计算机组成原理2

1、3.1 总线的基本概念总线的基本概念3.2 总线的分类总线的分类3.3 总线特性及性能指标总线特性及性能指标3.4 总线结构总线结构3.5 总线控制总线控制一、为什么要用总线一、为什么要用总线二、什么是总线二、什么是总线三、总线上信息的传送三、总线上信息的传送总线是连接各个部件的信息传输线，总线是连接各个部件的信息传输线，是是 各个部件共享的传输介质各个部件共享的传输介质串行串行并行并行四、总线结构的计算机举例四、总线结构的计算机举例1. 面向面向 CPU 的双总线结构框图的双总线结构框图 中央处理器中央处理器 CPUI/O总线总线M总总线线主存主存 I/O接口接口 I/O 设备设备1 I/O

2、 设备设备2I/O接口接口I/O接口接口 I/O 设备设备n单总线（系统总线）单总线（系统总线）2. 单总线结构框图单总线结构框图 CPU 主存主存 I/O接口接口 I/O 设备设备1 I/O 设备设备2 I/O接口接口 I/O 设备设备n I/O接口接口3. 以存储器为中心的双总线结构框图以存储器为中心的双总线结构框图系统总线系统总线 主存主存 CPU I/O接口接口 I/O 设备设备1 I/O 设备设备n I/O接口接口存储总线存储总线1. .片内总线片内总线2. .系统总线系统总线芯片内部芯片内部 的总线的总线数据总线数据总线地址总线地址总线控制总线控制总线双向双向 与机器字长、存储字长

3、有关与机器字长、存储字长有关单向单向 与存储地址、与存储地址、 I/O地址有关地址有关有出有出 有入有入计算机各部件之间计算机各部件之间 的信息传输线的信息传输线存储器读、存储器写存储器读、存储器写总线允许、中断确认总线允许、中断确认中断请求、总线请求中断请求、总线请求3. .通信总线通信总线串行通信总线串行通信总线并行通信总线并行通信总线传输方式传输方式 用于用于 计算机系统之间计算机系统之间 或或 计算机系统计算机系统与其他系统与其他系统（如控制仪表、移动通信等）（如控制仪表、移动通信等）之间的通信之间的通信CPU 插板插板主存主存 插板插板I/O 插板插板一、总线物理实现一、总线物理实现

4、BUS主板主板1. 机械特性机械特性2. 电气特性电气特性3. 功能特性功能特性4. 时间特性时间特性二、总线特性二、总线特性尺寸尺寸、形状、形状、管脚数管脚数及及排列顺序排列顺序传输方向传输方向 和有效的和有效的 电平电平 范围范围每根传输线的每根传输线的 功能功能信号的信号的 时序时序 关系关系地址地址数据数据控制控制三、总线的性能指标三、总线的性能指标1. 总线宽度总线宽度2. 总线带宽总线带宽3. 时钟同步时钟同步/异步异步4. 总线复用总线复用5. 信号线数信号线数6. 总线控制方式总线控制方式7. 其他指标其他指标数据线数据线 的根数的根数每秒传输的最大字节数（每秒传输的最大字节数

5、（MBps）同步同步、不同步不同步地址线地址线 与与 数据线数据线 复用复用地址线、数据线和控制线的地址线、数据线和控制线的 总和总和负载能力负载能力并发、自动、仲裁、逻辑、计数并发、自动、仲裁、逻辑、计数ISAEISAVESA(LV-BUS)PCIAGPRS-232USB模块模块系统系统总总线线标标准准 四、总线标准四、总线标准系统系统模块模块标标 准准 界界 面面总线标准总线标准数据线数据线总线时钟总线时钟带宽带宽ISA168 MHz（独立）（独立）16 MBpsEISA328 MHz（独立）（独立）33 MBpsVESA(VL-BUS)3233 MHz（CPU）133 MBpsPCI32

6、6433 MHz（独立）（独立）66 MHz（独立）（独立）132 MBps528 MBpsAGP3266.7 MHz（独立）（独立）133 MHz（独立）（独立）266 MBps533 MBpsRS-232串行通信串行通信总线标准总线标准数据终端设备（计算机）和数据通信设备数据终端设备（计算机）和数据通信设备（调制解调器）之间的标准接口（调制解调器）之间的标准接口USB串行接口串行接口总线标准总线标准普通无屏蔽双绞线普通无屏蔽双绞线带屏蔽双绞线带屏蔽双绞线最高最高1.5 Mbps (USB1.0)12 Mbps (USB1.0)480 Mbps (USB2.0) 四、总线标准四、总线标准一、

