第6章磁敏式传感器

1、第第 6 章章 磁敏式传感器磁敏式传感器6.1 6.1 磁电感应式传感器磁电感应式传感器16.2 6.2 霍尔式传感器霍尔式传感器6.3 6.3 磁敏电阻器磁敏电阻器36.4 6.4 磁敏式传感器的应用磁敏式传感器的应用42 磁敏式传感器磁敏式传感器是通过磁电作用将被测量（如是通过磁电作用将被测量（如振动、位移、转速等）转换成电信号的一种传振动、位移、转速等）转换成电信号的一种传感器。磁敏式传感器种类不同，其原理也不完感器。磁敏式传感器种类不同，其原理也不完全相同，因此各有各的特点和应用范围。全相同，因此各有各的特点和应用范围。 概述 磁电感应式传感器也称为磁电感应式传感器也称为电动式传感器电

2、动式传感器或或感应式传感器感应式传感器。磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对运动产生电动式的，它不需要辅助电源就能把运动产生电动式的，它不需要辅助电源就能把被测对象的机械量转换成易于测量的电信号，被测对象的机械量转换成易于测量的电信号，是是有源有源传感器。传感器。由于它输出功率大且性能稳定，具有一定的工由于它输出功率大且性能稳定，具有一定的工作带宽（作带宽（10101000 Hz1000 Hz），所以得到普遍的应用。），所以得到普遍的应用。 6.1 磁电感应式传感器 6.1.1 6.1.1 磁电感应式传感器工作原理磁电感应式传感器工作原理根据电磁感应

3、定律，当根据电磁感应定律，当w w匝线圈在恒定磁场内运动匝线圈在恒定磁场内运动时，设穿过线圈的磁通为时，设穿过线圈的磁通为，则线圈内的感应电势，则线圈内的感应电势E E与磁通变化率与磁通变化率d/dtd/dt有如下关系：有如下关系： 根据这一原理，可以设计成两种磁电传感器结构：根据这一原理，可以设计成两种磁电传感器结构：变磁通式变磁通式和和恒磁通式恒磁通式。图图6-16-1是变磁通式磁电传感器，用来测量旋转物体是变磁通式磁电传感器，用来测量旋转物体的角速度。的角速度。(6 1)dEwdt 6.1 磁电感应式传感器 图图6-16-1（a a）为开磁路变磁）为开磁路变磁 通式：线圈、磁铁静止通式：

4、线圈、磁铁静止 不动，测量齿轮安装在不动，测量齿轮安装在被被 测旋转体上，随之一起测旋转体上，随之一起转转 动。每转动一个齿，齿动。每转动一个齿，齿的的 图图6-16-1（a a） 凹凸引起磁路磁阻变化凹凸引起磁路磁阻变化一次，磁通也就变化一次，线圈中产生感应电势，一次，磁通也就变化一次，线圈中产生感应电势，其变化频率等于被测转速与测量齿轮齿数的乘积。其变化频率等于被测转速与测量齿轮齿数的乘积。这种传感器结构简单，但输出信号较小，且因高这种传感器结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速。速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速。6.1 磁电感应式传感器 图图6-16-1

5、（b b）为闭磁路变磁）为闭磁路变磁 通式，它由装在转轴上的通式，它由装在转轴上的 内齿轮和外齿轮、永久磁内齿轮和外齿轮、永久磁 铁和感应线圈组成，内外铁和感应线圈组成，内外 齿轮齿数相同。当转轴连齿轮齿数相同。当转轴连 图图6-16-1（b b） 接到被测转轴上时，外齿接到被测转轴上时，外齿轮不动，内齿轮随被测轴而转动，内、外齿轮的相对转轮不动，内齿轮随被测轴而转动，内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化，从而引起磁路中磁通的动使气隙磁阻产生周期性变化，从而引起磁路中磁通的变化，使线圈内产生周期性变化的感生电动势。感应电变化，使线圈内产生周期性变化的感生电动势。感应电势的频率与被测转速

