(整理)5.4 振荡器的频率稳定度.

1、精品文档5.4振荡器的频率稳定度满足起振、平衡和稳定三个条件n产生等幅持续的振荡波形。当受到外界或振荡器内部不稳定因素干扰n振荡器的瞬时相位（或频率）会在平衡点附近随机变化。频率稳定度用于衡量实际振荡频率osc与标称频率0偏离的程度。频率稳定度是振荡器最为重要的性能指标之一。现代电子技术的飞速发展对振荡器的频率稳定度提出了越来越高的要求。通信系统的频率不稳定，就会因漏失信号而无法通信，如调频广播发射机的频率不稳，调频接收机就不能准确接收，如调频广播发射机的频率准确、稳定，则接收机在不需要调谐的情况下能够实现自动收听和转播；在数字电路中，时钟不稳会引起时序关系的混乱；测量仪器的频率不稳定会引起较

2、大的测量误差；军事保密通信及空间技术对频率稳定度提出了更为严格的要求。例如，要实现与火星通信，频率的相对误差不能大于10-11数量级。倘若给距离地球5600万千米卫星定位，要求频率的相对误差不能大于10-12数量级。频率准确度和频率稳定度评价振荡频率的主要指标是频率准确度和频率稳定度。频率准确度表明实际工作频率偏离标称频率的程度，分为绝对频率准确度和相对频率准确度。绝对频率准确度是实际工作频率fosc与标称频率f0的偏差5.4.1)Af=f-fosc0相对频率准确度是频率偏差Af与标称频率之比Af_f-f5.4.2)osc0丁00频率稳定度是在指定时间间隔内频率准确度变化的最大值。也分为绝对频

3、率稳定度和相对频率稳定度。最常用的5是相对频率稳定度，简称频率稳定度，以表示5.4.3)其中f0sc-f0是某一间隔内的最大频率偏移。如某振荡osc0max器标称频率为5MHz，在一天所测的频率中，与标称值偏离最大的一个频率点为4.99995mhz，则该振荡器的频率稳定度为f-f(4.99995-5)x1065oscmax1x10-5/dayf5x16dayday在频率准确度与频率稳定度两个指标中，频率稳定度更为重要。因为只有频率稳定，才能谈得上频率准确。频率不稳，准确度也就失去了意义。下面主要讨论频率稳定度。频率稳定度按时间间隔分为长期频率稳定度：以月甚至年为观测时间长度，观测的是长时间的频

4、率漂移。主要取决于构成振荡器的有源、无源器件和石英晶体的老化特性。它主要用于评价天文台或国家计量单位高精度频率标准和计时设备；短期频率稳定度：以一天，小时、分钟为测量时间间隔。短稳主要取决于振荡器的电源电压、电路参数或环境温度的稳定性。用于评价通信电子设备和仪器中振荡器频率稳定度。瞬时频率稳定度：在秒级时间内，主要是振荡器内部干扰和噪声作用引起的频率起伏，是频率的瞬间无规则变化。瞬时频率稳定度在频域上又称为相位抖动或相位噪声。通常用得较多的是短期频稳度。由于频率的变化是随机的，不同的观测时段，测出的频率稳定度往往是不同的，而且有时还出现某个局部时段内频率的漂移远远超过其它时间在相同间隔内的漂移

5、值，因此用式(5.4.3)来表征频率稳定度不是十分合理，频率稳定度应建立在大量观测基础上的统计值来表征较为合理，常用的方法之一是均方根值将指定的时间划分为n个等间隔，测得的各频率准确度与其平均值的偏差的均方根值来表征的。即一纣=奇7匚齐丁仏可工(54-4)fi式中，i为第个间隔内实测的频率，（纣）i二ff0为第i个间隔内实测的绝对误差。国-f）（5.4.5）ni=1为绝对频差的平均值。k越小，频率准确度就越高。频率稳定度当然越高越好，但这样的振荡器造价高，使用者必须在性能和成本间折中考虑。不同场合，对振荡器频率稳定度的要求不同。例如用于中波广播电台发射机的为10-5数量级，普通信号发生器的为1

