复习半导体物理

1、MOS晶体管的动作晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使晶体管实质上是一种使电流时而流过，时而切断的电流时而流过，时而切断的n+n+P型硅基板型硅基板栅极（金属）栅极（金属）绝缘层（绝缘层（SiO2）半半导导体体基基板板漏极漏极源极源极源极源极(S)漏极漏极(D)栅极栅极(G)VG=0VS=0VD=0栅极电压为零时，存储在栅极电压为零时，存储在源漏极中的电子互相隔离源漏极中的电子互相隔离VGS0时，沟道出现耗尽区，时，沟道出现耗尽区， 至至VGS VTH时，沟道反型，时，沟道反型，形成了连接源漏的通路。形成了连接源漏的通路。+ + + + + + + +VGVD电流电流SVDS较小时，沟道中

2、任何一处电压的栅沟道电压都大于较小时，沟道中任何一处电压的栅沟道电压都大于阈值电压，随着阈值电压，随着VDS的增大，电场强度增大，电子漂移速的增大，电场强度增大，电子漂移速度增大，因此电流随着度增大，因此电流随着VDS的增大而增大。的增大而增大。（线性区，（线性区，非饱和区）非饱和区）随着随着VDS进一步增大至进一步增大至VDS=VGS-VTH(即即VGD0)，集电结反偏（，集电结反偏（VBC0)，集电结也正偏（，集电结也正偏（VBC0)时时(但注意，但注意，VCE仍仍大于大于0)，为，为饱和工作区饱和工作区。NNPECB1. 发射结正偏，向基区注入电子，集电结也正偏，也向发射结正偏，向基区注

3、入电子，集电结也正偏，也向基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电极仍存在电子扩散电流，但明显下降。极仍存在电子扩散电流，但明显下降。2.不再存在象正向工作区一样的电流放大作用，即不再存在象正向工作区一样的电流放大作用，即 不再成立。不再成立。3. 对应饱和条件的对应饱和条件的VCE值，称为饱和电压值，称为饱和电压VCES，其值约为，其值约为0.3V，深饱和时，深饱和时VCES达达0.10.2V。 bcII当当VBC0 ， VBE0时时，为反向

4、工作区。工作，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约很小（约0.02）。）。当发射结反偏（当发射结反偏（VBE0),集电结也反偏（集电结也反偏（VBC0)时，为截止区。时，为截止区。RNNPECB反向工作区反向工作区集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的有源寄生效应C(n)B(p)E(n+)npnpnpS(p) 双极晶体管的四种工作状态双极晶体管的四种工作状态VBEVBC饱和区饱和区反向工作区反向工作区截止区截止区正向工作区正向工作区( (正偏正偏) )( (反偏反

5、偏) )( (正偏正偏) )( (反偏反偏) )ppnnIEECSIBICISI1I2I3V1V2V3双极集成电路等效电路双极集成电路等效电路CBEpn+n-epin+n+-BLP-SiP+P+SC(n)B(p)E(n+)npnpnpS(p)等效电路等效电路隐埋层作用：隐埋层作用：1. 减小寄生减小寄生pnp管的影响管的影响 2. 减小集电极串联电阻减小集电极串联电阻衬底接最低电位衬底接最低电位VBEVBC饱和区饱和区反向工作区反向工作区截止区截止区正向工作区正向工作区( (正偏正偏) )( (反偏反偏) )( (正偏正偏) )( (反偏反偏) )集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的有

6、源寄生效应C(n)B(p)E(n+)npnpnpS(p) NPN管工作于正向工作区和截止区的情况管工作于正向工作区和截止区的情况VBC0npn管管VEB_pnp0VS=0VCB_pnp0VS=0VCB_pnp0npn管管VBE0VS=0VCB_pnp0npn管管饱和工作区饱和工作区VBE0集成双极晶体管的有源寄生效应集成双极晶体管的有源寄生效应C(n)B(p)E(n+)npnpnpS(p) NPN管工作于饱和工作区的情况管工作于饱和工作区的情况正向工作区正向工作区寄生晶体管对电路产生影响寄生晶体管对电路产生影响VBEVBC饱和区饱和区反向工作区反向工作区截止区截止区正向工作区正向工作区( (正

