大陆-台湾-英语的-led半导体照明术语对照表

1、半导体照明术语对照表2009 年 2月序号大陆术语英文定义台湾地区术语一、基本术语1-01半导体semiconductor两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝半導體缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化。1-02半导体器件semiconductor其基本特性是由在半导体中的载流子流动所半導體元件device决定的器件。1-03 半导体 二极管(semiconductor)具有非对称的电压电流特性的两引出端半导(半導體 )二極diode体器件。體1-04发光二极管；light-emitting当被电流激发时通过传导电子和光子的再复發光二極體LEDdiode合产生受激辐射

2、而发出非相干光的一种半导体二极管。1-05固态照明solid state采用固体发光材料，如发光二极管（LED）、 固態照明lighting场致发光（ EL）、有机发光（ OLED）等作为光源的照明方式。1-06半导体照明semiconductor采用 LED作为光源的照明方式。半導體照明lighting1-07衬底substrate用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺基板操作的基体单晶片。1-08外延片epitaxial wafer用外延方法制备的具有电致发光功能的结构磊晶片片。1-09发光二极管芯片light-emitting具有 PN结结构、有独立正负电极、加电后可發光二極體晶diod

3、e chip辐射发光的分立半导体晶片。片( 粒)1-10LED模块LED module由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、LED模組控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。1-12LED组件LED discreteness由 LED或 LED模块和电子元器件组合在一起，LED元組件具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。1-13内量子效率inner quantum有源区产生的光子数与所注入有源区的电子內部量子效率efficiency- 空穴对数之比。1-14出光效率light extraction逸出 LED结构的光子数与有源区产生的光子出光效率efficiency

4、数之比。实用标准文案序号大陆术语英文定义台湾地区术语1-15注入效率Injection注入 LED的电子 - 空穴对数与注入有源区的电注入效率efficiency子 - 空穴对数之比。1-16外量子效率outer quantum逸出 LED结构的光子数与注入 LED的电子 - 空 外部量子效率efficiency穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。二、 LED类型2-01单色光 LEDmonochromatic light发出单一颜色光的 LED，有红色、绿色、蓝色、 單色 LEDLED黄色、紫色等。2-02白光 LEDwhite light LED用单色芯片加荧光粉或多色芯

5、片组合合成白白光 LED色光的 LED。2-03直插式 LED；Dual In-line带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺砲彈型封裝DIP LEDPackage LED的 LED。LED2-04贴片式 LED；Surface Mounted正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工表面封裝型SMD LEDDevices LED艺的 LED。LED2-05小功率 LEDlow power LED单芯片工作电流在 100mA（含 100mA）以下的小功率 LED发光二极管。2-06功率 LEDpower LED工作电流在 100mA以上的发光二极管。高功率 LED2-07LED数码管LED nix

6、ietube采用 LED显示数字或字符的器件或模块。LED尼士管2-08LED显示器LED displayer采用 LED显示数字、符号或图形的器件或模LED顯示器块。2-09LED背光源LED backlight采用 LED作光源， 为被动显示提供光源的LED LED背光源器件或模块。三、外延（工艺）3-01外延epitaxy用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长磊晶单晶材料的工艺。在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。3-02量子阱quantum well组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交量子井替排列形成载流子势垒或势阱

7、，并且具有量子效应的材料结构。3-03单量子阱single quantum well只有一个量子阱的材料结构。單層量子井3-04多量子阱multi-quantum well包含多个单量子阱的材料结构。多層量子井3-05金属有机化学汽metal organic金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经有機金屬化合相沉积；chemical vapor热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。物半導體磊晶MOCVDdeposition技術3-06超晶格super lattice两种（或两种以上）组分（或导电类型）不超晶格同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远大于材料的晶

