集成电路制造工艺员（三级）考试真题及答案二

1、集成电路制造工艺员（三级）考试真题及答案二1、单项选择（江南博哥）对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到 硅片中。A.离子注入B.溅射C.淀积D.扩散答案：D2、单项选择离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出 系统形成离子束。A.正B.负C.中性D.以上答案都可以答案：A3、单项选择在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液 对磨斜角进行化学染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HN03答案：D4、单项选择在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A.单晶硅刻蚀B.多晶硅刻蚀C.二氧化硅刻蚀D.氮化硅刻蚀答案：A5、多项选择电

2、气测量仪表假设按照电流的种类来分，有（）。A.低压仪表B.高压仪表C.直流仪表D.交流仪表E.交直流仪表答案：&DE6、多项选择散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现 在主要被用来制作（）。C.11001250D.12001350答案：A54、单项选择刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，()是在晶圆上由测 量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A.选择性B.均匀性C.轮廓D.刻蚀图案答案：B55、单项选择在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气，能 够降低刻蚀的速率。A.气体B.等离子体C.固体D.液体答案：B56、单项选择真

3、空镀膜室内，在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板，用 来()。A.隔挡气体交换B.控制蒸发的过程C.辅助热量交换D.温度调节答案：B57、多项选择以下扩散杂质源中，()不仅是硅常用的施主杂质，也是楮常用的施 主杂质。A.硼B锡C铺D磷E.碑答案：&D58、单项选择通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的()oA.11.8倍B.1,31.8 倍C.1.32.1 倍2.3 倍答案：C59、多项选择二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）oA.比色法B.双光干涉法C.椭圆偏振光法D.腐蚀法E.电容-电压法答案：AjB&DE60多/储星导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A.均匀性B.外表平整度

4、C.自由应力D.纯洁度E.电容答案：AjBCDE61、多者吴光刻胶的显影以下说法错误的选项是（）。A.负胶受显影液的影响比拟小B.正胶受显影液的影响比拟小C.正胶的曝光区将会膨胀变形D.使用负胶可以得到更高的分辨率E.负胶的曝光区将会膨胀变形答案：ACD62单或卡面那一种薄膜工艺中底材会被消耗O oA.薄膜沉积B.薄膜成长C.蒸发D.溅射答案：B63、多项选择超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。A.高分辨率B.高灵敏度C.精密的套刻对准D.大尺寸E.低缺陷答案.A R C D F64、单相星与体硅常用的施主杂质是（）oA锡B.硫C硼D.磷答案：D65、单项选择将具有交换能力的阳树脂和

5、阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀 或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水()通过交换柱就能称为高纯度去离子 水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A66、单项选择()主要是以化学反响方式来进行薄膜沉积的。A.PVDB.CVDC.溅射D.蒸发答案：B67、单项选择用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电 极的()oA.重要步骤B.次要步骤C.首要步骤D.不一定答案：C68、多项选择以下物质中是结晶形态二氧化硅的有()oA.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E69、单看薯IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制

6、成的()而成为相邻电子元件的绝缘体A.栅氧化层B.沟槽C.势垒D.场氧化层答案：D70、单项选择固体中的扩散模型主要有填隙机制和()oA,自扩散机制B.杂质扩散机制C ,空位机制D.菲克扩散方程机制答案：C71、多项选择溅射的方法非常多其中包括()。A.直流溅射B.交流溅射C.反响溅射D.二级溅射E.三级溅射答案：A,B,C,D,E72、单项选择损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。A.能量淀积B.动量淀积C.能量振荡D.动量振荡答案：A73、单项选择()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A.蒸镀B.离子注入C.溅射D.沉积答案：C74、单项选择通常热扩散分为两个大步