6、成正比。势的频率与被测转速成正比。6.1 磁电感应式传感器图图6-2 6-2 恒磁通式磁电传感器结构原理图恒磁通式磁电传感器结构原理图图图6-2 6-2 恒磁通式磁电传感器结构原理图恒磁通式磁电传感器结构原理图6.1.1 磁电感应式传感器磁路系统产生恒定的直流磁场，磁路中的工作气磁路系统产生恒定的直流磁场，磁路中的工作气隙固定不变，因而气隙中磁通也是恒定不变的。隙固定不变，因而气隙中磁通也是恒定不变的。其运动部件可以是线圈（动圈式），也可以是磁其运动部件可以是线圈（动圈式），也可以是磁铁（动铁式），动圈式（如图铁（动铁式），动圈式（如图6-26-2（a a）和动铁）和动铁式（如图式（如图6-2

7、6-2（b b）的工作原理是完全相同的。）的工作原理是完全相同的。当壳体随被测振动体一起振动时，由于弹簧较软，当壳体随被测振动体一起振动时，由于弹簧较软，运动部件质量相对较大。当振动频率足够高（远运动部件质量相对较大。当振动频率足够高（远大于传感器固有频率）时，运动部件惯性很大，大于传感器固有频率）时，运动部件惯性很大，来不及随振动体一起振动，近乎静止不动，来不及随振动体一起振动，近乎静止不动，6.1.1 磁电感应式传感器 振动能量几乎全被弹簧吸收，永久磁铁与线圈之间振动能量几乎全被弹簧吸收，永久磁铁与线圈之间的相对运动速度接近于振动体振动速度，磁铁与线的相对运动速度接近于振动体振动速度，磁铁

8、与线圈的相对运动切割磁力线，从而产生感应电势为圈的相对运动切割磁力线，从而产生感应电势为: : 式中：式中： B0 B0工作气隙磁感应强度；工作气隙磁感应强度； L L每匝线圈平均长度；每匝线圈平均长度； w w线圈在工作气隙磁场中的匝数；线圈在工作气隙磁场中的匝数； v v相对运动速度。相对运动速度。0(62)EwB Lv 6.1 磁电感应式传感器6.1.2 6.1.2 磁电感应式传感器基本特性磁电感应式传感器基本特性当测量电路接入磁电传感器电路中，磁电传感器的当测量电路接入磁电传感器电路中，磁电传感器的输出电流输出电流I I为为: : （6-36-3）式中：式中： R Rf f测量电路输入

9、电阻；测量电路输入电阻； R R 线圈等效电阻。线圈等效电阻。传感器的电流灵敏度为传感器的电流灵敏度为: :00ffB LwvEIRRRR00(64)IfIB LwSvRR6.1 磁电感应式传感器而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为: : 当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、 机械振动或冲击时，其灵敏度将发生变化而产生测机械振动或冲击时，其灵敏度将发生变化而产生测量误差。相对误差为量误差。相对误差为 磁电式传感器在使用时存在误差，主要为磁电式传感器在使用时存在误差，主要为非线性非线性误误差和差和温度温度

10、误差。误差。000(65)fffB LwvRUI RRR00(66)fUfB Lw RUSvRR(67)IIdsdBdLdRsBLR6.1 磁电感应式传感器图图6-3 6-3 传感器电流的磁场效应传感器电流的磁场效应1) 1) 非线性误差非线性误差 磁电式传感器产生非线性误差的主磁电式传感器产生非线性误差的主要原因是：由于传感器线圈内有电流要原因是：由于传感器线圈内有电流I I流过时，将流过时，将产生一定的交变磁通产生一定的交变磁通II，此交变磁通叠加在永久，此交变磁通叠加在永久磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通变磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通变化如图化如图6-36-3所示。所

11、示。 6.1 磁电感应式传感器此时灵敏度减小，反之，灵敏度增加。2 2）温度误差温度误差 当当温度变化时，式（温度变化时，式（6-7）中右边三项）中右边三项都不为零，对铜线而言每摄氏度变化量为都不为零，对铜线而言每摄氏度变化量为dL/L0.16710-4，dR/R0.4310-2，dB/B每摄氏每摄氏度的变化量取决于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永度的变化量取决于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永久磁合金，久磁合金，dB/B-0.0210-2，这样由式（，这样由式（6-7）可得）可得近似值近似值： 这一数值是很可观的，所以需要进行温度补偿。这一数值是很可观的，所以需要进行温度补偿。补偿通常采用补偿通