8、格常数，但接近于或小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）。精彩文档实用标准文案序号大陆术语英文定义台湾地区术语3-07异质结heterogeneous由两种或两种以上不同的半导体材料形成的異質接面structure异型（ P-N）异质结构或同型（ P-P 或 N-N）异质结构。3-08单异质结single由两种不同的半导体材料形成的异型（P-N） 單異質接面heterojunction异质结构或同型（ P-P 或 N-N）异质结构。3-09双异质结double包含两个异质结的异质结构。雙異質接面heterojunction3-10图形化衬底graphical substrate在外延生长前，

9、采用蚀刻的方法，在表面形圖形化基板成一定图案的衬底。四、芯片（工艺）4-01湿法蚀刻wet etching将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去濕式蝕刻除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。4-02干法蚀刻dry etching将晶片置于等离子气体中，通过气体放电去乾式蝕刻除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。4-03曝光exposure利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光刻曝光胶进行光化学反应的过程。4-04烘胶baking在一定的温度下，使光刻胶固化的过程。烘烤4-05蒸镀evaporation将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真蒸鍍空状态下沉积在待镀材料表面。4-0

10、6激光剥离laser lift-off利用激光照射在芯片上，使外延层和衬底界雷射剝離面处熔化，从而将二种材料分离的方法。4-07欧姆接触ohmic contact电压 - 电流特性遵从欧姆定律的非整流性的歐姆接觸电和机械接触。4-08氧化铟锡电极Indium Tin Oxide蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡氧化銦錫電極electrode ITO的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电流扩展及透光。4-09衬底转移；substrate transfer将外延材料的外延层键合到其它基板黏合金属键合metal bonding衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。4-10金属反射层reflecti

11、ve metal在 LED芯片表面蒸镀一层金属，形成一种可金屬反射層electrode提高外量子效率的光反射层。4-11同侧电极结构lateral electrodeP、 N电极在芯片的上面，使部分电流横向流同側電極結構structure过外延层的一种电极结构。4-12垂直电极结构vertical electrodeP、 N电极分别在芯片的上下二端，使电流垂垂直電極結構structure直流过外延层的一种电极结构。4-13承载基板support substrate用来承载外延层或芯片，并提供承載基板电极接触的一种材料。4-14表面粗化surface roughening在 LED外延片或芯片表

12、面形成可以提高芯片表面粗化出光效率和外量子效率的粗糙表面结构。4-15正装芯片normal chip发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料傳統晶片精彩文档实用标准文案序号大陆术语英文定义台湾地区术语与支架焊接在一起的一种芯片结构。4-16倒装芯片flip chip发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板覆晶晶片上，形成一种芯片衬底（或靠原衬底面）朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构。4-17芯片分选chip sorting按不同参数（例如电压、电流、波长、光强晶片分級等）对芯片进行分档测试选择。4-18内陷电极recessed electrode电极镶嵌在 LED芯片外延层刻槽中。嵌入電極4-19

13、互补电极complementary在 LED芯片垂直结构中，为避免底部所发光互補電極electrode被顶部 N电极吸收，在 N电极正下方电极区域制作一个高阻层，使电流分布在N电极投影以外的互补区域。4-20N面出光light extraction发光二极管有源区发出的光从LED芯片的 NN 極出光from N side面取出。4-21侧面钝化lateral passivation在 LED芯片侧面镀上保护层，使芯片避免沾側面鈍化污、保护芯片稳定性和可靠性。五、封装5-01支架；leadframe提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组支架框架零件。5-02点胶coat在 LED支架的相应位置点

14、上银胶或绝缘胶。點膠5-03装架die attachment (die将 LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB固晶bond)或 LED支架相应的位置上。5-04烧结sinter通过高温加热，使银胶固化。固化5-05引线键合；wire bonding为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片打線压焊电极与支架（框架）的引出端。5-06LED 封装LED package将 LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、LED封裝出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸。5-07灌封embedding采用模条灌装成型的封装方式。嵌入5-08塑封moulding采用模压成型的封装方式。模具成型5-09点胶