6、05口104数量级，电视发射机的为107数量级，高精度信号发生器的为10-710-9数量级，在标准计时,天文测量和太空通信中，要求有很高的长稳和短稳，相对频10111013率变化不大于。频率稳定度一般由实测确定。普通的LC电路的日频率稳定度可达10-210-3；采用改进型的西勒振荡电路，也只能达到104数量级，要求更高的话，采用石英谐振器。造成频率不稳定的因素（了解即可，不做要求）1）LC回路参数的不稳定性温度变化是使LC回路参数不稳定的主要因素。温度改变会使电感线圈和回路电容几何尺寸变形，因而改变电感L和电容C的数值。一般L具有正温度系数，即L随温度的升高而增大。而电容由于介电材料和结构的不

7、同，电容器的温度系数可正可负。另外，机械振动可使电感和电容产生变形，l和C的数值变化，因而引起振荡频率的改变。晶体管参数的不稳定性当温度变化或电源电压变化时，必定引起静态工作点和晶体管结电容的改变，从而导致振荡频率不稳定。稳频措施1）减小温度的影响为了减少温度变化对振荡频率的影响，最根本的办法是将整个振荡器或振荡回路置于恒温槽内，以保持温度的恒定。这种方法适用于技术指标要求较高的设备中。在要求不是特别高的情况下，为了减少温度系数的影响，应该采取温度系数较小的电感、电容。例如，铁氧体的温度系数很大，当对谐振回路的电感量提出高稳定度要求的时候，应该避免采用铁氧体心。此时，电感线圈可用高频磁鼓架，它

8、的温度系数和损耗都较小。固定电容器比较好的是云母电容，它的温度系数比其它类型电容的小。可变电容易采用极片和转轴线膨胀系数小的金属材料（如铁镍合金）制作。它们的温度系数小，性能稳定可靠。还可采用正、负温度系数的元件相互补偿。如瓷介电容具有正温度系数，有的电容具有负温度系数，而很多电感都具有正温度系数。2）稳定电源电压电源电压的波动，会使晶体管静态工作点发生变化，从而改变晶体管的参数，降低频率稳定度。为了减小这个影响，采用性能良好的电压源供电，并采取退耦措施避免高频信号对电压源稳定性产生不良影响。如果是制作高性能指标的振荡器，应当采用稳压电源。当振荡器与整机其它部分公用一个电源时，往往从公用电源取

9、出电压，再经一次单独稳压，以避免整机其它部分耗电的变化影响电源电压的稳定。另外，应采用具有稳定静态工作点的偏置电路。3）减少负载的影响振荡器输出信号需要加在负载上，负载的变动必然会引起振荡频率变化。为了减小这一影响，可在主振级及其负载之间加一缓冲级。为使缓冲级最大限度的起到缓冲作用，缓冲级从主振级所获取的功率应尽可能的小。当负载所要求的功率一定时，缓冲级的功率增益越高，则要求主振级提供的功率越小。因此缓冲级的电路形式及工作状态的选择，应该从功率增益最大来考虑。即：a）缓冲放大级应工作于甲类，因甲类工作状态的功率增益最高；b）共射电路比共基和共集（射级跟随器）电路的功率增益大，所以共射电路是缓冲

10、级电路优先考虑的电路形式。共射电路不足之处在于，其输入阻抗不如共集电路的高，但可以通过缓冲级的输入端和谐振回路以部分接入方式连接，以提高缓冲级对谐振回路的等效引入阻抗。射级跟随器也是比较常用的缓冲级。4）晶体管与谐振回路之间采用松耦合减小晶体管和谐振回路之间的耦合，可以减小晶体管输出、输入电容的变化对谐振回路等效电容值的影响，从而使频率稳定度提高。减小晶体管和谐振回路之间耦合的常用方法是将晶体管以部分接入的方式接入谐振回路。前面介绍的克拉泼电路和西勒电路就是采用了这种方法。另外，应选择f较高的晶体管。f越高，高频性能就越好，可以保TT证在工作频率范围内均有较高的跨导，电路容易起振；一般选择f（

11、310）f，f是最高振荡频率。ToscmaxoscmaxQ5）提高回路的品质因数LC谐振回路的相频特性表达式5.4.6)33、=-arctanQ(-o)330根据式（54.6）可画出不同q值对应的相频特性曲线，如图533所示。由图可见，相频曲线的变化规律有如下特点。i)越接近,即Ao.0-0越小，相频特性曲线的斜率匹000do就越大，则稳频能力越强；反之，失谐越严重竺就越小，do频率稳定度越低。ii)q值越大，在o附近匹的值越大，稳频能力越强。0do所以提高回路的Q值，减小Ao，有利于改善振荡器的频率稳0定性。图533并联谐振回路相频特性曲线如何提高谐振回路的Q值？在绕制电感时应注意，平行密绕

