放大电路的动态分析课件

1、放大电路的动态分析动态：放大电路有信号输入（ui 0）时的工作状态。分析方法： 微变等效电路法，图解法。所用电路： 放大电路的交流通路。动态分析: 计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。分析对象： 各极电压和电流的交流分量。目的： 找出Au、 ri、 ro与电路参数的关系，为设计 打基础。微变等效电路法 微变等效电路： 把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化，等效为一个线性元件。线性化的条件： 晶体管在小信号（微变量）情况下工作。因此，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。微变等效电路法： 利用放大电路的微变等效电路分析计算放

2、大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。 晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。 当信号很小时，在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。1. 晶体管的微变等效电路UBEIB对于小功率三极管：rbe一般为几百欧到几千欧。微变等效电路法(1) 输入回路Q输入特性晶体管的输入电阻 晶体管的输入回路(B、E之间)可用rbe等效代替，即由rbe来确定ube和 ib之间的关系。IBUBEO(2) 输出回路rce愈大，恒流特性愈好因rce阻值很高，一般忽略不计。晶体管的输出电阻输出特性ICUCEQ 输出特性在线性工作区是一组近似等距的平行直线。晶体管的电流放大系数 晶体管的输出

3、回路(C、E之间)可用一受控电流源 ic= ib等效代替，即由来确定ic和 ib之间的关系。一般在20200之间，在手册中常用hfe表示。OibicicBCEibib晶体三极管微变等效电路ube+-uce+-ube+-uce+-1. 晶体管的微变等效电路rbeBEC 晶体管的B、E之间可用rbe等效代替。 晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=ib等效代替。2. 放大电路的微变等效电路 将交流通路中的晶体管用晶体管微变等效电路代替即可得放大电路的微变等效电路。ibiceSrbeibRBRCRLEBCui+-uo+-+-RSii交流通路微变等效电路RBRCuiuORL+-RSeS+-ibicB

4、CEii 分析时假设输入为正弦交流，所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。微变等效电路2. 放大电路的微变等效电路 将交流通路中的晶体管用晶体管微变等效电路代替即可得放大电路的微变等效电路。ibiceSrbeibRBRCRLEBCui+-uo+-+-RSiirbeRBRCRLEBC+-+-+-RS3.电压放大倍数的计算当放大电路输出端开路(未接RL)时，因rbe与IE有关，故放大倍数与静态 IE有关。负载电阻愈小，放大倍数愈小。 式中的负号表示输出电压的相位与输入相反。例1：rbeRBRCRLEBC+-+-+-RS3.电压放大倍数的计算rbeRBRCRLEBC+-+-+-RSRE例2： 由例

5、1、例2可知，当电路不同时，计算电压放大倍数 Au 的公式也不同。要根据微变等效电路找出 ui与ib的关系、 uo与ic 的关系。4.放大电路输入电阻的计算放大电路对信号源(或对前级放大电路)来说，是一个负载，可用一个电阻来等效代替。这个电阻是信号源的负载电阻,也就是放大电路的输入电阻。定义： 输入电阻是对交流信号而言的，是动态电阻。+-信号源Au放大电路+-输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。电路的输入电阻愈大，从信号源取得的电流愈小，因此一般总是希望得到较大的输入电阻。放大电路信号源+-+-rbeRBRCRLEBC+-+-+-RSRE 例2：rbeRBRCRLEBC+-+-+

6、-RS例1：riri 5. 放大电路输出电阻的计算放大电路对负载(或对后级放大电路)来说，是一个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。+_RLro+_定义： 输出电阻是动态电阻，与负载无关。 输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小，负载变化时输出电压的变化愈小，因此一般总是希望得到较小的输出电阻。RSRL+_Au放大电路+_rbeRBRCRLEBC+-+-+-RS共射极放大电路特点： 1. 放大倍数高;2. 输入电阻低;3. 输出电阻高.例3：求ro的步骤：1) 断开负载RL3) 外加电压4) 求外加2) 令 或rbeRBRLEBC+-+-+

