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文档简介
1、IC常用术语园片:硅片芯片(Chip, Die):6、8 :硅(园)片直径:1 25.4mm6150mm; 8200mm; 12300mm; 亚微米1m的设计规范深亚微米 0反型层 沟道源(Source)S漏(Drain)D栅(Gate)G栅氧化层厚度:50埃1000埃(5nm100nm)VT阈值电压电压控制N沟MOS(NMOS) P型衬底,受主杂质; 栅上加正电压,表面吸引电子,反型,电子通道; 漏加正电压,电子从源区经N沟道到达漏区,器件开通。5.第5页,共31页。N衬底p+p+漏源栅栅氧化层场氧化层沟道P沟MOS(PMOS)GDSVTVGSID+-VDS 0 N型衬底,施主杂质,电子导电
2、; 栅上加负电压,表面吸引空穴,反型,空穴通道; 漏加负电压,空穴从源区经P沟道到达漏区,器件开通。6.第6页,共31页。CMOS CMOS:Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体特点:低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS传输门7.第7页,共31页。N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图8.第8页,共31页。pwellactivepolyN+ implantP+ implantomicontactm
3、etalA NMOS Example9.第9页,共31页。pwellPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal10.第10页,共31页。Ntype SiSiO2光刻胶光MASK Pwell11.第11页,共31页。Ntype SiSiO2光刻胶光刻胶MASK Pwell12.第12页,共31页。Ntype SiSiO2光刻胶光刻胶SiO213.第13页,共31页。Ntype SiSiO2SiO2Pwell14.第14页,共31页。pwellactivePwellActivePolyN+ implantP+ implantOmiconta
4、ctMetal15.第15页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶MASK activeMASK ActiveSi3N416.第16页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶MASK activeMASK ActiveSi3N417.第17页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶Si3N418.第18页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellSi3N419.第19页,共31页。Ntype SiSiO2Pwell场氧场氧场氧Pwell20.第20页,共31页。Ntype SiSiO2P
5、wellSiO2场氧场氧场氧Pwellpoly21.第21页,共31页。activepwellpolyPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal22.第22页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶23.第23页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧Pwell光刻胶poly24.第24页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧Pwellpoly25.第25页,共31页。Ntype SiSiO2Pwe
6、llSiO2场氧场氧场氧Pwellpoly26.第26页,共31页。activepwellpolyN+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ implantOmicontactMetal27.第27页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK N+场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶28.第28页,共31页。Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧Pwell光刻胶polyN+ implantS/D29.第29页,共31页。activepwellpolyP+ implantPwellActivePolyN+ implantP+ impl
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