我国区熔硅单晶产品发展现状分析

1、国内外区区熔硅单单晶生产产技术工工艺发展展路径及及商业应应用前景景咨询报报告区熔硅单单晶也称称区熔硅硅单晶，是电子子信息材材料中最最基础性性材料，属半导导体材料料类。区区熔硅单单晶是电电力电子子器件的的关键材材料。区区熔硅单单晶是较较一般电电子级单单晶硅具具有更高高纯度和和更高电电阻率。区熔硅硅单晶采采用的多多晶硅材材料成本本大大高高于直拉拉单晶硅硅所用材材料，而而其产品品销售价价格也数数倍于直直拉单晶晶。半导导体单晶晶硅材料料行业的的高速发发展，有有利于分分立器件件行业的的发展；如果上上游行业业处于低低谷，而而分立器器件行业业没有采采取相应应的应对对策略，则分立立器件行行业亦将将进入低低谷。

2、中国市场场来说，区熔硅硅单晶的的生产商商只有几几家。从从全球来来看，该该趋势全全球并购购也非常常明显，我们认认为，未未来进一一步的整整合还会会继续。目前全全球区熔熔硅单晶晶产业集集中度已已经较高高，主要要为日本本Shiin-EEtsuuHanndottai、小松公公司Koomattsu（已被SSumcco 收收购），丹麦TTOPSSIL、德国SSilttronnic (由WWackker Cheemiee AGG 控股股)、中中环股份份（环欧欧）等五五家公司司。目 录录TOC o 1-3 n u第一章中中国区熔硅硅单晶产产品发展展现状分分析第一节区区熔硅单单晶行业业发展现现状一、20010年年

3、国内区区熔硅单单晶行业业发展概概况二、国内内区熔硅硅单晶行行业企业业竞争格格局第二节区区熔硅单单晶行业业产业政政策一、产业业政策二、技术术壁垒三、人民民币升值值影响分分析第三节区区熔硅单单晶产品品供求格格局一、20008-20110年区区熔硅单单晶市场场产品总总产量统统计二、20008-20009年区区熔硅单单晶市场场细分产产品产量量统计三、20005-20110年区区熔硅单单晶市场场产品市市场容量量统计四、20010-20112年我我国区熔熔硅单晶晶市场供供求预测测第四节区区熔硅单单晶行业业产业链链构成模模型分析析一、区熔熔硅单晶晶行业产产业链构构成二、区熔熔硅单晶晶行业产产业链模模型分析析

4、第二章 20008-220099年区熔熔硅单晶晶产品生生产技术术市场调调查第一节区区熔硅单单晶产品品构成一、区熔熔硅单晶晶行业产产品分类类标准二、区熔熔硅单晶晶行业主主要产品品市场份份额第二节国国内区熔熔硅单晶晶产品生生产技术术应用现现状第三节国国外区熔熔硅单晶晶产品生生产技术术应用现现状第四节我我国区熔熔硅单晶晶产品技技术应用用成熟度度分析第五节区区熔硅单单晶产品品生产技技术与应应用市场场关系第三章220088-20009年年区熔硅硅单晶当当前生产产工艺革革新路径径第一节区区熔硅单单晶生产产工艺介介绍第二节区区熔硅单单晶生产产工艺发发展历程程第三节国国外区熔熔硅单晶晶生产工工艺发展展阶段比比

5、较第四节我我国区熔熔硅单晶晶生产工工艺革新新路径第五节国国内区熔熔硅单晶晶生产设设备介绍绍第六节国国内区熔熔硅单晶晶生产设设备应用用现状第七节我我国区熔熔硅单晶晶技术研研发现状状第四章国国内外典典型区熔熔硅单晶晶企业生生产技术术工艺应应用调查查第一节中中环股份份一、企业业基本情情况二、企业业技术发发展历程程三、企业业技术实实力分析析第二节企企业生产产技术工工艺应用用情况一、企业业区熔硅硅单晶产产品生产产技术选选择二、企业业区熔硅硅单晶工工艺设备备配置三、企业业区熔硅硅单晶生生产技术术研发与与革新状状况第五章国国内外区区熔硅单单晶产品品技术工工艺研发发动态第一节国国内区熔熔硅单晶晶产品技技术工艺