15、封装coating package采用点胶成型的封装方式，也称软包封。點膠封裝5-10热沉heat sink与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金散熱片属或其它材料的导热体。5-12共晶焊eutectic bonding在 LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使之共熔的一种焊接方法。5-13透明介质transparent medium无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。5-14固化cure通过高温加热，使封装环氧固化。5-15切筋dam-bar cut切断 LED支架的连筋。共金結合透明介質固化切腳精彩文档序号大陆术语英文5-16气泡air bladde

16、r5-17黑点stain5-18划痕nick5-19变色discoloration六、光度量术语6-01可见光visible light6-02辐射通量；radiant flux辐射功率radiant powere； P6-03光通量luminous fluxv； 6-04总光通量total luminous flux6-05辐射能量radiant energy ；QQ6-06光量quantity of lightQ； Qv6-07辐射强度radiant intensityI e； I6-08发光强度luminous intensityIV； I6-09平均发光强度averaged lumin

17、ousI、 I、 ILEDIntensityLEDAeLED AvBe、 I LED Bv实用标准文案定义台湾地区术语LED封装体内存在的任何局部空隙。氣泡外来异物在 LED封装体中所形成的点状体。黑點LED封装体表面上的机械划伤、压伤和外界杂刮痕质所引起的无序凹坑。LED封装体及支架镀层上的任何颜色变化。變色能直接引起视觉的光学辐射。其波长范围一可見光般在 380 780nm。以辐射形式发射、传播或接收的功率，单位輻射通量 ; 輻为 W。射功率从辐射通量 e 导出的量，该量是根据辐射对光通量CIE 标准光度观测者的作用来评价的。对于明视觉：vK830 de( )v ()dmd360式中 :

18、de() 是辐射通量的光谱分d布； v () 是光谱光视效率。单位为 lm注 1：Km值( 明视觉 ) 和 Km值 ( 暗视觉 ) 参见 GB/T 2900.65-2004 定义 845-01-56 。注 2：LED的光通量通常以它们所属种类的组来表示。总光通量是在光源立体角4范围内累积的總光通量光通量之和。 I d式中 I 为发光强度； 为光源立体角范围。在给定的持续时间 t 内，辐射通量 e 的时 輻射能间积分，单位为 J。在给定的持续时间t 内，光通量 v 的时间總光量积分，单位为 lm/s 。离开辐射源的， 在包含给定方向的立体角元d 輻射強度内传播的辐射能量de 除以该立体角元，单位

19、为 W sr 。离开光源的，在包含给定方向的立体角元d光強度内传播的光通量dv 除以该立体角元，单位： cd=lm/sr光源在一定的立体角内发射的光（或辐射）平均光強度通量与该立体角的比，可表示为:精彩文档实用标准文案序号大陆术语英文定义台湾地区术语 vI v注： CIE 推荐标准条件 A（探测器面积 1cm2，光源到探测器间距 316mm，对应立体角为0.001 ）和 B（探测器面积 1cm2，光源到探测器间距100mm，对应立体角为 0.01 ）分别来测量远场和近场条件下的平均LED发光强度 , 可以分别用符号 I LED Ae、 I LED Av 、 I LED Be、I LED Bv

20、来表示。6-10辐射亮度radiance给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强輻射率 ( 輻射度，与辐射束元垂直于指定方向上的面积之亮度 )比。其数值与辐射面的性质有关，并且随方向而变化，单位为W/(m2.sr)。6-11光亮度luminance给定点的光束元在给定方向上的发光强度，輝度LV与光束元垂直于指定方向上的面积之比。单位为 cd/m2。6-12辐射照度irradiance包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点輻射照度2e面元面积之比。单位为 W/m。E； E6-13光照度illuminance包含该点的面元上所接收的光通量，与该点照度Ev ； E面元面积之比。单位为lx 或 lm/m2

