第十章 淀积.

1、10.1 10.1 简介简介 在集成电路制造工艺中，常常需要在硅片在集成电路制造工艺中，常常需要在硅片的表面淀积各种固体薄膜。的表面淀积各种固体薄膜。薄膜厚度一般在纳薄膜厚度一般在纳米到微米的数量级，薄膜材料可以是金属、半米到微米的数量级，薄膜材料可以是金属、半导体或绝缘体。导体或绝缘体。 淀积薄膜的主要方法有淀积薄膜的主要方法有 热氧化（常压热氧化、低压热氧化、高压热氧化（常压热氧化、低压热氧化、高压热氧化等）热氧化等） 物理淀积（真空蒸发、溅射镀膜、分子束物理淀积（真空蒸发、溅射镀膜、分子束外延等）外延等） 化学汽相淀积（化学汽相淀积（CVD）（常压）（常压CVD、低压、低压CVD、等离子

2、增强、等离子增强CVD、气相外延等）、气相外延等） 随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。在积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。在20 世纪世纪60年代，二极管器件已经采用了化学气相年代，二极管器件已经采用了化学气相淀积技术完成的双层结构，即外延层和顶部的淀积技术完成的双层结构，即外延层和顶部的二氧化硅钝化层。参见下图。二氧化硅钝化层。参见下图。20世纪世纪90年代，先进的年代，先进的MOS器件具有器件具有4层金层金属内部连接，需要许多淀积层。主要有淀积属内部连接，需要许多淀积层。主要有淀积掺杂的硅层，称为掺杂的硅层，称

3、为外延层外延层，金属间的，金属间的绝缘介绝缘介质层质层，金属间的，金属间的导电连线导电连线，金属，金属导体层导体层和最和最后的后的钝化层钝化层。本章主要介绍化学气相淀积（本章主要介绍化学气相淀积（CVD）在常压和）在常压和低压技术中的实际运用。低压技术中的实际运用。10.1.1 成膜技术相关术语成膜技术相关术语 多层金属化多层金属化：用来连接硅片上高密度堆积器件：用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层和绝缘介质层的那些金属层和绝缘介质层 金属层金属层：铝金属化使用铝合金作为互连线，工：铝金属化使用铝合金作为互连线，工业界正在向铜金属化过渡。每层金属层被定义业界正在向铜金属化过渡。每层金属层被

4、定义为为Metal-1、 Metal-2，以此类推。，以此类推。 关键层关键层：线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金：线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。属层。 介质层介质层：介于硅上有源器件和第一层金属之间：介于硅上有源器件和第一层金属之间的电绝缘层称为第一层层间介质（的电绝缘层称为第一层层间介质（ILD-1），），这一层也被称为金属前绝缘层（这一层也被称为金属前绝缘层（PMD）。典型）。典型的的ILD-1是一层掺杂的是一层掺杂的SiO2。 层间介质层间介质（interlayer dielectric,ILD），应用），应用于器件不同的金属层之间。充当两层导电金属于器件不同的金属层之间。充当两

5、层导电金属或者相邻金属线条之间的隔离膜。常采用介电或者相邻金属线条之间的隔离膜。常采用介电常数为常数为3.9到到4.0的的SiO2。10.1.2 薄膜的参数薄膜的参数在半导体中薄膜需要满足的一般标准包括在半导体中薄膜需要满足的一般标准包括:1. 厚度厚度/均匀性均匀性 膜的厚度要膜的厚度要均匀均匀同时要同时要满足电性能和机械满足电性能和机械性能的要求性能的要求。淀积的膜必须。淀积的膜必须连续无空隙连续无空隙，以阻止杂质的进入和防止层间短路。以阻止杂质的进入和防止层间短路。 阶梯部位的厚度维护。过薄的阶梯部位的阶梯部位的厚度维护。过薄的阶梯部位的厚度可能导致器件短路或引入不需要的电厚度可能导致器

