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文档简介

1、全球第三代半导体SiC功率器件市场格局_电动汽车成为主要下游市场图 一、SiC功率器件发展概况 半导体材料已经从硅、锗第一代材料发展到SiC、GaN的第三代半导体材料,相比前两代半导体材料,SiC和GaN在禁带宽度、击穿电场、热导率等方面表现更加突出,特别适用于现阶段下游正在快速发展的5G通讯和新能源汽车市场。 SiC产业链分为三大环节,包括上游的SiC晶片、SiC外延,中游产业为SiC功率器件的制造,下游市场主要应用在新能源汽车、光伏发电、电源等领域。 SiC是现阶段高压、高功率、高频功率器件理想的材料,所以SiC功率器件在新能源车、充电桩、光伏、风电等这些对效率、节能和损耗等指标比较看重的

2、领域,具有明显的发展前景。 二、SiC功率器件全球市场格局 相比于Si基的IGBT,SIC MOS在产品尺寸、功率消耗大幅降低,在电动汽车的电池领域应用具有较强的性能提升。2018年特斯拉的主逆变器采用SiC,随后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亚迪、雷诺等汽车生产商都宣布在其部分产品中采用SiC技术。汽车领域成为SiC功率市场快速发展的首要驱动力,2014-2019年全球SiC功率器件市场规模复合增长率35.83%,截至219年全球SiC功率器件市场规模约为6.15亿美元。 HYPERLINK /research/202007/881979.html 根据智研咨询发布的2020-2026

3、年中国碳化硅功率器行业市场竞争格局及投资战略咨询报告数据显示:全球SiC功率器件主要应用于电动汽车、电源和光伏领域,上述三个主要市场占据了SiC功率器件市场份额65%左右。 三、SiC功率器件企业格局 由于我国SiC市场起步晚,绝大部分材料基本依赖进口,国产化程度偏低。其中,上游的晶片基本被美国CREE和II-VI等美国厂商垄断。其中CREE从SIC上游材料切入到了SIC器件,相当于其拥有了从上游SIC片到下游SIC器件的产业链一体化能力。 由于碳化硅材料特殊的物理性质,晶体切割、加工等工艺要求高,需要企业长期投入和深耕才能形成产业化生产能力,导致SiC行业门槛很高。SiC功率器件行业主要企业

4、不同尺寸 SIC 晶片的推出对比项目CREE-SiCrystal山东天岳天科合达4英寸品片成功研制并规模化生产成功研制并规模化生产成功研制并规模化生产成功研制并规模化生产成功研制并规模化生产6英寸品片2012年全球首次成功研制并规模化生产成功研制并规模化生产成功研制并规模化生产成功研制,2019年宣布产线建设计划2014年国内首次成功研制,已规模化生产8英寸品片成功研制,2019年宣布产线建设计划2015年全球首次成功研制,2019年宣布产线建设计划未披露未披露2020年启动研发 四、中国SiC功率器件发展趋势 国内的企业均处于初创期或者刚刚介入SIC领域,包括传统的功率器件厂商华润微、捷捷微

5、电、扬杰科技,从传统的硅基MOSFET、晶闸管、二极管等切入SIC领域,IGBT厂商斯达半导、比亚迪半导体等,但国内当前的SIC器件营收规模都比较小。 半导体产业是第四次工业革命的核心环节,我国在中国制造2025中明确了第三代半导体产业的重要性,近三年,针对第三代半导体材料颁布了诸多支持性政策,促进我国在第三代半导体材料市场取得可观市场前景。2017-2019年国家第三代半导体相关政策颁布时间名称内容2017“十三五”材料领域科技创新专项规划在总体目标、指标体系、发展重点等各方面均捉出要大力发展第三代半导体材料2017“十三五”交通领域科技创新专项规划提出开展汽车整车、动力系统、底盘电子控制系

6、统以及IGBT、碳化硅、氦化镓等电力电子器件技术研发及产品开发和零部件、系统的软硬件测试技术研究与测试评价技术规范体系研究2017“关于组织开展2017年工业强基工程重点产品、工艺一条龙应用计划工作的通知”捉出以城市轨道交通应用为源头,实现3.3kV和6.5kV高频高压回合SiCIGBT及SiCMOSFET器件、驱动和变流装置的技术突破2019鼓励外商投资产业目录(2019年版)支持引进SiC超细粉体(纯度99%)、高纯超细氧化铝微粉(纯度99.9%)、高纯氮化铝(AIN)粉体(纯度99%,平均粒径1m)等精密高性能陶瓷原料外资生产企业2019关于印发重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版)的通告对重点新材料首批次应用给予保险补偿,GaN单晶衬底

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