单相桥式全控整流电路的功能要求及设计方案

1、PAGE PAGE 18前言随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。但是晶杂管相控整流电路中随着触发角的增大，电流中谐波分量相应增大，因此功率因素很低。把逆变电路中的SPWM控制技术用于整流电路，就构成了PWM整流电路。通过对PWM整流电路的适当控制，可以使其输入电流非常接近正弦波，且和输入电压同相位，功率因素近似为1。这种整流电路称为高功率因素整流器，它具有广泛的应用前景由于电力电子技术是将电子技术和控制

2、技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成的一门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因此要学好这门课就必须做好实验和课程设计，因而我们进行了此次课程设计。又因为整流电路应用非常广泛，而锯齿波移相触发三相晶闸管全控整流电路又有利于夯实基础，故我们单结晶体管触发的单相晶闸管全控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。 单相桥式全控整流电路的功能要求及设计方案介绍1 单相桥式全控整流电路设计方案1.1 设计方案图1设计方案.2. 整流电路的设计 主电路原理图及其工作波形 图2 主电路原理图及工作波形 主电路原理说明

3、：（1）在u2正半波的（）区间，晶闸管VT1、VT4承受正向电压，但无触发脉冲，晶闸管VT2、VT3承受反向电压。因此在0区间，4个晶闸管都不导通。（2）在u2正半波的（）区间，在时刻，触发晶闸管VT1、VT4使其导通。（3）在u2负半波的（）区间，在间，晶闸管VT2、VT3承受正向电压，因无触发脉冲而处于关断状态，晶闸管VT1、VT4承受反向电压也不导通。（4）在u2负半波的（）区间，在时刻，触发晶闸管VT2、VT3使其元件导通，负载电流沿bVT3RVT2T的二次绕组b流通，电源电压沿正半周期的方向施加到负载电阻上，负载上有输出电压（ud=-u2）和电流，且波形相位相同。2 触发电路的设计2

4、 晶闸管触发电路触发电路在变流装置中所起的基本作用是向晶闸管提供门极电压和门极电流，使晶闸管在需要导通的时刻可靠导通。根据控制要求决定晶闸管的导通时刻，对变流装置的输出功率进行控制。触发电路是变流装置中的一个重要组成部分，变流装置是否能正常工作，与触发电路有直接关系，因此，正确合理地选择设计触发电路及其各项技术指标是保证晶闸管变流装置安全，可靠，经济运行的前提。，开始启动A/D转换；在A/D转换期间，START应保持低电平。2.1 晶闸管触发电路的要求晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和脉冲列调制触发等。触发电路对其产生的触发脉冲要求:()触发信号可为直流、交流或脉冲电压。()触发信号应有足够

5、的功率（触发电压和触发电流）。 ()触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。 ()触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。(5)、为使并联晶闸管能同时导通，触发电路应能产生强触发脉冲。强触发电流幅值为出发电流的倍左右，脉冲前沿的陡度取为晶闸管触发电路应满足下列要求（1） 触发脉冲的宽度应该保证晶闸管的可靠导通，对感性和反电动势负载的变流器采用宽脉冲或脉冲列触发，对变流器的启动，双星型带平衡电抗器电路的触发脉冲应该宽于30，三相全控桥式电路应小于60或采用相隔60的双窄脉冲。（2） 脉冲触发应有足够的幅

6、度，对户外寒冷场合，脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的35倍，脉冲前沿的陡度也要增加。一般需达1-2A/us（3） 所提供的触发脉冲不应超过晶闸管门极的电压、电流和额定功率，且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。（4）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及主电路的电气隔离。 3 保护电路的设计在电力电子电路中，除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计， 采用合适的过电压、过电流、du/dt保护和di/dt 保护也是必要的。3.1 过电压保护电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内应过电压两类。外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，包括：（1）操作过电压：由分闸、合闸等开

7、关操作引起的过电压，快速直流开关的切断等经常性操作中的电磁过程引起的过压。（2）雷击过电压：由雷击引起的过电压。内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程，包括：（1）换相过电压：由于晶闸管或者全控器件反并联的续流二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断能力，因而有较大的反向电流流过，使残存的载流子恢复，当其恢复了阻断能力时，反向电流急剧减小，这样的电流突变会因线路电感而在晶闸管阴阳极之间或与续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。（2）关断过电压：全控型器件在较高的频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。过压保护要根据电路中过压产生的不同部位，