12、常采用热磁分流器热磁分流器。热磁分流器由具有很大负。热磁分流器由具有很大负温度系数的特殊磁性材料做成。它在正常工作温度下温度系数的特殊磁性材料做成。它在正常工作温度下已将空气隙磁通分路掉一小部分。已将空气隙磁通分路掉一小部分。 6.1 磁电感应式传感器4.5% 10tC 磁电式传感器直接输出感应电动势，且传感器磁电式传感器直接输出感应电动势，且传感器通常具有较高的灵敏度，不需要高增益放大器。但通常具有较高的灵敏度，不需要高增益放大器。但磁电式传感器是磁电式传感器是速度速度传感器，若要获取被测位移或传感器，若要获取被测位移或加速度信号，则需要配用积分或微分电路。图加速度信号，则需要配用积分或微分

13、电路。图6-46-4为为一般测量电路方框图。一般测量电路方框图。图图6-4 6-4 磁电感应式传感器测量电路方框图磁电感应式传感器测量电路方框图6.1 磁电感应式传感器6.1.3 6.1.3 磁电感应式传感器测量电路磁电感应式传感器测量电路 霍尔传感器为载流半导体在磁场中有霍尔传感器为载流半导体在磁场中有电磁效电磁效应应（霍尔效应）而输出电动势的一种传感器。（霍尔效应）而输出电动势的一种传感器。 随着半导体技术的发展，开始用半导体材料制成随着半导体技术的发展，开始用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到应用和霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。发展。霍尔传感器霍尔传感器

14、广泛广泛用于电磁测量电流、磁场、压力、用于电磁测量电流、磁场、压力、加速度、振动等方面的测量。加速度、振动等方面的测量。 6.2 霍尔传感器6.2.1 6.2.1 霍尔效应及霍尔元件霍尔效应及霍尔元件1 1）霍尔效应霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，该电势称该电势称霍尔电势霍尔电势，半导体薄片称，半导体薄片称霍尔元件霍尔元件。图图6-56-5所示，在

15、垂直于外磁场所示，在垂直于外磁场B B的方向上放置一个导电板，的方向上放置一个导电板，导电板通以电流导电板通以电流I I，方向如图所示。，方向如图所示。霍尔效应原理图霍尔效应原理图6.2 霍尔传感器导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下的定向运动。此时，每个电子受洛仑磁力的定向运动。此时，每个电子受洛仑磁力FmFm的作的作用，用，FmFm的大小为：的大小为：式中：式中：e e- -电子电荷；电子电荷；v v- -电子运动平均速度；电子运动平均速度； B B- -磁场的磁感应强度。磁场的磁感应强度。 FmFm的方向在图的方向在图6-56-5中是向上的

16、，此时电子除了沿中是向上的，此时电子除了沿电流反方向作定向运动外，还在电流反方向作定向运动外，还在FmFm的作用下向上的作用下向上漂移，结果使金属导电板上底面积累电子，而下漂移，结果使金属导电板上底面积累电子，而下mFevB 6.2 霍尔传感器 底面积累正电荷，从而形成了附加内电场底面积累正电荷，从而形成了附加内电场E EH H，称霍，称霍尔电场，该电场强度为尔电场，该电场强度为: : 则则 此时电荷不再向两底面积累，达到平衡状态。此时电荷不再向两底面积累，达到平衡状态。 (610)HHUEb(6 11)HeEevB (6 12)HEvB(6 13)HUbvB6.2 霍尔传感器 若金属导电板单

17、位体积内电子数为若金属导电板单位体积内电子数为n n，电子定向，电子定向运动平均速度为运动平均速度为v v，则激励电流，则激励电流I=I=nvbdnvbd（-e -e），则，则: : （6-146-14） 将式（将式（6-146-14）代入式（）代入式（6-126-12）得）得: : （6-156-15） 将上式代入式（将上式代入式（6-106-10）得）得: : （6-166-16） Ivbdne HIBEbdne HIBUned 6.2 霍尔传感器式中令式中令RH=-1/RH=-1/（nene），称之为，称之为霍尔常数霍尔常数，其大，其大小取决于导体载流子密度，则小取决于导体载流子密度，则

18、: :式中式中: :K KH H=R=RH H/d/d称为霍尔片的灵敏度。称为霍尔片的灵敏度。由式（由式（6-176-17）可见，）可见，霍尔电势正比于激励电流霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度及磁感应强度，其灵敏度与霍尔常数，其灵敏度与霍尔常数R RH H成正比成正比而与霍尔片厚度而与霍尔片厚度d d成成反反比。为了提高灵敏度，比。为了提高灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。霍尔元件常制成薄片形状。HHHIBURK IBd6.2 霍尔传感器（6-176-17）(6 18)HHIBBIURpedd上述推导是针对上述推导是针对N N型半导体，对于型半导体，对于P P型半导体，则型半导体，则: :式中