7、单总线结构一、单总线结构单总线（系统总线）单总线（系统总线） CPU 主存主存 I/O接口接口 I/O 设备设备1 I/O 设备设备2 I/O接口接口 I/O 设备设备n I/O接口接口1. 双总线结构双总线结构具有特殊功能的处理器，具有特殊功能的处理器，由通道对由通道对I/O统一管理统一管理通道通道 I/O接口接口 设备设备n I/O接口接口 设备设备0 CPU主存主存主存总线主存总线I/O总线总线二、多总线结构二、多总线结构2. 三总线结构三总线结构主存总线主存总线DMA总线总线I/O总线总线 CPU 主存主存设备设备1设备设备n高速外设高速外设I/O接口接口I/O接口接口I/O接口接口3

8、. 三总线结构的又一形式三总线结构的又一形式局域网局域网系统总线系统总线CPUCache局部总线局部总线扩展总线接口扩展总线接口扩展总线扩展总线Modem串行接口串行接口SCSI局部局部I/O控制器控制器主存主存4. 四总线结构四总线结构多媒体多媒体 Modem主存主存扩展总线接口扩展总线接口局域网局域网SCSICPU串行接口串行接口FAX系统总线系统总线局部总线局部总线高速总线高速总线扩展总线扩展总线图形图形Cache/桥桥1. 传传统微型机总线结构统微型机总线结构三、总线结构举例三、总线结构举例存储器存储器SCSI 控制器控制器主存控制器主存控制器ISA、EISA 8 MHz的的16位数据

9、通路位数据通路标准总线控制器标准总线控制器33 MHz的的32位数据通路位数据通路系统总线系统总线多媒体多媒体高速局域网高速局域网高性能图形高性能图形 CPU Modem2. VL-BUS局部总线结构局部总线结构33 MHz的的32位数据通路位数据通路系统总线系统总线ISA、EISA多媒体多媒体高速局域网高速局域网高性能图形高性能图形图文传真图文传真8 MHz的的16位数据通路位数据通路标准总线标准总线 控制器控制器CPU主存控制器主存控制器存储器存储器局部总线局部总线 控制器控制器 SCSI控制器控制器VL BUS Modem3. PCI 总线结构总线结构CPU多媒体多媒体PCI 桥桥高速局

10、域网高速局域网高性能图形高性能图形图文传真图文传真PCI 总线总线系统总线系统总线33 MHz的的32位数据通路位数据通路8 MHz的的16位数据通路位数据通路ISA、EISA标准总线标准总线 控制器控制器 SCSI 控制器控制器存储器存储器 Modem4. 多层多层 PCI 总线结构总线结构PCI总线总线2存储器存储器桥桥0桥桥4 PCI设备设备桥桥5总线桥总线桥桥桥3桥桥1设备设备桥桥2第一级桥第一级桥第二级桥第二级桥第三级桥第三级桥PCI总线总线4PCI总线总线5PCI总线总线3PCI总线总线1PCI总线总线0存储器总线存储器总线 标准总线标准总线CPU一、总线判优控制一、总线判优控制

11、总线判优控制总线判优控制分布式分布式集中式集中式 主设备主设备(模块模块)对总线有对总线有 控制权控制权 从设备从设备(模块模块)响应响应 从主设备发来的总线命令从主设备发来的总线命令1. 基本概念基本概念链式查询链式查询计数器定时查询计数器定时查询独立请求方式独立请求方式2. 链式查询方式链式查询方式总总线线控控制制部部件件I/O接口接口0BSBRI/O接口接口1I/O接口接口nBG数据线数据线地址线地址线BS 总线忙总线忙BR总线请求总线请求BG总线同意总线同意I/O接口接口1 0BS 总线忙总线忙BR总线请求总线请求总总线线控控制制部部件件数据线数据线地址线地址线I/O接口接口0BSBR