21、。6-14平均照度average illuminance被照表面接收到的光通量与接收面积的比平均照度Eo值，单位为 lx 或 lm/m2。6-15辐射出射度radiant Exitance离开包含该点面元的辐射通量，与该点面元輻射發散度Me ； M面积之比。单位：2( 輻射出射度 )W/m。6-16流明lumen光通量的 SI 单位：由一个发光强度为1cd 的 流明lm均匀点光源在单位立体角（球面度）内发射的光通量。（第 9 届国际度量大会， 1948 年）。等效定义：频率为5401012 赫兹、辐射通量为 1/683 瓦特的单色辐射束的光通量。6-17辐射效率radiant efficien

22、cy辐射源发射的辐射功率 e与其消耗的电功率輻射效率eP 的比值。6-18发光效能；luminous efficacy光源发射的光通量V 与其消耗的电功率P 的 發光效率光源的光视效能luminous efficacy比值，单位为 lm/W。Vof a source6-18辐射的光视效能luminous efficacy光源发射的光通量V 与其发射的辐射功率 視效函數 (光Kof radiatione的比值，单位为lm/W。見度 )6-20眩光glare由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度眩光太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。6-21光轴optical axis关于主

23、辐射能分布中心的一条直线。光軸注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。6-22半强度角half-intensity发光强度值为光轴向强度值一半时光束方向半功率發射角1/2angle与光轴向（法向）的夹角。( 半強度角 )精彩文档实用标准文案序号大陆术语英文定义台湾地区术语6-23立体角solid angle以立体角的顶点为球心，以r 为半径作一个立體角球面，则此立体角为其边界在此球面上所截的面积 dS与半径 r 的平方之比。6-24光出射度luminous exitance离开表面一点处的面元的光通量除以该面元光束發散度的面积。( 光出射度 )6-25峰值发射波长peak emission

24、辐射功率最大值所对应的波长。峰值波長pwavelength6-26中心波长centre wavelength光谱带宽两端点处波长的中心处中心波長0 .5和0.5波长定义为 0 .5 m ，计算式为：/ 20.5 m0 .50.5注 : 在有些应用中用0.1 表示最大强度十分之一处对应的两个波长构成的光谱带宽。6-27重心波长centroid wavelength光谱分布的重心波长c 表示的是“质量中心重心波長的波长”，按下式计算：22CSX ( )d / SX ( )d11当测量计算不同 LED的典型光谱分布的重心波长时，其结果可能受到相对光谱曲线渐小尾部的微小值的很大影响，此处测量的不确定性

25、由于受到杂散辐射、噪声和放大器偏置的影响而增加。6-28光谱辐射带宽spectral radiation光谱辐射功率等于或大于最大值的一半时的光譜頻帶寬度bandwidth波长间隔。( 光譜輻射帶寬 )6-29光谱功率分布spectral power光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率光譜功率分佈P ( )distribution分布。以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。6-30辐射通量密度radiant Flux通过单位面积的辐射通量，单位为2輻射通量密度W/m。Density6-31发光效率luminescent光源消耗每一瓦电能所发出的光。单位为流發光效率efficie

26、ncy明每瓦（ lm/w ）。6-32光通量效率luminous flux器件发射的光通量 V 与器件的电功率（正向光通量效率Vefficiency; or电流IF 乘以正向电压F）的比值。VLuminous efficiency七、色度量术语7-01显色指数colour rendering光源显色性的度量。以被测光源下物体的颜演色指數index色和参照光源下物体的颜色的相符程度来表示。国际照明委员会CIE 把太阳的显色指数定为 100。7-02显色性color-rendering光源显现被照物体真实颜色的能力。物体的演色性properties真实颜色是指在参照照明体（通常为完全辐射体）下所呈

27、现的颜色。精彩文档实用标准文案序号大陆术语英文7-03色温colour temperatureTc定义当光源的色品是与某一温度下完全辐射体的色品相同时，该完全辐射体的绝对温度为此光源的色温，单位为 K。台湾地区术语色溫7-04相关色温correlated colourtemperature7-05主波长dominant wavelength7-06色品坐标chromaticitycoordinates黑体轨迹上，和某一光源的色品坐标相距最相關色溫近的那个黑体的绝对温度，即为该光源的相关色温。为 25环境温度下一单色刺激的波长，该单主發光波長色刺激与规定的非彩色刺激按适当比例相加(主波長 )混合