6、艺研发动动态第二节国国外区熔熔硅单晶晶产品技技术工艺艺研发动动态第三节220111-20012年年区熔硅硅单晶技技术工艺艺研发趋趋势分析析第四节国国内外企企业竞争争力对比比分析1. 研研发竞争争力分析析2. 生生产竞争争力分析析3. 销销售竞争争力分析析4. 管管理竞争争力分析析第五节国国外主要要代表性性企业研研究一、德国国瓦克（Wacckerr Chhemiie AAG）二、日本本信越（Shiin-EEtsuu Haandootaii）三、日本本小松四、丹麦麦Toppsill第六节区区熔硅单单晶产品品现行技技术同类类替代技技术发展展第六章 20009-220122年区熔熔硅单晶晶产品技技术工

7、艺艺应用前前景研判判第一节国国外区熔熔硅单晶晶产品技技术工艺艺应用前前景第二节我我国区熔熔硅单晶晶技术工工艺应用用前景第三节我我国区熔熔硅单晶晶技术工工艺发展展对行业业项目投投资的影影响第七章我我国区熔熔硅单晶晶行业典典型投资资项目分分析第一节项项目总投投资估算算一、固定定资产建建设投资资估算二、流动动资金估估算三、项目目总投资资第二节资资金筹措措及投资资计划一、资金金来源与与出资方方式二、项目目筹资方方案三、投资资使用计计划四、借款款偿还计计划第三节项项目财务务评价一、计算算依据及及相关说说明二、总成成本费用用估算三、销售售收入、销售税税金及附附加和增增值税估估算四、损益益及利润润及分配配第

8、四节盈盈利能力力分析一、投资资利润率率，投资资利税率率二、财务务内部收收益率、财务净净现值、投资回回收期三、项目目财务现现金流量量表四、项目目资本金金财务现现金流量量表五、盈亏亏平衡分分析六、敏感感性分析析第五节效效益分析析一、经济济效益二、社会会效益第八章 20110-220122年区熔熔硅单晶晶市场行行情第一节市市场状况况分析及及预测（20110-220122年）第二节供供需状况况分析及及预测（20110-220122年）第三节进进出口状状况分析析一、20005-20110年区区熔硅单单晶市场场产品进进口量统统计二、20008-20009年区区熔硅单单晶市场场产品出出口量统统计三、2001

9、0-20112年区区熔硅单单晶市场场产品出出口预测测第九章区区熔硅单单晶销售售策划第一节国国内外市市场分布布第二节部部分国内内需求厂厂家及联联系方式式第三节部部分国外外需求厂厂家及联联系方式式第十章区区熔硅单单晶技术术开发、项目投投资、生生产及销销售注意意事项第一节产产品技术术开发注注意事项项第二节项项目投资资注意事事项第三节产产品生产产注意事事项第四节产产品销售售注意事事项第十一章章华经纵纵横主要要研究结结论及策策略建议议第一节策策略建议议主要理理论及数数据支持持说明第二节针针对客户户需求给给出独家家策略建建议一、宏观观策略角角度二、中观观产业角角度三、微观观企业角角度第一章 中国区区熔硅单

10、单晶产品品发展现现状分析析第一节 区熔硅硅单晶行行业发展展现状一、20010年年国内区区熔硅单单晶行业业发展概概况区熔硅单单晶也称称区熔硅硅单晶，是电子子信息材材料中最最基础性性材料，属半导导体材料料类。区区熔硅单单晶是电电力电子子器件的的关键材材料。区区熔硅单单晶是较较一般电电子级单单晶硅具具有更高高纯度和和更高电电阻率。区熔硅硅单晶采采用的多多晶硅材材料成本本大大高高于直拉拉单晶硅硅所用材材料，而而其产品品销售价价格也数数倍于直直拉单晶晶。半导导体单晶晶硅材料料行业的的高速发发展，有有利于分分立器件件行业的的发展；如果上上游行业业处于低低谷，而而分立器器件行业业没有采采取相应应的应对对策略

