正电子湮没技术学习教案

1、会计学1第一页，共53页。第1页/共53页第二页，共53页。第2页/共53页第三页，共53页。B20021EcmE第3页/共53页第四页，共53页。第4页/共53页第五页，共53页。第5页/共53页第六页，共53页。第6页/共53页第七页，共53页。nne正电子所“看见(kn jin)”的电子密度越低，则其寿命越长。ecnr201第7页/共53页第八页，共53页。第8页/共53页第九页，共53页。PLPPTP2=m0c-PL/2P1=m0c+PL/2cmPT0/因为(yn wi)热化后的正电子动量几乎为零，所以测量的角关联曲线描述了物质中被湮没的电子的动量分布。 第9页/共53页第十页，共53

2、页。cvL2/)(LLcPEcVE第10页/共53页第十一页，共53页。第11页/共53页第十二页，共53页。22Na (2.6Y)545keV(90%) 1276keV1.82MeV(0.05%)图2. 22Na的衰变(shuibin)图+衰变有90的分支比，衰变能量为545keV。另一个+衰变能量为1.82MeV，因为此分支比只占0.05%而太低，因此无实际意义。22Na衰变放出(fn ch)+粒子的同时级联放出(fn ch)一条能量为1.28MeV的射线，因激发态寿命仅为3ps，所以可以把此射线看作是+粒子同时产生的事件。因此1.28MeV的射线作为谱仪时间测量的起始点。 第12页/共5

3、3页第十三页，共53页。第13页/共53页第十四页，共53页。图3、长缝几何型角关联装置符合电路单道分析器单道分析器计数器准直器准直器准直器准直器样品固定探头移动探头放射源xyz第14页/共53页第十五页，共53页。液氮高纯锗探 头前置放大器负高压多道主放大器第15页/共53页第十六页，共53页。门终止起始高压电源918多道源和样品探头恒比甄别器583高压电源探头恒比甄别器583时幅转换器符合电路延时延时IBMPC图5、快快符合正电子湮没寿命谱仪方框图第16页/共53页第十七页，共53页。)exp(),(zEzP第17页/共53页第十八页，共53页。)exp()(),(23TkETkmTEfB

4、B第18页/共53页第十九页，共53页。第19页/共53页第二十页，共53页。价态空穴导带电子电子缺陷替代原子间隙原子杂质点缺陷自填隙原子空位错位缺陷本征点缺陷零维缺陷（点缺陷）位错处的杂质原子错位一维缺陷（线缺陷）堆垛层错孪晶界面小角晶粒间界二维缺陷（面缺陷）洞空淀沉包藏杂质三维缺陷（体缺陷）缺陷 缺陷(quxin)的分类第20页/共53页第二十一页，共53页。空位(kn wi)第21页/共53页第二十二页，共53页。第22页/共53页第二十三页，共53页。第23页/共53页第二十四页，共53页。第24页/共53页第二十五页，共53页。 负电荷 正电荷 中性点缺陷所带有效电荷缺陷在晶体中所占

5、的格位点 缺 陷 名 称第25页/共53页第二十六页，共53页。 tnntndttdntntnndttdnfdddddffff（1）第26页/共53页第二十七页，共53页。 00000000NdtdnnNdtdnNntddftff（2）第27页/共53页第二十八页，共53页。 ttdtftffNNtnNNtn21210221021021102124214212221dfdfdfdf（4）（3）第28页/共53页第二十九页，共53页。 S tnnffdd ttININtS212201102121221121dffdffII（5）（6）（7）第29页/共53页第三十页，共53页。21iiiavI（

6、8）第30页/共53页第三十一页，共53页。第31页/共53页第三十二页，共53页。dfdfdffddII212212121（9）第32页/共53页第三十三页，共53页。212212121IIfdd（10）式（9）和式（10）中都有这样的结果，即：式子右边都是由实验可测量(cling)的量，因此可求出值。 212 I第33页/共53页第三十四页，共53页。C第34页/共53页第三十五页，共53页。2211IIfdf11dff1将第（9）式代入这个(zh ge)式子中就有：第35页/共53页第三十六页，共53页。第36页/共53页第三十七页，共53页。第37页/共53页第三十八页，共53页。00

7、0)exp()(0tttItIjjj/)(exp)1 ()(22021tttP2212(ln2)FWHM 第38页/共53页第三十九页，共53页。/ )(21erf1)41(exp21)()()(02000ttttIdtPItFjjjjjj1)(iittjjidttFF01KjjiiFBf第39页/共53页第四十页，共53页。有关的各种问题进行研究。第40页/共53页第四十一页，共53页。cba-a-b-cEnergyC(E)第41页/共53页第四十二页，共53页。dEECdEECHaa)()(dEECdEECdEECWcbdc)()()(WHS WHDH参数的变化主要受峰中心区域计数的影响，主要反映(fnyng)了正电子与小动量电子（传导电子）湮没的情况。W参数主要受能峰两翼计数的影响，因而主要反映(fnyng)正电子与高动量电子（核心电子）湮没的情况。S、D参数综合反映(fnyng)了高动量电子和低动量电子湮没的情况。第42页/共53页第四十三页，共53页。第43页/共53页第四十四页，共53页。第44页/共53页第四十五页，共53页。第45页/共53页第四十六页，共53页。第46页/共53页第四十七页，共53页。如有序无序转变、共析相变、马氏体相变、沉淀与时效现象等。第47页/共53页第四十八页，共5