28、，以与所考虑的色刺激相匹配。对于 LED，参考色刺激应为色坐标XE=0.3333 ，YE=0.3333 的光源 E。一组三色刺激值中的每一个值与它们的总和色度座標之比。注 1：由于三个色品坐标之和等于 1，所以知道其中两个便能确定色品。注 2：在 CIE 标准色度系统中，色坐标用符号x、y、z 表示。7-07色饱和度color saturation色饱和度也称为色纯度，是指彩色的纯洁性。色飽和度在 x-y 色度图中，光谱色轨迹所代表的各种波长的单色光，其纯度最高，色饱和度规定为 100%。色度图内各点所代表的某一颜色，被认为是由某一波长的单色光和白光混合而成，越靠近白点，所混白色越多，其色饱和

29、度也越低。7-08色差color difference定量表示的色知觉差别。用E 表示。色差7-09色容差color tolerance试验色与规定色之间色差的容许范围。色容差八、热、电测量术语8-01结温junctionLED器件中主要发热部分的半导体结的温度。接面溫度temperature8-028-038-04额定结温rated junctionLED正常工作时所允许的最高结温。 在此温度額定接面溫度temperature下，一切有关的额定值和特性都能得到保证。管壳温度case temperatureLED工作时管壳规定点的温度。外殼溫度热阻thermal resistance器件的有效

30、温度与外部规定参考点温度之差熱阻除以器件中的稳态功率耗散所得的商。8-05结 - 管壳热阻thermal resistanceLED PN结到管壳之间的热阻。接面 - 外殼溫Rfrom junction to度th （ J-C）case8-06结 - 环境热阻thermal resistanceLED PN结到环境之间的热阻。它提供在最少接面 - 環境熱th （J-A ）from junction to热流失的特殊环境里结到环境的热阻值。阻Rambient8-07静电放电；electrostatic具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接靜電放電ESDdischarge触引起的电荷转移。精彩文档

31、序号8-088-098-108-118-128-138-148-158-168-178-188-198-208-218-228-238-248-25实用标准文案大陆术语英文定义台湾地区术语静电放电电压敏voltage使器件失效的静电放电电压值。ESD失效電壓感值静电放电耐受电withstand voltage使器件不失效的最大静电放电电压值。ESD承受電壓压人体模式静电放human body model采用电阻电容组成的放电网络模拟人体指尖人體放電模式电；的静电放电。HBM机器模式静电放machine model采用 200pF 电容和零欧姆串联电阻组成放电機器放電模式电；网络模拟来自机器的静

32、电放电。MM总电容capacitance在规定正向偏压和规定频率下，LED两端的电總電容容。寿命life timeLED在规定工作条件下光输出功率或光通量壽命衰减到初始值 50%或 70%时的工作时间。单位为小时（ h）。正向电流forward current发光二极管正常发光时，流过LED器件的电順向電流I F流。正向电压forward voltage通过 LED器件的正向电流 I F 为规定值时，在順向電壓V两极间产生的电压降。F反向电流reverse current加在 LED器件两端的反向电压为确定值时，逆向電流I R流过 LED器件的电流。反向电压reverse voltageLED

33、器件通过的反向电流为确定值时，在两极逆向電壓VR间所产生的电压降。最大正向电流maximum forward允许通过 LED的最大的正向直流电流。最大順向電流I FMcurrent最大正向峰值电forward允许加于 LED两端正向脉冲电流的最大值。最大順向峰值流Peak-current電流I FPM击穿电压breakdown voltage允许加于 LED两端的最大反向电压。擊穿電壓VBR额定功耗rated power允许加于 LED两端电功率的最大值。額定功率mconsumptionP电压 - 电流特性voltage-current发光二极管的电压与电流的函数关系曲线。電壓 - 電流特ch

