电子行业深度研究分析报告

1、电子行业深度研究分析报告目 录 HYPERLINK l _bookmark0 一、为什么推荐投第代半导体材料 4 HYPERLINK l _bookmark1 1、率导下细域带需爆式长将带第代导材应用 4 HYPERLINK l _bookmark2 2、易擦剧摩律见双背底材料供弯超的能性 4 HYPERLINK l _bookmark3 3、基与费子内需打空间 5 HYPERLINK l _bookmark4 二、功率半导体受于游新兴领域快速发展 5 HYPERLINK l _bookmark5 1、率导是路的核元件 5 HYPERLINK l _bookmark8 2、场模稳长来增空来于兴

2、域 7 HYPERLINK l _bookmark12 3、内最的费，自率足 9 HYPERLINK l _bookmark19 三、第三代半导体料功率半导体跃进的石 11 HYPERLINK l _bookmark20 1、三半体料能提有显势 11 HYPERLINK l _bookmark23 2、业用中衬射频件5渗将到50以上 12 HYPERLINK l _bookmark25 3、层料破摩律延的键 14 HYPERLINK l _bookmark28 四、新基建视角G射频端需求带动N爆发式长 17 HYPERLINK l _bookmark29 1、基射元件大增，N透有续提升 17

3、HYPERLINK l _bookmark34 2、基性优明高功高段境需度提升 18 HYPERLINK l _bookmark36 五、消费电子视角高能、小体积加速N消电子中的应用 20 HYPERLINK l _bookmark37 1、充器代N持的充率提升 20 HYPERLINK l _bookmark42 2、能汽市拐至，N功器空期 22 HYPERLINK l _bookmark51 六、相关上市公司 27 HYPERLINK l _bookmark52 1、特新 27 HYPERLINK l _bookmark57 2、安电 28 HYPERLINK l _bookmark62

4、3、达导 29 HYPERLINK l _bookmark67 七、风险提示 30 HYPERLINK l _bookmark68 1、发度及期 30 HYPERLINK l _bookmark69 2、代果及期 31 HYPERLINK l _bookmark70 3、本制及期 31图表目录 HYPERLINK l _bookmark6 Fie1 功半体分类 6 HYPERLINK l _bookmark7 Fie2 各率导主要性应场景 7 HYPERLINK l _bookmark9 Fie3 全功半市场模增速 8 HYPERLINK l _bookmark10 Fie4 国半体规模增速

5、8 HYPERLINK l _bookmark11 Fie5 功半体输出率类应场景 9 HYPERLINK l _bookmark13 Fie68年球T场局 9 HYPERLINK l _bookmark14 Fie78年球SET市格局 9 HYPERLINK l _bookmark15 Fie88年球半导产结构 10 HYPERLINK l _bookmark16 Fiue98年内半导产结构 10 HYPERLINK l _bookmark17 Fie08年球率半体场额 11 HYPERLINK l _bookmark18 Fie18中率半体场额 11 HYPERLINK l _bookma

6、rk21 Fie2 代导料主特征 11 HYPERLINK l _bookmark22 Fie3 三半与硅特对比 12 HYPERLINK l _bookmark24 Fie45第代导体料展标 14 HYPERLINK l _bookmark26 Fie5 尔律18 年集电晶数量化 15 HYPERLINK l _bookmark27 Fie6 国三导体域发目 16 HYPERLINK l _bookmark30 Fie7N将步代DS场额 17 HYPERLINK l _bookmark31 Fie89起5G基站走建高峰 17 HYPERLINK l _bookmark32 Fie9N射器需求

7、量 18 HYPERLINK l _bookmark33 Fie0ssveO在5G中将量现 18 HYPERLINK l _bookmark35 Fie1 基设态及用景 19 HYPERLINK l _bookmark38 Fie2ER快实际数 20 HYPERLINK l _bookmark39 Fie3 米eCW大出功发情况 20 HYPERLINK l _bookmark40 Fie4 充方比 21 HYPERLINK l _bookmark41 Fie5 能机穿戴中N充算 22 HYPERLINK l _bookmark43 Fie6 同动级别对的能度 23 HYPERLINK l _

8、bookmark44 Fie7 车子车成未近50% 23 HYPERLINK l _bookmark45 Fie8 能汽电子的要志 23 HYPERLINK l _bookmark46 Fie9 车子主要节 24 HYPERLINK l _bookmark47 Fie0 球国车电市规（美） 24 HYPERLINK l _bookmark48 Fie1NV绝部零部将电元件替 25 HYPERLINK l _bookmark49 Fie2 能汽动系及制统主的功元件分 26 HYPERLINK l _bookmark50 Fie3 能汽传统油半体值拆分 27 HYPERLINK l _bookma

9、rk53 Fie4 特新收入化 28 HYPERLINK l _bookmark54 Fie HYPERLINK l _bookmark54 特新净利变化. HYPERLINK l _bookmark54 28 HYPERLINK l _bookmark55 Fie36 HYPERLINK l _bookmark55 特新率及利变情况. HYPERLINK l _bookmark55 28 HYPERLINK l _bookmark56 Fie HYPERLINK l _bookmark56 特新费用化况. HYPERLINK l _bookmark56 28 HYPERLINK l _boo

