模拟电子技术基础习题及答案清华大学出版社

1、第一章 半导体器件1-1 当T=300K时，锗和硅二极管的反向饱和电流IS分别为1和0.5。如将此两个二极管串联起来，有1A的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：二极管正偏时， ， 对于硅管：对于锗管：1-2 室温时，某硅二极管的反向饱和电流IS=0.1pA。（1）当二极管正偏压为0.65V时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至或降至时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：（1）（2）当温度每上升10时，增加1倍，则T=300k(即27)，则67时，1-3 二极管电路如图P1-3（a）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b

2、）所示。已知电源电压为6V，二极管压降为0.7伏。试求：（1）流过二极管的直流电流；IDUD0.753mA图 P1-3 6V R 100 D ID (a) (b) （2）二极管的直流电阻和交流电阻。解：（1）（2）1-4 当T=300K时，硅二极管的正向电压为0.7V，正向电流为1mA，试计算正向电压加至0.8V时正向电流为多少？解： 1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。反之二只背靠背连接的二极管可等效为一个三极管吗？图 P1-5NPNPNPbbbbcccceeee解：不能。因为它们不可能同时满足如下条件，即：发射区掺杂浓；集电结面积大；基区薄。放大时发射结正偏

3、，集电结反偏，用二极管等效集电结反偏时不可能有电流，而晶体管二个结因具有上述特点载流子可输出到集电极去。1-6 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各极电压如图P1-6所示。试画出晶体管的电路符号并注明是硅管还是锗管。-2.3V图 P1-6-7V-2V8V3.7V3V(a)(b)-2.3V-7V-2V3.7V8V3V解： Ge Si1-7 已测得晶体三极管各极对地电位如图P1-7所示。判断它们处于何种工作状态（饱和，放大，截止或损坏）。图 P1-7-8.2V(a)-12V-8V2V8V2.3V3V8V1V8.2V8.2V8V2V2VR1R23AD63DG63CG23BX1(b)(c)(d)解：放

4、大截止 损坏 临界饱和UBE=UCE1-8 共射电路如图P1-8所示。已知晶体管参数为=50，ICBO=0，EB=5.6V，RB=100K，EC=12V，UBE(on)=0.6V。（1）如果RC=2K，试求ICQ、UCEQ，并说明电路的工作状态；（2）如果RC=5.1K重复（1）；（3）如晶体管工作在放大状态，调节RB使ICQ=2mA。如，画出晶体管的低频混合型等效电路，并标出元件值。图 P1-8ECEBRBRC解：（1）放大状态（2）RBRCIbrbe饱和状态（3）1-9 某晶体管的输出特性如图P1-9（a）所示。将在01mA之间的特性放大后如图P1-9（b）所示。（1）计算该晶体管的和PC

5、M。（2）当UCE分别为5V和10V时，IC分别允许为多大。（3）确定该晶体管的U(BR)CEO和U(BR)CBO的值。图 P1-9 (a) 43251015612050UCE /VIC / mA-ICBO1.50UCE /VIC / mA102030400.5110AICEO (b) 解：（1）（2）（3）1-10 已知三个场效应管的转移特性曲线或输出特性曲线分别如图P1-10所示，试判别其类型，并说明UDS=|10V|的饱和电流。2431图 P1-10(a) UGS /V1-2ID / mA-3-1UDS=10V20 (b) 211ID / mAUGS /V-1-23-34.5V25UDS

6、 /VID / mA1015468UGS=2V3V3.5V4V (c) 2.5V解：（a）N沟耗尽型MOSFET，（b）P沟JFET，（c）N沟增强型MOSFET，无意义，1-11已知各FET的各极电压值如图P1-11所示，设各管的UP=2V，试分别说明它们的工作状态（可变电阻区，饱和区，截止区或不能正常工作）。GGGGDDDDSSSS5V5V3V-5V0V2V0V0V-3V(a)(d)(c)(b)图 P1-11解：（a）是增强型NMOS，所以工作于临界饱和状态。（b）是耗尽型NMOS，所以工作于可变电阻区。（c）是增强型PMOS，所以工作于恒流区。（d）是N沟JFET， ，所以工作于截止区。