8、加入不同的保护电路，当达到定电压值时，自动开通保护电路，使过压通过保护电路形成通路，消耗过压储存的电磁能量，从而使过压的能量不会加到主开关器件上，保护了电力电子器件。为了达到保护效果，可以使用阻容保护电路来实现。将电容并联在回路中，当电路中出现电压尖峰电压时，电容两端电压不能突变的特性，可以有效地抑制电路中的过压。与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量，同时抑制电路中的电感与电容产生振荡，过电压保护电路如图5所示。图5 过电压保护电路3.2过电流保护晶闸管承受过电流的能力很低，若过电流数值较大且时间较长，则晶闸管会因热容量小而产生热击穿损坏。为了使晶闸管不受损坏，必须设置过流保护，使晶交流侧自动

9、开关或直流侧接触器跳闸。其动作时间约为100200ms，因此只能保护因机械过负载而引起的过电流，或在短路电流不大时，对晶闸管起保护作用。（1）直流快速开关对于大容量高功率经常容易短路的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关。它的断弧时间仅有2530ms，装在直流侧可有效的用于直流侧的过载保护与短路保护。它经特殊的设计，可以先于快速熔断器熔断而保护晶闸管。但此开关昂贵复杂，使用不多。快速熔断器闸管在被损坏之前就迅速切断电流，并断开桥臂中的故障元件，以保护其他元件。晶闸管过流保护措施有以下几种。（2）交流短路器交流短路器的作用是当过电流超过其整定值时动作，切断变压器一次侧交流电路，使变压器退

10、出运行。短路器动作时间较长，约为100200ms。晶闸管不能在这样长的时间里承受过电流，故它只能作为变流装置的后备保护。（3）进线电抗器进线电抗器串接在变流装置的交流进线侧，以限制过电流。其缺点是有负载时会产生较大的压降，增加了线路损耗。 （4）电流继电器过电流继电器可安装在直流侧或交流侧，在发生过电流时动作，使熔断器是最简单有效的且应用普遍的过流保护器件。针对晶闸管的特点，专门设计了快速熔断器，简称快熔。其熔断时间小于20ms，能很快的熔断，达到保护晶闸管的目的。快熔的选择：快熔的额定电压URN不小于线路正常工作电压的均方根值；快熔的额定电流IRN应按它所保护的原件实际流过的电流的均方根值来

11、选择，而不是根据元件型号上标出的额定电流IT来选择，一般小于被 图6 快熔接法保护晶闸管的额定有效值1.57IT。快熔接法如图6所示： 其中交流侧接快速熔断器能对晶闸管元件短路及直流侧短路起保护作用，但要求正常工作时，快速熔断器电流定额要大于晶闸管的电流定额，这样对元件的短路故障所起的保护作用较差。直流侧接快速熔断器只对负载短路起保护作用，对元件无保护作用。只有晶闸管直接串接快速熔断器才对元件的保护作用最好，因为它们流过同个电流因而被广泛使用。电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。4 元件参数计算

12、选取与总电路图4.1整流电路参数计算 由图知晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。整流电压平均值为： (1) a=0时，Ud= Ud0=0.9U2。=180时，Ud=0。可见，a角的移相范围为180。向负载输出的直流电流平均值为： (2)流过晶闸管的电流平均值 ： (3) 流过晶闸管的电流有效值为： (4)变压器二次侧电流有效值I2与输出直流电流有效值I相等，为(5) 有上两式得(6)不考虑变压器的损耗时，要求变压器的容量为S=U2I2。 QUOTE 4.2 晶闸管基本参数及选型4.2.1 晶闸管基本参数由于单相桥式全控整流带电阻性负载主电路主要元件是晶闸管，所以选取元件时主要考虑晶

13、闸管的参数及其选取原则。1.晶闸管的主要参数如下：（1）额定电压UTn通常取UDRM和URRM中较小的，再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额定电压。在选用管子时，额定电压应为正常工作峰值电压的23倍，以保证电路的工作安全。晶闸管的额定电压 ： UTn （23）UTM UTM ：工作电路中加在管子上的最大瞬时电压 （2）额定电流IT(AV) IT(AV) 又称为额定通态平均电流。其定义是在室温40和规定的冷却条件下，元件在电阻性负载流过正弦半波、导通角不小于170的电路中，结温不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流值。将此电流按晶闸管标准电流取相近的电流等级即为晶闸管的额定电流。要注意的是

