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文档简介
1、论文题目:Ce掺杂对PCrNi-4压电陶瓷性能的影响班级: XXXXXXXX学生: XXXXXXXX指导教师:XXXXX本科毕业生论文答辩内容提要1、研究背景及意义 PZT压电陶瓷具有优异的压电、介电和光电等电学性能,广泛地应用于电子、航天等高技术领域,用于制备传感器、换能器、存储器等电子元器件。 因应用的场所和作用不同,对压电陶瓷材料性能有着不同的要求。 发射型材料:“硬性”压电陶瓷材料,其d大,g则不一定大; 接收型材料:“软性”材料,其g大,d则不一定大; 收发兼用材料:其d与g的乘积要大; 众所周知,在大功率器件的应用中会产生众多问题:例如,谐振频率的漂移;发热带来的机电耦合系数的减小
2、和热稳定性变差等。其中的热量产生会带来升温,当温度上升到一定值时,将使材料去极化,使材料的压电介电体系完全失去功效。所以大功率压电材料具有的损耗要小,承受的功率密度大,对稳定性的要求也比较高。 收发兼备压电陶瓷能够实现机械能和电能之间的相互转化,且具有发射、接收信号于一体的特有属性,成为当前的一大研究热点;在众多的应用领域中,功率型压电陶瓷的应用需求越来越大,传统收发兼备配方生产的压电陶瓷已不能满足大功率应用的要求。因此制备具有大功率收发兼备的压电陶瓷具有广阔的应用前景。压电陶瓷主要性能参数机电耦合系数kp机械品质因数Qm介电常数及介电损耗压电陶瓷性能压电应变常数d332、实验工艺2.1 CeO2掺杂对压电陶瓷相组成的影响2在1070区间的x射线衍射图2在4050区间的x射线衍射图2.5 CeO2掺杂对温频稳定性的影响图8 不同CeO2掺杂量的压电陶瓷谐振频率随温度的变化3、实验结果及分析 当CeO2掺杂量为0.3wt%,烧结温度为1280时,制备的压电陶瓷试样的介电损耗最小,同时其他性能参数分别为:r=1400,tan=0.00238,d3
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