12、I/O接口接口1I/O接口接口n设备地址设备地址3. 计数器定时查询方式计数器定时查询方式I/O接口接口1 计数器计数器设备地址设备地址 1排队器排队器排队器排队器4. 独立请求方式独立请求方式总总线线控控制制部部件件数据线数据线地址线地址线I/O接口接口0I/O接口接口1I/O接口接口nBR0 BG0BR1BG1BRnBGnBG总线同意总线同意BR总线请求总线请求二、总线通信控制二、总线通信控制1. 目的目的2. 总线传输周期总线传输周期主模块申请主模块申请，总线仲裁决定，总线仲裁决定主模块向从模块主模块向从模块 给出地址给出地址 和和 命令命令主模块和从模块主模块和从模块 交换数据交换数据

13、主模块主模块 撤消有关信息撤消有关信息 申请分配阶段申请分配阶段寻址阶段寻址阶段传数阶段传数阶段结束阶段结束阶段解决通信双方解决通信双方 协调配合协调配合 问题问题由由 统一时标统一时标 控制数据传送控制数据传送充分充分 挖掘挖掘 系统系统 总线每个瞬间总线每个瞬间 的的 潜力潜力同步通信同步通信 异步通信异步通信 半同步通信半同步通信 分离式通信分离式通信 3. 总线通信的四种方式总线通信的四种方式采用采用 应答方式应答方式 ，没有公共时钟标准，没有公共时钟标准同步同步、异步结合异步结合 读读命令命令(1) 同步式数据输入同步式数据输入T1总线传输周期总线传输周期T2T3T4 时钟时钟 地址

14、地址 数据数据 数据数据(2) 同步式数据输出同步式数据输出T1总线传输周期总线传输周期T2T3T4 时钟时钟 地址地址 写写命令命令不互锁不互锁半互锁半互锁全互锁全互锁异步通信异步通信主设备主设备从设备从设备请请求求回回答答单机单机多机多机网络通信网络通信(4) 半同步通信半同步通信同步同步 发送方发送方 用系统用系统 时钟前沿时钟前沿 发信号发信号 接收方接收方 用系统用系统 时钟后沿时钟后沿 判断、识别判断、识别（同步同步、异步异步 结合）结合）异步异步 允许不同速度的模块和谐工作允许不同速度的模块和谐工作 增加一条增加一条 “等待等待”响应信号响应信号 WAIT以输入数据为例的半同步通

15、信时序以输入数据为例的半同步通信时序T1 主模块发地址主模块发地址T2 主模块发命令主模块发命令T3 从模块提供数据从模块提供数据T4 从模块撤销数据，主模块撤销命令从模块撤销数据，主模块撤销命令Tw 当当 为低电平时，等待一个为低电平时，等待一个 TWAITTw 当当 为低电平时，等待一个为低电平时，等待一个 TWAIT 读读 命令命令WAIT 地址地址 数据数据 时钟时钟总线传输周期总线传输周期T1T2TWTWT3T4(4) 半同步通信半同步通信 （同步同步、异步异步 结合）结合）上述三种通信的共同点上述三种通信的共同点一个总线传输周期（以输入数据为例）一个总线传输周期（以输入数据为例）

16、主模块发地址主模块发地址 、命令、命令 从模块准备数据从模块准备数据 从模块向主模块发数据从模块向主模块发数据总线空闲总线空闲占用总线占用总线不占用总线不占用总线占用总线占用总线(5) 分离式通信分离式通信充分挖掘系统总线每个瞬间的潜力充分挖掘系统总线每个瞬间的潜力主模块主模块 申请申请 占用总线占用总线，使用完后，使用完后即即 放弃总线放弃总线 的使用权的使用权从模块从模块 申请申请 占用总线占用总线，将各种信，将各种信息送至总线上息送至总线上一个总线传输周期一个总线传输周期子周期子周期1子周期子周期2主模块主模块1. 各模块有权申请占用总线各模块有权申请占用总线分离式通信特点分离式通信特点