14、若晶闸管的导通时间远小于正弦波的半个周期，即使正向电流值没超过额定值，但峰值电流将非常大，可能会超过管子所能提供的极限，使管子由于过热而损坏。（3）通态平均管压降 UT(AV) 。指在规定的工作温度条件下，使晶闸管导通的正弦波半个周期内阳极与阴极电压的平均值，一般在0.41.2V。（4）维持电流IH 。指在常温门极开路时，晶闸管从较大的通态电流降到刚好能保持通态所需要的最小通态电流。一般IH值从几十到几百毫安，由晶闸管电流容量大小而定。（5）门极触发电流Ig 。在常温下，阳极电压为6V时，使晶闸管能完全导通所需的门极电流，一般为毫安级。（6）断态电压临界上升率du/dt。在额定结温和门极开路的

15、情况下，不会导致晶闸管从断态到通态转换的最大正向电压上升率。一般为每微秒几十伏。（7）通态电流临界上升率di/dt。在规定条件下，晶闸管能承受的最大通态电流上升率。若晶闸管导通时电流上升太快，则会在晶闸管刚开通时，有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而损坏晶闸管。 4.2.2 晶闸管选型1.晶闸管承受最大的电压是在=00 的时候，输入电压为100V，50Hz的交流电，功率P=500W，利用R= U2/P=10000/500=20。2.流过晶闸管的电流有效值：=（100/1.414*20）*1=3.54A。3.变压器二次电流有效值与输出直流电流有效值为：=100/20*1=5A

16、。4.这时整流电压平均值为：=0.9*100*1=90V。 5.向负载输出的平均电流值为：=90/20=4.5A。6. 角的移相范围为00-1800。7.流过晶闸管的电流平均值只有输出直流平均值的一半（因为一个周期内每个晶闸管只有半个周期导通），即：=0.5*4.5=2.25A。8.考虑2倍的裕量，那么额定电流I=2.25*2=4.5A。9. UDRM=70.7V URRM= =141VUTN=70.7V*3=210V综上所述：选择20的电阻，选择额定电压为210V，额定电流为4.5A,型号为KP的晶闸管。5 仿真及结果分析5.1电阻负载的单相桥式全控整流仿真电路图：图8 仿真及结果分析1.波

17、形图分别代表晶体管VT上的电流、晶体管VT上的电压、电阻加电感上的电压。下列波形分别是延迟角为0、30、90、150时的波形变化。2.由上面仿真图可以知道，在五个波形中，第一个的波形表示的是晶闸管的电流ivt，第二个是晶闸管的电压uvt，第三个表示的是负载电阻上的电流id， 第四个表示的是二次侧绕组的电流i2，第五个是负载电阻上的电压ud5.2 仿真模块参数设置交流电源 图14 交流电源参数设置对交流电，电压“Peak amplitude”为100V，“Phase”为0d，其频率“Frequency”设置为50Hz，周期T=1/f=1/50=0.02s。电流测量 图15电流测量参数设置“Out

18、put signal”设置为complex。电压测量 图16 电压测量脉冲信号发生器图17 脉冲信号发生器参数设置“pulse type”设置为Time based，“Time”设置为Use simulation time，“Amplitude”设置为1.0，“Period”设置为0.02，“Pulse Width”设置为10，Pulse 参数对话框，其中相位延迟Phase delay的设置，按关系t=T/360计算。1.对交流电T=0.02s，当=0仿真时，pulse1，t=0s，对pulse2，t=0.01,。2.当=30仿真时，对pulse1，t=0.00167s，对pulse2，相位延

19、迟设置为0.01+0.00167=0.01167s。3.当=90仿真时，对Pulse1，相位延迟Phase delay设置为t=T/360=0.005s，对pulse2，相位延迟设置为0.01+0.005=0.015s；4.当对=150仿真时，对Pulse1，相位延迟Phase delay设置为t=T/360=0.00833s，对pulse2，相位延迟设置为0.01+0.00833=0.01833s。5.3仿真输出图形=0时的波形为图9 =0时的波形=30时的波形为图10 =30时的波形=60时的波形为 图11 =60时的波形=90时的波形为图12 =90时的波形=150时的波形为图13 =150时的波形致 谢 在这次课程设计中，我们要感谢方老师。我们如果没有方老师的指导，我们是不可能完成这个总图的设计的。除此之外，这次课程设计中，明显感觉自己对一些基础知识也掌握得不牢固，以后要多向方老师学习，善于思考问题。实验总结不得不说，这次电力电子的课程设计使我受益匪浅。我选的课题是单相桥式整流带阻性负载电路，通过平常在课堂上的学习，我们对这个电路在理论上已经有了非常充分的了解，课题看起来