7、偏正偏) )( (反偏反偏) )( (正偏正偏) )( (反偏反偏) )常用集成电阻器常用集成电阻器 基区扩散电阻基区扩散电阻 发射区扩散电阻、埋层扩散电阻发射区扩散电阻、埋层扩散电阻 基区沟道电阻基区沟道电阻、外延层电阻、外延层电阻 离子注入电阻离子注入电阻 多晶硅电阻多晶硅电阻、MOS电阻电阻氧化膜氧化膜pnnP型扩散层型扩散层（电阻）（电阻）基区扩散电阻基区扩散电阻（Rs=100-200 / ) Rs为基区扩散的薄层电阻为基区扩散的薄层电阻L、W为电阻器的长度和宽度为电阻器的长度和宽度sLRRW1. 端头修正端头修正2. 拐角修正因子拐角修正因子3. 横向扩散修正因子横向扩散修正因子4.

8、 薄层电阻值薄层电阻值Rs的修正的修正小阻值电阻可采用胖短图形小阻值电阻可采用胖短图形一般阻值电阻可采用瘦长图形一般阻值电阻可采用瘦长图形对大阻值电阻可采用折叠图形对大阻值电阻可采用折叠图形12(2)0.55sjcLRRknkWxVCCLw导电层导电层绝缘层绝缘层氧化膜氧化膜pN+平板型电容平板型电容双极集成电路中的双极集成电路中的MOS电容器电容器铝电极铝电极N-epiACAtCCAxoosXOMOSi02tox=100nm时，CA=3.45e-4pF/um230pF需约0.1mm2特点：特点：1. 单位面积电容值较小单位面积电容值较小2. 击穿电压击穿电压BV较高（大于较高（大于50V）隔

9、离隔离槽槽NBVEBtox绝缘层的击穿电场强度（绝缘层的击穿电场强度（510）106V/cmVBEVBC饱和区饱和区反向工作区反向工作区截止区截止区正向工作区正向工作区( (正偏正偏) )( (反偏反偏) )( (正偏正偏) )( (反偏反偏) )CBEnpnIBICIEIE=IB+ICIBICIEIC=IB+IECBEVCESCBE简易简易TTL与非门与非门ABCR1R2VCCVOB1B2T1T2 两管单元两管单元TTL与非门工作原理与非门工作原理R1R2VCCB1ABC4K4K4K4K几个假设：几个假设：1.发射极正向压降，当晶体管正向工作时，取发射极正向压降，当晶体管正向工作时，取Vbe

10、F=0.7V，而当晶体管饱和时，而当晶体管饱和时， 取取VbeS=0.7V.2.集电结正向饱和压降，取集电结正向饱和压降，取VbcF=0.60.7V。3.晶体管饱和压降，当晶体管饱和压降，当T1管深饱和时，因管深饱和时，因Ic几乎为零，取几乎为零，取VceS0.1V，其余管子取，其余管子取 VceS0.3V简易简易TTL与非门与非门1. 1. 输入信号中至少有一个为低电平的情况输入信号中至少有一个为低电平的情况R1R2VCCB1ABC1VVOL=0.3VVOL=0.3VVB1 =VBE1+VOL =0.3V+0.7V =1VVB1被嵌位在被嵌位在1VIB1=(VCC-1V)/R1 =5V-1V

11、/4K=1mA4K4KIC1B2T2管截止管截止,VOH=VCC-IOHR2输出高电平时电路供给负载门的电流输出高电平时电路供给负载门的电流0.4VIOHT2管的集电结反偏，管的集电结反偏，Ic1很小，很小，满足满足IB1 Ic1，T1管深饱和，管深饱和，VOCS1=0.1V，VB2=0.4V简易简易TTL与非门与非门2. 2. 输入信号全为高电平输入信号全为高电平R1R2VCCB1ABC1.4VVOH=5VVB1 =VBC1+VBE2 =0.7V+0.7V =1.4VVB1被嵌位在被嵌位在1.4V4K4KIC1B2VOH=5VT1T1管的发射结反偏管的发射结反偏, ,集电结正偏集电结正偏,