6、件短路或引入不需要的电荷，问题多出在窄而深的孔和沟槽处。称荷，问题多出在窄而深的孔和沟槽处。称这种情形为这种情形为高的深宽比（间隙的深度和宽高的深宽比（间隙的深度和宽度的比值）度的比值）模式。模式。高深宽比的间隙会使淀积厚度均匀的膜很困难，并高深宽比的间隙会使淀积厚度均匀的膜很困难，并且且会产生夹断和空洞。随着高密度集成电路特征尺寸会产生夹断和空洞。随着高密度集成电路特征尺寸的的不断减小，对于高的深宽比的间隙可以均匀、无空不断减小，对于高的深宽比的间隙可以均匀、无空洞的填充，淀积工艺显得至关重要。洞的填充，淀积工艺显得至关重要。2.表面平整度表面平整度/粗糙度粗糙度 粗糙度会对图像的形成产生影

7、响，所以淀粗糙度会对图像的形成产生影响，所以淀 积的膜必须平整、光滑。积的膜必须平整、光滑。3.组成组成/核粒尺寸核粒尺寸 在淀积过程中，薄膜材料趋向于聚集或成在淀积过程中，薄膜材料趋向于聚集或成 核。在相同的组成和厚度的薄膜中，核粒核。在相同的组成和厚度的薄膜中，核粒 尺寸上的变化会产生电性能和机械性能上尺寸上的变化会产生电性能和机械性能上 的差异。的差异。4.好的粘附性好的粘附性 为了避免薄膜分层和开裂，薄膜对衬底材为了避免薄膜分层和开裂，薄膜对衬底材料要有好的粘附性。薄膜表面的粘附性由表料要有好的粘附性。薄膜表面的粘附性由表面洁净度、薄膜能、合金材料类型等因素决面洁净度、薄膜能、合金材料

8、类型等因素决定。定。5.自由应力自由应力 淀积时附加额外应力的薄膜将通过裂缝的淀积时附加额外应力的薄膜将通过裂缝的形成而释放出来。要求无应力或低的膜应力。形成而释放出来。要求无应力或低的膜应力。6.纯净度和密度纯净度和密度 高纯度意味着在薄膜中没有那些会影响膜质高纯度意味着在薄膜中没有那些会影响膜质量的化学元素或分子。量的化学元素或分子。 膜密度也是膜质量的重要指标，显示膜层中膜密度也是膜质量的重要指标，显示膜层中针孔和空洞的多少。针孔和空洞的多少。7.好的电学特性好的电学特性 半导体中的金属传导层需要高传导、低电阻半导体中的金属传导层需要高传导、低电阻和低电容的材料；传导层之间使用的绝缘介和

9、低电容的材料；传导层之间使用的绝缘介质层需要高电容和高电阻的绝缘介质。质层需要高电容和高电阻的绝缘介质。10.2 化学气相淀积基础化学气相淀积基础 化学气相淀积（化学气相淀积（Chemical Vapo Deposition）是指利用热能、辉光放电、等离子体或其它形是指利用热能、辉光放电、等离子体或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态物质的工艺过程。物质的工艺过程。特点：特点： 产生化学反应产生化学反应 膜中的材料由外部提供膜中的材料由外部提供 反应物为气相形式反应

10、物为气相形式 样品本身不参加反应样品本身不参加反应 温度比较低温度比较低 淀积膜的厚度与时间成正比淀积膜的厚度与时间成正比 CVD薄膜分类薄膜分类半导体集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介半导体集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜以及超导膜等，几乎都质膜、半导体膜、导体膜以及超导膜等，几乎都能用能用CVD工艺来制备。工艺来制备。介质膜：介质膜：SiO2、Al2O3、TiO2、Fe2O3、 PSG、 BSG、Si3N4半导体半导体：Si、Ge、GaAs、GaP、AlN、InAs、V2O3导体导体：Al、Ni、Au、Pt、Ti、W、Mo、WSi2、掺杂多晶硅掺杂多晶硅超导体超

11、导体：Nb3Sn、NbN、Nb4N5 CVD工艺特点工艺特点1、CVD成膜温度远低于衬底材料的熔点或软化成膜温度远低于衬底材料的熔点或软化点，因而减轻了衬底片的热形变，减小了沾污，点，因而减轻了衬底片的热形变，减小了沾污，抑制了缺陷生成，减轻了杂质的再分布，适于抑制了缺陷生成，减轻了杂质的再分布，适于制造浅结分立器件以及制造浅结分立器件以及VLSI电路；电路；2、薄膜的成分精确可控、配比范围大，重复性、薄膜的成分精确可控、配比范围大，重复性 好；好；3、淀积、淀积速率速率一般一般高于高于PVD（ 物理气相淀积，如物理气相淀积，如 蒸发、溅射等）；厚度范围从几百蒸发、溅射等）；厚度范围从几百至数