7、骤，其中第一个步骤是()oA.再分布B.等外表浓度扩散C.预淀积D.等总掺杂剂量扩散答案：C75、多项选择光刻胶的光学稳定通过()来完成的。A.红外线辐射B.X射线照射C.加热D.紫外光辐射E.电子束扫描答案：C,D76、单项选择请在以下选项中选出硅化金属的英文简称：()oA-OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide 答案：C77、多项选择离子注入的主要气体源中，剧毒的有()oA.碑化氢B.二硼化氢C.四氟化硅D.三氟化磷E.五氟化磷答案：ABCD78单通至实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按()的分布情况。A.长度B.深度C.宽度D.外表平整度答案：B79

8、、单项选择以下哪些元素在硅中是快扩散元素：()oA.NaB.BC.PD.As答案：A80、单项选择有机性气体大多产生在以下哪道工艺()oA.离子注入B.刻蚀C.扩散D.光刻答案：D81、单项选择由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达()。A.几伏B.几十伏C.几百伏D.几万伏答案：D82、多项选择通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。A.光刻胶B.衬底C.外表硅层D.扩散区E.源漏区答案：A,B83、单项选择()的气体源中一般包含H+, C+, B+, C1+, 0+等离子。A.C12B.BC13C.C02D.H2答案：B84、单项选择扩散炉中的管道一般都是用()制作。

9、A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金属答案：C85、单项选择当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和 的注入剂量称为()oA.临界剂量B.饱和剂量C.无损伤剂量D.零点剂量答案：A86、多项选择去正胶常用的溶剂有()A.丙酮B.氢氧化钠溶液C. 丁酮D.甲乙酮E.热的氯化碳氢化合物答案：ABCD87、单一禅电释放的英文简述为()oA.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C88、单项选择光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是()。A.150-200B.200c左右C.250C左右D.3000c左右答案：A89、单项选择分析器是一种()分选器。A.电子B.中子C.离子D.质子答案：C

10、90、单项选择在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有()oA.电子振荡放电B.离子自动放电C.低电压弧光放电D,双等离子电弧放电答案：A91、单项选择pointdefect的意思是()。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.缺失的点答案：A92、单项选择检验水中是否有盐酸，可用()溶液滴入水中，如果出现白色沉淀， 就表示水中有盐酸。A.氧化铜B.硝酸镁C.硝酸银D.氯化铜答案：C93、单项选择为了防止()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀, 必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些外表残留物。A.多晶硅B.单晶硅C.铝硅铜合金D.铜答案：C94、单项选择()是指每个入射离子溅射

11、出的靶原子数。A.溅射率B.溅射系数C.溅射效率D.溅射比答案：A95、单项选择决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主 要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。A.动能最低B.稳定C运动D.静止答案：B96、单项选择菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。A.传输率B.载流子浓度C.扩散梯度D.扩散系数答案：A97、单项选择（）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。A.真空镀膜机B.真空镀膜室C,真空镀膜器D.真空镀膜仪答案：B98、单项选择（）是因为吸附原子在晶片外表上彼此碰撞并结合所形成的。A.晶核B.晶粒C核心D.核团答案：A99、多项选择静

12、电释放带来的问题有哪些（）。A.金属电迁移B.金属尖刺现象C.芯片产生超过1A的峰值电流D.栅氧化层击穿E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片外表答案：C,D,E1001单以化合物半导体碑化线常用的施主杂质是（）。A锡B硼C.磷D.锦答案：A集成电路制造工艺员(三级)1、单项选择铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反响来进 行，而必须施以()OA.等离子体刻蚀B.反响离子刻蚀C.湿法刻蚀D.溅射刻蚀答案：D2、单项选择如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为()oA.单晶靶B.超晶靶C.多晶靶D.非晶靶答案：D3、多项选择以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Poly

13、cide。A.单晶硅B.多晶硅C.硅化金属D.二氧化硅E.氮化硅答案：B,C4、多项选择清洁处理主要使用的是()。A.水B.有机溶剂C.碱D.酸E.盐酸答案：A,B,C,D,E5、单项选择离子注入装置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系统等。A.中子源B.离子源C.电子源D.质子源答案：B6、单项选择离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受到电场力和()的作用。A.洛仑兹力B.反向的电场力C.库仑力D.重力答案：A7、单项选择离子散射方向与入射方向的夹角，称为()oA.渐近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C8、单项选择沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造 本钱。