19、：式中：对霍尔片材料的要求，希望有较大的霍尔常数对霍尔片材料的要求，希望有较大的霍尔常数R RH H，霍尔元件激励极间电阻霍尔元件激励极间电阻 ，同时，同时，其中其中U UI I为加在霍尔元件两端的激励电压，为加在霍尔元件两端的激励电压，EIEI为霍尔为霍尔元件激励极间内电场，元件激励极间内电场，v v为电子移动的平均速度。为电子移动的平均速度。6.2 霍尔传感器1(6 19)HRpeLRbdIIUE LvLRIIunevbd则则: :解得解得 : : (620)LLbdnebd (621)HR6.2 霍尔传感器从式（从式（6-216-21）可知，霍尔常数等于霍尔片材料）可知，霍尔常数等于霍尔

20、片材料的电阻率与电子迁移率的电阻率与电子迁移率 的乘积。若要霍尔效应的乘积。若要霍尔效应强，即霍尔电势大，则强，即霍尔电势大，则R RH H值大，因此要求霍尔片值大，因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。此外，材料有较大的电阻率和载流子迁移率。此外， 霍尔电势的大小还与霍尔元件的几何尺寸有关。霍尔电势的大小还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好，霍尔元件的一般要求霍尔元件灵敏度越大越好，霍尔元件的厚度厚度d d与与K KH H成反比，因此，霍尔元件的厚度越小，成反比，因此，霍尔元件的厚度越小，其灵敏度越高。当霍尔元件的宽度其灵敏度越高。当霍尔元件的宽度b b加大，

21、或加大，或 减小时，载流子在偏转过程中的损失将加大，使减小时，载流子在偏转过程中的损失将加大，使U UH H下降。通常要对式（下降。通常要对式（6-176-17）加以形状效应修正：）加以形状效应修正： 6.2 霍尔传感器( )(623)HHLUK IBfbLb式中，式中， 为形状效应系数，其修正值如表为形状效应系数，其修正值如表6-16-1所示。所示。( )Lfb6.2 霍尔传感器L b()Lfb0.51.01.52.02.53.04.00.3700.6750.8410.9230.9670.9840.996表表6-1 6-1 形状效应系数形状效应系数 一般金属材料载流子迁移率很高，但电阻率很小

22、；而绝缘一般金属材料载流子迁移率很高，但电阻率很小；而绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率极低。故只有半导体材材料电阻率极高，但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有：锗、料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有：锗、 硅、砷化铟、硅、砷化铟、 锑化铟等半导体材料。其中锑化铟等半导体材料。其中N N型锗容易加工型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N N型硅的型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同线性度最好，其霍尔系数、温度性能同N N型锗相近。锑化型锗相近。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度

23、系数大，但在室铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。书中表也较小，输出特性线性度好。书中表6-2 6-2 为常用国产霍尔为常用国产霍尔元件的技术参数。元件的技术参数。6.2 霍尔传感器 霍尔元件的结构很简霍尔元件的结构很简 单，它由霍尔片、引单，它由霍尔片、引 线和壳体组成，如图线和壳体组成，如图 6-66-6（a a）所示。霍尔）所示。霍尔片片 是一块矩形半导体单是一块矩形半导体单晶薄片，引出四个引线。晶薄片，引出四个引线。1 1、11两根引线加激励电压两

24、根引线加激励电压或电流，称为激励电极；或电流，称为激励电极；2 2、22引线为霍尔输出引线，引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或称为霍尔电极。霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。在电路中霍尔元件可用两种符号环氧树脂封装而成。在电路中霍尔元件可用两种符号表示，如图表示，如图6-66-6（b b）所示。）所示。 6.2 霍尔传感器图图6-6 6-6 霍尔元件霍尔元件2 2）霍尔元件基本结构）霍尔元件基本结构3 3）霍尔元件基本特性）霍尔元件基本特性额定激励电流和最大允许激励电流额定激励电流和最大允许激励电流输入电阻和输出电阻输入电阻和输出电阻 不等位电势