12、毫至数毫 米，生产量大；米，生产量大；4、淀积、淀积膜结构膜结构完整、致密，与衬底粘附性好，完整、致密，与衬底粘附性好， 台阶覆盖性能好台阶覆盖性能好发生的化学反应可分为发生的化学反应可分为4种类型种类型:1. 高温分解：是仅受热量驱动的化学反应过高温分解：是仅受热量驱动的化学反应过程程2. 还原反应：是分子和氢气的化学反应过程还原反应：是分子和氢气的化学反应过程3. 氧化反应：是原子或分子和氧气的化学反氧化反应：是原子或分子和氧气的化学反应过程应过程4. 氮化反应：是形成氮化硅的化学工艺过程氮化反应：是形成氮化硅的化学工艺过程薄膜生长薄膜生长10.2.1 CVD工艺工艺1.基本基本CVD系统

13、设计系统设计2. CVD的工艺步骤的工艺步骤步骤包括：步骤包括：预清洗，去除微粒和游离的金属杂质预清洗，去除微粒和游离的金属杂质淀积，以循环的方式进行淀积，以循环的方式进行评估，包括阶梯覆盖、纯度、清洁度和化学评估，包括阶梯覆盖、纯度、清洁度和化学组成组成10.3CVD系统分类系统分类 CVD系统主要分为两种类型：常压和低压。系统主要分为两种类型：常压和低压。 不同的是热墙和冷墙。不同的是热墙和冷墙。 冷墙系统：直接加热晶圆托架或晶圆，加热冷墙系统：直接加热晶圆托架或晶圆，加热采采用感应或热辐射方式，反应室壁保持冷的状用感应或热辐射方式，反应室壁保持冷的状态。态。 热墙系统：加热晶圆托架和反应

14、室壁。热墙系统：加热晶圆托架和反应室壁。 冷墙优点冷墙优点:反应仅在加热的晶圆托架处进行。反应仅在加热的晶圆托架处进行。 热墙缺点：反应遍布整个反应室，反应物残热墙缺点：反应遍布整个反应室，反应物残留留 在反应室的内壁上，需要经常清洗内壁。在反应室的内壁上，需要经常清洗内壁。 CVD系统使用两种能源供给源：系统使用两种能源供给源：热辐射热辐射等离子体等离子体 气相外延（气相外延（VPE）:用于淀积组合膜的特殊用于淀积组合膜的特殊CVD系统系统 分子束外延（分子束外延（MBE）：是一种蒸发工艺，：是一种蒸发工艺，一次工艺步骤，可以在晶圆表面形成多个一次工艺步骤，可以在晶圆表面形成多个层的能力，优

15、于层的能力，优于CVD工艺工艺10.4 APCVD工艺化学反应在常压下进行，化学反应在常压下进行，APCVD常用于淀积二常用于淀积二氧化硅，特别是掺杂的氧化硅，特别是掺杂的SiO2 ，如磷硅玻璃，如磷硅玻璃（PSG）。）。APCVD特点：特点：(1)、Si片水平放置，产量低，易被管壁掉渣污片水平放置，产量低，易被管壁掉渣污染；染；(2)、常用温度、常用温度700 900 ，沉淀速率由质量转，沉淀速率由质量转移和反应速度决定移和反应速度决定(3)、均匀性较差，易产生雾状颗粒、粉末等。、均匀性较差，易产生雾状颗粒、粉末等。为提高均匀性，须提高稀释气体流量，同时降低为提高均匀性，须提高稀释气体流量，