12、线圈的线间分布电容较大，影响Q值。对于匝数较多的线圈，如振荡频率在2MHz以下，宜采用“蜂房式”绕法，并且最好用多股线，以减小趋附效应的影响，以便提高Q值。对谐振回路而言，电感的铜损耗电阻r构成了谐振回路的主要损耗，其品质因数Q二丄石。因此，在确定电感值时，应取得大一些，电容量取小一些，可得到较高的Q值。但电容量太小时，晶体管的输出、输入电容对回路的等效电容和分布电容在回路中所占的比例将增大，使频率稳定度降低，所以必须兼顾这两个方面。1）屏蔽、远离热源将LC回路屏蔽可以减少周围电磁场的干扰。但加屏蔽后,电感量下降，损耗加大，因此，线圈Q值将下降。在可能的前提下，尽量将屏蔽罩做得大一些，这样，电

13、感量不致减小太多，Q值所受影响也较小。振荡器电路离开热源（如电源变压器、大功率管等）远一些，可以减少温度变化对振荡器的影响。5.5晶体振荡器10-210-3一通常LC振荡器的频率稳定度为，采取一些措施和改进，可达到10-4，但很难突破10-5。然而在通信设备，电子测量仪器仪表，电子对抗等应用中，对频率稳定度的要求往往优于10-5，前面介绍的振荡器都无法达到要求。石英晶体谐振器具有极高的品质因素和稳定的参数，利用石英谐振器代替一般的LC谐振系统，它的频率稳定度很容易做到105。石英晶体振荡器的频率稳定度随采用的石英晶体、外部电路形式和稳频措施的不同而不同，一般在10-5口10-11范围之间。如果

14、采用低精度石英晶体，稳定度可达到105数量级；如采用中等精度石英晶体，稳定度可达到10-6数量级；如采用单层恒温控制系统和中等精度晶体，稳定度可以达到10-7口10-8数量级；如米用双层恒温控制系统和高精度晶体，稳定度可以达到10-9口10-11数量级。石英晶体振荡器定义用石英谐振器控制和稳定振荡频率的振荡器。石英晶体振荡器之所以具有极高的频率稳定度，关键是采用了石英晶体这种具有极高Q值的谐振元件。下面首先了解石英晶体谐振器的基本特性。5.5.1石英晶体谐振器石英晶体谐振器是利用石英晶体(Quartz-Crystal)的压电效应制成的一种谐振器件。石英晶体谐振器的内部结构如图535所示。(a)

15、晶体外形；(b)横断面图534晶体的形状及横断面(a)正方形石英片电极U管座(b)圆形(c)长方形图535石英谐振器的内部结构石英晶体的等效电路石英片的振动具有多谐性，除基频(FundamentalFrequency)振动外，还有奇次谐波的泛音(Overtones)振动。泛音振动的频率接近于基频的整数倍，但不是严格的整数倍。对于精品文档一个石英谐振器，既可以利用其基频振动，也可以利用其泛音振动。利用基音振动实现对频率控制的晶体称为基音晶体，其余称为泛音晶体。采用AT切割石英片的基频频率一般都限制在20MHz以下。因为此时石英片的厚度仅有0041mm,频率再高，石英片的厚度太薄，不足以提供必要的

16、强度。因此,要求更高的工作频率时,一般均是泛音晶体。泛音晶体一般利用3次和5次的泛音振动,而很少使用7次以上的泛音振动。泛音次数太高,晶体的性能也将显著下降。图536给出石英谐振器的等效电路。符号(b)基频等效电路精品文档精品文档图(b)中石英晶体片等效为L、C、r串联的谐振电路。qqqL是石英晶体的动态电感，表征晶体的质量，值较大，通q常在几十个毫亨的量级；C是动态电容，表征晶体的弹性，值很小，通常在103pF量级；r是动态电阻，表征晶体振动时分子间互相摩擦而引起的能量损耗，阻抗很小，通常在几十欧左右。C0为静态电容和支架、引线等分布电容之和，其中静态电容是以石英晶片为介质，两个电极为极板而