17、充分提高了总线的有效占用充分提高了总线的有效占用2. 采用同步方式通信，不等对方回答采用同步方式通信，不等对方回答3. 各模块准备数据时，不占用总线各模块准备数据时，不占用总线4. 总线被占用时，无空闲总线被占用时，无空闲作业作业: :P66P66 3.23.2 3.43.4 3.53.5 3.103.10 3.143.14 3.153.154.1 概述概述4.2 主存储器主存储器4.3 高速缓冲存储器高速缓冲存储器4.4 辅助存储器辅助存储器一、存储器分类一、存储器分类1. 按存储介质分类按存储介质分类(1) 半导体存储器半导体存储器(2) 磁表面存储器磁表面存储器(3) 磁芯存储器磁芯存储

18、器(4) 光盘存储器光盘存储器易失易失TTL 、MOS磁头、载磁体磁头、载磁体硬磁材料、环状元件硬磁材料、环状元件激光、磁光材料激光、磁光材料非非易易失失(1) 存取时间与物理地址无关（随机访问）存取时间与物理地址无关（随机访问） 顺序存取存储器顺序存取存储器 磁带磁带2. 按存取方式分类按存取方式分类(2) 存取时间与物理地址有关（串行访问）存取时间与物理地址有关（串行访问） 随机存储器随机存储器 只读存储器只读存储器 直接存取存储器直接存取存储器 磁盘磁盘在程序的执行过程中在程序的执行过程中 可可 读读 可可 写写在程序的执行过程中在程序的执行过程中 只只 读读磁盘、磁带、光盘磁盘、磁带、

19、光盘 高速缓冲存储器（高速缓冲存储器（Cache）Flash Memory存存储储器器主存储器主存储器辅助存储器辅助存储器MROMPROMEPROMEEPROMRAMROM静态静态 RAM动态动态 RAM3. 按在计算机中的作用分类按在计算机中的作用分类高高低低小小大大快快慢慢辅存辅存寄存器寄存器缓存缓存主存主存磁盘磁盘光盘光盘磁带磁带光盘光盘磁带磁带速度速度容量容量 价格价格 位位1. 存储器三个主要特性的关系存储器三个主要特性的关系 二、存储器的层次结构二、存储器的层次结构CPUCPU主机主机缓存缓存CPU主存主存辅存辅存2. 缓存缓存 主存层次和主存主存层次和主存 辅存层次辅存层次缓存缓

20、存主存主存辅存辅存主存主存虚拟存储器虚拟存储器10 ns20 ns200 nsms虚地址虚地址逻辑地址逻辑地址实地址实地址物理地址物理地址主存储器主存储器（速度）（速度）（容量）（容量）一、概述一、概述1. 主存的基本组成主存的基本组成存储体存储体驱动器驱动器译码器译码器MAR控制电路控制电路读读写写电电路路MDR地址总线地址总线数据总线数据总线读读写写2. 主存和主存和 CPU 的联系的联系MDRMARCPU主主 存存读读数据总线数据总线地址总线地址总线写写 高位字节高位字节 地址为字地址地址为字地址 低位字节低位字节 地址为字地址地址为字地址设地址线设地址线 24 根根按按 字节字节 寻址

21、寻址按按 字字 寻址寻址若字长为若字长为 16 位位按按 字字 寻址寻址若字长为若字长为 32 位位字地址字地址字节地址字节地址11109876543210840字节地址字节地址字地址字地址4523014203. 主存中存储单元地址的分配主存中存储单元地址的分配224 = 16 M8 M4 M(2) 存储速度存储速度4. 主存的技术指标主存的技术指标(1) 存储容量存储容量(3) 存储器的带宽存储器的带宽主存主存 存放二进制代码的总位数存放二进制代码的总位数 读出时间读出时间 写入时间写入时间 存储器的存储器的 访问时间访问时间 存取时间存取时间 存取周期存取周期 读周期读周期 写周期写周期

22、连续两次独立的存储器操作连续两次独立的存储器操作（读或写）所需的（读或写）所需的 最小间隔时间最小间隔时间 位位/秒秒芯片容量芯片容量二、半导体存储芯片简介二、半导体存储芯片简介1. 半导体存储芯片的基本结构半导体存储芯片的基本结构译译码码驱驱动动存存储储矩矩阵阵读读写写电电路路1K4位位16K1位位8K8位位片选线片选线读读/写控制线写控制线地地址址线线数数据据线线地址线地址线（单向）（单向）数据线数据线（双向）（双向）104141138二、半导体存储芯片简介二、半导体存储芯片简介1. 半导体存储芯片的基本结构半导体存储芯片的基本结构译译码码驱驱动动存存储储矩矩阵阵读读写写电电路路片选线片选