10、kmark58 Fie HYPERLINK l _bookmark58 安电收入化. HYPERLINK l _bookmark58 29 HYPERLINK l _bookmark59 Fie HYPERLINK l _bookmark59 安电归母利变化. HYPERLINK l _bookmark59 29 HYPERLINK l _bookmark60 Fie HYPERLINK l _bookmark60 安电率及利变情况. HYPERLINK l _bookmark60 29 HYPERLINK l _bookmark61 Fie HYPERLINK l _bookmark61 安

11、电费用化况. HYPERLINK l _bookmark61 29 HYPERLINK l _bookmark63 Fie HYPERLINK l _bookmark63 达导收入化. HYPERLINK l _bookmark63 30 HYPERLINK l _bookmark64 Fie HYPERLINK l _bookmark64 达导归母利变化. HYPERLINK l _bookmark64 30 HYPERLINK l _bookmark65 Fie HYPERLINK l _bookmark65 达导率及利变情况. HYPERLINK l _bookmark65 30 HYP

12、ERLINK l _bookmark66 Fiue HYPERLINK l _bookmark66 达导费用化况. HYPERLINK l _bookmark66 30一一、为什么推荐投资第三代半导体材料1、功率半导体下游细分领域带动需求爆发式增长，将带动第三代半导体材料应用功率导在子业应用泛且技相前以硅为，带隙宽度小，场普认为，增性大，体规模保稳定与之有差异的是我们为，来功率半体将现高能，高增，高中度的发展势从带第代半体料求主要因以几：）下游兴业量自率然低空间大来中产品片将所高端品如B、ET 品能技壁垒同步升下游高品的赖会之功率导市规较，高性驱新半体衬材渗率望一步升。2、贸易摩擦加剧与摩尔定

13、律见顶双重背景下，底层材料提供了弯道超车的可能性美方对华为制裁规未缩小趋势同加剧了方面的技术围底层料的重要性不容忽视。方将划限华使用国技和软在外设和制造半体的力来护国家安，华及其列入实体单的支机生产以产品受管理例E）约，具而包括下个方面1华及关利用国制C上的件技直生产的品2根华设计范在国外地方用CL清上的半导体制设产的片等产品此类品在华为及其支机出货需要请可。摩尔定律在硅时代接效能极限，台积电开始2m 探索性研发，单增加制程精度的方不持续“尔律在的几年是成路性能增长的金定。其心内容：格维不变，集成电可纳元件数，每隔1824 月便增一，将提一。据RS的观，统硅体微至6纳已以硅料根的尔定律即将失。

14、若导体以摩尔定趋势展，需要在底材料成破。美国欧盟日韩国家和地织经通制定研发目的式来导产发目主突破段在几方1底材突除氮化镓砷，碳为材的导技也持续破2以SP 封装为表高度成式，定度满了能的展求。3、新基建与消子为内需求打开空间国内基站端建设投力扩大，国内需求将于。预计020 年5G 新建基有到8w座上，中部将“基站主小站辅”的组网方。在频端频高速的景第三半导体材的渗率将会大幅203年NF基中市规达到52美年合增长到228随着N技进和化发NA透率有望断升预到23 年场透将过5%。5G 宏站用的 Pwrpii率放器数在9达到8432个020年有到728万个同比长望到4倍预计年基于N工艺的站A比由的0到

15、8。消费电子市场规模别益于快充渗透率与能汽车电子化率的提假设智手未年N快充透为%穿需度对手机有降三渗透为01们计0全球 aN 电市规为1 元22 年达到4 元在能源车中目混新源汽占能汽总的80以机电控是核元件N可于CC及BCnBdCr 车载充电机。据le预3该域市模将到0美。新能汽无是力子设市的要动也不技路i、 SC和N的市场。二二、功率半导体受益于下游新兴领域快速发展1、功率半导体电路控的核心元器件功率C 和功率分立器占功率半导体的绝。功器是过制电子设备中电压、电流、频率以及交流（C）直流（C）的转换，从而达控制元器的功功半导体属半导的一细分领域是通变能的交直、电电流率大小从实现电路制的核心

16、件以分功率C和率立件大类率C 将制路和功器集在同一块芯控集电路，主的应产品电源管理承担换分配、检测压电频率功能，由在电设备统中每个块所供电压和电流不相，需电源管理对同件所需电情况行转换和调节。率分器件要包括有管晶体晶闸管晶体占有重要的额其中S（金氧物导场晶体）和B（缘栅双极型体管产品能优越，制能及范有出色的现，年来场规增较，构比不提。Figure1 功率半导体主要分类资料来源：KI、世纪证券研究所从细分产品来看，率导体因其不同的性，挥作用也有所不同。二极管具单向性，即给二管阳和阴加上正向压时二极导通。当阳极极上反向电时，极管止。因此二极的导和截，相于关接通断。晶闸。设用在高流高压工，并通用于C

17、 流到C 流整以及C 流率幅的。通将闸可分为可控硅整流器（通常称为晶闸管）和栅极关断晶闸管（O，以上均属高功。SET 属于晶管的种，与标双极晶管间的基本别在于极-漏极电流栅极压控，使其工比需高基电流导通双极体管节能。此，它有快关闭功能允许频换，由于作可以受更的度特于家电，和C电源电设。BT 将极晶体管些特性与单器件的 SET 的特性结在一起。T 与SET 显着异制起更挑战。T 件以处理电（双晶管）压制如SE使适于高能量如速，型机，型旋等。Figure2 各功率半导体的主特性及应用场景类型可控性驱动形式导通电压特点应用领域二极管不可控电流驱动单向低于1V电压电流较小，只能单向导电电子、工业晶闸管