7、-RSRE外加例4：求ro的步骤：1) 断开负载RL3) 外加电压4) 求2) 令 或动态分析图解法QuCE/VttiB/AIBtiC/mAICiB/AuBE/VtuBE/VUBEUCEiC/mAuCE/VOOOOOOQicQ1Q2ibuiuoRL= 由uo和ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大电路的电压放大倍数。非线性失真 如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。若Q设置过高:动画 晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。Q2uo 适当减小基极电流可消除失真。UCEQuCE/VttiC/mAICiC/mAuCE/VOOOQ1非线性失真若Q设置过低:动画 晶体管进入截止区工

8、作，造成截止失真。 适当增加基极电流可消除失真。uiuotiB/AiB/AuBE/VtuBE/VUBEOOOQQuCE/VtiC/mAuCE/VOOUCE 如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。静态工作点的稳定 合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。 前述的固定偏置放大电路，简单、容易调整，但在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，严重时将使放大电路不能正常工作，其中影响最大的是温度的变化。温度变化对静态工作点的影响 在固定偏置放大电路中，当温度升高时，UBE

9、、 、 ICBO 。 上式表明，当UCC和 RB一定时， IC与 UBE、 以及 ICEO 有关，而这三个参数随温度而变化。温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移。iCuCEQ温度升高时，输出特性曲线上移Q 固定偏置电路的工作点Q点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。结论： 当温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使晶体管 T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。O分压式偏置电路1. 稳定Q点的原理 基极电位基本恒定，不随温度变化。VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+

10、UCCuiuo+ICRSeS+分压式偏置电路1. 稳定Q点的原理VB 集电极电流基本恒定，不随温度变化。RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。但 I2 越大，RB1、RB2必须取得较小，将增加损耗，降低输入电阻。而VB过高必使VE也增高，在UCC一定时，势必使UCE减小，从而减小放大电路输出电压的动态范围。在估算时一般选取：I2= (5 10) IB，VB= (5 10) UBE， RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。参数的选择VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRS

11、eS+Q点稳定的过程VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+TUBEIBICVEICVB 固定 RE：温度补偿电阻 对直流：RE越大,稳定Q点效果越好； 对交流：RE越大,交流损失越大,为避免交流损失加旁路电容CE。2. 静态工作点的计算估算法:VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+3. 动态分析 对交流：旁路电容 CE 将RE 短路， RE不起作用， Au，ri，ro与固定偏置电路相同。如果去掉CE ，Au，ri，ro ？旁路电容RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+RB1

12、RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+ 去掉CE后的微变等效电路短路对地短路如果去掉CE ，Au，ri，ro ?rbeRBRCRLEBC+-+-+-RSRE无旁路电容CE有旁路电容CEAu减小分压式偏置电路ri 提高ro不变对信号源电压的放大倍数？信号源考虑信号源内阻RS 时RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+例1: 在图示放大电路中，已知UCC=12V, RC= 6k, RE1= 300， RE2= 2.7k， RB1= 60k， RB2= 20k RL= 6k ，晶体管=50， UBE=0.6V, 试求:(1) 静态工作点 IB、IC 及 U

13、CE；(2) 画出微变等效电路；(3) 输入电阻ri、ro及 Au。RB1RCC1C2RB2CERE1RL+UCCuiuo+RE2解:(1)由直流通路求静态工作点。直流通路RB1RCRB2RE1+UCCRE2+UCEIEIBICVB(2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。微变等效电路rbeRBRCRLEBC+-+-+-RSRE射极输出器 因对交流信号而言，集电极是输入与输出回路的公共端，所以是共集电极放大电路。 因从发射极输出，所以称射极输出器。RB+UCCC1C2RERLui+uo+es+RS求Q点：1 静态分析直流通路+UCCRBRE+UCE+UBEIEIBICRB+UCCC1C2

14、RERLui+uo+es+RS2 动态分析1. 电压放大倍数 电压放大倍数Au1且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。微变等效电路rbeRBRLEBC+-+-+-RSRErbeRBRLEBC+-+-+-RSRE2. 输入电阻 射极输出器的输入电阻高，对前级有利。 ri 与负载有关3. 输出电阻射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。rbeRBRLEBC+-+-+-RSRE共集电极放大电路(射极输出器)的特点：1. 电压放大倍数小于1，约等于1;2. 输入电阻高；3. 输出电阻低；4. 输出与输入同相。射极输出器的应用主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 1. 因输入电阻

