SEMI标准列表

1、标准名称编号标准化标准技术制图图样画法制图GB/T17451-1998产品标准化大纲编制指南GJB/Z114A-2005标准化评审GJB/Z113-98新产品工艺标准化综合要求编写指南GJB/Z106-98企业标准体系管理标准和工作标准体系GB/T15498-2003企业标准体系要求GB/T15496-2003企业标准体系评价与改进GB/T19273-2003军用标准文献分类法GJB/T832-2005标准化工作导则第一部分：标准的结构和编写规则GB/T1.1-2000综合标准化工作导则工业产品综合标准化一般要求GB/T12366.2-90综合标准化工作导则原则与方法GB/T12366.1-9

2、0标准化工作指南第二部分：采用国际标准的规则GB/T20000.22001标准编写规则第三部分：信息分类编码GB/T20001.3-2001标准编写规则第四部分：化学分析方法GB/T20001.4-2001标准体系表编写原则和要求GB/T13016-91标准化和有关领域的通用术语第一部分：通用术语GB/T3935.1-1996消费品使用说明总则GB5296.1-1997电磁干扰和电磁兼容性术语GJB72A-2002标准化工作指南第三部分：引用文件GB/T20000.3-2003标准化工作指南第四部分：标准中涉及安全的内容GB/T20000.4-2003环境检测分析方法标准制订技术导则HJ/T1

3、68-2004军用标准文件编制工作导则第一部分：军用标准和指导性技术文件编写规定GJB0.1-2001军用标准文件编制工作导则第二部分：军用规范编写规定GJB0.22001军用标准文件编制工作导则第三部分：出版印刷规定GJB0.32001说明书的编制构成内容和表示方法GB/T19678-2005/IEC62079:2001气体和超净标准、环保标准中国环境保护标准汇编水质分析方法中国环境保护标准汇编废气废水废渣分析方法中国环境保护标准汇编大气质量分析方法气体中微量水分的测定电解法GB5832.1-86气体中微量水分的测定露点法GB5832.2-86气体中微量氧的测定电化学法GB6285-86氢气

4、GB/T3634-1995氮GB/T3864-1996洁净厂房设计规范GB50073-2001纯氢、高纯氢和超纯氢GB/T7445-1995洁净室检测规范GB/T16292-1996电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ27982807-87电子工业用气体GB/T1460014604-93电子工业用气体氮GB/T16944-1997大气污染物综合排放标准GB16297-1996微电子标准微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005半导体分立器件总规范GJB33A-97半导体分立器件型号命名方法GB/T249-89半导体集成电路总规范GJB597A96混合集成电路通用规范GJB2438A-2

5、002半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000半导体分立器件包装规范GJB3164-98电子产品防静电放电控制手册GJB/Z105-98防静电包装手册GJB/Z86-97印制板总规范GB/T16261-1996集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理半导体集成电路JSC145152型CMOS并行输入锁相环4频率合成器详细规范SJ50597/37-95膜集成电路和混合集成电路外形尺寸GB/T15138-94计量校准及管理标准测量不确定度的表示及评定GJB3756-99检测和校准实验室能力的通用要求GB/T15481-2000测量管理体系测量过程和测量设备的要

6、求GB/T19022-2003测量设备的质量保证要求计量确认体系GJB2712-96测试实验室和校准实验室通用要求GJB2725A2001测量设备的质量保证要求第一部分测量设备的计量确认体系GB/T19022.1-1994测量设备的质量保证第二部分：测量过程控制指南GB/T19022.2-2000抽样标准计数抽样检验程序及表GJB179A-96周期检验计数抽样程序及表GB/T2829-2002计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T2828.1-2003军用电子元件失效率抽样方案和程序GJB2649-96产品质量监督计数抽样程序及抽样表GB/T14162-