11、，则分立立器件行行业亦将将进入低低谷。二、国内内区熔硅硅单晶行行业企业业竞争格格局中国市场场来说，区熔硅硅单晶的的生产商商只有几几家。从从全球来来看，该该趋势全全球并购购也非常常明显，我们认认为，未未来进一一步的整整合还会会继续。目前全全球区熔熔硅单晶晶产业集集中度已已经较高高，主要要为日本本Shiin-EEtsuuHanndottai、小松公公司Koomattsu（已被SSumcco 收收购），丹麦TTOPSSIL、德国SSilttronnic (由WWackker Cheemiee AGG 控股股)、中中环股份份（环欧欧）等五五家公司司。第二节 区熔硅硅单晶行行业产业业政策一、产业业政策高

12、纯的区区熔硅单单晶是制制作各种种探测器器、传感感器的关关键原材材料，其其市场增增长趋势势也很明明显。另另外采用用高阻区区熔硅制制造微波波单片集集成电路路（MMMIC）以及微微电子机机械系统统（MEEMS）等高端端微电子子器件，被广泛泛应用于于微波通通讯、雷雷达、导导航、测测控、医医学等领领域，也也显示出出巨大的的应用前前景。区区熔硅单单晶的具具有重要要的战略略意义，20111年科科技重大大专项项项目指南南中，我我们看到到了区熔熔硅单晶晶片产业业化技术术与国产产设备研研制项目目。面向向高压大大功率IIGBTT芯片产产品制造造需求，我国研研究开发发直径1150mmm和2000mm区区熔硅单单晶片产

13、产业化技技术，形形成性能能稳定的的批量生生产能力力；满足足12000V33000V IGBBT芯片片产业化化对区熔熔硅单晶晶的要求求和4550065000V以以上IGGBT芯芯片的研研制需求求。20012年年提供生生产线用用户考核核认证，20113年形形成50000片片/月以以上的销销售。研研究开发发国产区区熔单晶晶炉，220122年进入入生产线线考核并并通过用用户验证证，形成成批量供供货，提提供IGGBT材材料项目目使用。主要产业业政策如如下：1、调整整和振兴兴规划出出台电子子信息产产业企稳稳回升态态势明朗朗20099年4月月15日日电子子信息产产业调整整和振兴兴规划发布。规划提提出，今今后

14、三年年电子信信息产业业要围绕绕计算机机、电子子元器件件、视听听产品、集成电电路、新新型显示示器件、软件、通信设设备、信信息服务务、信息息技术应应用等99个重点点领域，完成确确保骨干干产业稳稳定增长长、战略略性核心心产业实实现突破破、通过过新应用用带动新新增长三三大任务务。2、3GG牌照发发放通信信制造业业保持平平稳发展展 工业和信信息化部部1月77日正式式宣布，批准中中国移动动通信集集团公司司增加基基于TDD-SCCDMAA技术制制式的第第三代移移动通信信(3GG)业务务经营许许可，中中国电信信集团公公司增加加基于CCDMAA20000技术术制式的的3G业务务经营许许可，中中国联合合网络通通信

15、集团团公司增增加基于于WCDDMA技技术制式式的3GG业务经经营许可可。中国国电信业业全面进进入3GG时代。20009年前前10个个月，我我国3GG发展总总体进展展顺利，3G用户户总数达达到9777万，其中中中国移动动TD用用户达到到3944万。 3、物联联网等新新业态兴兴起战略略性新兴兴产业成成为新增增长点20099年8月月，温家家宝总理理指示要要加快传传感网研研究，把把传感系系统和33G中的的TD技技术结合合起来，尽快建建立“感知中国国”中心。99月，中中国传感感器网络络标准工工作组成成立。除除了物联联网以外外，以可可再生能能源技术术、节能能减排技技术、清清洁煤技技术及核核能技术术支撑的的

