高纯材料合成与分离提纯等关键技术。精密钣金制造商，主要涉及轨道交通、半导体1年上市募投2亿新增半导体设备结构件设备、精密仪器、高端医疗器械、智能电网、套、新能源及电力设备结构件71,800台、通用设备结新能源等行业的生产制造和组装。公司主营业构件0台、轨道交通结构件0列、医疗设备截止2020年底，半导体设备结构件产能50万件/年华亚智能务为根据订单需求设计各类精密金属部件产结构件0台。建设周期两年，预计全部达产后年左右。品，采用精密钣金、机械加工、精密焊接及表均增加营业收入41,015万元，年均净利润面处理等工艺，为客户提供定制化的一站式工万元。业级精密金属的制造服务。2年4月公告拟发行可转债募集不超过4亿元，用于建设半元，用于建设半导体设备等领域精密金属部件智能化生产新建项目。资料来：各司公，表：半导体设备零部件厂商盈利预测（wnd一致预期，截止222年9月30日）公司收盘价净利润（亿元）PE（元股）E E 江丰电子.8.6 .9.1 .4.7.6新莱应材.8.7 .0.9 .1.9.6C富创.3 .7.0汉钟精机.6.2 .2.0 .0.0.8神工股份.9.0 .8.4 .3.7.9英杰电气.9.6 .4.6 .9.9.6正帆科技.5.5 .9.7 .1.7.1华亚智能.9.0 .9.9 .0.1.5资料来：in，特种I：国产正向研发持续推进，223年需求高振下业绩放量可期国产始终为国特集成电路成长的主逻其中包含国防和军工可控电子元器件国产重驱动因素227年军年目及235年防队现化目确四期工子来速成机遇，22023年工游主厂产气涨为在工转的中段，推部已过证定型批产的军工电子企业实现业绩放量。远期来看，具备技术优势的企业各产品型号验证进程不断向前推进，量产/制预研等各个阶段具备产品储备的企业将受益于长期发展的持续性，叠加部分企业自建产线或调整现有产品构，润间持改。图4：当前处于特种集成电路行业高速成长节点:自0年至指数对全A指取得%超收要受方因影企业身业绩升2政驱3值于十低4场注提吸构资于前业绩增速较快ETM于年19分虑到7年军年斗标未来求定且多上市工企业位高制新等新赛景度较受定值我们预计未来景气行可持而特种集成电路企业在求高振时期取得更超收。图5：209年1月-222年9月军工指数超额收益wind20212023期1部分号实由型批产我预计3将达需峰，建能集爬坡或达我关行气上期已成型绩放且品务具备术占高利势的种C企，括镭技华风，外部民业务展利企也受益传业为绩供一支撑，时种在品基上供附值关注光微博。表：军工电子企业上游在建工程转固进展项目 2019 2020 2021 2022H1航空复合材航空钛材机加工主机厂导弹材导弹配导弹总装固定资产在建工程固定资产在建工程固定资产在建工程固定资产在建工程固定资产在建工程固定资产在建工程固定资产在建工程yy8.40%35.4%22.5%3.94%28.1%-32.2%-46.7%26.3%5.80%0.39%5.35%10.2%-39.1%36.7%93.8%19.4%4.31%4.20%7.17%15.6%19.4%30.5%32.7%4.35%-2.08%18.7%6.09%7.27%-16.4%12.8%3.64%9.08%12.0%15.7%76.4%57.4%24.3%294.3%23.0%44.8%3.43%40.2%35.7%35.9%27.5%-50.3%115.2%21.5%-53.0%43.1%17.7%18.0%-42.6%-68.8%24.9%49.0%资料来：in，电力电子S：800V平台加速落地价格甜蜜点将至，优质龙头企业前瞻布局olSeed上调远期业预测标志碳化硅市未成长可期全球iC功件市规将在2022042026年分到22260亿元，中能车核驱动，在226达7在业长持续载下，球合半体头lSeed业自4起续长随产逐渐放公预营将快放量F2021206间AR达0206期收将在本1美元预基上加40，其中件在23左。20020%1000%图6：全球SiC功率器件市场规模预测（亿美元） 图7：183-22（财年）olfSpeed业20020%1000%706050403020100222E 224E 226E