17、形成的电容，它是C0的主要成分。通常为几个皮法。石英具有多谐性，每次泛音都对应一个串联谐振电路：基音等效为L1、C1、r1的串联谐振支路，该支路的谐振频111率等于基音频率。3次泛音等效为L3、C3、r3的串联谐振支路，该支路的333谐振频率等于3次泛音频率，如此等等。当工作频率等于r某串联谐振支路谐振频率时，串联阻抗等于，近似于短路，其他支路失谐，可近似于开路。所以对于工作频率，石英谐振器都用图536(b)所示的电路等效。石英晶体的参数温度系数：温度变化1C引起固有振动频率的相对变化量。拐点温度：与温度系数最小值相对应的温度。若需要将晶体置于恒温槽内，槽内温度就应控制在这个拐点温度上。负载电

18、容：对晶体而言的总外部电容。晶体必须在规定的负载电容下工作，才能保证标称频率的准确性和稳定性。石英晶体谐振器的特点石英晶体振荡器的频率稳定度非常高，主要是因为用于稳频的石英晶体谐振器具有如下特点。i）石英晶体的物理性能和化学性能都十分稳定。因此，其等效谐振电路中的元件参数都非常稳定。Qii）石英晶体谐振器具有非常高的品质因素q,因为LrqQq值可达几万到几百万q稳定不变的能力极强。105106量级），维持振荡频率iii）石英晶体谐振器与晶体管之间的耦合很弱，即，晶体管对谐振回路的接入系数很小。rqCqP-C+CoqC沁qCoOv10晶体管C)qo外路对石央谐振的接入系髻小，对改善振荡器的频率稳

19、定度有什么益处?外电路对石英谐振器的接入系数很小意味着石英谐振器与外电路的耦合非常弱，外电路中不稳定参量对石英谐振器的影响很小，使石英晶体振荡器的振荡频率基本不受外界不稳定因素的影响。因此，由石英谐振器构成的石英晶体振荡器具有极高的频率稳定度。iv）石英晶体谐振器的二个谐振频率a)当L,Cqqr支路发生串联谐振时，其串联谐振频率q(5.5.1)fL,C,rb）当频率大于s时，q，Cq，；支路呈现感性，与C。发生并联谐振，其并联谐振频率CCLqC+C2兀si+c=f(i+5.5.2)谐振时，满足L-丄二丄pqCCqo般CC，oq=(0.002-0.003)，因此f，fsp非常接近。例如，5MHz

20、晶振二2.6x10-3,求得/-f=6.5KpsC）石英晶体谐振器的标称频率N在实际振荡电路中，晶体两端往往并接有外部电容C如图538所示。在这种情况下，晶体等效电路中的并接电容为CL+C，相应的晶体的频率为LofN二f(1+1Cq2C+C5.5.3)L0图538石英晶体谐振器的标称频率标在晶体外壳上的振荡频率（即晶体的标称频率）就是并接CCL时石英晶振的振荡频率fN。L的电抗频率曲线如C图539中虚线所示。负载电容L的值载于生产厂家的产品说明书中，通常高频晶体C=30pF,低频晶体LC=100PF；T9C对于串联型晶体振荡器的石英谐振器，L的值标识为CLfg，即无需外接负载电容。石英晶体谐振

21、器的电抗特性由图5一36可知，忽略rq时，晶体两端呈现的阻抗为纯q电抗，其值近似为w1J)2w1Z沁jX=jee丿炉01(_P)2(5.5.4)式中为串联谐振频率，w1Lcc为并联谐振频率。LqoqC+Cqo由式（5.5.4）可画出石英谐振器的电抗特性曲线如图39中两条实线所示。比较（5.5.2）和（5.5.3）可知Nf介于s和fp之间，显然，晶体的负载电容CL越大，ff就越靠近s。图539石英谐振器的电抗特性曲线由图539可看出石英谐振器的电抗特性具有如下特点i）当ff时，等效电抗呈现容性。该部分电抗特性曲线S平坦，频率稳定度差，通常不采用。ii）当f=f时，LCq支路串联谐振，近似于短路。