12、,工作在反向有源区工作在反向有源区, ,集电极电流集电极电流是流出的是流出的,T2管的基极电流为管的基极电流为: : IB2=-=-IC1= =IB1+ + IB1IB1（ 0.01)IB1=(VCC-VB1)/R1 =5V-1.4V/4K=0.9mA IB20.9mAT2T2管饱和，管饱和，T2T2管的饱和电压管的饱和电压VCES= =0.3V VOL=0.3VABCR1R2VCCVOB1B2T1T20.7VT1管工作在反向放大区管工作在反向放大区假设假设:F=20, R=0.02IB1=(VCC-VB1)/R1 =5V-1.4V/4K=0.9mA-IE1=RIB1=0.02*0.9=0.0

13、18mA-IC1=(R+1)IB1=0.918=IB2假设假设T2管工作在正向放大区管工作在正向放大区2220.9,2020 0.918BFCFBImAIImA在R2上产生的压降为18mA*4K=72V4K4K不成立不成立有效低电平输出有效低电平输出Vin输入低电平输入低电平有效范围有效范围0VIL有效高电平输出有效高电平输出Vout输入高电平输入高电平有效范围有效范围VIHVDD过渡区过渡区VOHVOL噪声噪声幅值VOLVIL噪声幅值 VIL-VOL高电平高电平噪声噪声幅值VIHVOH噪声幅值 VOH-VIH低电平低电平NMH=VOH-VIHNMH=VOH-VIH高噪声容限低噪声容限 两管单

14、元两管单元TTL与非门的静态特性与非门的静态特性- -负载能力负载能力.能够驱动多少个能够驱动多少个同类负载门正常工作同类负载门正常工作NN扇出ABCR1R2VCCB1B2T1T24K4K1. 求低电平输出时的扇出求低电平输出时的扇出解：负载电流IC=NNIILVCCVOT1T24K4KVCCVOT1T24K4K。IILN个ICIILIIL=(VCC-VBES)/R1=(5V-0.7V)/4K1.1mA)()(2222ILNOLCCOLRCBINRVVSIISSIImAISKRRVBOL9 . 0, 4,4, 3 . 0,20221设：解得：NN3ABCR1R2VCCB1B2T1T24K4K2

15、. 求高电平输出时的扇出求高电平输出时的扇出要求保证输出高电平要求保证输出高电平3V3V解：负载电流IC=NNIIHVCCVOT1T24K4KVCCVOT1T24K4K。IIHN个ICIIHIIH=-IE=0.018mAVOH=VCC-ICR2 3VNN=2522253535353270.0184CHIHHIHIRN INRIRmAK25ABCR1R2VCCVOB1B2T1T2简易简易TTLTTL与非门的缺点与非门的缺点1.1.输入抗干扰能力小输入抗干扰能力小2.2.电路输出端负载能力弱电路输出端负载能力弱3.I3.IB2B2太小，导通延迟改善小太小，导通延迟改善小四管单元与非门四管单元与非门

16、 典型四管单元典型四管单元TTL与非门与非门ABCR1R2VCCVOB1B2T1T2T3T51. T2管使电路低电平噪声容限管使电路低电平噪声容限VNML提高了一个结压降，因此电提高了一个结压降，因此电路抗干扰能力增强。路抗干扰能力增强。2. T3、T5构成推挽输出（又称图腾柱输出），使电路负载能力构成推挽输出（又称图腾柱输出），使电路负载能力增强。增强。3. T5基极驱动电流增大，电路导通延迟得到改善。基极驱动电流增大，电路导通延迟得到改善。ABCR1R2VCCVOB1B2T1T2电平移位作用电平移位作用R3R4180ABCR1R2VCCVOB1B2T1T2两管单元两管单元TTL与非门与非门

17、u 电路抗干扰能力小电路抗干扰能力小u 电路输出端负载能力弱电路输出端负载能力弱u IB2小，导通延迟较大小，导通延迟较大四管单元四管单元TTL与非门与非门T2管的引入提高管的引入提高了抗干扰能力了抗干扰能力有源负载的引入有源负载的引入提高了电路的负提高了电路的负载能力载能力ABCR1R2VCCVOB1B2T1T2T5ABCR1R2VCCVOB1B2T1T2T5电路导通时，T2、T5饱和VO=VOL 这时，T2管的集电极和输出之间的电位差为：VC2-VO=VCES2+VBES5-VCES5VBES5=0.8VT5和D不能同时导通D起了电平移位的作用R5T3ABCR1R2VCCVOB1B2T1T