14、A.不会影响成品率B.晶圆缺陷C,成品率损失D.晶圆损失答案：C9、单项选择光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()oA.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶答案：C10、多项选择以下物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()oA.CF4B.BC13C.C12D.F2E.CHF3答案：B,C11、多项选择一般来说，溅射镀膜的过程包括()这几步。A.产生一个离子并导向靶B.被轰击的原子向硅晶片运动C.离子把靶上的原子轰出来D.经过加速电场加速E.原子在硅晶片外表凝结答案.A B C E1

15、2、多捻)正胶常用的溶剂有()A.丙酮A.埋层B.外延C.PN 结D.可整电阻E.隔离区答案：A,C,D7、单项选择 thermalconductivitygauge 的意思是（）。A.离子计B.热传导真空计C.放电型真空计D.麦克劳式真空计答案：B8、多项选择（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A.薄膜成长B.蒸发C.薄膜沉积D.溅射E.以上都正确答案：B,C,D9、单项选择套们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。A.横向电阻B.平均电阻率C.薄层电阻D.扩展电阻答案：C10、单项选择奉献社会的实质是O oA.获得社会的好评B.尽社会义务C.不要回报的付出

16、D.为人民服务答案：C11、单项选择刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有 被（）覆盖及保护的局部，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转 移掩膜图案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C光刻胶D.去离子水B.氢氧化钠溶液C. 丁酮D.甲乙酮E.热的氯化碳氢化合物答案：A,B,C,D13、多项选择半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。AB：改变导电类型C涂层D.改变材料性质E.镀膜答案：B,D14、多项选择二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）oA.玻璃器皿B.高温器材C.人体沾污D.化学试剂E.去离子水答案：A,B,C,D,E15、单项选择请在以下选项中选出

17、多晶硅化金属的英文简称：（）。A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide 答案：D16、多项选择扩散工艺使杂质由半导体晶片外表向内部扩散，改变了晶片（）,所 以晶片才能被人们所使用。A.内部的杂质分布B.外表的杂质分布C.整个晶体的杂质分布D.内部的导电类型E.外表的导电类型答案：aE17.多良从电极的结构看，溅射的方法包括（）。A.直流溅射B.交流溅射C,二级溅射D.三级溅射E.四级溅射答案：C,D,E18、单项选择()由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。A.真空镀膜机B.真空镀膜室C.真空镀膜器D.真空镀膜仪答案：B19、多项选择以下物质中是

18、结晶形态二氧化硅的有()。A.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E20、单项选择()是因为吸附原子在晶片外表上彼此碰撞并结合所形成的。A.晶核B.晶粒C核心D.核团答案：A21、单项选择半导体硅常用的受主杂质是()。A锡B.硫C.硼D.磷答案：C22、单项选择涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为()。A.后烘B.去水烘烤C.软烤D.烘烤答案：C23、单项选择在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制 成的()而成为相邻电子元件的绝缘体A.栅氧化层B.沟槽C.势垒D.场氧化层答案：D24、单项选择危害半导体工艺的典型金属杂质是()o

19、A.2族金属B.碱金属C.合金金属D.稀有金属答案：B25、单项选择奉献社会的实质是()。A.获得社会的好评B.尽社会义务C.不要回报的付出D.为人民服务答案：C26、多项选择按曝光的光源分类，曝光可以分为()oA.光学曝光B.离子束曝光C.接近式曝光D.电子束曝光E.投影式曝光答案：ARD27、单看1硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻 蚀图形转移的不均匀性。A.薄膜厚度B.图形宽度C.图形长度D.图形间隔答案：A28、多项选择光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。A.树脂B.感光剂C.HMDSD.溶剂E.PMMA答案：A,B,D29、单公篇域网中使用中继器的作用是()