22、Xe=0sqqeiii）当/f时，石英晶体谐振器的等效电抗呈现感性，sp石英谐振器具有极强的电抗补偿能力。从图539可知，当fsf/时，Co呈现的容性起主要作用，X0。该频pe段电抗特性曲线平坦，频率稳定性差，通常不工作于该区段。5.5.2晶体振荡器电路根据晶体在振荡电路中的作用不同，晶体振荡器可分为并联型和串联型两种电路。石英晶体在电路中可以起两种作用：一种是石英晶体等效为电感元件，与其它回路元件一起按照三点式振荡器的构成原则组成三点式振荡器。这类振荡器称为并联型晶体振荡器。在并联型晶体振荡器电路中，晶体必须作为感性元件，振荡频率在sep之间，e靠近另一种是石英晶体作为短路元件，串联在正反馈

23、支路上，用以控制反馈的强弱，它工作在石英晶体的串联谐振频率es上，称为串联型晶体振荡器。s1并联型晶体振荡器并联型晶体振荡器中，石英晶体等效为感抗元件，用于代替三点式电路中的某个电感。并联型晶体振荡器有两种形式。如图540所示。（b）密勒（Mei）电路图（a）中，石英晶体接在晶体管的c、b极之间构成的电容三点式振荡器，称皮尔斯（Peerce）振荡器；图（b）中，石英晶体接在晶体管的b、e极之间构成的电容三点式振荡器，称密勒（Miller）振荡器。i）皮尔斯电路中的石英晶体接在晶体管c、b之间，无需再外接线圈，且频率稳定度高，得到广泛应用，图541给出皮尔斯晶体振荡器实用电路。(d)实际电路R、

24、b1R、b2构成分压式自偏压偏置电路。为高频扼CC流圈，b为旁路电容，c为耦合电容图(b)给出高频交流通路，日曰怦(b)高频交流通路其中虚线框内为石英晶体谐振器的等效电路CC1和2两个电容串接后，并接在晶体两端，构成晶体的负载电容。如果其值等于晶体规定的CL值，那么振荡电路的振荡频率就是晶体的标称频率。实际上，在一些振荡频率准确度要求很高的场合，振荡电路中必须设置频率微调元件，图542给出一个电路实例。b)谐振回路等效电路(a)实际电路图中C4为微调电容，用于改变并接在晶体上的负载电容从而微调振荡器的振荡频率，达到要求的标称频率。面将分析几个与其工作特性相关的问题。1)为什么要加微调电容？首先

25、，实际应用中，外接负载电容不一定正好等于规定的C精品文档值，因此晶体振荡器的振荡频率fOSC一般不会正好等于石英晶体谐振器的标称频率fN，有一个较小的偏差。通过在C电路中接入微调电容4，使晶体的外接电容达到规定的以确保晶体振荡器的f=fosc通常Cc41C4c1、2串联，再与0并联，最后与q串联构成。所以有111=+,TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark80 CCCT1工q0寸1廿(5.5.5)+XTXTXTt121111C其中Cc+c+C,L为并接在晶体两端总的外部Lt12电容，称为晶体的负载电容。 HYPERLINK l bookmark88 ccc晶体的负

26、载电容L中包括与1、2并接的晶体管极间电容，而极间电容是极易随温度变化的不稳定参数。显然CL成为不稳定量，进一步导致晶体振荡器频率的不稳定。为此，CC接入微调电容，且使CcCC，则CLCt。只要t1t2C选择温度系数较小的电容构成t，就可改善L的稳定性,使其等于规定的负载电容值。将式(5.5.5)简化为111=+CC1C+(工q0tCC(C+C)谐振回路总电容q0t工C+C+cq0t晶体振荡器的频率OSC龙LC(5.5.6)q工下面分析石英晶体振荡器的振荡频率变化范围(a)当C，代入式(5.5.6)得1f=f_oscmin2njLCs(5.5.7)qq当CT01(5.5.8)(b)t，代入式(

27、5.5.6)得结论：改变微调电容t可使晶体振荡器的频率产生微小变化。取Ct，得到晶体振荡器频率的的最小值foscmin=f；TOC o 1-5 h ztoscs取CT0，得到晶体振荡器频率的的最大值/=/。toscmaxp无论怎样调节Ct，总有fsfOscfp，也就是说振荡频率总是介于晶体串联谐振频率与并联谐振频率之间。由于只有在并联谐振频率fP附近时，晶体的电抗频率特性曲线较陡，斜率大，晶体才有很强的电抗补偿能力，使晶体C具有很高的频率稳定度。因此，t的取值应较小2)谐振回路与晶体管之间的耦合很弱，那么能否满足振幅的起振条件呢？(这部分内容了解即可)t是与Coo以Pierce电路为例。因为C