18、2T5R5T3R1R2VCCVOB1B2T1T2T5R5T4ABT3T3、T4管构成达林顿管，管构成达林顿管，T4管不会进入饱和区管不会进入饱和区反向时反向时T4管的基极有泄放电阻，使电路的平均管的基极有泄放电阻，使电路的平均延迟时间下降延迟时间下降四管单元四管单元TTL与非门与非门五管单元五管单元TTL与非门与非门5 5管单元管单元TTLTTL与非门电路与非门电路输入级由多发射极晶体输入级由多发射极晶体管管T1和基极电组和基极电组R1组成，组成，它实现了输入变量它实现了输入变量A、B、C的与运算的与运算输出级：由输出级：由T3、T4、T5和和R4、R5组成组成其中其中T3、T4构成复合管，与

19、构成复合管，与T5组成推组成推拉式输出结构。具有较强的负载能力拉式输出结构。具有较强的负载能力中间级是放大级，由中间级是放大级，由T2、R2和和R3组成，组成，T2的集电极的集电极C2和和发射极发射极E2可以分提供两个相可以分提供两个相位相反的电压信号位相反的电压信号TTLTTL与非门工作原理与非门工作原理 输入端至少有一个接低输入端至少有一个接低电平电平0 .3V3 .6V3 .6V1V3 .6VT T1 1管管:A:A端发射结导通，端发射结导通，V Vb1b1 = V= VA A + V + Vbe1be1 = 1V = 1V，其它发射结均因反偏而截其它发射结均因反偏而截止止. .be4b

20、e3C2OHVVVV 5-0.7-0.7=3.6VV Vb1b1 =1V, =1V,所以所以T T2 2、T T5 5截止截止, , V VC2C2Vcc=5V, Vcc=5V, T T3 3：微饱和状态。微饱和状态。 T T4 4：放大状态。放大状态。电路输出高电平为：电路输出高电平为：5V 输入端全为高电平输入端全为高电平3 .6V3 .6V2.1V0 .3VT T1 1:V:Vb1b1= V= Vbc1bc1+V+Vbe2be2+V+Vbe5 be5 = = 0.7V0.7V3 = 2.1V3 = 2.1V因此输出为逻辑低电平因此输出为逻辑低电平V VOLOL=0.3V=0.3V3 .6

21、V发射结反偏而集电发射结反偏而集电极正偏正偏. .处于反向放大状态处于反向放大状态T T2 2：饱和状态：饱和状态T T3 3：V Vc2c2=V=Vces2ces2+Vbe51V+Vbe51V，使使T3T3导通，导通，V Ve3e3=V=Vc2c2-V-Vbe3be3=1-0.70.3V=1-0.70.3V，使使T4T4截止截止。T T5 5：饱和状态，：饱和状态，TTLTTL与非门工作原理与非门工作原理TTLTTL与非门工作速度与非门工作速度存在问题：存在问题：TTL门电路工作速度门电路工作速度相对于相对于MOSMOS较快，但由较快，但由于当输出为低电平时于当输出为低电平时T T5 5工作

22、在深度饱和状态，当输出工作在深度饱和状态，当输出由低转为高电平，由于在基区和集电区有存储电荷不由低转为高电平，由于在基区和集电区有存储电荷不能马上消散，而影响工作速度能马上消散，而影响工作速度。改进型改进型TTLTTL与非门与非门 可能工作在饱和状可能工作在饱和状态下的晶体管态下的晶体管T1、T2、T3、T5都用带有肖特都用带有肖特基势垒二极管（基势垒二极管（SBD）的三极管代替，以限的三极管代替，以限制其饱和深度，提高制其饱和深度，提高工作速度工作速度 01222DSDSTNGSNDSDSDSTNGSNDSIVVVkIVVVVkITNGSTNGSDSTNGSTNGSDSTNGSVVVVVVV