7、1-12场效应管电路如图P1-12所示，已知ED=12V，EG= -5V ，R1=300K，R2=200K，RD=10K，JFET的IDSS=2mA，UP= -3V。（1）试求此时的UGS和ID的值；（2）求此时UDS和gm；（3）画出FET的小信号交流等效图。EDRDR2R1EG图 P1-12RB1RDgmUgsRB2解：（1）（2）第二章 基本电路2-1电路如图P2-1所示，二极管参数UDQ=0.6V，E=5V，R=5K，ui=0.1sint（V），分析该电路，分别求出直流输出电压及交流输出电压。图 P2-1uiuoiDuIERD+_+-解：直流输出电压：交流输出电压：2-2 削波/限幅电

8、路如图P2-2所示，是一个并联削波电路，设二极管均工作于理想开关状态，画出输出电压uo的波形图。为简单起见，假定UD=0，rD=0，即两个二极管工作于理想开关状态。uiuott-4V2V6V-6V图 P2-2uoui=6Sint(V)R1=10K+_R2=10KE1=2VD1D2E2=4V+_+-+-解： 2-3 二极管的整流应用如图P2-3（a）、（b）所示，分别为全波和桥式整流器，假定输入电压是交流220V，50HZ，要求输出峰值电压Uo=9V，二极管的死区电压UD=0.7V。（1）比较两种电路变压器初、次级的匝数比以及对二极管的反向击穿电压的要求；图 P2-3 (a) 电路图RD1D2u

9、i+-us+-us+-N1N2N2uo+-R+-D1D2D3D4ui+-uo(b) 电路图（2）分别画出这两种整流电路的输出波形。解：（a） 若要求输出峰值电压Uo=9V时，则相应的有效值为：，反向峰值电压PIV为（b）相应的有效值为：uiuo(b) 波形uiuo(a) 波形反向峰值电压PIV为D1D212V3K6K-24V(a)125V(b)R1 1KR2 1KD1D2R3 9KUoD1R1 10KD2R2 2KUo4V(c)8V10V(d)+-D1D24KUo12V9V+-+-+-+-图 P2-4R3 25KR1 18KR5 140KR6 10KR4 5KR2 2KD15V+-Uo+-10

10、V(f)R3 25KR1 18KR5 140KR6 10KR4 5KR2 2KD15V+-Uo-+10V(e)6V0V(g)D1D2UoD3D48V12V-12V6K6K2-4 设二极管工作于理想开关状态，试判别图P2-4所示各电路中各二极管的状态（导通或截止），并予以说明。解：（a）D1导通，D2截止，Uo=0V （b）D1导通，D2截止，Uo=10.8 （c） D1导通，D2截止，Uo=10V （d）D1导通，D2截止，Uo=0V （e）D截止，Uo=1V （f）D截止，Uo=1V （g）D1截止，D2导通，D3截止，D4导通，Uo=8V2-5 稳压管电路如图P2-5所示。设稳压管UZ1和

11、UZ2的稳定电压分别为8V和10V，正向导通电压为0.7V，Ui为20V。试求各电路的输出电压Uo的值。图 P2-5+-Uo(a)+-UiUZ1RRLUZ2+-Uo(b)+-UiUZ1RRLUZ2+-Uo(c)+-UiUZ1RUZ2+-Uo(d)+-UiUZ1R1RLUZ2R2+-Uo(e)+-UiUZ1RRLUZ2+-Uo(f)+-UiUZ2R1RLUZ1R2解：（a）Uo=8V， （b）Uo=18V， （c）Uo=10.7V，（d）， （e）Uo=10.7V， （f）Uo=8V。2-6 稳压管电路如图P2-6所示。（1）图P2-6（a）中，UZ =6V，R=0.1K，Ui =10V，试分别

12、求RL为0.2K和0.05K时的输出电压Uo和稳压管电流IZ的值；（2）图P2-6（a）中，如Ui =15V，UZ =12V，稳压管正常工作时允许的最大电流为20mA，最小电流为5mA，试求最小限流电阻R和最小负载电阻RL的值；（3）电路改为图P2-6（b）所示，Ui=22V，UZ1=10V，UZ2=8V，UZ1和UZ2的IZmin均为5mA，求输出电压Uo的值。图 P2-6R1 7KRL 1K+-Uo(b)+-UiUZ1UZ2R2 1KR+-Uo(a)+-UiRLUZ解：（1）（2）（3）两个稳压管均未起到稳压作用，所以2-7 稳压管电路的设计。用一个稳压二极管设计一个稳压电路，用于轿车上的