16、新能源源产业，以传感感网、物物联网关关键技术术、后IIP时代代相关技技术支撑撑的信息息网络产产业，以以微电子子及光电电子材料料和器件件、新型型功能材材料、高高性能结结构材料料、纳米米技术和和材料支支撑的微微电子和和光电子子材料和和器件产产业，以以医疗器器械关键键核心技技术支撑撑的先进进医疗设设备制造造等，逐逐渐成为为战略性性新兴产产业和新新的经济济增长点点。下游的推推动将会会直接扩扩大区熔熔硅单晶晶市场需需求。从从世界范范围来讲讲，我国国出台十十项措施施时机选选得比较较好，是是对金融融危机的的危险性性看准摸摸清了火火候到了了的时候候才出手手的。我我国出台台十项措措施对我我国的区区熔硅单单晶行业

17、业也是利利好，有有利于企企业自主主创新和和结构调调整，有有利于技技术进步步和产业业升级。我国的人人民币汇汇率实现现了有限限的浮动动政策，人民币币的升值值压力逐逐渐释放放。我国国货币的的升值不不可避免免的使得得进口产产品的价价格竞争争力增加加。区熔熔硅单晶晶市场的的价格目目前还处处于高位位运行，国内外外产商均均通过维维持市场场高价来来获取高高额利润润。如果果我国的的汇率继继续向着着人民币币升值的的方向发发展，将将会有利利于我国国进口。预计未未来几年年随着我我国汇率率的调整整和人民民币的升升值，国国内的区区熔硅单单晶进口口价格的的下降趋趋势，这这主要体体现在我我国人民民币升值值带来的的一系列列好处

18、。与此同时时，国外外市场的的疲软，对于国国内区熔熔硅单晶晶行业来来说是一一个好机机会，引引入技术术和设备备的成本本也比较较低，将将很好的的促进国国内区熔熔硅单晶晶行业的的技术更更新和产产品改造造工作，也降低低了国内内区熔硅硅单晶的的成本和和价格。二、技术术壁垒高反压、大电流流电力电电子器件件的发展展要求区区熔硅单单晶直径径进一步步增大。大直径径区熔硅硅单晶的的拉制，最大困困难在于于高频加加热设备备能力和和成晶工工艺条件件。由于于技术封封锁，研研制和生生产大直直径区熔熔硅单晶晶的工艺艺条件需需要摸索索，特别别是加热热线圈结结构和拉拉晶参数数。购买买国际先先进的技技术仪器器，仿效效学习并并研发出出

19、自己的的技术，前期购购买仪器器成本太太高，一一般的小小型公司司难以承承担先进进的Tyyp-FFZ系列列仪器高高昂的价价格。因因此，国国内企业业只有在在生产中中不停地地摸索，克服技技术壁垒垒，逐步步研发并并填补我我国大直直径区熔熔硅单晶晶生产技技术的空空白。在半导体体单晶硅硅材料产产业链中中，多晶晶硅是生生产硅单单晶的原原料，是是半导体体器件的的上游基基础材料料。20006年年国内包包括半导导体器件件和硅晶晶体太阳阳能电池池的多晶晶硅年需需量超过过10,0000吨，而而国内的的生产能能力仅为为3000吨/年年左右，因此多多晶硅材材料绝大大部分依依赖进口口。单晶晶硅材料料的支撑撑体系薄薄弱，所所需

20、的关关键设备备和检测测仪器主主要依赖赖进口，形成了了产品更更新一代代就必须须从国外外引进新新一代设设备的局局面，这这就客观观上加大大了产业业发展的的投入，在一定定程度上上制约了了国内半半导体材材料企业业的发展展。三、人民民币升值值影响分分析我国的人人民币汇汇率实现现了有限限的浮动动政策，人民币币的升值值压力逐逐渐释放放。我国国货币的的升值不不可避免免的使得得进口产产品的价价格竞争争力增加加。区熔熔单晶硅硅市场的的价格目目前还处处于高位位运行，国内外外产商均均通过维维持市场场高价来来获取高高额利润润。如果果我国的的汇率继继续向着着人民币币升值的的方向发发展，将将会有利利于我国国进口。预计未未来几

