MOS集成电路工艺入门资料课件(PPT 31页)

1、IC常用术语园片：硅片芯片(Chip, Die)：6、8 ：硅（园）片直径：1 25.4mm6150mm; 8200mm; 12300mm; 亚微米1m的设计规范深亚微米 0反型层 沟道源（Source）S漏（Drain）D栅（Gate）G栅氧化层厚度：50埃1000埃（5nm100nm）VT阈值电压电压控制N沟MOS（NMOS） P型衬底，受主杂质； 栅上加正电压，表面吸引电子，反型，电子通道； 漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。5.第5页，共31页。N衬底p+p+漏源栅栅氧化层场氧化层沟道P沟MOS（PMOS）GDSVTVGSID+-VDS 0 N型衬底，施主杂质，电子导电

2、； 栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道； 漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。6.第6页，共31页。CMOS CMOS：Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体特点：低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS传输门7.第7页，共31页。N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图8.第8页，共31页。pwellactivepolyN+ implantP+ implantomicontactm

3、etalA NMOS Example9.第9页，共31页。pwellPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal10.第10页，共31页。Ntype SiSiO2光刻胶光MASK Pwell11.第11页，共31页。Ntype SiSiO2光刻胶光刻胶MASK Pwell12.第12页，共31页。Ntype SiSiO2光刻胶光刻胶SiO213.第13页，共31页。Ntype SiSiO2SiO2Pwell14.第14页，共31页。pwellactivePwellActivePolyN+ implantP+ implantOmiconta

4、ctMetal15.第15页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶MASK activeMASK ActiveSi3N416.第16页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶MASK activeMASK ActiveSi3N417.第17页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶Si3N418.第18页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellSi3N419.第19页，共31页。Ntype SiSiO2Pwell场氧场氧场氧Pwell20.第20页，共31页。Ntype SiSiO2P

5、wellSiO2场氧场氧场氧Pwellpoly21.第21页，共31页。activepwellpolyPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal22.第22页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶23.第23页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧Pwell光刻胶poly24.第24页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧Pwellpoly25.第25页，共31页。Ntype SiSiO2Pwe

6、llSiO2场氧场氧场氧Pwellpoly26.第26页，共31页。activepwellpolyN+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal27.第27页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK N+场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶28.第28页，共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧Pwell光刻胶polyN+ implantS/D29.第29页，共31页。activepwellpolyP+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ impl