山东工商学院模拟电子技术期末复习题及参考答案

1、模拟电子技术课程A卷及参考答案一单选题（共58题，总分值58分）1.（）藕合放大电路具有良好的低频特性。超越高度（1分）A.阻容B.直接C.变压器2.放大电路需减小输入电阻，稳定输出电流，则引入（）。（1分）A.电压串联负反馈；B.电流并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电压并联负反馈。.设图2-10所示电路中二极管1）1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）（1分）D1导通，D2导通D1导通，D2截止D1截止，D2导通D.D1截止，D2截止.有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1=-4V , V2=-1.2V, V3=-l. 4V,试判别管子的三个管脚分别是（）

2、。（1分）1： e、2： b、3： c1： c、2： e、3： b1： c、2： b 3： eD.其它情况.判断图2-5电路中的反馈组态为（）。（1分）A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈6.集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（）。（1分）51.如图3所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压气波形不失真，则应（）。（1分）A.大增大Rb增大Rg减小p增大52.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）o （1分）A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路.在串联负反馈电路中，信号源的内阻（

3、），负反馈的效果越好。（1分）A.越大，B,越小，C.越恒定D.越适当.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kQ的负载电阻后，输出电压降为3V，这 说明放大电路的输出电阻为（）。（1分）10kQ2kQ4kQ3kQ.直流稳压电源中滤波电路的目的是（）。（1分）A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉D.保护电源.某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。（1分）A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联.稳压管的稳压区是其工作在（）。（1分）A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.热击穿58.设图2-9所示电路中二极管DI、D

4、2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）（1分）（1分）A.D1导通，D2导通D1导通，D2截止D1截止，D2导通D.D1截止，D2截止判断题（共39题，总分值39分）.（）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。（1分）（ ） TOC o 1-5 h z .（）直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。（1分）（）.（）放大的实质不是对能量的控制作用。（1分）（）.（）共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。（1分）（）.（）集成运放是直接耦合的多级放大电路。（1分）（）.（）只有电路既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用。（1分）（）.（）

5、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相 结合的偏置方式。（1分）（）.（）耗尽型MOS管在栅源电压ugs为正或为负时均能实现压控电流的作用。（1分）（）.（）整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。（1分）（）.（）复合管的类型取决于第一个管子的类型。（1分）（）.（）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（1分）（）.（）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（1分）（）.（）只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。（1分） （ ）.（）温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（1分）

6、（）.（）电压负反馈可以稳定输出电压。（1分）（）.（）互补输出级应采用共集或共漏接法。（1分）（）.（）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功 率。（1分）（）.（）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（1分）（）.（）集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（1分）（）.（）共集电极电路没有电压和电流放大作用。（1分）（）.（）反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。（1分） （ ）.（）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。（1分）（）.（）用电流源代替Re后电路的差模倍数增加。（1分）（

7、）.（）为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工 作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。（1分）（）.（）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（1分）（）.（）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（1分）（）. （ ） PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（1分）（ TOC o 1-5 h z .（）增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流ip必为零。（1分）（）.（） 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（1分）（）.（）复合管的B值近似等于组成它的各晶体管B值的乘积。（1分）（）.（）耗尽型绝缘栅场效应管不能采

8、用自给偏压方式。（1分）（）.（）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（1分）（）.（）滤波是将交流变为直流。（1分）（）. （ ） RC桥式振荡电路只要Rf W2R1就能产生自激振荡。（1分）（）.（）功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。（1 分）（）.（）只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。（1分）（）.（）电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。（1分）（）.（）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无 变化。（1分）（）.（）反相求和电路中集成运放的反相输入端为

9、虚地点，流过反馈电阻的电流等于各输入电流 之代数和。（1分）（）一单选题（共58题，总分值58分）.答案：B解析过程：.答案：B解析过程:.答案：B解析过程：.答案：B解析过程：.答案：B解析过程：.答案：A解析过程：.答案：A解析过程：.答案：A解析过程：.答案：C解析过程：.答案：B解析过程：.答案：B解析过程：.答案：A解析过程：.答案：C解析过程：.答案：A解析过程：.答案：D解析过程：.答案：A 解析过程：.答案：A 解析过程：.答案：A 解析过程：.答案：D 解析过程：.答案：A 解析过程：.答案：C 解析过程：.答案：B 解析过程：.答案：C 解析过程：.答案：C 解析过程：.答

10、案：C 解析过程：.答案：B 解析过程：.答案：D解析过程:.答案：C 解析过程：.答案：A解析过程：.答案：C解析过程：.答案：C解析过程：.答案：B解析过程：.答案：B解析过程：.答案：C解析过程：.答案：A解析过程：.答案：B解析过程：.答案：B 解析过程：.答案：C解析过程：.答案：B解析过程：.答案：C解析过程：.答案:C解析过程：.答案：A解析过程：.答案：B解析过程：.答案：C解析过程：.答案：C解析过程：.答案：A解析过程：.答案：B解析过程：.答案：A解析过程：.答案：B解析过程：.答案：A解析过程：.答案：B解析过程：.答案：C解析过程:.答案：B解析过程：.答案：C解析过