20、。A.可以实现两个以上同类网络的联接B.可以实现异种网络的互连C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换D.实现传递信号的放大和整形答案：D30、多项选择在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，那么()OA.使薄膜的介电常数变大B.可能引入杂质C,可能使薄膜层间短路D.使薄膜介电常数变小E.可能使薄膜厚度增加答案：B,C31、多症解决氧化层中的钠离子沾污的方法有()。A.加强工艺操作B.加强人体和环境卫生C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备D.采用HC1氧化工艺E.硅片清洗后，要充分烘干，外表无水迹答案：A,B,C,D,E32、多通专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A

21、.薄膜成长B.蒸发C.薄膜沉积D.溅射E.以上都正确答案：B,C,D33、单项选择下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗()oA.薄膜沉积B.薄膜成长C.蒸发D.溅射答案：B34、单项选择通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的()。A.11.8倍B.1.31.8 倍C.1.3-2.1 倍D.L52.3 倍答案：C35、单项选择离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成()离子，并通过一个引 出系统形成离子束。A.正B.负C中性D.以上答案都可以答案：A36、单项选择静电释放的英文简述为()。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C37、单项选择早期，研究离子注入技术是用()来进行的。A.重离子加速

22、器B.热扩散炉C.质子分析仪D.轻离子分析器答案：A38、单项选择光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是()oA.150-200B.200C左右C.250C左右D.300C左右答案：A39、单项选择晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势 能为()。A.极大值B.极小值C.既不极大也不极小D.小于动能答案：B40、单项选择真空蒸发又被人们称为()。A.真空沉积B.真空镀膜C.真空外延D.真空答案：B41、多项选择关于正胶和负胶的特点，以下说法正确的选项是()oA.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解C.负胶在显影

23、时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低D.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低答案：ACE42、单速速热扩散工艺中的预淀积步骤中，碑和锚的扩散温度为()oA.1050-1200B.9001050C.1100-1250D.1200 1350C答案：A43、单项选择复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别 装在两个()内串接起来。A.交换柱B.混合床C.混合柱D.复合柱答案：A44、单项选择不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是()oA.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF答案：D45、单项选择在热扩散工艺中

24、的预淀积步骤中，磷的扩散温度为()oA.600 750B.900 1050C.11001250D.950-1100答案：B46、多项选择真空镀膜室是由()几局部组成。A.钟罩B.蒸气源加热器C.衬底加热器D.活动挡板E底盘答案：A,B,C,D,E47、单项选择硅烷的分子式是()oA.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B48、多项选择溅射的方法非常多其中包括()。A.直流溅射B.交流溅射C.反响溅射D.二级溅射E.三级溅射答案：ABCDE49、单项选择硅晶片上ZMG可以产生薄膜，出始于布满在晶片外表的许多气体分 子或其它粒子，它们主要是通过()到达晶片外表的。A.粒子的扩散B.化学反

25、响C.从气体源通过强迫性的对流传送D.被外表吸附答案：A50、多项选择以下组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀 后者()。A.二氧化硅氮化硅B.多晶硅硅化金属C.单晶硅多晶硅D.铝铜E.铝硅答案：aEA、单-用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()oA.ARCB.HMDSC.正胶D.负胶答案：C52、多项选择沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片()的 不希望有的物质。A.功能B.成品率C.物理性能D.电学性能E.外观答案：B,D53、单项选择()是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进 行薄膜沉积的。A.蒸镀B.溅射C.离子注入D.CV

26、D答案：A54、单项选择硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是 ()OA.钠B.钾C.氢D硼答案：A55、单项选择扩散炉中的管道一般都是用()制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金属答案：C56、单项选择以下关于曝光后烘烤的说法正确的选项是()。A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应C.烘烤的温度一般在300左右D.烘烤的时间越长越好答案：B57、单项选择在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是()oA.化学增强B.化学减弱C.厚度增加D.厚度减少答案：A58、多项选择静电释放带来的问题有哪些()oA.金属电迁移B.金属尖刺现象C.芯片产