15、高，它常被用在多级放大电路的第一级，可以提高输入电阻，减轻信号源负担。 2. 因输出电阻低，它常被用在多级放大电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能力。 3. 利用 ri 大、 ro小以及 Au 1 的特点，也可将射极输出器放在放大电路的两级之间，起到阻抗匹配作用，这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。例1:. 在图示放大电路中，已知UCC=12V, RE= 2k, RB= 200k， RL= 2k ，晶体管=60， UBE=0.6V, 信号源内阻RS= 100，试求:(1) 静态工作点 IB、IE 及 UCE；(2) 画出微变等效电路；(3) Au、ri 和 ro 。RB+UCCC1C

16、2RERLui+uo+es+RS解:(1)由直流通路求静态工作点。直流通路+UCCRBRE+UCE+UBEIEIBIC(2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。rbeRBRLEBC+-+-+-RSRE微变等效电路多级放大电路及其级间耦合方式 耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。 常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。动态: 传送信号减少压降损失 静态：保证各级有合适的Q点波形不失真第二级 推动级 输入级 输出级输入输出多级放大电路的框图对耦合电路的要求 多级放大器的分析 前级的输出阻抗是后级的信号源阻抗 后级的输入阻抗是前级的负载1.

17、两级之间的相互影响2. 电压放大倍数（以两级为例）注意：在算前级放大倍数时，要把后级的输入阻抗作为前级的负载！扩展到n级：3. 输入电阻4. 输出电阻Ri=Ri（最前级） (一般情况下）Ro=Ro（最后级） (一般情况下）1 阻容耦合第一级第二级负载信号源两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+T1T2阻容耦合放大电路一般只能用于放大交流信号。1. 静态分析 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，每级的静态工作点互相独立，互不影响，可以各级单独计算。两级放大电路均为共发射极分压式偏置电路。

18、RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+T1T22. 动态分析微变等效电路第一级第二级rbeRB2RC1EBC+-+-+-RSrbeRC2RLEBC+-RB1例2: 如图所示的两级电压放大电路，已知1= 2 =50, T1和T2均为3DG8D。(1) 计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V);(2) 求放大电路的输入电阻和输出电阻； (3) 求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。 RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+T1T21M27k82k43k7.5k51010k解: (1) 两级放大电路的静态值可分别计算。第一级是射极输出器: R

19、B1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+T1T21M27k82k43k7.5k51010k第二级是分压式偏置电路RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+T1T21M27k82k43k7.5k51010k解:第二级是分压式偏置电路RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+T1T21M27k82k43k7.5k51010k解:rbe2RC2rbe1RB1RE1+_+_+_(2) 计算 r i和 r 0 由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻 ri 等于第一级的输入电阻ri1。第一级是射极输出器，它的输入电阻ri1与负载有关，而射极输出器的负载即是第二级输入电阻 ri2。微变等效电路r

20、be2RC2rbe1RB1RE1+_+_+_(2) 计算 r i和 r 0(2) 计算 r i和 r 0rbe2RC2rbe1RB1RE1+_+_+_(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数第一级放大电路为射极输出器rbe2RC2rbe1RB1RE1+_+_+_(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数rbe2RC2rbe1RB1RE1+_+_+_第二级放大电路为共发射极放大电路总电压放大倍数2 直接耦合直接耦合：将前级的输出端直接接后级的输入端。可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。+UCCuoRC2T2uiRC1R1T1R2+RE22. 零点漂移零点漂移：指输入信号电压为零时，输出