25、和不等位电阻不等位电势和不等位电阻 寄生直流电势寄生直流电势 霍尔电势温度系数霍尔电势温度系数 6.2 霍尔传感器图图6-7 6-7 不等位电阻不等位电阻6.2.2 6.2.2 霍尔传感器的基本电路霍尔传感器的基本电路1 1）简单的恒电压工作电路）简单的恒电压工作电路 恒电压工作电路恒电压工作电路 如图如图6-86-8所示，所示，是是 一种非常简单的一种非常简单的 施加控制电流的施加控制电流的 方法。恒电压工方法。恒电压工 作电路比较适合作电路比较适合于精度要求不是很高的数字方面的应用，例如录于精度要求不是很高的数字方面的应用，例如录像机的电动机位置检测等。像机的电动机位置检测等。6.2 霍尔

26、传感器图图6-8 6-8 霍尔传感器的恒电压工作电路霍尔传感器的恒电压工作电路 霍尔效应传感器的恒电流霍尔效应传感器的恒电流 工作电路适于高精度测工作电路适于高精度测 量，可以充分发挥霍尔效量，可以充分发挥霍尔效 应传感器的性能。在恒电应传感器的性能。在恒电 流工作时输出特性不受输流工作时输出特性不受输 入电阻温度系数以及磁阻入电阻温度系数以及磁阻效应的影响。当然，与恒电压工作电路相比，某些效应的影响。当然，与恒电压工作电路相比，某些电路会变得复杂，不过这个问题不那么严重。霍尔电路会变得复杂，不过这个问题不那么严重。霍尔效应传感器的恒电流工作电路如图效应传感器的恒电流工作电路如图6-96-9所

27、示。所示。6.2 霍尔传感器图图6-9 6-9 霍尔传感器的恒电流工作电路霍尔传感器的恒电流工作电路2 2）简单的恒电流工作电路）简单的恒电流工作电路 6.2 霍尔传感器图图6-10 a 6-10 a 一个运算放大器构成的差动放大器一个运算放大器构成的差动放大器3 3）霍尔效应传感器放大电路基本的差动放大电路）霍尔效应传感器放大电路基本的差动放大电路霍尔效应传感器的输出电压通常只有数毫伏至数霍尔效应传感器的输出电压通常只有数毫伏至数 百百 毫伏，因而需要有放大电路。霍尔效应传感器是一种毫伏，因而需要有放大电路。霍尔效应传感器是一种4 4端器件，为了消除非磁场因素引入的同向电压的影响，端器件，为

28、了消除非磁场因素引入的同向电压的影响，必须构成差动放大器，如图必须构成差动放大器，如图6-106-10。图图6-10 b 36-10 b 3个运算放大器构成的差动放大器个运算放大器构成的差动放大器6.2 霍尔传感器 在图在图6-106-10的电路中，既可以使用霍尔效应传的电路中，既可以使用霍尔效应传感器的交流电压输出，也可以使用它的直流输感器的交流电压输出，也可以使用它的直流输出，则可以构成如图出，则可以构成如图6-116-11所示的电路，使用了所示的电路，使用了隔直流电容器。隔直流电容器。6.2 霍尔传感器I Ig g：电容器的漏：电容器的漏电流（直流成分）电流（直流成分）图图6-11 a

29、6-11 a 电容器漏电流的影响电容器漏电流的影响6.2 霍尔传感器图图6-11 b 36-11 b 3个运算放大器构成的差动放大（个运算放大器构成的差动放大（1 1）6.2 霍尔传感器图图6-11 c 36-11 c 3个运算放大器构成的差动放大（个运算放大器构成的差动放大（1 1）6.2.3 6.2.3 霍尔元件的补偿电路霍尔元件的补偿电路1 1）霍尔元件不等位电势补偿）霍尔元件不等位电势补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势，因而必须采用补偿的方法。如图霍尔电势，因而必须采用补偿的方法。如图 6-12 6-12

30、所示所示 。6.2 霍尔传感器图图6-126-12不等位电势补偿电路不等位电势补偿电路 其中其中A A、B B为激励电极，为激励电极，C C、D D为霍尔电极，为霍尔电极，极分布电阻分别用极分布电阻分别用R1R1、 R2R2、 R3R3、 R4R4表示。理表示。理想情况下，想情况下，R1=R2=R3=R4R1=R2=R3=R4，即可取得零位电，即可取得零位电势为零（或零位电阻为零）。实际上，由于不势为零（或零位电阻为零）。实际上，由于不等位电阻的存在，说明此四个电阻值不相等，等位电阻的存在，说明此四个电阻值不相等，可将其视为电桥的四个桥臂，则电桥不平衡。可将其视为电桥的四个桥臂，则电桥不平衡。