27、生超过1A的峰值电流D.栅氧化层击穿E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片外表答案:C,D,E59、单项选择在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比拟高的要求，要用经过 纯化的()作为清洁用水。A.蒸播水B.自娄水C.去离子水D.矿泉水答案：C60、单项选择pointdefect的意思是()。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.缺失的点答案：A61、单项选择降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之()oA.增大B碱小C.不变D.变为0答案：B62、单项选择干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应()一个大气压。A.稍高于B.大大于C.等于D.没有要求答案：A63、多项选择超大规模集成电路

28、需要光刻工艺具备的要求有()。A.高分辨率B.高灵敏度C.精密的套刻对准D.大尺寸E.低缺陷答案：ABCDE64、单一主要是以化学反响方式来进行薄膜沉积的。A.PVDB.CVDC ,溅射D.蒸发答案：B65、单项选择铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为()oA.5 10nmB.20 30nmC.50 80nmD.100 200nm答案：B66、单项选择刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有 被()覆盖及保护的局部，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转 移掩膜图案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻胶D.去离子水答案：C67、单项选择TCP/IP协议

29、中的TCP相当于OSI中的()。A.应用层B.网络层C.物理层D.传输层答案：D68、多项选择光刻胶的光学稳定通过()来完成的。A.红外线辐射B.X射线照射C.加热D.紫外光辐射E.电子束扫描答案：&D69、多京有关光刻胶的显影以下说法错误的选项是()oA.负胶受显影液的影响比拟小B.正胶受显影液的影响比拟小C.正胶的曝光区将会膨胀变形D.使用负胶可以得到更高的分辨率E.负胶的曝光区将会膨胀变形答案：A,C,D70、单通向树脂用盐酸做再生液，浓度为()溶液可用原水配制。A.5%B.10%C.15%D.20%答案：c12、单项选择晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使 得在

30、刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A.n型掺杂区B.P型掺杂区C.栅氧化层D.场氧化层答案：C13 单项选择 dryvacuumpump 的意思是 ()。A.扩散泵B.谁循环泵C.干式真空泵D.路兹泵答案：C14、单项选择在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为()oA.硝酸B.硝酸铜C硫酸D.磺酸答案：A15、单项选择真空蒸发又被人们称为()oA.真空沉积B.真空镀膜C,真空外延D.真空答案：B16、单项选择一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定外表浓度条件和()。A.恒定总掺杂剂量B.不恒定总掺杂剂量C.恒定杂志浓度D.不恒定杂志浓度答案：A17、单项选择为了保证保护装置能可靠地动作，27.

31、5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。()C.11A答案：A答案：B71、单项选择二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处 硅一侧的杂质浓度()oA.降低B.增加C.不变D.先降低后增加答案：A72、单项选择离子源产生的离子在()的加速电场作用下得到加速。A.分析器B.扫描器C.加速器D.偏转器答案：C73、单项选择我们可以通过简单的结深测量和()测量来获得扩散层的重要信息。A.横向电阻B.平均电阻率C.薄层电阻D.扩展电阻答案：C74、单项选择当热氧化的最初阶段，()为限制反响速率的主要原因。A,温度B.硅-二氧化硅界面处的化学反响C.氧的扩散速率

32、D压力答案：B75、多项选择在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于()oA.CA光刻胶对深紫外光吸收小B.CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C.CA光刻胶在显影液中的可溶性强D.有较高的光敏度E.有较高的比照度答案：A,B,C,D,E76、单项选择以下几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高 些()。A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D ,与氧化方法无关答案：A77、单项选择采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。A .结晶形态B ,非结晶形态C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的D.以上都不对答案：B78、多项选择在半导体工艺中，与氮化硅比拟，二氧