7、93光电类标准半导体光电模块总规范SJ20642-97固体激光器总规范SJ20027-92空间用单晶硅太阳能电池总规范GJB1431-92固体激光器总规范GB/T15490-1995红外探测器总规范GJB1206-91红外探测器参数测试方法GB/T1358492红外探测器外形尺寸系列GB/T13583-92半导体激光二极管空白详细规范GB/T15649-1995半导体激光二极管总规范GJB3519-99固体激光器通用规范GJB5849-2006大功率半导体激光二极管阵列通用规范SJ20957-2006固体激光器测试方法GJB5441-2005固体激光二极管测试方法SJ2749-87太阳电池光谱

8、响应测试方法GB11009-89GB6492-86GB6496-86GB6494-86GJB2932-97SJ/T10459-93GB/T14009-92GB/T6495.1-1996GB/T6495.2-1996GB/T6495.3-1996SJ20786-2000SJ20644-97GJB5022-2003GJB894A99SJ2354.1-83GB7247.1-2001GJB915A-97GB/T18308.1-2001GB/T18310.4-2001GB/T18311.2-2001GB/T18311.3-2001GB/T18311.6-2001GB/T18310.18-2001GJB6

9、01A-98GJB1427A-99GB/T12507.1-2000GB/T9535-1998GB/T13863-92GB/T13864-92GJB1788-93SJ20785-2000GJB3930-2000SJ20642/7-2000GB/T13740-92GB/T13741-92GB/T6495.4-1996GJB2146-94GB/T15175-94SJ207932000航天用标准太阳电池航天用太阳电池标定的一般规定航天用太阳电池电性能测试方法太阳敏感电池通用规范太阳能电池温度系数测试方法太阳电池组件参数测试方法光伏器件第1部分：光伏电流电压特性的测量光伏器件第2部分：标准太阳电池的要求

10、光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据半导体光电组件总规范PIN、APD光电探测器总规范PIN、APD光电探测器通用规范军用激光器辐射传输测试方法PIN、雪崩光电二极管测试方法激光产品的安全第1部分：设备分类、要求和用户指南纤维光学试验方法纤维光学转接器第1部分：总规范纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第24部分：试验光纤、光缆保持力纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第32部分：检查和测量单模纤维光绪器件偏振依赖性纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第33部分：检查和测量监测衰减和回波损耗变化（多路）纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程

11、序第36部分：检查和测量回波损耗纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第218部分：试验干热高温耐久性热敏电阻总规范光纤总规范光纤光缆连接器第1部分：总规范光纤光缆连接器第2部分：F-SMA型光缆连接器分规范.0地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型激光辐射功率测试方法激光辐射功率稳定度测试方法红外探测器试验方法超辐射发光二极管组件测试方法红外发射二极管总规发半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范激光辐射发散角测试方法激光辐射光束直径测试方法晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法发光二极管固体显示器总规范固体激光器主要参数测试方法军用激光测距仪通用规范质量控

12、制管理标准产品质量保证大纲要求产品质量标志和可追溯性要求不合格控制指南军用电气和电子元器件的标志武器装备研制项目管理军工批次管理的质量控制要求合同中质量保证要求航天产品质量问题归零实施指南军工产品的批次管理的质量控制要求关键件和重要件的质量控制产品质量评审故障报告、分析和纠正措施系统质量管理和质量保证军用标准电子行业质量管理和质量体系要素标准质量管理和质量体系要素第4部分：质量改进指南航天产品设计文件管理制度电子元器件选用管理要求纠正措施指南产品包装、装卸、运输、贮存的质量管理要求质量经济性管理指南电子元器件设计文件编制示例质量成本管理指南质量管理术语质量管理技术状态管理指南质量管理体系要求质

13、量管理体系标准质量改进指南系统安全性通用大纲技术状态管理设计文件管理制度第13部分设计文件管理制度第4部分：设计文件的编号设计文件管理制度第5部分：设计文件的更改成套技术资料质量管理要求GJB1406A-2005GJB726A-2004SJ/T10466.15-94GJB2118-94GJB2993-97GJB1330-91GJB2102-94QJ3183-2003GJB1330-91GJB909-2005GJB907-90GJB841-90GJB/Z90009004-96SJ/T10466.110466.13-93GB/T19004.1-1994QJ1714.11714.8A-99QJ171