13、收音机，电源取自轿车电瓶，其电压会在11V13.6V之间变动。收音机要求的供电电压为，电流在0（关）100mA（最响）之间变化。电路图如图P2-7所示，工程上一般取IZ(min)=0.1 IZ(max)，分析限流电阻R的取值，以及如何选稳压管。VZ图 P2-7收音机+-Ui11V13.6VUZ=9VIiRIZIL解： 所以 R > 15.4所以，选取Pz大于2.7W的稳压管。电阻上最大功耗为所以选取大于2W的电阻。RBRCCBCC+-ui+-uo+EC图 P2-82-8 电路如图P2-8所示，设ui是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号视作短路（1）试画出与相对应的的波形；（2）将

14、图中晶体管改为PNP管，EC改成负电源，重复（1）。解：ui(2) 波形iBuCEuBEiC(1) 波形uiiBuCEuBEiC2-9 电路如图P2-9（a）（d）所示。判别能否放大正弦信号，为什么？所有电容对信号视为短路。图 P2-9CERCRBCB+-Ui+ECC2+-UoREC1(b)(a)RERBC1+-Ui+ECC2+-UoRCRERBC1+-Ui+ECC2+-UoRC(c)RCRBC1+-Ui+ECC2+-UoRE(d)解：（a）可以（b）不能（c）不能（d）不能2-10电路如图P2-10（a），（b）所示，分别为固定偏置和分压偏置的直流通路。如晶体管参数相同T=20oC时，=50

15、，随温度变化率为，分别求两电路在T=20oC时的静态工作点，以及T=55oC时由于变化引起ICQ变化率。图 P2-10246KRBRC+EC2.8K+12V30KRB1RC+EC1.8K+12V10KRB21KRE(a)(b)解：（1）时：(a) （b）（2）时：（a） 变化率 （b）：变化率2-11设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。要求：温度在-55oC 125oC内变化时，1mAICQ1.15mA，5VUCEQ6V，RC=1.5K，EC=12V，管子参数为T=-55oC 时，=60，UBE(on)=0.88V时，T=125oC时=150，UBE(on)=0.48V。解：当时，ICQ有最

16、小值1mA，UCEQ有最大值6V。RB估算：因为 RB1RC+EC+12VRB2RE2-12放大电路如图P2-12所示，已知晶体管=50，UBE(on)=0.7V，电容对信号短路。（1）计算工作点的ICQ和UCEQ；（2）当输入信号幅度增加时。输出电压将首先出现什么失真？该电路最大不失真输出电压幅度（3）若要提高输出幅度应改变什么元件，如何变？图 P2-12 RLC2+-Ui+-UoRB1RC+ECRB2RECEC18.2K3.8K3K3K3K+12VRC2KEC12VIBQ30AUo+_Ui+_图 P2-13-+解：（1）（2）所以，出现截止失真。 Uom=1.5V（3）2-13 电路如图P

17、2-13所示，晶体管=100，rbb=0，|UA|=100V，UT=26mV。（1）试计算ICQ；画出小信号混合型等效图，计算Ai、Au、Ri和Ro；（2）在发射极与地之间接上1 K电阻，重复计算（1）的内容。解：2-14 共集电路如图P2-14所示，已知晶体管参数为：=100，|UA|=100V，rbb=0，UT=26mV，IB=20A，RE=RL=2K，RS=150，电容对信号短路。求：Aus、Ri和Ro。解：2-15 共基放大电路如图P2-15所示。已知晶体管的rbb=0，re=13，rbe=1.3K，rce=50K，=100，RS=150，RC=RL=2K，RE=1K，各电容对交流信号

18、短路。计算Aus、Ri和Ro。图 P2-14+-UouSSRLC2+ECIBREC1RSSCERSUSRERB2RB1RCCCCBRL+EC+-Uo图 P2-15解：2-16多级放大电路如图P2-16所示。已知电路参数1=2=100，rbb=300，IEQ1=1mA，IEQ2=10mA，RE =500，RC1=5.1K，RL=500。计算该电路接入与不接入共集级两种情况下的电压增益，并说明接入共集电路后的影响。设共集级的电压增益为。+-Uo+-Ui+EC(+6V)RCRE2.7KRi2RiRo2K-EE(-6V)图 P2-17+-Uo+-UiC1C2T1T2RB1RC1RE2RL+EC图 P2