33、化硅更适合应用在()oA.晶圆顶层的保护层B.多层金属的介质层C.多晶硅与金属之间的绝缘层D.掺杂阻挡层E.晶圆片上器件之间的隔离答案：BCE79、单项选择以下材料中电阻率最低的是()。A.铝B.铜C.多晶硅D.金答案：D80、单项选择Torr是指()的单位。A.真空度B.磁场强度C.体积D温度答案：A81、单项选择多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层 使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A.二氧化硅B.氮化硅C.单晶硅D.多晶硅答案：A82、多项选择在半导体制造中，熔断丝可以应用在()。A.MOS栅极B.保护性元件C.电容器极板D.制造只读存储器PRO

34、ME.晶圆反面电镀答案：BD83、单蜃在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用()测量。A.SIMS技术B.扩展电阻技术C微分电导率技术D.四探针技术答案：D84、单项选择钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是()杂质。A.替位式B.间隙式C.施主D.可能是替位式也可能是间隙式答案：B85、单项选择单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气 为侧壁钝化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C.光刻胶D.多晶硅答案：B86、单项选择当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间()。A.t2成正比B.t2成反比Ct成正比D.t成反比答案：C87、单项选择以下哪些元素在硅中是快扩散元素：()oA.N

35、aB.BC.PD.As答案：A88、单项选择在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于O oA.推挤扩散B.杂质扩散C.填隙扩散D.自扩散答案：D89、单项选择悬浮在空气中的颗粒称为()oA.悬浮物B.尘埃C.污染颗粒D.浮质答案：D90、单项选择买来的新树脂往往是Na型或Q型，新树脂使用前必须分别用酸(阳 树脂)，碱(阴树脂)浸泡约()个小时，把Na型或C1型转换成H型或OH型。 A.3B.4C.5D.6答案：B91、多项选择在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有()oA.均匀性B.外表平整度C.自由应力D.纯洁度E.电容答案：A,B,C,D,E92、单项选择离子束的引出

36、系统的间接引出系统中，阳极和插入电极之间形成一个 离子密度较()的等离子体。A低B.WjC.均匀D.不均匀答案：A93、单项选择在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在9001050C的条件下，扩散 时间大约()为宜。A.46hB.50min2hCIO40minD.5lOmin答案：c94、单项选择刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，()是在晶圆上由测 量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A.选择性B.均匀性C.轮廓D.刻蚀图案答案：B95、多项选择()的方法有利于减少热预算。A.高压氧化B.湿氧氧化C掺氯氧化D.氢氧合成氧化E.等离子增强氧化答案：A,E96单良二氧化

37、硅薄膜的折射率是表征其()学性质的重要参数。A.电B.磁C.光D.热答案：C97、单项选择分析器是一种()分选器。A.电子B.中子C.离子D.质子答案：C98、多项选择树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于() 度，使用温度不能过低，低于。度会使树脂冻裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案:A,C99、多项选择哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：()oA.低温注入B.常温注入C.高温注入D.分子注入E.双注入答案：A,D,E100,单项选择金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制 程中()。A.氧化铝磨料溶水制成的研磨液B.使用羊毛研磨垫

38、C.采用旋转研磨垫加压的方法D.无法必免的机械损耗答案：B集成电路制造工艺员(三级)测试题1、单项选择在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是()oA.化学增强B.化学减弱C.厚度增加D,厚度减少答案：A2、单项选择干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有()oA.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B.氧化的速度慢C.生长的二氧化硅缺陷多D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差答案：B3、单项选择晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得 在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A.n型掺杂区B.P型掺杂区C栅氧化层D.场氧化层答案：C4、多项选择以下哪些因素会影响临界注入