23、VVVVV, MOS晶体管的电流晶体管的电流-电压特性的经典描述：电压特性的经典描述： 萨氏方程萨氏方程 式中的式中的是是沟道长度调制因子沟道长度调制因子，表征了沟道长，表征了沟道长度调制的程度度调制的程度 MOS晶体管的动作晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使晶体管实质上是一种使电流时而流过，时而切断的电流时而流过，时而切断的n+n+p型硅基板型硅基板栅极栅极绝缘层（绝缘层（SiO2）半半导导体体基基板板漏极漏极源极源极非饱和区的电流方程推导非饱和区的电流方程推导DSGSTHVVVTGSVV)(xV(0) 0, ( )( )( )DSoxGSTHVV LVQ xWCVVV xTGSVVo

24、x()()GGSTGSTWLQCVVVVt( ),dVIQ xEdx ( )DSoxGSTHdVIWCVVV xdx00( )DSV VLDSoxGSTHxVIdxWCVVV x dV21()2DSoxGSTHDSDSWICVVVVL饱和区的电流方程饱和区的电流方程 MOS晶体管00( )GSTHVVLDSoxGSTHxVIdxWCVVV x dV21()2DSoxGSTHWICVVLDSGSTHVVVTGSVVL沟道长度调制效应沟道长度调制效应VDSID非饱和区非饱和区饱和区饱和区VDSsat=VGS-VTHn+n+p型硅基板型硅基板GSD21()2DSoxGSTHDSDSWICVVVVL非

25、饱和区的电流方程非饱和区的电流方程:21()2DSoxGSTHWICVVL饱和区的电流方程饱和区的电流方程:记住记住ID(0VDSVGS-VTH)(0 VGS-VTH Vgs-Vth只要开通，则工作在饱和区只要开通，则工作在饱和区VIN 0VOUT= VDD-VTHL当当VGS=VDD-(VDD-VTHL)=VTHL时时负载管关断负载管关断驱动管截止驱动管截止VIN VDD驱动管非饱和导通驱动管非饱和导通,负载管饱和导通负载管饱和导通22)()(21)(21THLOUTDDLoxnTHLGSLoxnDSLVVVLWCVVLWCI21)()(21)(22OUTOUTTHIDDIoxnDSDSTH

26、IGSIoxnDSIVVVVLWCVVVVLWCI)(21THLDDmImLOLVVggVTHLDDOHVVV为使为使VOL接近接近0，要求，要求gmLgmI有比电路有比电路E/E MOS反相反相 器器自举反相器自举反相器 ViVDDVo饱和型负载饱和型负载NMOS反相器反相器MEMLE/E反相器的输出高电平VDD比低个VT预充偏置管预充偏置管MB自举电容自举电容CBMBCBself loading 自举电路自举电路 采用耗尽型，采用耗尽型，VGS=0时时,一直工作处于导通状态一直工作处于导通状态VIN 0VOUT= VDD驱动管截止驱动管截止VIN VDD驱动管非饱和导通驱动管非饱和导通,负

27、载管饱和导通负载管饱和导通22)(21)()(21TDDoxnTDGSDDoxnDSDVLWCVVLWCI21)()(21)()(22OUTOUTTEDDIoxnDSDSTEGSEEoxnDSEVVVVLWCVVVVLWCI)(22TEDDRTDOLVVKVVDDOHVV有比电路有比电路nninoutMEMDDoxnEoxnRLWCLWCK)()( E/D MOS反相反相 器器v CMOS反相器工作原理反相器工作原理VinVoutVOL=0VOH=VDD在输入为在输入为0或或1（VDD)时，两个时，两个MOS管中总是一个截止管中总是一个截止一个导通，因此没有从一个导通，因此没有从VDD到到VS

28、S的直流通路，也没有电的直流通路，也没有电流流入栅极，因此其静态电流和功耗几乎为流流入栅极，因此其静态电流和功耗几乎为0。这是。这是CMOS电路低功耗的主要原因。电路低功耗的主要原因。CMOS电路的最大特点电路的最大特点之一是低功耗。之一是低功耗。CMOS反相器的传输特性反相器的传输特性VinVout0VDDVDD(1)(2)(3)(4)(5)N截止截止P非饱非饱和和N饱和饱和P非饱非饱和和N非饱非饱和和P饱和饱和N非饱非饱和和P截止截止VtnVDDVtpVinVinVoutVtpVinVoutVtnVtnVinVGS-VTH, , 工作在饱和区工作在饱和区02)VV(KdtdVCTNDDNO

