GB∕T 4937.21-2018 半导体器件机械和气候试验方法 第21部分：可焊性

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第21部分可焊性

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part21Solderabilit

:y

(IEC60749-21:2011,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

试验装置

3…………………1

焊料槽

3.1………………1

浸润装置

3.2……………1

光学设备

3.3……………1

水汽老化设备

3.4………………………1

照明设备

3.5……………2

材料

3.6…………………2

助焊剂

3.6.1…………………………2

焊料

3.6.2……………2

再流焊设备

3.7SMD……………………3

模板或掩膜板

3.7.1…………………3

橡胶滚轴或金属刮刀

3.7.2…………3

试验基板

3.7.3………………………3

焊膏

3.7.4……………3

再流设备

3.7.5………………………4

助焊剂清洗溶剂

3.7.6………………4

程序

4………………………4

向后兼容性

4.1…………………………4

预处理

4.2………………4

一般要求

4.2.1………………………4

水汽老化预处理

4.2.2………………4

高温贮存预处理

4.2.3………………5

浸入和观察可焊性试验程序

4.3………………………5

一般要求

4.3.1………………………5

浸焊料条件

4.3.2……………………5

程序

4.3.3……………6

模拟板级安装再流可焊性试验程序

4.4SMDs………11

一般要求

4.4.1………………………11

试验设备设置

4.4.2…………………11

样品准备和表面条件

4.4.3…………13

目检

4.4.4……………13

说明

5………………………13

图翼形封装被检区域

1……………………8

Ⅰ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

图形引线封装被检区域

2J………………9

图矩形元器件的被检区域表面安装器件

3()…………10

图小外形集成电路封装和四边引线扁平封装被检区域表面安装器件

4(SOIC)(QFP)()…………11

图平顶峰形回流曲线图

5………………12

表水汽老化条件

1…………………………4

表海拔高度与水汽温度的对应关系

2……………………5

表浸焊料试验条件

3………………………5

表焊槽中杂质最大含量

4…………………7

Ⅱ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅲ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493721。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-21:2011《21:

可焊性

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所深圳市标准技术研究院

:、。

本部分主要起草人宋玉玺彭浩高瑞鑫裴选朱振刚

:、、、、。

Ⅳ

GB/T493721—2018/IEC60749-212011

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第21部分可焊性

:

1范围

的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试

GB/T4937

验程序

。

本试验方法规定了通孔轴向和表面安装器件的浸入和观察可焊性试验程序以及可选

、(SMDs)“”,

的板级安装可焊性试验程序用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程本试验方法也规定了

SMDs,。

老化条件该条件为可选

,。

除有关文件另有规定外本试验属于破坏性试验

,。

注1本试验方法与基本一致但由于半导体元器件的特殊要求采用本试验方法

:GB/T2423,,。

注2本试验方法未对焊接过程中可能产生的热应力影响进行评估参见或

:。IEC60749-15IEC60749-20。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

电子组件用连接材料第部分电子组件高质量互连用焊料的要求

IEC61190-1-2:2007