23、线读读/写控制线写控制线地地址址线线数数据据线线片选线片选线读读/写控制线写控制线（低电平写（低电平写 高电平读）高电平读）（允许读）（允许读）CSCEWE（允许写）（允许写）WEOE存储芯片片选线的作用存储芯片片选线的作用用用 16K 1位位 的存储芯片组成的存储芯片组成 64K 8位位 的存储器的存储器 32片片当地址为当地址为 65 535 时，此时，此 8 片的片选有效片的片选有效 8片片16K 1位位 8片片16K 1位位 8片片16K 1位位 8片片16K 1位位0,015,015,70,7 读读/写控制电路写控制电路 地地址址译译码码器器 字线字线015168矩阵矩阵07D07D

24、 位线位线 读读 / 写选通写选通A3A2A1A02. 半导体存储芯片的译码驱动方式半导体存储芯片的译码驱动方式(1) 线选法线选法00000,00,7007D07D 读读 / 写写选通选通 读读/写控制电路写控制电路 A3A2A1A0A40,310,031,031,31 Y 地址译码器地址译码器 X地地址址译译码码器器 3232 矩阵矩阵A9I/OA8A7A56AY0Y31X0X31D读读/写写(2) 重合法重合法00000000000,031,00,31I/OD0,0读读 三、随机存取存储器三、随机存取存储器 ( RAM ) 1. 静态静态 RAM (SRAM) (1) 静态静态 RAM

25、基本电路基本电路A 触发器非端触发器非端1T4T触发器触发器5TT6、行开关行开关7TT8、列开关列开关7TT8、一列共用一列共用A 触发器原端触发器原端T1 T4T5T6T7T8A A写放大器写放大器写放大器写放大器DIN写选择写选择读选择读选择DOUT读放读放位线位线A位线位线A 列地址选择列地址选择行地址选择行地址选择T1 T4A T1 T4T5T6T7T8A写放大器写放大器写放大器写放大器DIN写选择写选择读选择读选择读放读放位线位线A位线位线A 列地址选择列地址选择行地址选择行地址选择DOUT 静态静态 RAM 基本电路的基本电路的 读读 操作操作 行选行选 T5、T6 开开T7、T

26、8 开开列选列选读放读放DOUTVAT6T8DOUT读选择有效读选择有效T1 T4T5T6T7T8A ADIN位线位线A位线位线A 列地址选择列地址选择行地址选择行地址选择写放写放写放写放读放读放DOUT写选择写选择读选择读选择 静态静态 RAM 基本电路的基本电路的 写写 操作操作 行选行选T5、T6 开开 两个写放两个写放 DIN列选列选T7、T8 开开（左）（左） 反相反相T5A （右）（右） T8T6ADINDINT7写选择有效写选择有效T1 T4 (2) 静态静态 RAM 芯片举例芯片举例 Intel 2114 外特性外特性存储容量存储容量1K4 位位I/O1I/O2I/O3I/O4

27、A0A8A9WECSVCCGNDIntel 2114 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读A3A4A5A6A7A8A0A1A2A9150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I

28、/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组0000000000 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读150311647326348第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 In

29、tel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS00000000001503116473263480164832150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000150311647326

30、3480164832第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读0163248CSWE150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0164832第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读15031164732634801632480000000000150311647326348150311

31、647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读15031164732634801632480164832150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS000000000

32、0第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读1503116473263480163248读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0164832150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 读读150311647

33、3263480163248读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0164832I/O1I/O2I/O3I/O4A3A4A5A6A7A8A0A1A2A9150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写

34、电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组0000000000 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写

35、150311647326348第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000150311647326348WECS0164832第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写I/O1I/O2I/O3I/O4WECS1503116473

36、26348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码0000000000150311647326348I/O1I/O2I/O3I/O40164832第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写I/O1I/O2I/O3I/O4WECS150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码000000000

37、0150311647326348I/O1I/O2I/O3I/O4读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0164832第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写I/O1I/O2I/O3I/O4WECS150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码0000000000150311647326348I/O1I/O2I/O3I/O4读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路