18、半控电压驱动单向高于1000V体积小、耐压高工业、变频器、电焊机MSFET全控电压驱动双向10-100V能承受高电压，不能放大电压消费电子通信工业控制、汽车电子等领域I全控电压驱动双向高于600V开关频率高，不耐超高压，可改变电压轨交。工控、新能源、白色家电功率IC将功率元器件集成在一个整体的集成电路上根据不同器件类型决定控制类型驱动电压。体积小、重量轻、寿命长、功能多消费电子、通信、计算机工控资料来源I、世纪证券研究所2、市场规模平增，来增量空间来自于兴域全球市场规模平稳长国内市场需求有望持速增长率导作为电子备最元件应领极广市场模看据kit数据28年功率导市规为400亿元预到021年市规将至

19、41 亿美，复增为41%中国全最的功率导消市来有保高发据Sit218年国市规到18亿美增为95全球求例达，预计来国率将继保较速增2021年场模望达到9 美，复速达从量源看，于游能以及汽车电化的提，功率半体的用领已从工业制和费电子拓展至光、风、智电网、变家电新能车等诸市场下游新型领市的展况功率导未增要保。Figure3 全球功半导体市规模及增速Figure4 国内半导体市场规及增速504040303020201010500全球功率半导体（亿美元）（%）214215216217218 219E 220E 1%1%8%6%4%2%0%-2%-4%-6%1010101010806040200）增速%）

20、214215216217218 219E 220E 221E1%1%1%8%6%4%2%0%-2%资料来源：IH、世纪证券研究所资料来源：IH、世纪证券研究所从应用范围角度任需要电能转换电能与号转换地方都需要率导体。从应用功率看，可以划分为四应场景：费电产家电功围100：功率导费品中制电率出和效核元。在白色家中，化应技术以变频求，得功率导体是白色家电向能的心。能汽及据，功围1010：新能源汽的电化占快速提升目前能源相比于油车子零件价加5倍增的率导器的能和率率电汽车运行关，件要用逆器电控系统。功率半导保证据中不间断供以压稳方面具有要作，主用于流电和AC逆S是C必需备极程增加了服务系统功率导体元件

21、使未来化镓的使和能比例算将续加据心功率导使的度。再及通，功围1k0可再生能电需要功率半导，因可再能源不规，需的发电效率才实现济可续发展。每兆时为础，风电需要传统煤电多0的率体价量。使用BT 变驱越来多取工应中的统机因它们可以着高效半导对工的一自动也关要工业 0革在大度取决增的率传器半体容以动工厂的器能网储，范围00kW以：可再生能（特是风和太阳能的消对于能电网的定性来了大的挑战电能难以储也为储带来更大难度。有的能存储于向可再能源发的更高贡的转至关要，并且要再有效转换能即率导。Figure5 功率半导体按照输功率分类的应用场景资料来源：KI、世纪证券研究所3、国内是最大消费市，自给率不足0%功率

22、C与功率分立器件场份额占比接近各TST在分立器件中占比较大全率半体场功率C功率立件乎分了整个场额据lSer据分析208率和功器全市份分为54和6中在功分器市中， ST和T比大，为1和15功率极管整桥比稍低为。Figure6 018年球IBT场格局Figure7 018年球MSFT市场格局其他英飞凌33%34%威科电子5%三菱赛米控10%8%富士电机10%英飞凌27%其他38%安森美13%瑞萨芝7%8% 7%资料来源：I、世纪证券研究所资料来源：I、世纪证券研究所在中国功率半导体场电源管理、ST 和T 合计据了95%的市场份额管理C占高达61比SET和 BT场为和得于游费电新源、通讯行近年发，电

23、理C市保健增，止8中国源理C 市场已达843亿元同未来随能汽行业的速FT和T将来阔成长间。Figure8 018年全球功率半产品结构Figure9 018年国内功率半体产品结构BT2%12%功率二极整流桥15%功率54%SET 17%5%BT14%SET20%电源管61%资料来源：IH、世纪证券研究所资料来源：IH、世纪证券研究所中国为全球最大的费和进口国随游新兴发展加快空间明显。于功半导下游应广泛市场认为行增速性不，整体规模持稳。与有差异的，我认为未来功率导体呈现性能，高增长，高集中度的发展趋势，主要原因有以下几点：1）下游新兴行业增量显著：游车电子代的新应增速进步快，去传统电子控系统电、电

24、控、池三对率半导的需爆发式增，设5 能源车场模到0 亿，照车子化率30测算新汽车的子器增为50亿元自给率仍然偏低替代空间巨大国内求加给率足0从内外产业的比假自给达到50，内少仍有50 美的场空间增量；3）未来集中度会进一步提升，产品碎片化将有所改善：由于产品种繁，体为片化但分品如B、FT 品性能和技术垒提下游对高产品依赖会随之增，细领集中度升必趋。Figure10208年全球功率导体市场份额Figure1 218年中国功率导体市场份额14%德州仪器9%7%其他61%5%高通4%14%安森美8%8%其他58%6%Dialog 6%资料来源：I、世纪证券研究所资料来源：I、世纪证券研究所三三、第三