14、4.9A-99QJ1714.10A1714.12A-99GJB3404-98SJ/T10466.16-94GJB1443-92GB/Z19024-2000SJ/T10718-1996GJB/Z4-88GJB1405-92GB/T19017-1997GJB9001A-2001GB/T19000-2000GB/T19001-2000GB/T19004-2000SJ/T10466.19-1995GJB900-90GJB3206-98SJ/T207.1-3-1999SJ/T207.4-1999SJ/T207.5-1999GJB906-90GJB1310A-2004SJ/T10466.14-94GJB9

15、39-90SJ/T10466.21-1995GB191-2000GJB1407-92SJ/T10466.17-94GJB/Z2-88设计评审设计质量控制指南外购器材的质量管理人员培训和资格评定指南包装储运图示标志可靠性增长试验工艺设计评审指南厂际质量保证体系工作指南GJB571-88GJB1269A-2000SJ/T10462-93GJB467-88GB/T14436-93SJ/T1037510377-1993SJ/T10531-1994SJ/T10631-1995GJB1362-92GJB/Z16-91GJB1210-91GJB2715-96JB/T9165.19165.4-1998GJB2

16、116-94GJB368A-94GJB190-86GJB466-88GJB1404-92GJB190996GJB480A-95GJB481-88GJB/Z768A-98GJB1391-92GJB912-90GJB3872-99GJB1686-93GJB207294GJB3014-97GJB2823-97SJ/T10672-1995SJ20756-1999GJB546A-96GJB567A-97GJB1452A-2004GJB/Z5794GJB/Z89-97GJB905-90QJ1089A1092A-98SJ/T10466.18-1995SJ/T10375-93GB/T18894-2002GB/

17、T19023-1996GJB5296-2004GJB/Z3-88GJB450A-2004GJB1371-92不合格品管理工艺评审工艺管理常用图形符号工序质量控制要求工业产品保证文件工艺文件标准汇编军工产品定型程序和要求军工产品质量管理要求与评定导则接地、搭接和屏蔽设计的实施国防计量通用术语工艺文件完整性与工艺文件格式武器装备研制项目管理装备维修性通用大纲特性分类理化试验质量控制规范器材供应单位质量保证能力评定装备可靠性维修性参数选择和指标确定要求总则金属镀覆和化学覆盖工艺质量控制要求焊接质量控制要求故障树分析指南故障模式、影响及危害性分析程序可靠性模型的建立和可靠性预计装备综合保障通用要求装备

18、质量与可靠性信息管理要求维修性试验与评定电子元器件统计过程控制体系电子元器件产品出厂平均质量水平评定方法电子工业用工艺装备分类编号半导体分立器件结构相似性应用指南电子元器件质量保证大纲中国国防科学技术报告编写规则大型试验质量管理要求维修性分配与预计手册电路容差分析指南熔模铸造工艺质量控制技术文件使用与归档管理规定产品质量信息管理指南工艺文件格式的填写电子文件归档与管理规范质量手册编制指南多余物控制要求军工产品售后技术服务装备可靠性工作通用要求装备保障性分析电子设备可靠性预计手册GJB/Z299B-98装备测试性大纲GJB2547-95试验方法标准微电子器件试验方法标准美国国防部标准（上、下）电

19、子及电气元件试验方法GJB360A-96半导体分立器件试验方法GJB128A-97电子产品环境应力筛选方法GJB1032-90无损检测质量控制规范磁粉检验GJB593.3-88元器件破坏性物理分析管理要求QJ3179-2003电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范SJ/T10694-2006防静电工作区技术要求GJB3007-97电子元器件制造防静电技术要求SJ/T10630-1995半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB762.1-89半导体器件辐射加固试验方法Y总剂量辐照试验GJB762.2-89半导体器件辐射加固试验方法Y瞬时辐照辐照试验GJB762.3-89军用电子元器件破坏性