34、aracteristic性响应时间response timeLED开通时间、关断时间、上升时间、下降时反應時間 ( 回间和开通或关断的延迟时间的总称。主要取應時間 )决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。扩散电流diffusion currentLED热平衡状态遭到破坏， 因浓度差引起载流擴散電流子的扩散运动，产生的电流。漂移电流drift currentLED在外加电场作用下， 载流子将在热骚动状飄移電流精彩文档实用标准文案序号大陆术语英文定义台湾地区术语态下做漂移运动，产生的电流。8-26势垒电容barrier capacitance在 LED的 PN结上的电压有一小的变化，即V隔離電容

35、 ( 障 V, 相应产生的贮存电荷量变化为Q- Q。 壁電容 )当 V 足够小，可近似认为 Q与 V呈线性关系时，定义势垒电容C :T:CTQdQVdV V8-27扩散电容diffusion当外加正向电压时，注入P 区的少子（电子）擴散電容capacitance在 P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在 P 区有电子的积累。同理，在 N 区有空穴的积累。正向电流越大，积累的电荷就越多。这样所产生的电容就是扩散电容。8-28微变电阻tiny change of是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变微變電阻resistor化与电流的变化之比九、材料9-01LED用荧光粉phosphor fo

36、r LED指可以被发光二极管 （ LED芯片）发出的光激半導體發光二发而发出可见光的无机粉末材料。極體用螢光粉9-02光谱功率分布Spectral power光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率光譜功率分佈distribution分布。以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。9-03相对亮度relative brightness在规定的激发条件下，荧光粉试样与同牌号相對亮度r标准样品的亮度之比。B9-04激发波长excitation激发荧光粉发光的光源的波长，单位为nm。激發波長exwavelength9-05激发光谱excitation spectrum指荧光粉发出的光的某一谱

37、线或谱带的强度激發光譜或发光效率随激发波长（或频率）的变化。9-06发射光谱emission spectrum荧光粉发光的强度按波长或频率的分布曲發射光譜线，称为发射光谱。9-07发射主峰main emission peak荧光粉发射光谱中强度最大的波长，单位为主峰值波長emnm。9-08半宽度；Full Width at Half光谱曲线峰值的一半处的总宽度，单位为 nm。 光譜頻帶寬度FWHMMaximum9-09能量（功率）效energy efficiency荧光粉的发射荧光能量（功率）与所吸收的能量(功率)效率激发能量（功率）之比。率 p9-10量子效率quantum efficien

38、cy发射的荧光光子数与所吸收的激发光子数之量子效率q比。精彩文档实用标准文案序号大陆术语英文定义台湾地区术语9-11流明效率luminous efficiency发光的流明数与激发能量之比，称为流明效發光效率l率。它和能量效率的关系如下：lp683P Vd /Pd式中：常数683 是光功率的最大流明当量。P光谱功率分布，lm/W；V光谱光视效率，见GB3102.6-93中的 6-37.2 。9-12劣化；deterioration指荧光粉在半导体发光二极管中使用时发光劣化退化强度随时间逐渐降低的现象。9-13红色比red ratio红色比为光源所发射的光谱红色部分（600 紅色比R780nm）

39、占可见光部分（ 380 780nm）的百分比。9-14体色body color在自然光下，直接观察荧光粉时所看到的荧體色光粉的颜色。9-15机械杂质mechanical impurity在自然光下，直接观察荧光粉时所看到的不機械雜質同于粉体的其它夹杂物。9-16比表面积Specific surface荧光粉颗粒的表面积与其质量（或体积）之比表面積area比。单位为 cm2/g （或 cm-1 ）9-17密度；density单位体积荧光粉的质量，也称真密度。单位密度为 g/cm39-18松装密度；apparent density在指定的条件下荧光粉自由降落至充满单位視密度a体积的质量，即单位体积松装荧光粉的质量。单位为 g/