16、同时降低淀积温度。目前普遍采用淀积温度。目前普遍采用LPCVD（常温下低压（常温下低压化学气相淀积）化学气相淀积）SiO2 和掺杂和掺杂SiO2 膜。膜。10.4.1 水平管水平管热感应式热感应式APCVD10.4.2桶式桶式辐射感应加热辐射感应加热APCVD10.4.3饼式热感应饼式热感应APCVD10.4.4连续传导加热连续传导加热APCVD10.4.5水平热传导水平热传导APCVD10.5 LPCVD工艺工艺用用APCVD系统淀积薄膜有不少缺点，主要是：系统淀积薄膜有不少缺点，主要是： 1.硅片硅片水平置于水平置于基座上，不仅使批量基座上，不仅使批量数目数目受管受管径和径和基座限制基座限

17、制，而且易于被管壁掉碴所，而且易于被管壁掉碴所污染污染，不得不采用高频感应炉加热，从而使不得不采用高频感应炉加热，从而使设备复设备复杂杂；2.常用反应常用反应温度温度为为(700900)，反应气体的，反应气体的质量转移系数与其表面反应速率大小近乎处质量转移系数与其表面反应速率大小近乎处于同一数量级因此总的淀积速率不能单纯于同一数量级因此总的淀积速率不能单纯由表面反应速率来决定由于质量转移系数由表面反应速率来决定由于质量转移系数的大小与衬底上方的边界层厚度有关的大小与衬底上方的边界层厚度有关 ，故故 反应室的几何尺寸反应室的几何尺寸，气体流速气体流速，基座形状基座形状与与放放置方式置方式都将对它

18、产生较大的都将对它产生较大的影响影响；3.淀积区内淀积区内 硅烷硅烷浓度浓度由前至后逐步由前至后逐步耗损耗损结结果使基座前后果使基座前后淀积速率淀积速率有明显的有明显的不同不同，使淀积的，使淀积的不均匀性不均匀性增加为了改善淀积的均匀性，将基座增加为了改善淀积的均匀性，将基座迎着气流倾斜数度，使管的截面发生变化，结果迎着气流倾斜数度，使管的截面发生变化，结果 气流速度随气流速度随X的增加而逐渐加大使反应物朝衬底的增加而逐渐加大使反应物朝衬底表面输运加快，以补偿反应气体的消耗表面输运加快，以补偿反应气体的消耗 LPCVD法则针对上述缺点从根本上作了改进。法则针对上述缺点从根本上作了改进。低压化学

19、气相淀积过程主要是低压化学气相淀积过程主要是表面反应速率控表面反应速率控制制由于表而反应速由于表而反应速 率主要与温度相关，因而率主要与温度相关，因而在在LPCVD系统中，我们可以把注意力主要放在系统中，我们可以把注意力主要放在温度控制温度控制上，而不必过多地顾及一些与质量转移上，而不必过多地顾及一些与质量转移过程有关的参变量而过程有关的参变量而精确精确地地抑制温度抑制温度，在工业，在工业上是比较上是比较容易实容易实 现现的实际应用的的实际应用的LPCVD系统系统温度可以控制在温度可以控制在1以内以内的精度因此的精度因此LPCVD淀积薄膜的淀积薄膜的均匀件和重复性均匀件和重复性与与APCVD系

20、统相比系统相比 有了很大的有了很大的改进改进 分子自由程是一个分子在反应室内与另一种分子自由程是一个分子在反应室内与另一种物质或分子，或晶圆支架碰撞前移动的平均物质或分子，或晶圆支架碰撞前移动的平均距离。碰撞改变了粒子的运动方向，自由程距离。碰撞改变了粒子的运动方向，自由程越长，薄膜淀积的均匀性越高越长，薄膜淀积的均匀性越高。 影响薄膜淀积的均匀性和阶梯覆盖性的因素影响薄膜淀积的均匀性和阶梯覆盖性的因素之一是反应室内分子的平均自由程。之一是反应室内分子的平均自由程。 决定自由程大小的主要因素是系统内的压力决定自由程大小的主要因素是系统内的压力所以，降低反应室内的压力可以增加平均自所以，降低反应