20、物理分析方法GJB4027-2000军用设备环境试验方法GJB150.3-86半导体材料标准目录基础标准一、我国半导体材料标准1.基础标准锗晶体缺陷图谱GB/T8756-1988掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T13389-1992半导体材料术语GB/T14264-1993半导体材料牌号表示方法GB/T14844-1993晶片通用网络规范GB/T16595-1996确定晶片坐标系规范GB/T16596-1996硅材料原生缺陷图谱（原GBn266-87）YS/T209-19942.产品标准工业硅技术条件GB/T2881-1991锗单晶GB/T5238-1995高纯镓GB/T1011

21、8-1988高纯二氧化锗GB/T11069-1989还原锗锭GB/T11070-1989区熔锗锭GB/T11071-1989锑化铟多晶、单晶及切割片GB/T11072-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T11093-1989水平法砷化镓单晶及切割片GB/T11094-1989硅单晶GB/T12962-1996硅多晶GB/T12963-1996硅单晶抛光片GB/T12964-2003硅单晶切割片和研磨片GB/T12965-1996硅外延片GB/T14139-1993锗单晶片GB/T15713-1995高纯四氯化锗YS/T13-1991硅片包装YS/T28-1992高纯砷YS/T43-19

22、92高纯铟（原GB8003-87）YS/T264-1994霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB11095-89)Ys/T290-1994锗富集物（原zBH31003-87）YS/T300-19943.方法标准非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1550-1997硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法GB/T1551-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1552-1995硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1553-1997硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1554-1995半导体单晶晶向测定方法GB/T1555-1997硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法G

23、B/T1557-1989硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T1558-1997硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T4058-1995硅多晶气氛区熔磷检验方法GB/T4059-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T4060-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T4061-1983半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB/T4298-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T4326-1984锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T5252-1985半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T6616-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T661

24、7-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6618-1995硅片弯曲度测试方法GB/T6619-1995硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T6620-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T6621-1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T6624-1995GB/T11068-1989GB/T11073-1989GB/T13387-1992GB/T13388-1992GB/T14140.1-1993GB/T14140.2-1993GB/T1414l-1993GB/T14142-1993GB/T14143-1993GB/T14144-1993GB/T14145-1993GB/T1414

25、6-1993砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T8757-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法GB/T8758-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T8760-1988砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法硅片径向电阻率变化的测量方法电子材料晶片参考面长度测量方法硅片参考面结晶学取向X射线测量方法硅片直径测量方法光学投影法硅片直径测量方法千分尺法硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法硅外延层载流子浓度测定汞

26、探针电容一电压法重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法GB/T14847-1993工业硅化学分析方法1,10二氮杂菲分光光度法测定铁量GB/T14849.1-1993工业硅化学分析方法铬天青-s分光光度法测定铝量GB/T14849.2-1993工业硅化学分析方法钙量的测定GB/T14849.3-1993硅片抗弯强度测试方法GB/T15615-1995硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法GB/T17169-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法GB/T17170-1997砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T18032-2000半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收

27、测试方法GB/T19199-2003异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法Ys/T14-1991硅外延层和扩散层厚度的测定磨角染色法Ys/T15-1991硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法Ys/T23-1992外延钉缺陷的检验方法Ys/T24-1992硅抛光表面清洗方法Ys/T25-1992硅片边缘轮廓检验方法Ys/T26-1992晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法Ys/T27-19921992199219921992199237.2199237.3199219921992199219921994199419941994199419941994M1-0302高纯砷化学分析方法孔雀绿分光光度法测定锑量Y