28、tC1,CtC2C数量级相同的小电容，分析接入系数时可将t并入CoCt的接入使晶体管的接入系数减小，即减弱了晶体管与石英晶体之间的耦合，有利于提高频率稳定度)，得图544(c)所示的等效电路。(a)等效交流通路(b)等效谐振回路(c)求接入系数的简化谐振回路图544Pierce电路等效交流通路由第二章的学习我们知道，石英晶体谐振器的品质因素QqwLQ=qqqrq1L1-_q=7Crrqqqq_q_Cq(5.5.9)石英晶体谐振器的特性阻抗PC，石英晶体的并联谐q振电阻R=Qpq(5.5.10)pLR=qprCqq由图544(c)的c、e端看进去的谐振阻抗为R=(n)2(n)2R=(n)2(n)

29、2QPpcecbpcecbqC式中，役二CT旷为振荡管c、e端对回路C、b端的接入系数;12Cq(5.5.11)UcbC+C+C为外电路对石英晶体谐振回的接入QLqCC系数；其中Cl=CtC-12n10-310-4Cb例：BA12型25MHZ精密石央谐振器，其参数L=19.5H，qC=2.1x10-4pF，qr11QQ，C=5pF。假定振荡管输出端对谐振回路的接入系数q0n=nnCeCb=1Q-4，求与振荡管相耦合的等效阻抗R。p2兀fL解Q=q=2.8x106qrqlp=q=3.04x108丫qR=Qp=8.5x10i4pqR=（n）2Qp=8.5x106（Q）pcbq可见，由于石英晶体的Q

30、、p非常之大，R高达1010以上,p尽管回路的接入系数只有万分之一，R折合到晶体管输出端p的等效阻抗仍很大，完全可以保证晶体管增益满足振幅起振条件。ii）密勒振荡器图545给出密勒振荡器电路。(a)率应满足怎样的关系，该电路才能产生振荡？be石英晶体谐振器连接在晶体管的、极之间。该电路实质上是个双回路振荡电路，Ll、C1、是集电极回路元件，由于基极与发射极之间接入感性元件的晶体,根据相位平衡条件的判断准则，L1、C1、回路必须等效为感性。如何保证回路等效为感性？必须牢记这张图，必考！可变电容C1作为集电极回路的调谐电容，必须使回路的固有谐振频率1满足f1fosc，以确保谐振回路呈现感性。由于石

31、英晶体谐振器连接在晶体管的b、e极之间，正向偏置时，发射结电阻很小，并接在谐振回路二端对其Q值影响很大，从而影响振荡器的频率稳定度。鉴于此，密勒振荡器通常不采用双极型晶体管，而是用C输入阻抗很高的场效应管。如图546所示。2通常由极间电容cgd构成，这样构成电感三点式振荡器。Cgd又称为密勒电容。图546场效应管密勒振荡器iii）并联型泛首晶体振荡器基音晶体的标称频率与晶体的厚度近似成反比关系。目前广泛采用的AT切割型石英谐振器，当固有机械振荡频率（基频）为1.615MHz时，晶片厚度为1mm；当固有机械振荡频率（基频）达15mhz时，晶片厚度为为0.08mm，即谐振频率越高，晶体越薄，强力的

32、机械振动会导致晶片的损坏，而且晶片越薄，加工越困难。采用泛首谐振模式,提高晶振电路的频率为了提高晶振电路的频率，多采用泛首谐振模式，使电路振荡频率工作在晶体的谐波（一般为3次到七次谐波）频率上泛首次数太高，晶体的性能也会显著下降。解释泛首，是指石英晶片振动的机械谐波。它与电气谐波的主要区别在于：电气谐波与基频是整数倍的关系，且谐波和基波同时存在；而泛音是在基频奇数倍附近，泛音晶体只有奇次泛音晶体，而无偶次泛音晶体，且基频和奇次泛音不能共存。泛音晶体是一种特制的晶体，例如JA12型。泛音晶体的使用，可使几十兆赫基频的晶片产生上百兆赫的稳定振荡。石英晶体工作于泛音时与基音晶振电路有些不同在泛音晶振