38、读写电路读写电路0164832第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩阵矩阵 (64 64) 写写I/O1I/O2I/O3I/O4150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码WECS0000000000150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路I/O1I/O2I/O3I/O40164832第一组第一组第二组第二组第三组第三组第四组第四组 Intel 2114 RAM 矩

39、阵矩阵 (64 64) 写写I/O1I/O2I/O3I/O4150311647326348150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路0163015行行地地址址译译码码列列地地址址译译码码WECS0000000000150311647326348I/O1I/O2I/O3I/O4读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路读写电路01632480164832ACSDOUT地址有效地址有效地址失效地址失效片选失效片选失效数据有效数据有效数据稳定数据稳定高阻高阻 (3) 静态静态 RAM 读读 时序时序 tAtCOtOHAtOTDtRC片

40、选有效片选有效读周期读周期 t tRCRC 地址有效地址有效 下一次地址有效下一次地址有效读时间读时间 t tA A 地址有效地址有效数据稳定数据稳定 t tCOCO 片选有效片选有效数据稳定数据稳定t tOTDOTD 片选失效片选失效输出高阻输出高阻t tOHAOHA 地址失效后的地址失效后的数据维持时间数据维持时间ACSWEDOUTDIN (4) 静态静态 RAM (2114) 写写 时序时序 tWCtWtAWtDWtDHtWR写周期写周期 t tWCWC 地址有效地址有效下一次地址有下一次地址有效效写时间写时间 t tW W 写命令写命令 WEWE 的有效时间的有效时间t tAWAW 地

41、址有效地址有效片选有效的滞后时间片选有效的滞后时间t tWRWR 片选失效片选失效下一次地址有效下一次地址有效t tDW DW 数据稳定数据稳定 WE WE 失效失效t tDHDH WE WE 失效后的数据维持时间失效后的数据维持时间DD预充电信号预充电信号读选择线读选择线写数据线写数据线写选择线写选择线读数据线读数据线VCgT4T3T2T11 (1) 动态动态 RAM 基本单元电路基本单元电路 2. 动态动态 RAM ( DRAM )读出与原存信息相反读出与原存信息相反读出时数据线有电流读出时数据线有电流 为为 “1”数据线数据线CsT字线字线DDV0 10 11 0写入与输入信息相同写入与

42、输入信息相同写入时写入时 CS 充电充电 为为 “1” 放电放电 为为 “0”T3T2T1T无电流无电流有电流有电流单元单元电路电路读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D行行地地址址译译码码器器001131311A9A8A7A6A531A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据线线读读数数据据线线0 (2) 动态动态 RAM 芯片举例芯片举例 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 读读00000000000D0 0单元单元电路电路读读 写写 控控 制制 电电 路路A9A8A7A6A5读读 写写 控

43、控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据线线读读数数据据线线0 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写11111 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写A9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数

44、数据据线线读读数数据据线线0A9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据线线读读数数据据线线011111 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写A9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据

45、线线读读数数据据线线00100011111 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写A9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据线线读读数数据据线线0111111010001 1 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写A9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电

46、路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据线线读读数数据据线线0D11111010001 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写A9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据线线读读数数据据线线0D11111010001 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写读读 写写 控控 制制 电电 路路A

47、9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新放大器写写数数据据线线读读数数据据线线0D11111010001 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写读读 写写 控控 制制 电电 路路A9A8A7A6A5读读 写写 控控 制制 电电 路路列列 地地 址址 译译 码码 器器读选择线读选择线写选择线写选择线D单元单元电路电路行行地地址址译译码码器器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器刷新

48、放大器写写数数据据线线读读数数据据线线0D11111010001 三管动态三管动态 RAM 芯片芯片 (Intel 1103) 写写读读 写写 控控 制制 电电 路路时序与控制时序与控制 行时钟行时钟列时钟列时钟写时钟写时钟 WERASCAS A6A0存储单元阵列存储单元阵列基准单元基准单元行行译译码码列译码器列译码器再生放大器再生放大器列译码器列译码器读读出出放放大大基准单元基准单元存储单元阵列存储单元阵列行行译译码码 I/O缓存器缓存器数据输出数据输出驱动驱动数据输入数据输入寄存器寄存器 DINDOUT行地址行地址缓存器缓存器列地址列地址缓存器缓存器 单管动态单管动态 RAM 4116 (