19、-16解：（1）不接CC：（2）接入CC2-17 共集-共基组态电路如图P2-17所示。已知二个晶体管参数相同：rbb=0，rce=，=100，UBE(on)=0.6V，计算Au、Ri和Ro。解：+-Uo+-UiR1R2R3T1T2UC1+EC(+10V)R4图 P2-182-18 放大电路如图P2-18所示。晶体管参数相同=20，rbb=300，UBE(on)=0.7V，R1=R2=2.7K，R3=4.1K，R4=2.5K，求：（1）T1、T2的静态工作点；（2）Au；（3）T1的作用。注：T1、构成的电路，可为上题中T1提供基极偏置。解：（1）（2），（3）的作用是通过构成的直流电压负反馈

20、，使稳定从而为提供稳定的直流偏置电压。2-19 如图P2-19所示为达林顿电路的交流通路，晶体管的rbb=0，rce=，1=2=。 （1）画出低频小信号混合型等效电路；（2）写出Au、Ri和Ro的表达式。Ui+-UoUSRERST1T2RL图 P2-19解：2-20 如图P2-20所示为双电源供电的共射电路，已知=100，UA=100V，UBE(on)=0.7V，电容对信号视为短路。求放大器的输入电阻、输出电阻、源电压增益。+EC(+10V)UoUiRSRCRBRE0.5K100K10K20KCERiRo-EE(-10V)C1图 P2-20+ED20VTRDR2R1RSCS430K70K4K4

21、K图 P2-21解：2-21 N沟道JFET，IDSS=6mA，UP=-2V，沟道调制系数忽略，即，电路如图P2-21所示。（1）计算静态参数IDQ， UDSQ；（2）画出低频微变等效图；（3）若IDQ不变，用自偏压方式偏置求值，画出低频微变等效图。解：+ED20VTRDR1RS4K 所以 2-22已知MOSFET电路如图P2-22所示，设管子的，。（1）试求IDQ，UGSQ ，UDSQ； （2）画出低频微变电路。并求的值。解：（1）由于是增强型NMOS，所以只能用分压偏置。不能用自给偏置。设电路工作在恒流区（各个区的方程不同，先假设一下）得：所以工作在恒流区，假设成立。（2）2-23 用NM

22、OS管作电接衰减器，电路如图P2-23所示。已知。试问当，要求Uo=80mV，UGS=？ 图 P2-22+ED10VTRDR1R2RS1.5M1M10K1K图 P2-23Uo5KUi解： 则 2-24 图P2-24所示的电路能否实现正常放大功能？为什么？如有错误，试改正之。(a)图 P2-24RS+ED+RDRGCSC1C2-Ui+-Uo(b)RS+ED+RDRGCSC1C2-Ui+-Uo(a)图 P2-24RS+ED+RDRBCSC1C2-Ui+-Uo(b)RS+ED+RDRGCSC1C2-Ui+-Uo解：2-25 MOSFET放大电路如图P2-25（a）、（b）和（c）所示。图中器件相同，

23、ED和相同符号的电阻值相等，各电容对交流信号视为短路。（1）说明各电路的电路组态；（2）画出各电路的低频微变电路；（3）写出三个电路中最小电压增益Au，最小输入电阻Ri，最小输出电阻Ro的表达式。(a)RS+ED+RDRG1CSC1C2-Ui+-UoRG2(b)RS+ED+RDRG1C1C2-Ui+-UoRG2(c)RS+EDRDRG2CCGC2+-UoRG1+-Ui图 P2-25解：共源共漏共栅 2-26 FET放大电路如图P2-26（a）所示。设FET的rds为无穷大，各电容对交流信号视为短路。（1）画出电路的低频微变电路；（2）写出电压增益Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro的表达式。（3）