21、室内的压力可以增加平均自由程和薄膜的均匀性，也降低了淀积的温由程和薄膜的均匀性，也降低了淀积的温度。度。LPCVD的优点的优点:1. 较低的化学反应温度较低的化学反应温度2. 良好的阶梯覆盖和均匀性良好的阶梯覆盖和均匀性3. 采用垂直方式的晶圆装载，提高了生产率和降采用垂直方式的晶圆装载，提高了生产率和降低了在微粒中的暴露低了在微粒中的暴露4. 对气体流动的动态变化依赖性低对气体流动的动态变化依赖性低5. 气相反应中微粒的形成时间较少气相反应中微粒的形成时间较少6. 反应可在标准的反应炉内完成反应可在标准的反应炉内完成10.6等离子体辅助等离子体辅助CVD等离子体辅助等离子体辅助CVD的优点：

22、的优点： 工艺温度低（工艺温度低（250 450） 高的深宽比填隙能力（高的深宽比填隙能力（ HDPCVD ） 淀积膜粘附性好淀积膜粘附性好 淀积速率高淀积速率高 膜针孔和空洞少膜针孔和空洞少 工艺温度低，应用广。工艺温度低，应用广。等离子体辅助等离子体辅助CVD分类分类 等离子体增强等离子体增强CVD（ PECVD ） 高密度等离子体高密度等离子体CVD（ HDPCVD ）10.6.1增强型等离子体增强型等离子体 PECVD的优点的优点:淀积温度低，冷壁等离子体反应，产生颗粒淀积温度低，冷壁等离子体反应，产生颗粒少，需要少的清洗空间，低压与低温的结合提少，需要少的清洗空间，低压与低温的结合提

23、供了良好的薄膜均匀性和生产能力等。供了良好的薄膜均匀性和生产能力等。 缺点：填隙能力不足。缺点：填隙能力不足。10.6.2高密度等离子体高密度等离子体CVDHDPCVD具有更好的填隙能力，因而在具有更好的填隙能力，因而在0.25um及以后技术节点取代及以后技术节点取代PECVD。HDPCVD：等离子体在低压下以高密度混合气：等离子体在低压下以高密度混合气体体的形式直接接触衬底表面反应成膜。的形式直接接触衬底表面反应成膜。HDPCVD的优点：的优点：(1) 反应温度低；反应温度低；(2) 薄膜填充高纵横比间隙能力强；薄膜填充高纵横比间隙能力强；HDPCVD使用同步淀积和刻蚀，这是介质填充使用同步

24、淀积和刻蚀，这是介质填充高纵横比间隙且无空洞的基础。高纵横比间隙且无空洞的基础。10.7 气相外延气相外延10.8分子束外延分子束外延MBE系统的优点：系统的优点： 温度低（温度低（400-800） 在晶圆表面形成多个层在晶圆表面形成多个层 薄膜的薄膜的生长速率比较慢生长速率比较慢（60-600埃埃/分）分） 反应室内融合了薄膜生长和质量分析仪反应室内融合了薄膜生长和质量分析仪,使得晶使得晶圆之间的控制变得容易，形成均匀的薄膜。圆之间的控制变得容易，形成均匀的薄膜。10.9金属有机物金属有机物CVDMOCVD指半导体膜的金属有机物化学气指半导体膜的金属有机物化学气相淀积。是指用于相淀积。是指用

25、于VPE系统中的源系统中的源，使用，使用两种化学物质：卤化物和金属有机物。两种化学物质：卤化物和金属有机物。10.10 淀积膜淀积膜采用采用CVD技术淀积的薄膜，按电性能可分为半技术淀积的薄膜，按电性能可分为半导体膜、绝缘体膜和导体膜。导体膜、绝缘体膜和导体膜。10.10.1淀积的半导体膜淀积的半导体膜制造高质量的器件和电路，批量晶圆的使用存制造高质量的器件和电路，批量晶圆的使用存在着不足，比如说晶圆质量、掺杂范围的控在着不足，比如说晶圆质量、掺杂范围的控制，同时这些因素也限制了高性能双极晶体管制，同时这些因素也限制了高性能双极晶体管的制造。解决的方法就是硅淀积。称为外的制造。解决的方法就是硅