25、代半导体材料是功率半导体跃进的基石1、第三代半导材料对能提升有明显优势第三代半导体材料碳硅氮化镓为代表极性能优势三半材料指隙度显于i宽带导材，主括C、金刚等因禁大于等于3 子，又称宽带体材第二半导材相第半导材具高导、高击穿场高和电漂移速率高键能等点，可以足现子技术对高温高、高频以高辐恶条件的新求。三半导体材料航空航天光存储等域有重要用前景，宽带讯、太阳车半照网众略行可低50以上的能损以装备积小5上是半体业一跃进的基。Figure12 三代半导体材料特征发展历程代表材料主要特性第一代半导体材料i、主要应用于大规模集成电路中，产业链十分成熟，成本低；e材料主要应用于低压、低频、中功率晶体管及光电探

26、测器中 ；目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由i材料制作。第二代半体材料as、InP等直接带隙、光电性能优越；适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、PS导航等领域； as、InP 材料资源稀缺，格昂贵，并且还有毒性，能污染环境，InP 甚至被认为是疑致癌物质，具有一定的局限性。第三代半导体材料SiC 、aN等宽禁带半导体材料，禁带宽度大于2e，具有可见光至紫光发光特性，抗高压、高和高辐射性能优越，可承受大功率；主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域。资料来源赛迪智

27、库、世纪证券研究所半导体材料经历了次显的换代和发展。半导材是S、e 等单质半导材料由于具有出色性能成势，目前然是成电等半体要用材料第代导材以s和P 材为代表第代导材在物结上有接隙的点相于i材具有光电能佳工作率高、抗温辐射优势，可应用光电件和频件第代导体以N和C材料代969年实现了N 晶膜备。994 年村二了第支亮的N基光E81C体人合95年飞浦验的Lly发明SC的华长物理相输即PT法后经改后的 PT为C晶的主方。材料分子结构导致天能优势三体料相于Si材具禁带宽度更电饱和移速度较等特制出的半导件有电性能优异高速高频大功率、温高辐特征，备应光电器件器和力子器的天能势。Figure13 第三代半导体

28、与特性对比材料性能iCaN禁带结构间接带隙间接带隙直接带隙禁带宽度e）1.13.33.4电子迁移率10m/Vs）135010002000电子饱和漂速度（10m/s）12.22.7相对介电常数1.99.78.9热导率（W/cmK）1.494.91.3击穿场强M/m）0.32.83.3对应器件理论高工作温度（）175600800资料来源赛迪智库、世纪证券研究所2、产业应用集在衬底射频器件，225年渗透将达到50以上aN衬底技术难度较光电子领域中较为熟目前iC衬技相对简单主要备程分为步步C料在晶中温升华之在晶中成SC二通对C锭行加切割、研磨抛到明半透、损层低糙的C 片即衬底N 底生主要用VE氢气相延

29、法制技术仍有提业量低致N衬密度价较前只有激器少器采用aN 质底；aN 力电器的底采用i底部企蓝宝衬N质的件研中N射频件是C 高半绝衬，数业用Si 做底N 电子器是N材最的领域基蓝石SC和i底石产业经入熟段。高技术门槛导致第代导体材料市场以日头垄占，国内企业在S衬底方面以4英寸为主目内经发了6英导性SC衬和高纯缘C底东天公司北天达公和北光体公司分别与大、中院物理所中科半导所进行技合转化，在C晶底成自技体内已现4寸底量产；时岳天合达河同、能均成6英衬的研发中科备成研制出6 寸绝。在N 衬底面国内企可小量产2英衬底具备4寸衬生能开发出6英衬样。已实产化企包苏州米的州维科技公司和大的东市中镓半体科公其

30、中苏州维目已推 4英衬产，且展6英衬片。先进半导体材料已升国家战略层面，05 年目标渗透率超过0。底层材与术半体展的础学在25 中国造，别第三代半导体单晶衬底、光电子器件模块、电力电子器件模块、射频器件模块等细做了划在务提到05实在5G通高效能源的产率到50在能汽费电中现模，在通照市渗率到80以。Figure14205第三代半导材料发展目标材料性能细分重点及市场空间2025年任务目标第三代半导体单晶衬底8英寸iC，46英寸a，2-3 英寸IN 单晶衬底制备技术，大尺寸、高质量第三代半导体单晶衬底的国产装备根据oe 的预测，到03 单晶衬底市场规模复合增速将达 15%，将 17的10余万片需求增

31、约40片，其中光子应用复合增速将达37%第三代半导体光电子器件，模块50W以上aN紫外L208年全球D市场规达2.99亿美金预计到203年市场模将达9.91亿美金2018203年AR达到27%。关键战材料：进半导材料2025 实现在5G 通信、高效能源管理中的国产化率达到50%在新能源汽车消费电子中实现规模应用，在通用照明市场渗透率达到80%以上。第三代半导体电力电子 器件，模块15kV上iC电力电子器件制备关键技术高质量aN电力电子器件设计与制备，高电压、高速轨道交通、消费电子、新能源汽车等领域的应用根据 A 统计，2018 年国内市场 iaN电力电子器件的市场规模约为28亿元同比增长6%计