31、为使其达到平衡，可在阻值较大的桥臂上并联为使其达到平衡，可在阻值较大的桥臂上并联电阻（如图电阻（如图6-126-12（a a）所示），或在两个桥臂上）所示），或在两个桥臂上同时并联电阻（如图同时并联电阻（如图6-126-12（b b）所示）。）所示）。6.2 霍尔传感器2 2）霍尔元件温度补偿）霍尔元件温度补偿霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。数都具有较大的温度系数。为了减小霍尔元件的温度误差，除选用温度系数小的元为了减小霍尔元件的温度误差，除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外，由件或采用恒温措施外，由U

32、UH H= =K KH HIBIB可看出：采用恒流源可看出：采用恒流源供电是个有效措施，可以使霍尔电势稳定。但也只能减供电是个有效措施，可以使霍尔电势稳定。但也只能减小由于输入电阻随温度变化而引起的激励电流小由于输入电阻随温度变化而引起的激励电流I I变化所变化所带来的影响。霍尔元件的灵敏系数带来的影响。霍尔元件的灵敏系数K KH H也是温度的函数，也是温度的函数，它随温度的变化引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏它随温度的变化引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成：度系数与温度的关系可写成： （6-236-23）1HHOKKT 6.2 霍尔传感器式中：式中： K KHO-H

33、O-温度温度T0T0时的时的K KH H值；值；T=T-T0-T=T-T0-温度变化量；温度变化量；-霍尔电势温度系数。霍尔电势温度系数。并且大多数霍尔元件的温度系数并且大多数霍尔元件的温度系数 是正值，它们的霍是正值，它们的霍尔电势随温度升高而增加（尔电势随温度升高而增加（1+T1+T）倍。如果，与）倍。如果，与此同时让激励电流此同时让激励电流I I相应地减小，并能保持相应地减小，并能保持K KHIHI乘积乘积不变，也就抵消了灵敏系数不变，也就抵消了灵敏系数K KH H增加的影响。图增加的影响。图6-136-13就是按此思路设计的一个既简单、就是按此思路设计的一个既简单、 补偿效果又较好补偿

34、效果又较好的补偿电路。电路中用一个分流电阻的补偿电路。电路中用一个分流电阻R Rp p与霍尔元件与霍尔元件的激励电极相并联从而达到补偿的目的。的激励电极相并联从而达到补偿的目的。 6.2 霍尔传感器图图6-13 6-13 恒流源温度补偿电路恒流源温度补偿电路 在图在图6-136-13所示的温度补偿电路中，设初始温度为所示的温度补偿电路中，设初始温度为T T0 0，霍尔元件输入电阻为霍尔元件输入电阻为R Ri0 i0，灵敏系数为，灵敏系数为K KH1H1，分流电，分流电阻为阻为R Rp0p0，根据分流概念得，根据分流概念得 ：6.2 霍尔传感器6.2 霍尔传感器0000PHPiR IIRR000

35、0PHPiR IIRR0000(624)PHPiR IIRR当温度升至当温度升至T T时，电路中各参数变为时，电路中各参数变为: :0(1)(625)iiRRT 0(1)(626)PPRRT 式中：式中：霍尔元件输入电阻温度系数；霍尔元件输入电阻温度系数；分流电阻温度系数。分流电阻温度系数。则则：000(1)(1)(1)PPHPiPiRT IR IIRRRTRT 6.2 霍尔传感器0000PHPiR IIRR0000PHPiR IIRR温度升高温度升高 T T，为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足温升，为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足温升前、后的霍尔电势不变，即前、后的霍尔电势不变，即 :将式

36、（将式（6-206-20）、（）、（6-216-21）、（）、（6-246-24）代入上式，经整理并）代入上式，经整理并略去略去 、 、T2T2高次项后得高次项后得: :00(629)PiRR000(627)HHHHHHUKIBUK I B00(628)HHHHKIK I当霍尔元件选定后，它的输入电阻当霍尔元件选定后，它的输入电阻R Ri0 i0和温度系和温度系数数 及霍尔电势温度系数及霍尔电势温度系数 是确定值。由式（是确定值。由式（6-26-27 7）即可计算出分流电阻）即可计算出分流电阻R Rp0p0及所需的温度系数及所需的温度系数 值。为了满足值。为了满足R R0 0及及 两个条件，分