21、年年随着我我国汇率率的调整整和人民民币的升升值，国国内的区区熔单晶晶硅进口口价格的的下降趋趋势，这这主要体体现在我我国人民民币升值值带来的的一系列列好处。与此同时时，国外外市场的的疲软，对于国国内区熔熔单晶硅硅行业来来说是一一个好机机会，引引入技术术和设备备的成本本也比较较低，将将很好的的促进国国内区熔熔单晶硅硅行业的的技术更更新和产产品改造造工作，也降低低了国内内区熔单单晶硅的的成本和和价格。第三节 区熔硅硅单晶产产品供求求格局一、20008-20110年区区熔硅单单晶市场场产品总总产量统统计20055-20008年年，我国国区熔硅硅单晶行行业产量量呈现快快速增长长的趋势势，20009年年产

22、量有有所下降降，20005年年产量为为71吨吨，20006年年为766.311吨，增增速为77.488，到到了20009年年为711.544吨，增增长率比比20008年下下降了116.553，20110年11-5月月份为339.112吨。同比增增长率为为8.442%.图表 220088-20010年年区熔硅硅单晶市市场产品品总产量量资料来源源：中国国产业竞竞争情报报网二、20008-20009年区区熔硅单单晶市场场细分产产品产量量统计区熔硅单单晶目前前的主要要应用产产品包括括2 种种：气相相掺杂（Gass Doopsiitonn）和中中子嬗变变掺杂（NTDD）。其其中GDD目前市市场规模模约占

23、区区熔硅总总体规模模的800%左右右，主要要的应用用领域为为传统电电子电力力器件，特别是是高压大大功率器器件，4400VV以上电电压产品品等；NNTD规规模约占占20%左右，主要应应用于铁铁路、电电站以及及由新型型能源技技术所推推动的变变压变频频器件应应用中。前者受受电源管管理等市市场的节节能需求求的推动动；后者者由于铁铁路、电电厂的大大规模建建设以及及新型能能源如风风能发电电等市场场的发展展，目前前有较快快的市场场增长。20055年GDD产量为为58.22吨吨，NTTD为112.778吨，到了220099年GDD产量为为58.92吨吨，NTTD为112.662吨。20110年11-5月月份G

24、DD与NTTD分别别31.92吨吨7.22吨。220099年之前前，产量量均保持持了较为为平稳的的增长趋趋势。图表 220088-20010年年区熔硅硅单晶市市场细分分产品总总产量资料来源源：中国国产业竞竞争情报报网三、20005-20110年区区熔硅单单晶市场场产品市市场容量量统计20055区熔硅硅单晶行行业市场场容量为为79.41吨吨，20006年年为944.1吨吨，增速速为188.5，20009年年市场容容量达到到1188.744吨。同同比增长长4.556%，20110年11-5月月份为668.991吨，同比增增长188.144。图表 220055-20010年年区熔硅硅单晶市市场产品品

25、市场容容量资料来源源：中国国产业竞竞争情报报网四、20010-20112年我我国区熔熔硅单晶晶市场供供求预测测从下表可可以看出出，近年年来，GGD比重重在811%-882%之之间浮动动，变化化不大，市场比比例处于于较为稳稳定的状状态。图表 220055-20010年年中国区区熔硅单单晶市场场产品结结构变化化资料来源源：中国国产业竞竞争情报报网第四节 区熔硅硅单晶行行业产业业链构成成模型分分析一、区熔熔硅单晶晶行业产产业链构构成产业链即即从一种种或几种种资源通通过若干干产业层层次不断断向下游游产业转转移直至至到达消消费者的的路径，它包含含四层含含义：一一是产业业链是产产业层次次的表达达；二是是产