3000

型i衬底 iC外延片 i功率器型i衬底 GaN-on-i外延片 GaNRF器

40%-0%:fSd

汽车 工业及能源

LDMS 其他 合计qoq(右轴，) 毛利率(右轴，资料来:winlSd，Y，SCET将于H2达到价格甜蜜，带更多车端逆变器应于C方可高航约4Si案高航增池容并一程上加电，此等效SC方案续Si案显提电池容，这方来看SC案以约池量扩所来成提。若SC晶圆价格年降左右，则有望在H2获得的成本节约值，SCFT6寸晶圆价格8美元片时整体效益达到衡。表：SiCMSFET逆变器应用价格甜蜜点测算SiIGT方案单位Si案电总成元.0.1.2.8.9.0工况续航百公里电池容量度电单价SiCMOFT方案工况续提工况续航续航变化百公里耗下百公里耗电耗变化电池容量电池容变SCMOST与IGTSC圆价格SCMOST成本IGT成方案差异Si案若高工续航百公里耗假同时高等效电容量

km .0 .8 .2 .1 .7 .0k/km .1 .4 .8 .1 .6 .0kh .6 .0 .5 .0 .5 .0元/h .9 .7 .4 .7 .3 .0单位 0 1 E E E .% .% .% .% .% .%km .0 .5 .7 .5 .9 .0km .0 .8 .5 .3 .1 .0.% .% .% .% .% .%k/km .5 .8 .2 .6 .0 .5k/km .6 .6 .6 .5 .5 .5kh .1 .5 .0 .5 .0 .5kh .5 .5 .5 .5 .5 .5元 .6 .0 .0 .8 .1 .6美元 .0 .0 .0 .0 .0 .2元 .6 .0 .0 .8 .1 .6元 .0 .0 .0 .0 .0 .0单位 0 1 E E E km .0 .5 .7 .5 .9 .0k/km .2 .6 .9 .3 .7 .1kh .9 .2 .6 .0 .4 .9SC案电容量约kh.8.7.6.5.4.3度电单维持Si方案变元/h.9.7.4.7.3.0等效Si案电总成元.0.7.6.4.6.2SiC方案成本节约元.6.3.4.6.5.6资料来：测算800V高压平台加速落，22023年快速上匹配碳化硅成本均点。V高快平为解里程虑的破者国外从1起起轮V平台型布，内车新力传汽厂旗下智能电品纷入，抢攻功快高，随高平逐落SC有成首。自1年起C率件现化从0到1突，续V平车快量阶与SCSET格甜点的达节重，本细赛百齐将动电电碳硅应业绩振。零跑-表：各车企电零跑-车企车型电池电压上市时间特斯拉Mol3丰田Mil（FV）特斯拉MolY特斯拉MolS（）特斯拉MolX（）福特MachE保时捷Macn3现代IOIQ5奥迪tnGT保时捷Tacn2通用ltium奔驰EA奥迪tnstck沃尔沃Pletr5IDIDAir蔚来ET7（1交付）比亚迪汉0吉利Smat精灵长城沙龙机甲龙量版北汽极狐阿尔法S比亚小鹏路特理想华为I版OcxTy2-资料来：佐汽车，Yl汽车电动化浪潮下功率产能满载新能源需求续强，国内具备技术及资金实力的厂商将迎来切入下游客户供应链抢占份额的机遇。注在C市起期住扩机且功率SC有所局优标，中进较快且备能发势企业碳台型DM龙头安电深碳硅衬领多的岳进，望在行高成期占更多绩量间。表：电力电子碳化硅细分赛道龙头布局公司 环节 投资金额 规划产能 状态 项目进展截止，电电子SiC产达到0/月。三安光电

0亿（PrSiC其他三半项目

6万片年 投

SiC极在1年开拓客户超过0家，货客超过0家，过0种产已进量产段SiCOSFT工业产品送样户证，车级产品正配合家车做流设计测；SiCMSFT规级新能车重点户的合作已取得大突。2年9月，司布VSiCMOET列新，用于3实现车和能源车零部的全突破。新增6寸导型iC衬材料约0片年，司预计3实现期项目投产，计划于6年达。天岳先进 衬底 5亿 0万片年 在资料来：各司公，