37、流电阻可取两个条件，分流电阻可取温度系数不同的两种电阻的串、并联组合，这温度系数不同的两种电阻的串、并联组合，这样虽然麻烦但效果很好。样虽然麻烦但效果很好。6.2 霍尔传感器 磁敏电阻器是基于磁阻效应的磁敏元件。磁敏磁敏电阻器是基于磁阻效应的磁敏元件。磁敏电阻是磁阻位移传感器、无触点开关等的核心部件。电阻是磁阻位移传感器、无触点开关等的核心部件。 6.3.1 6.3.1 磁阻效应磁阻效应当一载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化，这种现当一载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化，这种现象被称为象被称为磁阻效应磁阻效应。当温度恒定时，在磁场内，磁阻和磁感。当温度恒定时，在磁场内，磁阻和磁感应

38、强度应强度B B的平方成正比。理论推导出来的磁阻效应方程为：的平方成正比。理论推导出来的磁阻效应方程为： 式中，式中， 是磁感应强度为是磁感应强度为B B的电阻率；的电阻率； 是零磁场下的电阻率；是零磁场下的电阻率； 是电子迁移率；是电子迁移率；B B是磁感应强度。是磁感应强度。2201 0.273B6.3 磁敏电阻器0当电阻率的变化为当电阻率的变化为 时，则电阻率的相对变化时，则电阻率的相对变化为：为：可以看出可以看出 ，在磁感应强度，在磁感应强度一定时，迁移率越高的材一定时，迁移率越高的材料（如料（如InSbInSb、InAsInAs、NiSbNiSb等半导体材料）磁阻效应越明等半导体材料

39、）磁阻效应越明显。从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动显。从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动路径因磁场的作用而加长所致。路径因磁场的作用而加长所致。0222200.273BKB6.3 磁敏电阻器6.3.2 6.3.2 磁敏电阻的结构磁敏电阻的结构 磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。考虑形状影响因素时，电阻率的相对变化为：有关。考虑形状影响因素时，电阻率的相对变化为：式中，式中，l l、b b分别为电阻的长和宽；分别为电阻的长和宽； 是形状效应系数。是形状效应系数。 图图6-146-14画出了三种不同形状的半导体内电流

40、线的分布，画出了三种不同形状的半导体内电流线的分布，第一行为不加磁场的情况，第二行为加磁场的情况。第一行为不加磁场的情况，第二行为加磁场的情况。 6.3 磁敏电阻器20()1lkBfblfb6.3 磁敏电阻器图图6-14 6-14 半导体内电流分布半导体内电流分布（a a）长方形）长方形lblb（b b）长方形）长方形lblb（c c）科比诺圆盘）科比诺圆盘6.3.3 6.3.3 磁阻元件的主要特性磁阻元件的主要特性1 1）灵敏度特性）灵敏度特性 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度的影响较大。磁阻元件的灵敏度特性用在一定的影响较大。磁阻元件的灵敏度

41、特性用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场电电阻变化率特性曲线的斜率。在运算时常用阻变化率特性曲线的斜率。在运算时常用R RB B/R/R0 0求得，求得， R R0 0表示无磁场情况下磁阻元件的电阻值，表示无磁场情况下磁阻元件的电阻值，R RB B为施加为施加0.3T0.3T磁感应强度时磁阻元件的电阻值。磁感应强度时磁阻元件的电阻值。6.3 磁敏电阻器6.3 磁敏电阻器这种情况下，一般磁阻元件的灵敏度大于这种情况下，一般磁阻元件的灵敏度大于2.72.7，如图，如图6-156-15所所示。由图示。由图6-15(a)6-15(a)所示磁阻元件的电阻值与磁

42、场的极性无关，所示磁阻元件的电阻值与磁场的极性无关，它只随磁场强度的增加而增加。由图它只随磁场强度的增加而增加。由图6-15(b)6-15(b)所示，在所示，在0.2T0.2T以以下的弱磁场中，曲线呈现平方特性，而超过下的弱磁场中，曲线呈现平方特性，而超过0.2T0.2T后呈现线性后呈现线性变化。变化。图图6-15 6-15 磁阻元件的灵敏度特性磁阻元件的灵敏度特性2 2）电阻）电阻 温度特性温度特性图图6-166-16是一般半导体磁阻元件的电阻是一般半导体磁阻元件的电阻温度温度特性曲线，由图可知，半导体磁阻元件的温度特性曲线，由图可知，半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大的温度变