32、未来五年复合增速为38%到2023年Si、 aN 电力电子器件的市场规模将达到148亿元第三代半导体射频器件，模块100MHz及以上的aN微射频器件和模块5G移动信和卫星通信领域中的应用2018 年第三代半导体射频电市场模约为24.5 亿元，同比增长国防航空仍然占主要市场，223 年场规模将有望达到250亿元资料来源中国制造2025、世纪证券研究所3、底层材料突摩尔律延续的关键摩尔定律在硅时代nm接近效能极限摩在去年集成电路能增黄定律。其心内：价维持不变，集电路可容件目隔1824个便增倍，能将倍。根据RS 的点传的硅体微至6 已达限以材根基的摩尔律即失若半导体以摩定势发展，需要底层材料中形成破

33、。国盟、日韩国地区织已经通制定发项目的方来导业。Figure15 摩尔定律：191-218 年集成电路晶体管数量变化资料来源：ur ld n dta世纪证券研究所超越摩尔定律新材料突破路径之一前上过99的成路是以一元半体料之，i、锗料在20 纪50 代有过高光时，广应用低压、低、中率晶管以及光探测中，到了60 年后因温和辐性较，艺更、本高渐被硅材料取代。第三代宽禁带半导体材料iC、N 等)，因其禁带宽度E大于于3 电伏V)得。三半材料有越性和能带结构广泛于射器件、光器件功率件等制造具有大的展潜力。目前第三代半导体材料已逐渐渗透 5、新能源汽车、绿色照明新兴域被半体行的要展向。美欧等经济体持续大

34、合物半导体投入8美国欧等家组织启了过5研目其美的发持力最8国能源部（DE、国防先期研究计划局（A、和国家航空航天局（S电美Pwr等构制定三半体关的研究目支总金过4亿元涉光射和力子方，以期保持国在三代导体领域球领的地。此外，盟先启动了 “硅高毫波洲统集平RA项目N项目，以占5G展机。Figure16 各国第三代半导领域研发项目地区主体（资金支持方）项目金额简介美国国能源部）极速V充电（F）的固态变压器（T）700 万美元该项目为期三年总经费700万美元其中E提供50%的资金。项目将结合新的SiC MSFET器件。美国美国国防先期研究 计 划 ）联合大学微电子计划（JMP）2 亿元A 与美国30

35、余所高校合作创建6 个研究中心，为2025年及更远时间的微系统展开展探索性研究6个中心的研究方向分别为深入认知计算、智能存储和内存处理分布式计算和网络射频到太赫兹传感器和通信系统先进的算法架构以及先进器件、封装和材料。项目一：先进可靠的WBG功率模块的设和制造美国通用电气(E航空系统公司和美国能源部国家可再生能源实验室(NEL)将共同设计和生产由碳化硅(Si氮化镓(a制成的先进宽禁带功率模块。项目二：用于直接至低于1V PoL 模块的双电感混合转换器科罗拉多大学博尔德分校的一个团队将设计并实施一基于aN 的新型转换器，其密度是目前市场上转换器度的10倍，功率损耗最多可低3倍。美国电 力 美 国

36、(PoerAmeica)项目三：用于中压级固态电路断路的WBG 件项目四600aN栅极双向开关北卡罗莱纳大学夏洛特分校(U)的一个团队将测试中压(3.3kV)iC固态断路器的能原型英飞凌公司将开发基于其olaN高电子迁移晶体管(HEMT)技术的低成本600V双向70mhm 开关充分利用aEMT的独特双向特性。项目五：研究生宽禁半导体电力电子器件验室北卡罗来纳州立大学(NSU)的一个团队将建立一个完全专注于宽禁带电力电子器件的设计制造和表征的研究实验室课程并PorAeria成员传播课程以加速新工程师的教育。项目六：加入WBG 导体开关和电路的电电子教学实验室北卡罗来纳大学夏洛特分校(U)的研究人

37、员将开发具有即插即用功能的模块化功能教育性高频功率电板。欧洲欧盟硅基高效毫米波欧洲系统集成平台” 项目（SERA）-EENA 项目于2018 年1 月份启动，为期36 个月。 SERA 项目旨在为毫米波多天线阵列开发波束形成系统平台，并实现超越主流MS 集成的混合模拟/数字号处理架构的功能性能。欧洲欧盟“5GGaN2”项目2000万欧元8个国家的7个研究和工业的合作伙伴参与该项目项目于208年6月份启动期36个月该项目目标是实现28z38z和80z的演示样品作为开发基于aN的功能强大且节能的G蜂窝网络的关键技术。英国英国政府化合物半导体应用创中心5100万英镑创新中心将加速化合物半导体的应用并

38、将化合物半导应用带入生活该笔经费将用于支持创新中心建设化合半导体实验室测试设施和设计工作室以及提升其建和仿真工具等能力。资料来源、世纪证券研究所四四、新基建视角：5G射频端需求带动aN爆发式增长1、宏基站射频器件数大增，N渗透率有望持续提升5G宏基站将加速aN代DS市场份额G商用基以64通道的大模列线主单站（频率器求近20个，目前站功放要为DS向散属氧物导体技术但是DS术频高领存限5G基站N射频 A成主技术对DS市份有的挤as件额变化大。N 较适用模（输入出li li通据le的预023年NRF在站的场规模将到52美年合增率到8来着N术步和规模aNA渗率有不提预到23年场透将超过85。Figur