28、S/T高纯砷化学分析方法化学光谱法测定钴、锌、银、铜、钙、铝、镍、铬、铅、镁、铁量YS/T高纯砷化学分析方法极谱法测定硒量YS/T高纯砷化学分析方法极谱法测定硫量YS/T高纯二氧化锗化学分析方法硫氰酸汞分光光度法测定氯量YS/T高纯二氧化锗化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量YS/T高纯二氧化锗化学分析方法石墨炉原子吸收光谱法测定砷量YS/T高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、铅、镍、铝、钙、铜、铟和锌量YS/T高纯镓化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量YS/T高纯镓化学分析方法化学光谱法测定锰、镁、铬和锌量YS/T高纯镓化学分析方法化学光谱法测定铅、镍、锡和铜量YS/T高纯铟中铝、镉、

29、铜、镁、铅、锌量的测定（化学光谱法）（原GB2594.1-81）ys/T高纯铟中铁量的测定（化学光谱法）（原GB2594.2-81）Ys/T高纯铟中砷量的测定（二乙氨基二硫代甲酸银（Ag-DDC）法）（原GB2594.3-81）ys/T高纯铟中硅量的测定（硅钼蓝吸光光度法）（原GB2594.4-81）ys/T高纯铟中硫量的测定（氢碘酸、次磷酸钠谱法）（原GB2594.5-81）ys/T高纯铟中鉈量的测定（罗丹明B吸光光度法）（原GB2594.6-81）ys/T高纯铟中锡量的测定（苯芴铜溴代十六烷基三甲氨吸光光度法）（原GB2594.7-81）ys/TsEMI标准硅单晶抛光片规范sEMISEMI

30、M1.1-89（重订本直径2inch硅单晶抛光片规格0299）直径3inch硅单晶抛光片规格SEMIM1.2-89（重订本0299）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525um）SEMIM1.5-89（重订本0699）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625um）SEMIM1.6-89（重订本0699）直径125mm硅单晶抛光片规格SEMIM1.7-89（重订本0699）直径150mm硅单晶抛光片规格SEMIM1.8-0669直径200mm硅单晶抛光片规格（切口）SEMIM1.9-0669直径200mm硅单晶抛光片规格（参考面）SEMIM1.10-0669直径100mm无副参考面硅单晶抛光

31、片规格（厚度SEMIM1.11-90（重订本525um）0299）直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格SEMIM1.12-90（重订本0299）直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625um）SEMIM1.13-0699直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南SEMIM1.14-96直径300mm硅单晶抛光片规格（切口）SEMIM1.15-0302分立器件用硅外延片规范SEMIM2.0997蓝宝石单晶抛光衬底规范SEMIM3.12962inch蓝宝石衬底标准SEMIM3.2913inch蓝宝石衬底标准SEMIM3.491100mm蓝宝石衬底标准SEMIM3.5923inch回收

32、蓝宝石衬底标准SEMIM3.688125mm蓝宝石衬底标准SEMIM3.688150mm蓝宝石衬底标准SEMIM3.891蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范SEMIM41296太阳能光电池用硅片规范SEMIM61000硅单晶抛光试验片规范SEMIM80301砷化镓单晶抛光片规范SEMIM90999电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMIM9.196电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMIM9.296光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMIM9.389光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMIM9.489电子器件用直径100mm砷

33、化镓单晶圆形抛光片标准SEMIM9.596直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMIM9.695直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范SEMIM9.70200鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语SEMIM101296集成电路用硅外延片规范SEMIM110301晶片正面系列字母数字标志规范SEMIM120998硅片字母数字标志规范SEMIM130998半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范SEMIM1489半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表SEMIM150298多晶硅规范SEMIM161296块状多晶硅标准SEMIM16.189晶片通用网格规范SEMIM170998硅片订货单格式SEMIM180302体砷化镓单晶衬底电学特性规范SEMIM1991建立晶片坐标系的规范SEMIM200998地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范SEMIM210998介电绝缘（DI）晶片规范SEMIM221296磷化铟单晶抛光片规范SEMIM230302直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMIM23.106003inch（76.2mm）磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMIM23.21000矩形磷化铟单晶抛光片标准SEMIM23.3060