39、量的大小：()。A.注入离子的质量B.靶的种类C.注入温度D.注入速度E.注入剂量答案：AjBCD2单项选择4亍保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作 电流不超过多少的继电保护装置。()C.11A答案：A6、单项选择用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极 的()。A.重要步骤B.次要步骤C.首要步骤D.不一定答案：C7、多项选择在半导体工艺中，与氮化硅比拟，二氧化硅更适合应用在()oA.晶圆顶层的保护层B.多层金属的介质层C.多晶硅与金属之间的绝缘层D.掺杂阻挡层E.晶圆片上器件之间的隔离答案：B,C,E8、单项选择篇域网中使用中继器的作用是()

40、oA.可以实现两个以上同类网络的联接B.可以实现异种网络的互连C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换D.实现传递信号的放大和整形答案：D9、单项选择在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为()。A.600 750B.9001050C.1100 1250D.950 1100答案：B10、单项选择二氧化硅薄膜的折射率是表征其()学性质的重要参数。A.电B.磁C.光D.热答案：C11、单项选择()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。A.LPCVDB.PECVDC.CVDD.PVD答案：D12、多项选择半导体芯片生产中，离子注入主要是用来()。A.氧化B.改变导电类型C滁层D.改变材料性质E.镀

41、膜答案：B,D13、单项选择光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是()oA.150-200B.200C左右C250C左右D.300C左右答案：A14、单项选择硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是 ()OA钠B.钾C氢D硼答案：A15、单项选择射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为()oA.投影射程B.射程纵向分量C.射程横向分量D.有效射程答案：C16 单项选择 thermalconductivitygauge 的意思是 ()。A.离子计B.热传导真空计C.放电型真空计D.麦克劳式真空计答案：B17、多项选择以下扩散杂质源中，()不仅是硅常用的施主杂质，也是楮常用的施 主

42、杂质。A硼B锡C.锦D.磷E.碑答案：C,D18、单良()方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛 的技术。A.蒸镀B.离子注入C.溅射D.沉积答案：C19、单项选择当热氧化的最初阶段，()为限制反响速率的主要原因。A.温度B.硅-二氧化硅界面处的化学反响C.氧的扩散速率D.压力答案：B20、单项选择采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。A.结晶形态B.非结晶形态C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的D.以上都不对答案：B21、多项选择()专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A.薄膜成长B.蒸发C.薄膜沉积D.溅射E.以上都正确答案：BCD22、单壶犷

43、散炉中的管道一般都是用()制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金属答案：C23、单项选择离子束的引出系统的间接引出系统中，阳极和插入电极之间形成一个 离子密度较()的等离子体。A低B.rWjC.均匀D.不均匀答案：A24、单项选择在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在9501100C的条件下，扩散 时间大约()为宜。A.4 6hB.50min2hC.1040minD.5 lOmin答案：C25、单项选择沾污引起的电学缺陷引起()，硅片上的管芯报废以及很高的芯片制 造本钱。A.不会影响成品率B.晶圆缺陷C.成品率损失D.晶圆损失答案：C26、单项选择为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有()

44、，使离子 束偏转后再到达靶室。A.磁分析器B.正交电磁场分析器C.静电偏转电极D.束流分析仪答案：C27、多项选择真空镀膜室是由()几局部组成。A.钟罩B.蒸气源加热器C.衬底加热器D.活动挡板E.底盘答案：A,B,C,D,E28、单/ 3向偏转电极和静电扫描器都是()电容器。A片状B.针尖状18、单项选择买来的新树脂往往是Na型或Q型，新树脂使用前必须分别用酸（阳 树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或C1型转换成H型或0H型。 A.3B.4C.5D.6答案：B19、单项选择在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比拟高的要求，要用经过 纯化的（）作为清洁用水。A.蒸储水B.自来水C

45、.去离子水D.矿泉水答案：C20、单项选择离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）oA.离子距离B.靶厚C射程D.注入深度答案：C21、单项选择钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。A.替位式B.间隙式C.施主D.可能是替位式也可能是间隙式答案：B22、单项选择（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛 的技术。A.蒸镀B.离子注入C.溅射D.沉积答案：C23、单项选择电气测量仪表中，整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。A.直流B.工频及较高频率的交流C.直流及工频交流D.直流及工频与较高频率的交流C.圆筒状D.平行板答案：D29、单项选择由静电释放产生的电流泄