39、e17 aN将逐步代LMS市场份额Figure18209年起5G基将走向建设高峰5基站建设投资额（亿元)5基站建设数量（万个)1001001008060402000E1E2E3E资料来源：ole、世纪证券究所资料来源：工信部、前瞻产业研究院、世纪证券研究所射频器件数量成倍为后续主要增长动28年站域N射频器件为5亿元占N频件场的3份额5G代领域射器以N 器件主着G 的实，0 市规模会出现显增。并，为了充利用间资，提高频效率率率，大规模多输入多输出（ssve ）技术应运而生，通过在基站安装几百千根线，现大量天同发数，为此将动功放大等射模的求得aN射器的模增长。Figure19 aN射频器件需量Fi

40、gure20MssveMMO在G中将大量出现20201010500217218219220221222223资料来源：ole、世纪证券究所资料来源：、世纪证券研究所含有N 的基站A 有实现爆发式增长。国G 基的A（Pr Apii，放大）量在9 达到1432 个，020年有到728万个同比长望到4倍预计年基于N工艺的站A比由的0到8背景以为代的通信备大站A 自力和购，未市规有进一步扩。于为大基站机A 量，依以购主而在当下易制大景，正加来中本的A应，内N领域司。2、小基站性能明显高功率高频段环境需度提升4G时代小基站（l s）已有爆发式增长产品性能优势明显。站可更加效改室内度覆盖、加网容量提升用户

41、知，网络署的重要组成部分。4G 时代，能够有效覆盖室内或者热点区域的小基站得了速基鉴了WLN的络引了Fml站，分流蜂流压力解决内盖的题随着基应范扩，以及品型富小站分包外ico内的Pco分式io、 Fml 等，从产品形态、发射功率、覆盖范围等方面，都相比传统宏站小很皮ic有低部的优要企级用，针对内共所（Fml要家级应用外美观具有易安装、配置管理瓜化的特。从计上看，绝大数的据业务发生在室或热区域相比宏基，站可效改善室深度盖、增加网容、升户知，而来业的关。Figure21 小基站设备形态用场景资料来源：f eek、世纪券研究所目前采“宏基为主小基站为辅的网方是网络广深覆的重要途径蜂基一有3个蜂基般有

42、1个区宏站和小基站区别于，微基站设统一装在源柜里，个柜加天即可实现署，积较。宏基站要单的机和铁塔，备，源柜传输调分部体较方面5G主要用G及上的频段，在外场下覆范围更小受建物等挡，信号减更明显宏基站布成本高。一方面，于宏占用积较大，设难较高站址选择度增，而基站体积，布简单可以充分用社公共源快速部署。5G 室外场景下，小基站和宏基站配合组网，实现成本和网性能优是要发思路。5G正式开启小基市场高功率高频段需求一提升aN渗透率前针对4G和TE基市宏基主采用SDS功放器小站主要用As率大，但N功放透率不提。DS 功率放大器的带宽会随着频率的增加而大幅减少，仅在不超过约 3Hz的率围有比下N频更有满高率、

43、高通频和效等求。随着5G 的进小基以微站场， As 功率放大器凭借性能优势和较低的成本也有望占据部分市场。根据 le 测As 频件市总预到2 年将到6 亿元，其中时N 频的市规从7年8 亿元到3长至3美AR超过最要增也是自基的用。五五、消费电子视角：高效能、小体积加速GN消费电子中的应用1、以充电器为表，N支持下的快充效率翻提升N三个特点大幅提升率：开关频率高、断度大、更低的导通阻开关频率指充头内晶闸管，控电子件，每秒以完导通、断开的次变器恰是充电器体积大的器件之一占据内部相当大的空。开频高可使用积更变器。使用化镓为变压元件，变器和容的积减少，助于少充头的体积重量禁带宽度直接决电子件的压和最高

44、作温禁宽度越大件够承载的电压和度越，击电压也会高，率越。更低的通，直接表现导时量导通阻发低。2018年NR 将aN带出实验室。018年10月25 日NR 美国纽约布一划代新品AER Pwr t Am D”N充电器由其载高高的N氮镓率器而界。该款产品是将第代半导体术应在设备上，将关术从实室向用场。Figure22ANKER快充及实参数Figure23 小米ype-5W大输出功率发热情况资料来源：充电、世纪证券研究所资料来源：充电头、世纪证券研究所主流厂商依次跟进高率，小体积成最明。小米于2020 年2 月发布了N 电器ype65，够小米Po最高供5W 充功率，米Po 配用从0 电至00仅需45

45、分。它持小米充D0 快充议并还持系ie 充官表示，用米N器yeW为P1充，电度原装 5W 电提升约50得益新半体料N 加peCW的体比米记标的适器小约48。外，米peC6W的 UBC口持个的智调输为款BkP小米笔大率备行大W电还大数ypeC接的电子备包括wich 。产搭载Eer 片，大持A 流。目前业已出种充技方，要括通ick e 技、 PPO VC闪技联科mp xpres术、为Sr 技术vvoPR lhCe技和UBD电术。Figure24 各充电方案对比厂商技术方案技术类型技术方案特点高通uick arge高电低电高通uik hare 4+快充术集成了al arge技术智能热平衡和电池感应技