24、如输入回路改接为图（b）所示，仅加接RG3，问Au， Ri 和Ro有何变化？图 P2-26(a)+EDRDRG1C2RS1RG2RS2C1CS-+-UiUo(b)+EDRDRG1C2RS1RG2RS2C1CS-+-UiUoRG3解：+RDRG1RS1RG2RL-+-UiUoRDRG1RS1RG2RLRG3+-Ui+-Uo （1）（2）（a）图（3）（b）图2-27 FET放大电路如图P2-27所示。设FET的rds为无穷大，IDSS=4mA，UP=-4V，各电容对交流信号视为短路。若UGSQ=-2V，（1）求电流IDQ和电阻RS1的阻值；（2）求该管正常放大时所需RS2的最大值；（3）画出微变

25、等效电路；设RS2=6K，计算Au， Ri 和Ro；（4）为提高|Au|的值，最简单的方法是什么？图 P2-28+ED(12V)300KRG1C2RG2RSC1-+-UiUoRG2 100K200K12KRL12K1M图 P2-27RS2+ED+RD10KC1C2-Ui+-UoRGRS1解：（1）（2）当该电路才可能工作在恒流区，即即（3）（4）在两端并接电容，则2-28 FET放大电路如图P2-28所示。设FET的rds为无穷大，跨导为1mS，（1）画出微变等效电路；（2）计算输入电阻Ri ，输出电阻Ro；（3）计算电压增益Au。解：2-29 FET放大电路如图P2-29所示。设FET的rd

26、s为无穷大，跨导为2mS，（1）画出微变等效电路；（2）计算输入电阻Ri ，输出电阻Ro；（3）计算电压增益Au。解：2-30 FET放大电路如图P2-30所示。设FET的rds为无穷大，各电容对交流信号视为短路。，已知RG1= RG2=1M，RD=5K，RS=2K，T1管的gm1=1.6mS，T2管的gm2=1.5mS，（1）说明T1、T2的组态；（2）画出电路的交流通路；（3）计算电压增益Au。RL10K图 P2-29+ED(12V)RD+RSC110KUsC2+-UiUoRoRiRG1K+ED-RDUiRG1RSC1+-ESRG2C2CGT1T2+-Uo图 P2-30解：RG1RDRSg

27、mUgs1+-Uog1d1d2T1：共源，T2:共栅第三章 集成运算放大器3-1电路如图P3-1所示，已知晶体管T1，T2特性相同，=20，UBE(on)=0.7V，求ICQ1，UCQ1，ICQ2，UCQ2。IBQ2IBQ1UBT1T2RrIrIoR2-EE (-6V)R110.8K+EC (+6V)0.6K1.2K图 P3-2图 P3-1R2T1T2ICQ1R12.7K2.7KIBQ2IBQ1UCR4R34.1K2.5K+EC+10V解：3-2如图P3-2所示电路，T1，T2参数相同UBE(on) =0.6V，=0，足够大，求输出电流Io，并写出输出电阻Ro的表达式。解：一般rce2>

28、>R2所以 3-3 镜像电流源如图P3-3（a）、（b）所示。设两个晶体管的=200，厄尔利电压UA=130V。分别计算图P3-3（a）、（b）电路的输出电流Io及输出电阻Ro。(b)RoT1T2RrIoR2R110K+EC (+15V)1K2K(a)RoT1T2RrIo10K+EC (+15V)图 P3-3解：(a)(b)3-4 比例电流源如图P3-4（a）、（b）所示。各晶体管参数相同，并在R1=R2=R情况下（1）求出图P3-4（a）和（b）的Io表达式；（2）分析两电路Io与的关系。Ir(a)T2T1RrIoR1R2+EC 图 P3-4Ir(b)T2T1RrIoR1R2解：(a)

29、(b)3-5电流源如图P3-5所示。求图中各支路的电流值，设各个晶体管的UBE(on)=0.6V，>>1。图 P3-5IrT2T11KI35KI4T5T4T3I1+6V5K10K2K-6V解：3-6 微电流源电路如图P3-6所示。设EC=15V，Rr =14K，UBE(on)=0.6V，=100，取UT =25mV，确定输出电流Io=50A时的R值。图 P3-6T1T2RrIoR+EC I11KI3T2T12KI2+EC(+24V) 图 P3-7T3T43.9K5K5.1K解： 3-7试求如图P3-7所示电流源的输出电流I2和I3的值，设各晶体管的UBE(on)=0.6V，>