49、16K 1 1位位) 外特性外特性DINDOUTA6A0 读放大器读放大器 读放大器读放大器 读放大器读放大器06364127128 根行线根行线Cs01271128列列选选择择读读/写线写线数据输入数据输入I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动DOUTDINCs 4116 (16K 1位位) 芯片芯片 读读 原理原理 读放大器读放大器 读放大器读放大器 读放大器读放大器630 0 0I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动OUTD 读放大器读放大器 读放大器读放大器 读放大器读放大器06364127128 根行线根行线Cs01271128列列选选择择读读/写线写线数据输入数据输入I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动

50、DOUTDINCs 4116 (16K1位位) 芯片芯片 写写 原理原理数据输入数据输入I/O缓冲缓冲I/O缓冲缓冲DIN读出放大器读出放大器 读放大器读放大器630 (3) 动态动态 RAM 时序时序 行、列地址分开传送行、列地址分开传送写时序写时序行地址行地址 RAS 有效有效写允许写允许 WE 有效有效(高高)数据数据 DOUT 有效有效数据数据 DIN 有效有效读时序读时序行地址行地址 RAS 有效有效写允许写允许 WE 有效有效(低低)列地址列地址 CAS 有效有效列地址列地址 CAS 有效有效 (4) 动态动态 RAM 刷新刷新 刷新与行地址有关刷新与行地址有关 集中刷新集中刷新

51、（存取周期为存取周期为0.5 s s ）“死时间率死时间率” 为为 128/4 000 100% = 3.2%“死区死区” 为为 0.5 s s 128 = 64 s s 周期序号周期序号地址序号地址序号tc0123871 387201tctctctc3999V W01127读读/写或维持写或维持刷新刷新读读/写或维持写或维持3872 个周期个周期 （1936 s s） 128个周期个周期 （64 s s） 刷新时间间隔刷新时间间隔 （2 ms）刷新序号刷新序号tcXtcY 以以128 128 矩阵为例矩阵为例tC = = tM + + tR读写读写 刷新刷新无无 “死区死区” 分散刷新分散刷

52、新（存取周期为存取周期为1 s ）(存取周期为存取周期为 0.5 s + 0.5 s )以以 128 128 矩阵为例矩阵为例W/RREF0W/RtRtMtCREF126REF127REFW/RW/RW/RW/R刷新间隔刷新间隔 128 个存取周期个存取周期 分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）对于对于 128 128 的存储芯片的存储芯片（存取周期为存取周期为 0.5 s s ）将刷新安排在指令译码阶段，不会出现将刷新安排在指令译码阶段，不会出现 “死区死区”“死区死区” 为为 0.5 s s 若每隔若每隔 15.6 s s 刷新一行刷新一行每行每隔每行每

53、隔 2 ms 刷新一次刷新一次 3. 动态动态 RAM 和静态和静态 RAM 的比较的比较DRAMSRAM存储原理存储原理集成度集成度芯片引脚芯片引脚功耗功耗价格价格速度速度刷新刷新电容电容触发器触发器高高低低少少多多小小大大低低高高慢慢快快有有无无主存主存缓存缓存 四、只读存储器（四、只读存储器（ROM） 1. 掩模掩模 ROM ( MROM ) 行列选择线交叉处有行列选择线交叉处有 MOS 管为管为“1”行列选择线交叉处无行列选择线交叉处无 MOS 管为管为“0” 2. PROM (一次性编程一次性编程) VCC行线行线列线列线熔丝熔丝熔丝断熔丝断为为 “0”为为 “1”熔丝未断熔丝未断

54、3. EPROM (多次性编程多次性编程 ) (1) N型沟道浮动栅型沟道浮动栅 MOS 电路电路G 栅极栅极S 源源D 漏漏紫外线全部擦洗紫外线全部擦洗D 端加正电压端加正电压形成浮动栅形成浮动栅S 与与 D 不导通为不导通为 “0”D 端不加正电压端不加正电压不形成浮动栅不形成浮动栅S 与与 D 导通为导通为 “1”SGDN+N+P基片基片GDS浮动栅浮动栅SiO2+ + + + +_ _ _ 控制逻辑控制逻辑Y 译码译码X 译译码码数据缓冲区数据缓冲区Y 控制控制128 128存储矩阵存储矩阵PD/ProgrCSA10A7A6A0DO0DO7112A7A1A0VSSDO2DO0DO127