46、术，整体能效达97%，可有效减快充过程中的发热量，同时，uickhage4+在充电过程中可直接测量电池电压，使系统实时优化电池充电状态，具备突出的产品竞争力。PPOVC低电压高电流最新SuperVC20快充术采用串联双电芯设计放电时可以利用电荷泵将双电芯的电压减半最大充电功率为65W在30分之内就能充满台400mAh的电池的手机。联科Pump Exprss高电低电Pumpxprs技术是全球款采用Bye-C接口进充电的快充方案充电过程中，Pumpxprs技术内置的源管理IC允许充电器根据电流决定充电所需的初始电压电过程的电压微调幅度仅为1mV，理论最高可提供5A充电流。华为Super arge低

47、电高电Super hage快充技术配置智能化的电源管理I，可智能识别不同充电器和数据线，匹配最佳快充方案。华为Supr harge技术可实时监测当手机电量，并动态调整输入电流确保充电过程低温不发热符合安全充电曲线在手机电量快速充满60%后智化的电源管理IC会智能控制充电器降低输入电流，起到保护电池的作用。vioFlaharge低电压高电流最新SuperFlsharge12W超快闪充技术的最大充电功率达120W可在5分钟内将400mAh锂电池充至5%电量，13分钟将400mh锂电池充满。资料来源公司官网、世纪证券研究所从消费电子快充市来，未来随快充需求与N 渗透率不断提升，年市场规模有望达到4

48、亿元。着5G 机类参不提，部射频、处理、屏耗量在直线升，子产对快充的求日提升。多家商布N快目的价部用已经以受未渗透率有逐提假能手未年N渗透为3，可穿需度对机有所低年渗为0512我们预计0球N电器场为21元22年望到8亿元。Figure25 智能手机与可穿设备中aN快充测算测算项目2020E2021E2022E手机销量（亿部）13.414.0714.77带aN快充渗透率（%）1%3%5%aN充电器价格（元）150130100市场规模（亿元）20.154.8773.85可穿戴销量（亿台）（可穿戴设备、个人智能音频设备和智能音箱）7.187.898.68带aN快充渗透率（%）0.5%1%2%aN充电

49、器价格（元）12010080市场规模（亿元）4.317.8913.89合计（亿元）24.4162.7687.74资料来源：nals、前瞻产研究院、世纪证券研究所2、新能源汽车场拐点至，aN功率器件空间期新能源汽车拐点已，展路径复制智能手。能源车竞格已现明显政策端：球节能排，排放谈判重要码，排放的行速新汽车替传统油供给端：球主商划将未发方到N保量目前球过10家车厂有划EV新市自驾水方209年L2别驾驶产在分型为标，分型需装未来L3 别自动驾有能在220 年后式从来看智化平加速提升需求端：能源车的边变源有：车载乐及乘体，纯电动与动驾带来独特驾驶验，联网落地及人手态化构建乐需的源。Figure26

50、不同自动驾驶级所对应的智能程度资料来源汽车之家、世纪证券研究所汽车电子化程度上是然趋势直接带动汽车业链价值迁移车是车体汽电子制装和车载汽电子制装的总称。中控装置包括动力总控制底盘车身电子制车载装置包汽车息系统导航系统车载系、车载网等。传统油动力车转向池动力的过中电将呈大提中需求长为速）以智驾为期动的安系DS未来现人重要保障2以能舱表的载载建网物网的基需。Figure27 车电子占整车本未来趋近50%Figure28 新能源汽车是电化的重要标志()6030307%新能源汽车产量（万辆）新能源汽车产量年增新能源汽车产量（万辆）新能源汽车产量年增(%)50205%40204%30103%20102%

51、100150 160 170 190200210217 220E 230E500214215216217218 219E 220E 221E1%0%资料来源：国汽车网、世纪证券研究所资料来源：工信部、世纪证券研究所汽车电子市场规模速展，国内市有望超千。着车能、联网、安全车和能源车时代的来，车电市场规模断扩，从车音响空电子示屏，目前已向助包全系统、乐信系统车内网络动力统等车其他相件上未来汽车子市发展空间还将进步增，汽电子将成导应用要增长。根中国汽车工业协会数据，0 年全球汽车电子产品市场的产业规模预计将达到 2400亿元其我车电市规将过58美。Figure29 汽电子涉及主环节Figure30

52、全球与国内汽车子市场规模（亿美元）300球中国200200100100500211 212 213 214 215 216 217 218 219 220资料来源：f ek、世纪券研究所资料来源：中汽协、世纪证券研究所第三代半导体材料率件对于电机控电三大核心元件的效提具有重要意义。燃和新能车方面：国六排要背景，主流车选以V轻为过时的案在新源型前混动新能源汽车占新能源汽车总量的 8%以上，电机与电控是核心元器件。 N用于CC以及CnBdChager 车载电据ole的预203该域市场模到200美能汽无电力子备场驱动，是同术线S、C和N的主要场。Figure31 V绝大部分零件将被电子元器件代替资料

53、来源：汽车之家、世纪证券研究所汽车电子涉及高功的动系统与低功率的制统目前解决方案并不一。从术而N 功率在4V 混力汽领将有强的竞力C适大率主变Si基N率电技合功率CC和CDC器。计到025，部分轻车用8V逆变同时N率件也用车充B目部企正在设与SC与N 容的C 决若aN方本技足够成，N在能车C上使可性会大提。Figure32 新能源汽车驱动统及控制系统中主要的功率元器件拆分资料来源安森美半导体、世纪证券研究所未来前景看好，目前稳性仍待提高。于新汽的用，率需求相对较，如混合力车型上包含力系在内的电元器的成本占比经到0对件稳性可性要非常长间的质量证程此中需投大的发而SC功器也将在如能汽与N功器成的竞