2年7，公公告增长订单：5年间销售6导电型化硅衬底合计额.3亿元以.7率折算。国内传统硅基功率件业拓宽第二成长曲，展SC器件布局巩固龙地位。于C料著优及各车积投应，球领的统基BT企业开对SCT的局以固身功率件市场上龙位我汇国内统率件业局电子C况中度快为BD半（已实现新源电控器中规化代电士达导新能企也对于SC产线的设士微6寸SC线于3线。硅基功率半导体内嵌于半导体行业整体的景气周期中，但整体景气上行阶段长于半导体行业周期，目前高压SET期处于们为23年初或入68个度下润间收叠加海扩产逐释，H2球T需构进紧衡国产进程较122年有放传统硅基功率器件企凭原有的ower设计经及客户资源基础，展力电子SC具备一定优，在SCSET上的布局拓展成破局。表1：传统硅基功率器件企业电力电子碳化硅布局公司 布局 项目进展公司SC率器的中线于1实现通。目前司已车规级SMSET器件研，正在全面可靠评士兰

估，将送客评价开始产公司已手在门士明镓建设一条6寸SiC功率器件芯片生线，有望在2年三季度实现通线。公司有6寸双器件8寸IGT和6寸碳硅的业化基地，有芯、模、组及用的全自主术基于公司有6寸双器件8寸IGT和6寸碳硅的业化基地，有芯、模、组及用的全自主术基于V全碳化硅器件的牵引变流器在深圳1号线载客运营，牵引能耗降。2年4，公控股公司洲中车代半体有公司公告拟资.2亿元行碳硅片生产技术力提建设项目，项建设期4月。建成达后，现有面栅SCMOST芯技术力提满足沟栅SCOSET芯片研能力将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将有4英寸iC芯片线年0片年的能力提升到6英寸SiC芯片线0片年。时代电气斯达半

组产业项目投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模生产线和研发测试中心，项目将照市场需求逐步投入，项建设期为4个月。

MOST模开始批量装用新增个使全CMSET模块的V统的电机制项目定对公司4年年SC模销售长提持续推力。0年，比迪汉0年，比迪汉V搭高性集成化SCMOFT机控块上市在SC器领域公已实现SC块在能源汽BYD半导车高端型电驱动制器的模化应，也全球家、内一实现SC三相桥模在电机动控制中大量装的功率半导供应。新洁

1年1月公司告拟公发行股，募不过.5亿元，SGN功器件封测的发及业化、驱动C及IM发及业化、S/IGTMOFT等率集成模含规级研发产业化，以及充流资金其中S/GN功器件封测研发及业化项总投约.3亿，拟用募资金2亿，项目设期4个。S/IB/MSET等功集成块（含规级的研及产业项目投约.8亿元使用募资金5亿，项目建设期6个月。

V新能源汽车用SCOS平台开发进行顺利，VSMOST首流片证完部分性达到内先水产品综合性及靠性证尚于证评估段。一厂区在建设计产能：SCBD设计产能为.2万颗/年、SMOST为4万/年；扬杰科技公司已功开并向场出SC模块及VSCSB、V列SCBD系列品，光领域实批量货；V0momSCMSET到客认可实量产，V0mom将于4出。宏微科技1年，公完成用电车扬杰科技公司已功开并向场出SC模块及VSCSB、V列SCBD系列品，光领域实批量货；V0momSCMSET到客认可实量产，V0mom将于4出。宏微科技1年，公完成用电车控用SC块及装技的预研样品制，定化车用电车控用SC块开进度加快，完样品交付完成3款制化用新能领的SCMS模块产的开，通客户证产品逐上量付；成A/VC模的设开，并通客户测试证。华润微公司自研发第代VSCBS综性能到业先进平多款产实现产。主研的面型VSCMSET进入风量产段，态技参达到国对标品水。资料来：各司公微子造公众，变器世公众，三代半体风公众，消费电子需求回升或将迎来左侧布局良机，果链企业穿越周期业绩逆势增长历史性估值低景气苏将至止2年9月30费子业数（T仅4于近十年位进史低区期费子疲压行成着苹等头商品出动行业厂推个化创化产，加4为旺季均刺换需与消电出，启板块苏；同时RR启车能化入，企相逐，件应景不，我关相企包立讯/东山密晶长密。图8：消费电子位于近十年.66分位（截止222年9月30日）9008007006005004003002001002212-1-08213-0-25213-0-27213-0-16214-0-10214-0-08214-0-25214-1-17215-0-14215-0-31215-1-25216-0-18216-0-08216-1-02217-0-24217-0-19217-1-10218-0-25218-0-24218-0-10219-0-04219-0-30219-0-20219-1-12220-0-08220-0-30220-1-23221-0-17221-0-08221-1-02222-0-24222-0-20

1010806040200指数点位 市盈率（右轴） 分位点（右轴危险值（右轴） 中位数（右轴） 机会