46、放最大电压可以达()oA.几伏B.几十伏C.几百伏D.几万伏答案：D30、多项选择铜与铝相比拟，其性质有()oA.铜的电阻率比铝小B.铝的熔点较高C.铝的抗电迁移能力较弱D.铜与硅的接触电阻较小E.铜可以在低温下淀积答案：A,C,E31、单以常选熔断器熔断电流为电路额定电流的()oA.11.8倍C.1.3-2.1 倍2.3 倍答案：C32、单项选择在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能 够提高刻蚀的速率。A.铜B.铝C.金D.二氧化硅答案：D33、多项选择以下物质中是结晶形态二氧化硅的有()oA.硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E34、单速强害半导体

47、工艺的典型金属杂质是()oA.2族金属B.碱金属C.合金金属D.稀有金属答案：B35、单项选择真空蒸发又被人们称为（）。A.真空沉积B.真空镀膜C.真空外延D.真空答案：B36、单项选择金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程 中（）。A.氧化倍磨料溶水制成的研磨液B.使用羊毛研磨垫C.采用旋转研磨垫加压的方法D.无法必免的机械损耗答案：B37、单项选择在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA答案：A38、单项选择离子束垂直进入均匀的正交磁场后，将同时受到电场力和（）的作用。A.洛仑兹力B.反向的电场力C.库仑力D.重力答案：A39、单项

48、选择薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括 （）。A.形成晶核B.晶粒自旋C.晶粒凝结D.缝道填补答案：B40、单项选择Torr是指（）的单位。A.真空度B.磁场强度C.体积D.温度答案：A41、单项选择为了防止()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀, 必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些外表残留物。A.多晶硅B.单晶硅C.铝硅铜合金D.铜答案：C42、单项选择静电释放的英文简述为()。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C43、多项选择扩散工艺使杂质由半导体晶片外表向内部扩散，改变了晶片()，所 以晶片才能被人们所使用。A.内部的杂质分布B

49、.外表的杂质分布C.整个晶体的杂质分布D.内部的导电类型E.外表的导电类型答案：A,E44、多项选择按曝光的光源分类，曝光可以分为()。A.光学曝光B.离子束曝光C.接近式曝光D.电子束曝光E.投影式曝光答案：A,B,D45、单项选择当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间()oA.t2成正比B.t2成反比Ct成正比D.t成反比答案：C46、单项选择目前，最广泛使用的退火方式是()oA.热退火B.激光退火C.电子束退火D.离子束退火答案：A47、多项选择涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，以下操作正 确的是()OA.进行去水烘烤以保证晶片干燥B.在晶片外表涂上增粘剂以保证晶片黏附性好C.刚

50、刚处理好的晶片应立即涂胶D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥E.也可以直接使用贮存的晶片答案：A,BCD48、单相向g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A.ARCB.HMDSC.正胶D.负胶答案：C49、单项选择在磁分析器中常用()分析磁铁。A.柱形B.扇形C.方形D.圆形答案：B50、多项选择二氧化硅层中的钠离子可能来源于()oA.玻璃器皿B.高温器材C.人体沾污D.化学试剂E.去离子水答案：A,B,C,D,E答案：B24、单项选择离子源产生的离子在()的加速电场作用下得到加速。A.分析器B.扫描器C.加速器D.偏转器答案：C25、多项选择关于正胶和负胶的特点，以下说法正确的选项

51、是()oA.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解C.负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低D.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低答案：A,C,E26、单项选择以下几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高 些()。A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D.与氧化方法无关答案：A27、多项选择晶片外表上的粒子是通过()到达晶片的外表。A.粒子扩散B.从气体源通过强迫性的对流传送C.化学反响D.被外表吸附E.静电吸引答案：AjBCD28、单一列关于曝光后烘烤的说法正确的选项是()oA.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B