29、LOTNDDNLdV)VV(KCdt22902902110)VV(K)V.V(CdV)VV(KCdV)VV(KCtTNDDNDDTNLVVV.OTNDDNLVVV.OTNDDNLfTNDDDDTNDDDDVin=VDD线性区线性区VinVout2. VOUT 从从VDD-VTH 下降到下降到 10%VDDN管的管的VDSVGS-VTH, , 工作在线性区工作在线性区20.122()2()-1920ln()2()DDDDTNVOLfNDDTNODDTNOVVDDTNLNDDTNDDdVCtKVVVVVVVVCKVVV 022VV)VV(KdtdVCOOTNDDNOLVin=VDDVinVout设

30、设VTN0.2VDD，则，则1.852LLfNDDNDDCCtk Vk V（准确值为）下降时间由下降时间由N管的尺寸决定管的尺寸决定21fffttt)VVVln()VV()V.V()VV(KC)VVVln()VV(KC)VV(K)V.V(CtDDTNDDTNDDDDTNTNDDNLDDTNDDTNDDNLTNDDNDDTNLf2019211020192102Vin=0VinVout设设|VTP|0.2VDD，则，则DDPLrVkCt2上升时间由上升时间由P管的尺寸决定管的尺寸决定如果如果N管和管和P管尺寸相等，管尺寸相等，KP 0.5KN(p 0.5 n),则则tr 2tf，因，因此，若希望此

31、，若希望trtf，则，则WP 2WN 解 由所给参数，得到N=0.2，根据0和SiO2的数值以及栅氧化层的厚度，可以计算得到单位面积栅电容Cox=6.910-8F/cm2，本征导电因子KN=4.1410-5A/V2，得 最后得到(W/L)N=1.43，近似取值2。将NMOS的宽长比乘2.5，得 (W/L)p=2.5(W/L)N=51.851.850.5/LfNNDDNCtkW LV基本基本CMOS逻辑门逻辑门-1pnAOnAOpnBp逻辑门的设计OpAnpBn复合逻辑门复合逻辑门ABCOABCOACBABDDCOABCACDDB逻辑门的设计2022-5-31西安理工大学 电子工程系 余宁梅Ex

32、clusive OR 逻辑门逻辑门逻辑门的设计OABAAABBBBBAA复合逻辑门复合逻辑门逻辑门的设计CMOS反相器版图反相器版图OutInVDDPMOSNMOSPolysiliconInOutVDDGNDPMOS2 Metal 1NMOSContactsN Well一、一、两管串联：两管串联：MOS管的串、并联特性管的串、并联特性晶体管的驱动能力是用其导电因子晶体管的驱动能力是用其导电因子k来表示的，来表示的，k值越大，值越大，其驱动能力越强。多个管子的串、并情况下，其等效导其驱动能力越强。多个管子的串、并情况下，其等效导电因子应如何推导？电因子应如何推导？VdVgT1T2K1K2VmVs

33、VdVsVgKeff比较（比较（3）（）（4）得：）得：1212effK KKKK111NeffiiKK同理可推出同理可推出N个管子串联使用个管子串联使用时，其等效增益因子为：时，其等效增益因子为：221212()DSDSDSGTSGTDVVVVVVIIIKK2212D SeffeffGTSGTDVVVVVVIKKKK1Ne f fiiKK二、两管并联：二、两管并联：VdVsVgKeffVdVgK1K2Vs同理可证，同理可证，N个个Vt相等的管子并联使用时：相等的管子并联使用时：baXBVDDA设：标准反相器的导电因子为设：标准反相器的导电因子为Kn=KpKn=Kp， 逻辑门：逻辑门：Kn1=Kn2=Kn Kp1=Kp2=KpKn1=Kn2=Kn Kp1=Kp2=Kp（1 1）a，b=1，1 1时，下拉管的等效导电因子：时，下拉管的等效导电因子：KeffnKeffn=Kn/2=Kn/2BVDDApn Kn/2Kn/2（2 2）a a，b=0b=0，0 0时，上拉管的等效导电因子：时，上拉管的等效导电因子：KeffpKeffp=2Kp=2Kp（3 3）a a，b=1b=1，0 0或或0 0，1 1时，上拉管的等效导电因子：时，上拉管的等效导电因子：effpeffp=p=p