43、化范特性不好。元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小的很快。因此，在应用时，一般都要围内减小的很快。因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。设计温度补偿电路。6.3 磁敏电阻器6.3 磁敏电阻器图图6-16 6-16 半导体元件的电阻半导体元件的电阻- -温度特性曲线温度特性曲线6.4.1 6.4.1 非接触式交流电流检测器非接触式交流电流检测器 该非接触式交流电流检测器使用的是该非接触式交流电流检测器使用的是MS-F06MS-F06型磁敏电阻器，只要将型磁敏电阻器，只要将MS-F06MS-F06型半导体磁敏电阻型半导体磁敏电阻器靠在电流线上就会得到输出电压。器靠在电流线上就会得到输出电压。

44、MS-F06MS-F06型磁型磁敏电阻器在敏电阻器在3535时电阻值减小到室温时的时电阻值减小到室温时的1/21/2。因此，很少只使用一个磁敏电阻器，而是使用两因此，很少只使用一个磁敏电阻器，而是使用两个磁敏电阻器，以使其温度特性能够得到补偿。个磁敏电阻器，以使其温度特性能够得到补偿。6.4 磁敏式传感器的应用图图6-17 MS-F066-17 MS-F06型磁敏电阻器的电阻值型磁敏电阻器的电阻值- -磁场特性磁场特性6. 4 磁敏式传感器的应用MS-F06MS-F06型磁敏电阻器的电阻值型磁敏电阻器的电阻值- -磁场特性如图磁场特性如图6-176-17所所示。示。 在磁场强度为在磁场强度为0

45、 0时的电阻值（初始电阻值）为时的电阻值（初始电阻值）为808000，MS-F06MS-F06具有具有0.075T0.075T的偏置磁场。在图的偏置磁场。在图6-176-17中可以看到，中可以看到，R R0.7G0.7G=1k=1k，R R1.7G1.7G=1.5k=1.5k。即每。即每增加增加0.0001T0.0001T的磁场可以使磁敏电阻的电阻值增的磁场可以使磁敏电阻的电阻值增加到原来的加到原来的1.51.5倍。倍。6. 4 磁敏式传感器的应用图图6-186-18是是MS-F06MS-F06的温度特性。图的温度特性。图6-196-19是是MS-F06MS-F06和铜导线之间的距离与输出电压

46、的关系。当它和铜导线之间的距离与输出电压的关系。当它紧贴直径紧贴直径0.1mm0.1mm的铜导线时，对应于的铜导线时，对应于50Hz50Hz的的100100mAmA电流，输出的电压为电流，输出的电压为0.27mV0.27mVRMSRMS。图图6-18 MS-F066-18 MS-F06的温度特性的温度特性 图图6-18 MS-F066-18 MS-F06的间隔特性的间隔特性6. 4 磁敏式传感器的应用图图6-20 6-20 非接触式电流监测器非接触式电流监测器6. 4 磁敏式传感器的应用图图6-206-20是利用是利用MS-F06MS-F06制作的非接触式电流检测制作的非接触式电流检测器的电路

47、图。器的电路图。20A20A时磁敏电阻的输出电压时磁敏电阻的输出电压U US S为：为： U US S= =（0.27mV/0.1A0.27mV/0.1A）20A=54mV20A=54mV由于是在电力导线外测量，所以其输出值大约由于是在电力导线外测量，所以其输出值大约为上述理论值的为上述理论值的1/51/5，即，即10mV10mV。要想在图。要想在图6-206-20所示电路输出所示电路输出2V2V的电压，放大器的电压，放大器U U2A2A的增益应的增益应当为当为200200。在电路设计中采取了。在电路设计中采取了10010001001000倍的倍的可调方式。可调方式。6. 4 磁敏式传传感器的应应用6.4.2 6.4.2 基于霍尔传感器的通用型高斯计基于霍尔传感器的通用型高斯计在测量磁通密度的仪器中有一种叫做高斯计。对测量在测量磁通密度的仪器中有一种叫做高斯计。对测量范围要求如果不过分苛刻的话，在范围要求如果不过分苛刻的话，在0.2T/2T0.2T/2T两个量程之两个量程之间相互切换的特拉斯计较易制作，实际电路图如图间相互切换的特拉斯计较易制作，实际电路图如图6-216-21所示。传感器使用所示。传感器使用THS103ATHS103A型型