26、淀积。称为外延层。延层。10.10.2 多晶硅和非晶硅淀积多晶硅和非晶硅淀积多晶硅可以用作：多晶硅可以用作：多晶硅硅多晶硅硅电阻（多晶硅与难熔金属如电阻（多晶硅与难熔金属如Ti反应形成反应形成硅化物以减小电阻）硅化物以减小电阻） 沟槽填充沟槽填充 多层聚合物多层聚合物 接触阻隔层接触阻隔层 双极器件的发射极双极器件的发射极 硅化物金属配置中的一部分硅化物金属配置中的一部分 典型的多晶硅淀积工艺温度在典型的多晶硅淀积工艺温度在600650.在淀积的开始阶段，温度在在淀积的开始阶段，温度在575 以下，结构以下，结构是非晶态的，淀积工艺形成的多晶结构由单晶是非晶态的，淀积工艺形成的多晶结构由单晶硅

27、的小核组成硅的小核组成。 多晶硅的淀积主要采用低压化学汽相淀积多晶硅的淀积主要采用低压化学汽相淀积(LPCVD)的方法。的方法。 而掺杂则有离子注入，化学汽相淀积和而掺杂则有离子注入，化学汽相淀积和扩散等三种方法多晶硅晶粒大小，密切依扩散等三种方法多晶硅晶粒大小，密切依赖于淀积和掺杂条件。赖于淀积和掺杂条件。 淀积过程中的气相掺杂对多晶硅淀积率是淀积过程中的气相掺杂对多晶硅淀积率是有影响的有影响的 大量实验工作表明，在气相淀积多大量实验工作表明，在气相淀积多晶硅时，加入磷烷晶硅时，加入磷烷 、砷烷和硼烷等掺杂剂，将、砷烷和硼烷等掺杂剂，将会显著影响会显著影响 多晶硅的淀积率如图所示当掺多晶硅的

28、淀积率如图所示当掺入磷、砷时，多晶硅的入磷、砷时，多晶硅的 淀积率减小而掺入硼淀积率减小而掺入硼时则增加时则增加 10.10.3绝缘体和绝缘介质绝缘体和绝缘介质1.二氧化硅二氧化硅当用常压当用常压CVD工艺在工艺在Si表面淀积表面淀积SiO2膜时，与膜时，与热氧化工艺的不同之处有：热氧化工艺的不同之处有： CVD法法SiO2膜中的硅来自外加的反应气体，而膜中的硅来自外加的反应气体，而热氧化法热氧化法SiO2膜中的硅来自硅衬底本身，氧化膜中的硅来自硅衬底本身，氧化过程中要消耗掉一部分衬底中的硅；过程中要消耗掉一部分衬底中的硅； CVD法的反应发生在法的反应发生在SiO2膜的表面，膜厚膜的表面，膜

29、厚与时间始终成线性关系。而在热氧化法中，与时间始终成线性关系。而在热氧化法中，一旦一旦SiO2膜形成以后，反应剂必须穿过膜形成以后，反应剂必须穿过SiO2膜，反应发生在膜，反应发生在SiO2 /Si界面上；界面上； CVD法的温度较低，但膜的质量较差，通法的温度较低，但膜的质量较差，通常需经增密处理。而热氧化法的温度高，常需经增密处理。而热氧化法的温度高， SiO2结构致密，掩蔽性能良好。结构致密，掩蔽性能良好。（1）稀释的）稀释的SiH4同过量同过量O2 反应在热衬底上生长反应在热衬底上生长SiO2 ： 生成的薄膜质量较差，不适用于高级的器生成的薄膜质量较差，不适用于高级的器件设计和较大的晶圆件设计和较大的晶圆。（2）在高温（）在高温（900）LPCVD中采用氯化硅中采用氯化硅与二氧化氮反应形成二氧化硅：与二氧化氮反应形成二氧化硅： SiCl2 + 2NO2 SiO2 +2N2+ HCl （3）用）用TEOS(正硅酸乙酯）正硅酸乙酯）-臭氧方法淀积臭氧方法淀积SiO2 优点：优点：a、低温淀积；、低温淀积； b、高的深宽比填隙能力；、高的深宽比填隙能力； c、避免硅片表面和边角损伤；、避免硅片表面和边角损伤； 缺点：缺点： a、SiO2膜多孔；膜多孔； b、需要用回流来去潮气和增密；、需要用回流来去潮气和增密； c、膜厚时应力较大，需要和其它、膜厚时应力较大