21、电压发生 缓慢地、无规则地变化的现象。uotO产生的原因：晶体管参数随温度变化、电源电压 波动、电路元件参数的变化。直接耦合存在的两个问题：1. 前后级静态工作点相互影响零点漂移的危害： 直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。 严重时，可能淹没有效信号电压，无法分辨是有效信号电压还是漂移电压。 一般用输出漂移电压折合到输入端的等效漂移电压作为衡量零点漂移的指标。输入端等效漂移电压输出端漂移电压电压放大倍数 只有输入端的等效漂移电压比输入信号小许多时，放大后的有用信号才能被很好地区分出来。差动放大电路1 差动放大电路的工作原理 电路结构对称，在理想的情况下，两管的特性及对应电阻元件的参数值

22、都相等。差动放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。差动放大原理电路 +UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T2两个输入两个输出两管的静态工作点相同1. 零点漂移的抑制uo= VC1 VC2 = 0uo= (VC1 + VC1 ) (VC2 + VC2 ) = 0静态时，ui1 = ui2 = 0当温度升高时ICVC （两管变化量相等） 对称差动放大电路对两管所产生的同向漂移都有抑制作用。+UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T22. 有信号输入时的工作情况 两管集电极电位呈等量同向变化，所以输出电压为零，即对共模信号没有放大能力。(1) 共模信

23、号 ui1 = ui2大小相等、极性相同 差动电路抑制共模信号能力的大小，反映了它对零点漂移的抑制水平。+UCCuoRCRB2T1RB1RCRB2RB1+ui1ui2+T2+共模信号 需要抑制+UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T22. 有信号输入时的工作情况两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化，(2) 差模信号 ui1 = ui2大小相等、极性相反uo= (VC1VC1 )(VC2 + VC ) =2 VC1 即对差模信号有放大能力。+差模信号 是有用信号(3) 比较输入 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。例1: ui1 = 10 mV, ui2 = 6 mV

24、 ui2 = 8 mV 2 mV 例2: ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV 可分解成: ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV 2 mV 可分解成: ui1 = 8 mV + 2 mV共模信号差模信号 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号差动 放大电路。 这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制系统中是常见的。 （Common Mode Rejection Ratio) 全面衡量差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。差模放大倍数共模放大倍数 KCMR越大，说明差放分辨差模信号的能力越强，而抑制共模信号的能力越强。3. 共模抑制比共模抑制比 若电

25、路完全对称，理想情况下共模放大倍数 Ac = 0 输出电压 uo = Ad （ui1 ui2 ） = Ad uid 若电路不完全对称，则 Ac 0，实际输出电压 uo = Ac uic + Ad uid 即共模信号对输出有影响 。2 典型差动放大电路+UCCuoui1RCRPT1RBRCui2RERB+T2EE+共模抑制电阻RE：稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。EE：用于补偿RE上的压降，以获得合适的工作点。15.10 互补对称功率放大电路15.10.1 对功率放大电路的基本要求 功率放大电路的作用：是放大电路的输出级，去推动负载工作。例如使扬声器发声、继电器动作、仪表指针偏转、电动机旋转

26、等。(1) 在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。(2) 由于功率较大，就要求提高效率。ICUCEOQiCtOICUCEOQiCtOICUCEOQiCtO晶体管的工作状态甲类工作状态晶体管在输入信号的整个周期都导通静态IC较大，波形好, 管耗大效率低。乙类工作状态晶体管只在输入信号的半个周期内导通， 静态IC=0，波形严重失真, 管耗小效率高。甲乙类工作状态晶体管导通的时间大于半个周期，静态IC 0，一般功放常采用。15.10.2 互补对称放大电路 互补对称电路是集成功率放大电路输出级的基本形式。当它通过容量较大的电容与负载耦合时，由于省去了变压器而被称为无输出变压器(Output Trans

27、formerless)电路，简称OTL电路。若互补对称电路直接与负载相连，输出电容也省去，就成为无输出电容(Output Capacitorless)电路，简称OCL电路。 OTL电路采用单电源供电， OCL电路采用双电源供电。1. OTL电路(1) 特点T1、T2的特性一致；一个NPN型、一个PNP型两管均接成射极输出器；输出端有大电容；单电源供电。(2) 静态时(ui= 0), IC1 0， IC2 0OTL原理电路电容两端的电压RLuIT1T2+UCCCAuo+-+-RLuiT1T2Auo+-+-(3) 动态时 设输入端在UCC/2 直流基础上加入正弦信号。T1导通、T2截止；同时给电容