30、>1。解：3-8 对称差动放大器电路如图P3-8所示。（1）若ui=Uimsint，试问每个电路的差模输入电压和共模输入电压各为多少？（2）若ui=10mV，试问每个电路的UE变化为多少？(a)图 P3-8RCIE+EC -EE RCRRUo+-UE+-Ui(b)RCIE+EC -EE RCUo+-UE+-Ui(c)RCIE+EC -EE RCUo+-UE+-Ui解：（a）因为共模信号为0，只有差模信号，所以UE变化为0。（b）（c）差模信号为0，只有共模信号，所以UE变化2倍。3-9 对称差动放大电路如图P3-9所示。T1、T2参数相同UBE(on)=0.7V，=50，=0，rce。（

31、1）画出差模半电路和共模半电路的交流通路；（2）求T1、T2的静态集电极ICQ、UCQ和晶体管的输入电阻rbe；（3）求双端输出时的差模电压增益Aud，差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod；（4）求反相端单端输出（即RL接T2集电极的一端接地）时的差模电压增益Aud（单），共模电压增益Auc和共模抑制比KCMR，任一输入端看入的共模输入电阻Ric，任一输出端呈现的共模输出电阻Roc；（5）计算电路最大输入共模电压范围。图 P3-10RC+EC(+12V) RC10K+-Ui10K0.3KRLT1R210KRB2KRB2KT2T30.3KR3T411KR4-EE(-12V) 图 P3-9RC+

32、6V -6V RC5.1K+-Ui15.1K+-Ui2RE5.1KRL5.1KRB2KRB2KT1T2RC+-Ui12RERBT1RC+-Ui1RL2RBT1解：（1）（2）（3）（4） （5）3-10 对称差动放大器电路如图P3-10所示。晶体管的参数相同，UBE(on)=0.7V，=100，=0，rce。（1）求T1、T2和T3的静态集电极ICQ、UCQ和晶体管的输入电阻rbe；（2）用差模半电路求差模电压增益Aud，差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod；（3）利用T1、T2的微变等效电路重复（2），并比较之；（4）计算电路最大输入共模电压范围；（5）画出共模半电路的交流通路和微变等效电

33、路。解：（1）（2）3-11如图P3-11所示的电路，在运放中常用PNP管构成的镜像电流源作放大器的有源负载。用NPN管镜像源作放大器的偏置电流源。由有源负载，偏置源差动管，构成的差分放大器如图，设各管参数一致UBE(on)=0.6V。试问当R为何值时，可满足图中要求的电流关系。图 P3-11+EC (+6V)-EE (-6V)T5T6T7T1T2T3T4UoUi1Ui210KRIr解:3-12 有源负载差分放大器如图P3-12所示。其中T1和T2，T3和T4，T5和T6配对，NPN管的=200，UA=100V，PNP管的UA=70V，各管的UBE(on)=0.7V，rbb=0。（1）求各管的

34、静态集电极电流；（2）T1和T2的，T1到T4的rce；（3）求差模电压增益Aud，差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod。解：图 P3-12+EC(+12V) +-Ui5.6KT1R3T2T55.1KR2T65.1KR1-EE(-12V) T3T4+-Uo3-13 差分放大器如图P3-13所示。若ui=0.15sint（V），晶体管的UBE(on)=0.7V，IE =2mA。试通过计算画出电压波形。IS图 P3-14Ui2+ED(+15V)RD-T2RS+10K24K-ES(-15V)RD10KT1Ui1-+Uo-+图 P3-13RCIE+20V -20V RC5KT1+-Ui+-UoT2T

35、35K5K解：19.3Vui14.3V9.3V3-14 对称MOSFET差分放大器如图P3-14所示。设T1和T2的跨导gm=1ms，rds=，IS=0.5mA。（1）求静态时MOS管的栅源电压UGS，漏极电流ID和漏极电压UD；（2）试画出差模半电路和共模半电路的交流通路；（3）求双端输出时的差模电压增益Aud，差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod。共模电压增益Auc和共模抑制比KCMR；（4）当反相端单端输出时，重复（3）。解：（1）2RSRDUi1Uo （2）RDUi1Uo（3）（4）3-15 CMOS差分放大器如图P3-15所示。已知gm1= gm2=0.13ms，rds1 rds4