33、电路中，所需泛音可能获得的机械振动和相应的电振荡均相对较弱，且对于较高的振荡频率，器件的放大能力和谐振阻抗都比较小。结论：基音和低次泛音会因满足振荡条件更易于起振。应采取什么措施有效地抑制基音和低次谐波的寄生振荡，保证晶体振荡器电路能准确地工作于所需要的奇次谐波上，而不是基波或其它谐波？1)高次谐波的抑制正确的调节环路增益AF，使其在需要的谐波频率上略大于1，满足振幅起振条件，而在更高次的谐波频率上都小于1，不满足振幅起振条件。这样可以有效地抑制不需要的高次谐波。2)抑制基波振荡可采用图547(a)给出的实际电路，在三点式振荡电路中，用选频回路来代替某支路的电抗元5(忸滋逐米取的措施:件，使这

34、一支路在基音和低次谐波频率上呈现的电抗特性不满足三点式振荡器的组成法则，不能起振，而在所需要的谐波频率上呈现电抗特性恰好满足组成法则，符合起振条件而产生振荡。泛音晶体振荡电路与基音振荡电路的不同：L1）用电感1和电容C组成的并联谐振回路代替了基音晶体振荡器中的电容C1。（与只适用于产生基音振荡的图542（b）相比）2）这个谐振回路的固有谐振频率必须设计在该电路所需要的n次谐波和（n-2）次谐波之间。结果：对所需的其次泛音L1C1回路呈现容性，振荡电路满足三点式组成法则“射同基反”；而对于基频和三次泛音频率来说，LiCi回路呈现感性，振荡电路不符合三点式组成法则，不能起振；7次及其以上泛音频率上

35、，L1C1回路虽然呈现容性，满足“射同基反”的相位平衡条件，但L1C1对f7失谐严重，从而使电压的放大倍数减小，环路增益AF1，不满足振幅起振条件，不能产生振荡。举例：假设泛音晶振为5次泛音，标称频率为5MHz，基频为1MH，则L1C1回路必须调谐在5口3泛音之间。这样在5MHz频率上，L1C1回路呈现容性，振荡电路满足三点式组成法则“射同基反”，能够起振，而在高次泛音，因L1Cl谐振回路失谐严重，AF1，不满足振幅起振条件，不能产生振荡。图548L1C1回路的电抗特性LCf-1图中满足i1谐振回路的固有谐振频率为fi-f3f1f5。L1C1对f3呈现感性，对f5呈现容性。2、串联型晶体振荡器

36、定义：串联型晶体振荡器是将石英晶体串接于正反馈支路中，利用其串联谐振时等效为短路元件的特性，使反馈电压信号最强，满足振幅起振条件，振荡器在晶体串联谐振频率fs上起振。图549串联型晶体振荡器的实际电路(a)实际电路C二/Aq1=C2b)串联型晶体振荡器高频等效交流电路将石英晶体短路，它就是一个电容三点式振荡器。当振荡器的工作频率fosc=f时，晶体以很小的电阻q接通正反馈通路产生振荡；当振荡器的工作频率偏离晶体串联谐振频率，即主f，晶体将呈现很大阻抗，使反馈电压振幅减小，相oscs移增大，不能满足起振条件。结果：电路的振荡频率受到石英晶体谐振器控制，具有很高的频率稳定度。必须注意的问题：虽然串

37、联型晶体振荡器的振荡频率fosc是由晶体谐振器的oscfs决定。其稳定性也是由晶体谐振器决定，而不是由选频网络决定的。这并不意味着其选频网络LCCC可取任何值。123如果由这几个元件决定的固有频率f0与s相差很大，则这个振荡器不能起振。所以应该合理选择LCCC的数值，123使其调谐在fs上或附近。s同样，可利用串联型泛音晶体振荡电路来提高振荡频率图550串联型泛音晶体振荡器的高频等效交流电路。LC用电感1和电容1组成的并联谐振回路代替图549CC(b)所示基音晶体振荡器中的电容1和3。工作原理与并联型泛音晶体振荡器相同，不再赘述。5.5.4使用石英晶体谐振器时应注意的事项(了解一下，对设计晶振有帮助)石英晶体谐振器上所标志的标称频率，负载电容CoL并联在石英晶体谐振器二端总的外部电容值，称为晶体的负载电容。晶体上的标称频率都是成品出厂之前，在晶振两端并接特定的负载电容C的条件下测定的。在实际使用L时，也必须将外电路并接在石英晶体谐振器两端的总电容调整至规定的