55、162413VCCA8A9VPPCSA10PD/ProgrDO3DO7(2) 2716 EPROM 的逻辑图和引脚的逻辑图和引脚PD/ProgrPD/Progr功率下降功率下降 / 编程输入端编程输入端 读出时读出时 为为 低电平低电平 4. EEPROM (多次性编程多次性编程 ) 电可擦写电可擦写局部擦写局部擦写全部擦写全部擦写5. Flash Memory (闪速型存储器闪速型存储器) 比比 EEPROM快快EPROM价格便宜价格便宜 集成度高集成度高EEPROM电可擦洗重写电可擦洗重写具备具备 RAM 功能功能 用用 1K 4位位 存储芯片组成存储芯片组成 1K 8位位 的存储器的存储

56、器？片？片 五、存储器与五、存储器与 CPU 的连接的连接 1. 存储器容量的扩展存储器容量的扩展 (1) 位扩展位扩展（增加存储字长）（增加存储字长）10根地址线根地址线8根数据线根数据线DDD0479AA021142114CSWE2片片 (2) 字扩展（增加存储字的数量）字扩展（增加存储字的数量） 用用 1K 8位位 存储芯片组成存储芯片组成 2K 8位位 的存储器的存储器11根地址线根地址线8根数据线根数据线？片？片2片片1K 8 8位位1K 8 8位位D7D0WEA1A0A9CS0A10 1CS1 (3) 字、位扩展字、位扩展用用 1K 4位位 存储芯片组成存储芯片组成 4K 8位位

57、的存储器的存储器8根数据线根数据线12根地址线根地址线WEA8A9A0.D7D0A11A10CS0CS1CS2CS3片选片选译码译码1K41K41K41K41K41K41K41K4？片？片8片片 2. 存储器与存储器与 CPU 的连接的连接 (1) 地址线的连接地址线的连接(2) 数据线的连接数据线的连接(3) 读读/写命令线的连接写命令线的连接(4) 片选线的连接片选线的连接(5) 合理选择存储芯片合理选择存储芯片(6) 其他其他 时序、负载时序、负载例例4.1设设CPU有有16根地址线根地址线,8根数据线根数据线,并用并用/MREQ作为访存作为访存控制信号控制信号,用用/WR作为读作为读/

58、写控制信号写控制信号(高读高读,低写低写),现有现有 下下列存储芯片列存储芯片:1K*4位位RAM、4K*8位位RAM、8K*8位位RAM、2K*8位位ROM、4K*8位位ROM、8K*8位位ROM及及74138译译码器和各种门电路。画出码器和各种门电路。画出CPU与存储器的连接图，要求与存储器的连接图，要求如下：如下： 1、主存地址空间分配：、主存地址空间分配： 6000H67FFH为系统程序区。为系统程序区。 6800H-6BFFH为用户程序区。为用户程序区。 2、合理选用上述存储芯片，说明各选几片。、合理选用上述存储芯片，说明各选几片。 3、详细画出存储芯片的片选逻辑图。、详细画出存储芯

59、片的片选逻辑图。例例4.1 解解: : (1) 写出对应的二进制地址码写出对应的二进制地址码(2) 确定芯片的数量及类型确定芯片的数量及类型0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0A15A14A13 A11 A10 A7 A4 A3 A00 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 12K8位位1K8位位RAM2片片1K4位位ROM1片片 2K8位位(3) 分配地址线分配地址线A10 A0 接接 2K 8位位 ROM 的地址线的地址线A

60、9 A0 接接 1K 4位位 RAM 的地址线的地址线(4) 确定片选信号确定片选信号C B A0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0A15 A13 A11 A10 A7 A4 A3 A00 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 12K 8位位1片片 ROM1K 4位位2片片RAM 2K 8位位 ROM 1K 4位位 RAM1K 4位位 RAM&PD/ProgrY5Y4G1CBAG2BG2AMREQA14A15A13A12A11A