26、业链链是产业业关联程程度的表表达；产产业关联联性越强强，链条条越紧密密，资源源的配置置效率也也越高；三是产产业链是是资源加加工深度度的表达达；产业业链越长长，表明明加工可可以达到到的深度度越深；四是产产业链是是满足需需求程度度的表达达。产业业链始于于自然资资源、止止于消费费市场，但起点点和终点点并非固固定不变变。区熔硅单单晶产业业链结构构分析：上游原原材料供供应商，中游区区熔硅单单晶生产产厂家，下游大大功率器器件、电电力机车车的牵引引系统等等相关区区熔硅单单晶消费费者，此此外还有有贯穿产产业链的的物流配配送厂家家等。图表 区熔硅硅单晶产产业链结结构图区熔硅单晶生产商原材料供应商下游消费物流配送

27、大功率器件企业等多晶硅中环股份等资料来源源：中国国产业竞竞争情报报网二、区熔熔硅单晶晶行业产产业链模模型分析析1、上游游原材料料供应单晶硅由由多晶硅硅制得，而近几几年，太太阳能电电池产业业快速发发展，多多晶硅供供应急剧剧增加。20008年国国内多晶晶硅产量量超过445000吨，产产能超过过1万吨吨。根据据最新的的统计数数据显示示，我国国目前在在建和筹筹建的多多晶硅项项目总能能将接近近8万吨吨，而需需求量仅仅为4.6万吨吨，如果果产能全全部释放放，将过过剩近一一半的多多晶硅产产品。20099年9月月26日日，国务务院转发发国家发发改委、工业和和信息化化部等110部委委关于于抑制部部分行业业产能过

28、过剩和重重复建设设引导产产业健康康发展的的若干意意见（以下简简称388号文），正式式将多晶晶硅列入入产能过过剩和重重复建设设行业的的“黑名单单”里，各各地已被被要求收收紧多晶晶硅项目目，地方方未建的的多晶硅硅项目也也已基本本叫停。产能过剩剩是下游游需求转转暖未能能传导至至上游的的主要原原因。我我们估计计明年全全球光伏伏多晶硅硅需求量量在6万万吨，而而供给量量在100万吨（已扣除除半导体体行业用用量），其中44万吨来来自中国国。因此此我们认认为多晶晶硅现货货价格还还将继续续下跌，我们目目前假设设20110220111年均价价分别为为55和和50美美元/公公斤，该该假设有有下调空空间。摆摆在中国国

29、多晶硅硅企业面面前的迫迫切任务务是降成成本，途途径有二二：一是是在现有有还原西西门子法法基础上上降成本本，例如如采用更更先进的的氢化方方法循环环利用四四氯化硅硅/二氯氯二氢硅硅、自产产三氯氢氢硅、申申请直供供电降低低电费等等等，但但该类方方法难以以将成本本降至330美元元之下；二是采采用更先先进的还还原方法法，例如如硅烷法法可以产产生很少少副产品品，成本本可望降降低至225美元甚至至更低。从价格看看，多晶晶硅的价价格风光光不再，70美美元/公公斤现货货价格以以下已经经徘徊数数月，生生产商的的盈利空空间进一一步被压压缩。目目前国内内技术基基本采用用改良西西门子发发，生产产成本基基本控制制在500

30、-600美元/公斤之之间，部部分较好好企业可可以达到到40多多美元/公斤，即便如如此，产产能过剩剩带来的的多晶硅硅售价的的缓慢回回落依然然使我们们对行业业前景堪堪忧。从污染和和耗能角角度看，国内多多晶硅项项目在现现有条件件下属于于高排放放，高污污染行业业，主要要是对于于尾气中中四氯化化硅、氯氯化氢的的回收率率不高。虽然目目前，国国内企业业引进的的第三代代设备完完全可以以做到尾尾气的闭闭路回收收，现在在已经解解决了污污染的问问题，但但这需要要较高的的成本，只有大大企业才才能实现现，小规规模生产产企业排排放问题题依然没没有得到到有效解解决。提提高准入入标准可可以有效效控制污污染。图表 220088-20010年年多晶硅硅现货价价格走势势资料来源源：中