电子器件辐照注意问题

1、电子器件辐照注意问题一、对辐射源的注意问题1、源的类型，活度，粒子产额。2、粒子空间剂量分布。二、辐照过程注意问题1、器件的辐照方式a:静态辐照：辐照过程中器件不加电。b：动态辐照：辐照过程中器件加电(全程加电or间断加电)。2、对于辐照数据采集中线路受照射产生干扰的问题。三、对器件本身1、常用集成电路抗辐射的比较如下表表学.斗姑用集成冃路抗棉射能力的比较集成电鋼W型抗屮子和射能力(川子数血)抗电离卅射能力阿(Si)抗瞬时轴射能力(rad(Si)未加固加固未加周加固未加同固TIL.LSTTL10141015>10a10101612L1013ltf10J泸1叽1屮ECL101310710-

2、109101010MOS为Metal-Oxide-Semiconductor对应的为金属-氧化物-半导体，MOS管又有P型MOS管和N型MOS管之分，MOS管构成的集成电路叫MOS集成电路，PMOS管和NMOS管互补共同构成的MOS集成电路叫CMOS集成电路ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体。CMOS非门电路结构：用一个PMOS和一个NMOS组成的互补对称MOS构成的CMOS单元是目前数字技术中广泛使用单元电路。如图示CMOS非门电路结构，将增强型PMOS和NMOS的栅极（G）接在一起，漏极（D）也接在一起，PMOS的源极（S）接在正

3、的供电电源上，NMOS的源极（S）接在地上。对NMOS管，当vDS>0，vGS>VtN时，管子导通；对PMOS管，当vDS<0，vGS<VtP时管子导通。我习惯上与三极管PNP、NPN相比较记忆，就是PNP与PMOS、NPN与NMOS相当来记，只不G一J(PMOS)过图中箭头要相反，即：CMOS1护10161(J*>l.0e10Bi几itTCMOS.Si1O1S101610*ioSF1010ia>10MNMOS1O1S1屮1U410swhlOltf51UJPMOS静态）1O1S1屮lgltfio71U61UJPMOS动态）1O1S1屮1(?10sio7IO1

4、-10s惡极型绫性电路101310s>10-1071鬥2GfiAs电略10lsW7-1U£idle砷化镓（galliumarsenide）,化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238°C。它在600°C以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。2、常用半导体分立器件抗辐射能力比计较如下表表9.3朮川半导依分b器件抗辐射能力的比较器炸类型抗小子怕射能力（屮子数止异）抗楠态电离辐射能力如血間）低频册晶体管1叽1少|丨|威晶坏管50750MHz）1代1屮1叽1高豚晶74(>150MHz)1013«10|1叽1少

5、结摆场加管10也1沪106-107微波角推晶体管1旳屮整流二极管10匚1屮io6-w7电床调整利电斥基笊极管5XIO1S-5X1014io6-io7隧道二做管5X10145X1015107(/单菇晶聊5X1QU5XW12104闸流管<5X10四、对于元器件辐照筛选的注意1、选择的测量参数应属于辐射敏感参数。如对双极晶体管，应选择电流放大系数和饱和压降；对MOS晶体管，应选择阀值电压。2、选择合适的辐射源。辐射源可以采用中子，伽马射线或高能电子源。中子辐射后的器件在试问或较低温度下退火效果较弱，需采用较高的退火温度，故适合于在芯片阶段进行辐射筛选。伽马射线穿透物质能力强，能在较深的器件体内起作用，故适用于大功率器件辐射的筛选。3、选择合适的辐射剂量。该剂量既能引起器件参数发生明显变化，又不会造成器件较大损伤。一般而言，中子辐射条件为：中子通量5*10人124*10人15/cmT,中子能量E>=0.1MEV；伽马射线条件为：剂量23*10人7rad(si)。4、选择最佳的退火温度和退回时间，使器件尽可能的恢复到辐照前的特征。通常成品器件的退火温度范围为120180度，为封装的芯片温度范围为200400度。5、器件的辐射预筛选可直接用管芯进行，这样有利于降低筛选成本。6、通过适度辐射进行筛选，毕竟带有一定程度的破坏