11、程：.答案：C解析过程：.答案：C解析过程：.答案：C解析过程：.答案：C解析过程：二 判断题（共39题，总分值39分）.答案：F解析过程：.答案：T解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：T解析过程：.答案：FA.反相输入端为虚地；B.输入电阻大；C.电流并联负反馈；D.电压串联负反馈。7.用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb=-12.3V, Ve=-12V, VC = -18VO则三极管的工作状态为（）。（1分）A.放大B.饱和C.截止.在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。（1分）3价元素；4价元素；5价元素；6价元素。.在单相桥式整流电

12、容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U2 = 24V,设二极管为理想二极管，用直流电压表测得。的电压值约为21. 6V,问电路的现象是（）。（1分）A.正常工作情况B.“开路C开路一个二极管和C开路一个二极管开路F.其它情况.某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。dS图1（1分）P沟道增强型MOS管P沟道耗尽型MOS管N沟道增强型MOS管N沟道耗尽型MOS管.功率放大电路的效率是指（）。（1分）解析过程：.答案：T解析过程：.答案：T解析过程：.答案：T解析过程：.答案：T 解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：T解析过程：.答案：T解析过程：.

13、答案：T解析过程：.答案：T解析过程：.答案：F解析过程:.答案：T解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：T解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：T解析过程：.答案：T解析过程：.答案：T解析过程：.答案：T解析过程：.答案：F解析过程：.答案：T解析过程：.答案：F 解析过程：.答案：F 解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：F解析过程：.答案：T解析过程:A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率

14、之比D.以上说法均不正确）是正常工作状）是正常工作状）是正常工作状一个晶体管的极限参数为Pcm=lOOmW，Ic犷20mA, U（br）CEO=15V,则下列（ 态。（1分）Uce=3V, lc=10mAUce=2V, lc=40 mAUce=6V, lc=20mAUce=16V, lc=30mAN型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。（1分）A.空穴B.三价元素C.五价元素14.差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。（1分）A.差B.和C.算术平均.某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为（）。A.P沟道增强型MOS管P沟道结型场效应管N沟道增强型MOS管N沟道耗尽型MOS

15、管.当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（）。（1分）A.独立信号源短路，负载开路B.独立信号源短路，负载短路C.独立信号源开路，负载开路D.独立信号源开路，负载短路17.已知降压变压器次级绕组电压为12V,负载两端的输出电压为10.8V,则这是一个单相（）电 路.（1分）A.桥式整流B.半波整流C.桥式整流电容滤波D.半波整流电容滤波18.电压放大倍数最高的电路是（）。（1分）A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.不定.场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（）场效应管。图 210（1 分）A.P沟道增强型MOS型B. P沟道耗尽型MOS型C. N沟道增强型MOS型D. N沟

16、道耗尽型MOS型E. N沟道结型F. P沟道结型.某仪表放大电路，要求生大，输出电流稳定，应选（）。（1分）A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈21.与甲类功率放大方式比较，乙类0CL互补对称功放的主要优点是（）。（1分）A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.效率高D.无交越失真.在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电 压的（）倍。（1分）121.50. 5.集成运放中间级的作用是（）。（1分）A.提高共模抑制比B.提高输入电阻C.提高放大倍数D.提供过载保护24.测得某硅晶体三极管的电位如图1所示，判断管子的

17、工作状态是（）。I3V1,7V K因i （1分）A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U。二（）UZo （1分）0. 450. 91. 2.有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号 源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。（1分）A.输入电阻大；B.输入电阻小；C.输出电阻大；D.输出电阻小。.三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。（1分）A.基极电流B.集电极电流C.发射极电流D.内部材料和结构.本征半导体在温度升高后，（）。（1分）A.自由电子数目增多，空穴数

18、目基本不变；B.空穴数目增多，自由电子数目基本不变；C.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；D.自由电子和空穴数目基本不变。.有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为Vi = 2V, V2 = 2.7V, V3 = 6V,试判别管子的三个管脚分别是（）。（1分）1： e、2： b、3： c1： c、2： e、3： b1： c 2： b、3： eD.其它情况.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。（1分）A.输出电压约为2UdB.输出电压约为Ud/2C.整流管将因电流过大而烧坏D.变为半波整流31.文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（）才能满足起振条件。（1分）A.

19、为1/3时；B.为3 B寸；3；l/3o32. P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。（1分）A.空穴B.三价元素硼C.五价元素锦33.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）o （1分）A.差B.好C.差不多.用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2. 7V,则三个电极分别是 （）o （1 分）（B、C、E）（C、B. E）（E、C、B）.图2-3所示复合管中，下列答案正确的是（）。，（1 分）A. NPN 型B. PNP 型C.不正确36.图2T0所示电路是（）。图210-（1分）A.差分放大电路B.镜像电流源电路C.微电流源电路.电流源的特点是直流等效电阻（）。（1分）A.大B,小C.恒定D.不定.共模抑制比K。以越大，表明电路（）。（1分）A.放大倍数越稳定；B.交流放大倍数越大；C.抑制温漂能力越强；D.输入信号中的差模成分越大。39.在如图2所示电路中，电阻Re的主要作用是（）。（1分）A.提高放大倍数B.稳定直流静态工作点C.稳定交流输出D.提高输入电阻.放大电路在负载开路