28、充电T2导通、T1截止；电容放电，相当于电源 若输出电容足够大，其上电压基本保持不变，则负载上得到的交流信号正负半周对称。ic1ic2交流通路uo输入交流信号ui的正半周输入交流信号ui的负半周 (4) 交越失真 当输入信号ui为正弦波时，输出信号在过零前后出现的失真称为交越失真。 交越失真产生的原因 由于晶体管特性存在非线性， ui 死区电压时晶体管导通不好。交越失真采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。克服交越失真的措施uitOuotO输入输出波形图uiuououo 交越失真死区电压RLuiT1T2Auo+-+-ic1ic2uoR1RLuIT1T2+

29、UCCCAuo+-+-R2D1D2 动态时，设ui 加入正弦信号。正半周T2 截止，T1基极电位进一步提高，进入良好的导通状态。负半周T1截止，T2基极电位进一步降低，进入良好的导通状态。 静态时T1、T2 两管发射结电压分别为二极管D1、D2的正向导通压降，致使两管均处于微弱导通状态。(5) 克服交越失真的电路特点:存在较小的静态电流 ICQ 、IBQ 。每管导通时间大于半个周期，基本不失真。 电路中增加复合管增加复合管的目的：扩大电流的驱动能力。 1 2晶体管的类型由复合管中的第一支管子决定。复合NPN型复合PNP型uiuo+UCCT1T2+UCCRL2. OCL电路ic1ic2静态时：u

30、i = 0V,iC1 0， iC2 0uo = 0V。动态时：ui 0VT1导通，T2截止特点： 双电源供电、输出无电容器。uoOCL原理电路15.11 场效应管及其放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。结型场效应管按结构不同场效应管有两种:绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类每类又有N沟道和P沟道之分15.11.1 绝缘栅场效应管漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。金属电极(1) N

31、沟道增强型管的结构栅极G源极S1. 增强型绝缘栅场效应管SiO2绝缘层P型硅衬底 高掺杂N区GSD符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014 。漏极D金属电极栅极G源极SSiO2绝缘层P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。(2) N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+UGSED+ 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN

32、结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。SDEGP型硅衬底N+N+GSD+UGSED+ 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；N型导电沟道在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。(2) N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+UGSED+N型导电沟道当UGS UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，

33、场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。(2) N沟道增强型管的工作原理(3) 特性曲线有导电沟道转移特性曲线无导电沟道开启电压UGS(th）UDSUGS/ID/mAUDS/VoUGS= 1VUGS= 2VUGS= 3VUGS= 4V 漏极特性曲线恒流区可变电阻区截止区N型衬底P+P+GSD符号：结构(4) P沟道增强型 SiO2绝缘层加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS UGS(th）时才形成导电沟道。2. 耗尽型绝缘栅场效应管GSD符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型

34、场效应管。(1 ) N沟道耗尽型管SiO2绝缘层中掺有正离子予埋了N型 导电沟道2. 耗尽型绝缘栅场效应管 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失，ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。(2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线夹断电

35、压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off)转移特性曲线0ID/mA UGS /V-1-2-348121612UDS=常数U DSUGS=0UGS0漏极特性曲线0ID/mA16201248121648IDSS2. 耗尽型绝缘栅场效应管(3) P 沟道耗尽型管符号：GSD予埋了P型 导电沟道SiO2绝缘层中掺有负离子耗尽型GSDGSD增强型N沟道P沟道GSDGSDN沟道P沟道G、S之间加一定电压才形成导电沟道在制造时就具有原始导电沟道3. 场效应管的主要参数(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数(2) 夹断电压 UGS(off)：(3) 饱和漏电流 IDSS：是结型和耗尽型MOS管的参数(4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流 的控制能力极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 场效应管与晶体管的比较 电流控制 电压控制 控制方式电子和空穴两种载流子同时参与导电载流子电子或空穴中一种载流子参与导电类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻输入电阻较低较高 双极型三极管 单极型场效应管热稳定性 差 好制造工艺 较复