54、。这下， N功器在能车领的用展能需要长间另汽车光达数存心络踪应是N功器新的应用市，于aN功件的能越，来场预较，据le的预述用场来5年年增超过分商已在高端设用N功件因此N功器来的场展况了受到有既市的响之，兴场影力也容视。Figure33 新能源汽车与传燃油车半导体价值量拆分资料来源Infinon、世纪证研究所六六、相关上市公司1、海特高新公司是我现代机机设备维修模最、维设备最全用户面最广的空修子司海华在先供六吋化（A）集成路纯圆工o）务在三导（镓N）领域拥有际领、一流的技；在球氮镓芯片专技术于一流梯队公专总共249项中半是利前建国首条6 吋半体商产线解了国化半导产链制造节的瓶，现高芯片主控替代。

55、公司前完砷镓、化、化及化铟的6项艺品的开发，支造功放大器、频低噪大器、关、电探测器、激光、电电子产品，业涵盖空、天、卫星消费子等域，品泛用于5G移动信AI工雷达汽电、力电子纤讯D知新能防领目公部产已实现量，务户和单持增。Figure34 海高新营业收变化Figure35 海特高新归母净润变化营业收入（亿元）同比增长（%）9797%86%75%64%53%42%31%20%1-1%0-2%11000(0)(0)(1)归母净利润（亿元）同比增长30%20%20%10%5%0%-5%-10%-1-20%-20%资料来源：Wind资讯、世纪研究所资料来源：Wind资讯、世纪券研究所Figure36 海

56、特高毛利率利率变化情况Figure37 海特高新三项费变化情况806040200-20毛利率（%）净利率（%）销售费用（%）管理费用%）财务费用（%）50454035302520151050-40资料来源：Wind资讯、世纪券研究所资料来源：Wind资讯、世纪券研究所2、三安光电三安光电资子司厦市三安集电路要提化合物半体晶代工务，工艺力涵微波频、电力子、通讯滤波器四产品，要应用于5、大数据、云计算、物联网、电动汽车、智能移动终端、通基站导域。公司电力电子业务已推出高可靠性，高功率密度的碳化硅功率二极管及 ST硅基化率器品要用新能汽电伏逆器电市通讯务产EAD等数通产品的能力，产品主要应用于光纤到

57、户，5G 通信基站传输，数据中心及消类的D 探测应市；波业务线备到并进入全面安调段，计今年产全面建完投产。目，整销售模较，与名端应厂都业对，未市前可。三安成目规地281 亩总资额30 元，划为0 片/年s 速导外片、0 片年As 速半体片6 片年 N 高率导外、6万片年N 功半导芯。网示，三安成微射领已建专化化的4 英、6 寸合晶圆制产线在子领域推高靠性功率的C率极管及基化功器件Figure38 三安光营业收变化Figure39 三安光电公司归净利润变化90807060504030201008%7%6%590807060504030201008%7%6%5%4%3%2%1%0%-1%-2%-3

58、%358%306%25%2%200%15-2%10-4%5-6%0-8%资料来源：Wind资讯、世纪券研究所资料来源：Wind资讯、世纪券研究所Figure40 三安光毛利率利率变化情况Figure41 三安光电三项费变化情况毛利率（%）净利率（%）6050403020100销售费用%）管理费用（%）财务费用（%2-4资料来源：Wind资讯、世纪券究所资料来源：Wind资讯、世纪券研究所3、斯达半导公司5成之即始研发T块几专注深耕T道，目前T模产已过0种电等盖V。公司在T块深厚累还现游分芯的术破9年上年司片给已到据S据7年司国唯一进世前的T模块应，球第10，国名第1在

59、公在T领技优势先优将定司长行龙地。公司市募新目行中新源车用T 模扩项：项预计资5亿，设点在海之公汽用T块产地，形成产0个能汽用T模的能力全达后目预计年现销售2 亿年均实利润4 元PM 块目计划投资2元形产0个PM模的产力全达后目预计实售5亿均可现润7元公在PM领相技术储备已为成，大扩产将推公司得更的市场份，提公司在行业领地。Figure42 斯达半营业收变化Figure43 斯达半导公司归净利润变化营业收入（亿元）同比增长（%）987654321021542164217421846%5%4%2%1%0%归母净利润（亿元）同比增长（%）211111000215421642174218410%10

60、%10%8%6%2%0%资料来源：Wind资讯、世纪券究所资料来源：Wind资讯、世纪券研究所Figure44 斯达半毛利率利率变化情况Figure45 斯达半导三项费变化情况销售毛利率（%）销售净利率（%）3530252015105021542164217421842194销售费用率（%）管理费用率（%）财务费用率（%）20181614121086420215Q42164217421842194资料来源：Wind资讯、世纪券究所资料来源：Wind资讯、世纪券研究所七七、风险提示1、研发进度不预期目前第三半导材料电子特性以展出巨的优势，仍依后续技术若颈以突，研不预的风。2、替代效果不预期目前硅