36、=1.2M，RL=1M。（1）试画出低频差模小信号等效电路。注意不能用半电路等效，为什么？（2）设rds>>1/gm，gm3= gm4试推导电路差模电压增益表达式；（3）求差模电压增益Aud和差模输出电阻Rod。IST1+EC -EE +-Ui+-UoT2T3T4图 P3-16图 P3-15Ui2+ED(+15V)RL-T2+-ES(-15V)T1Ui1-+T3T4T5T6T7解：Ui2RLUi1-+Uo （1） 不能画半电路等效图是因为T1、T2采用有源负载。 （2） （3） 3-16 JFET差分放大器如图P3-16所示。已知T1和T2的UGS(off)=-2V，IDSS=4m

37、A，各管的ISS=2mA，UA=100V。（1）求T1T4输出电阻rce（或rds）；（2）求T1和T2的跨导gm；（3）求差模电压增益Aud和差模输出电阻Rod。解：（1）（2）（3）第四章 负反馈放大器4-1 试判别图P4-1所示各电路的反馈类型和反馈极性。图 P4-1RBRCC1C2+-Ui+-Uo+ECRERL+-UsRS(a)CERCC1C2+-Ui+-Uo+ECRERL+-UsRS(b)RfC2+-UoRLRBC1+-Ui+ECRE+-UsRS(c)(d)RB1RCCBC2+-Ui+-Uo+ECRERL+-UsRSRB2C1解：（a）电流串联负反馈；（b）电压并联负反馈；（c）电压

38、串联负反馈；（d）无交流负反馈。4-2 试判别图P4-2所示各电路的反馈类型和反馈极性。A(a) UoRSRfiSRLUi+-+-RPR1R2UiUo(b) A图 P4-2解：（a）电压并联负反馈；（b）电压串联负反馈。4-3 试判别图P4-3所示各电路的反馈类型和反馈极性。解：电流串联正反馈。4-4 若要求开环放大倍数A变化25%，闭环放大倍数的变化不超过1%。又要求闭环放大倍数Af =100，试问开环放大倍数A应选多大？这时反馈系数F又应选多大？解：图 P4-3R1+EC R3+-UiR5T1R8R2R4T2T3R7T4R6-EE R9R10R11R12R13T5T6Uo4-5 一个放大器

39、的电压放大倍数Au在150600之间变化（变化四倍），现加入负反馈，反馈系数Fu=0.06，问闭环放大倍数的最大值和最小值之比是多少？解：4-6 一个无反馈放大器，当输入电压等于0.028V，并允许有7%的二次谐波失真时，基波输出为36V，试问：（1）若引入1.2%的负反馈，并保持此时的输入不变，则输出基波电压等于多少伏？（2）若保证基波输出仍为36V，但要求二次谐波失真下降到1%，则此时输入电压应加大到多少伏？解：（1）则在加入1.2%的负反馈后，在输入不变的情况下，输出基波电压 。（2）若基波输出电压任为36V，并要求二次谐波失真下降到1%，则4-7 电路如图P4-7（a）、（b）所示，试

40、问：（1）反馈电路的连接是否合理？为发挥反馈效果，两个电路对RS有何要求？（2）当信号源内阻RS变化时，哪个电路的输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益的稳定性能力强？（3）当负载RL变化时，哪个电路的输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益的稳定性能力强？解：（1） 图（a）Rs小，因为Ri大。图（b） Rs大，因为Ri小。（2） （a），（a）。（3） （a），（a）。图 P4-7R1R2C1C2+-Uo+ECR6RL+-UsRS(a)R3R4R5R1R2C1C2+-Uo+ECRL+-UsRS(b)R3R4T2T2T1T14-8 电路如图P4-8所示，已知：+EC=+6V，RS=1K，=100，rbe1=2.6K，rbe2=0.867K。（1）判别电路的反馈类型和反馈极性（大闭环）；（2）估算满足深度负反馈条件的源电压增益Aufs、以及Rif和Rof。解：电压串联负反馈图 P4-9Uo-20VRD1-T2RS1+16K1KRG15MT1Us-+RG21.25MRD216KRS3RS2C1C2C3C4R17KRSUi-+-20VAUoUs+-+-图 P4-8+ECRSR1R3R41K5K19K-EER22KUi+-4-9 电路如图P4-9所示。设各管的rds为无穷大，各电容对信号视为短路。（1）判别该电路的反馈类型；（2）根据拆环法画出负反馈对放大器输出端的影响；（3）计算满