引领专业投资

1、Page 1新一代信息功能材料研发是必然趋势n 随着无线通讯时代的到来，硅被应用到通讯方面的电子元件，发展出第一、二代移动通讯。但是，硅电路传送讯息的速度太慢、杂讯太多。n 传讯的关键在于电子移动速率的快慢，这是材料的基本电学特性之一，很难加以改良。硅元件的电子移动速率不够快，已无法满足人们的需要，因此新材料的研发是必然趋势。Page 2周期表中与半导体相关元素周期2硼B碳C3铝Al硅Si磷P硫S4锌Zn镓Ga锗Ge砷As硒Se5镉Cd铟In锑T 161电影网整理发布Page 3GaAs在无线通讯方面具有众多优势n 砷化镓晶片与硅晶片主要差别，在于它是一种“高频”传输使用的晶片，由于其频率高，

2、传输距离远，传输品质好，可携带信息量大，传输速度快，耗电量低，适合传输影音内容，符合现代远程通讯要求。n 一般讯息在传输时，因为距离增加而使所能接收到的讯号越来越弱，产生“声音不清楚”甚至“收不到信号”的情形，这就是功率损耗。砷化镓晶片的最大优点，在于传输时的功率损耗比硅晶片小很多，成功克服讯号传送不佳的障碍。n 砷化镓具有抗辐射性，不易产生信号错误，特别适用于避免卫星通讯时暴露在太空中所产生的辐射问题。另外，环境温度过高时电子迁移速率会降低，但砷化镓材料操作温度高度200oC，不易因高频所产生的热能影响到产品稳定性。Page 4砷化镓与硅元件特性比较砷化镓硅最大频率范围2300GHz1GHz

3、最大操作温度200oC120oC电子迁移速率高低抗辐射性高低具光能是否高频下使用杂讯少杂讯多，不易克服功率耗损小高元件大小小大材料成本高低产品良率低高Page 5应用领域频率范围个人通讯服务900MHz（cellular）1.82.2GHz（PCS）2.22.4GHz（3G wireless）有线电视501000MHzGPS1.6GHz卫星电视1113GHzWireless LAN900MHz2.4、5.8、60GHzPoint-to-point Radio6、8、11、15、18、23、38、60GHzVSAT（小型卫星地面站）6、14、28GHz卫星移动电话1.6、2.5GHz（subsc

4、riber）20、23、29GHz（up/down/crosslink）宽频卫星服务28GHz汽车雷达控制系统7677GHz电子收费系统5.8GHzGaAs非常适合高频无线通讯Page 6无线通信IC包括三个功能部分射频IC (Radio Frequency)中频IC (Intermediate Frequency IC)基频IC (Baseband IC)负责发送/接收射频信号负责二次升/降频和调制/解调负责A/D、D/A、信号处理器和CPUPage 7GaAs是功率放大器的主流技术n 砷化镓具备许多优异特性，但材料成本及良品率方面比不上硅，因基频部分以处理数字信号为主，内部组件多为主动组件

5、、线路分布密集，故以细微化和高集成度纯硅CMOS制程为主。n 手机中重要关键零部件功率放大器（Power Amplifier，PA），由于对放大功率的严格要求，因此使用GaAs制造将是最佳方式。GaAs在无线通讯射频前端应用具有高工作频率、低噪声、工作温度使用范围高以及能源利用率高等优点，因此在未来几年内仍是高速模拟电路，特别是功率放大器的主流制程技术。Page 8手机是促进GaAs IC市场增长的主要动力n 根据Strategy Analytics的报告，手机仍将是促进砷化镓（GaAs）IC市场增长的主要动力n 2004年GaAs芯片市场29亿美元，2008年将达37亿美元n GaAs器件市

6、场将继续主要依赖无线市场，手机市场是主要增长动力，2003年无线市场占GaAs器件总体需求的41%以上，来自汽车雷达等其它应用的需求将会增长，但2008年手机仍将至少占GaAs市场的33%n 随着手机需求成长，以及每支手机所需PA从单频增为双频和三频，预计光手机这项需求，2008年GaAs芯片将达到30亿颗Page 9相关数据的解释2004年：手机出货量：7.1亿部每部手机用PA：2.4个采用GaAs制程：70%每个PA售价：1美元GaAs市场总额：7.12.470%1/41%29亿美元2005年：手机出货量：11亿部每部手机用PA：2.7个采用GaAs制程：60%每个PA手机：0.7美元Ga

7、As市场总额：112.760%0.7/33%38亿美元2004年手机功率放大器份额（按制程分）资料来源:Strategy Unlimited全球手机出货量及增长率图（单位：百万台；%）资料来源:IDCPage 10国内外现状对比n 目前我国在研制通信用砷化镓器件方面尚处于起步阶段。手机用砷化镓电路基本靠进口。随着我国通信产业迅速发展，对砷化镓器件需求越来越大。因此发展砷化镓器件产业对国内通信产业具有重大意义。n 砷化镓电路用于手机的功放和开关部分，还可用于移动通信基站、光通信、卫星通信、CATV、军事通信等重要用途，应用领域非常广泛。Page 11GaAs还有更多的应用领域n 光纤通信具有高速

8、、大容量、信息多的特点，是构筑“信息高速公路”的主干，大于2.5G比特/秒的光通信传输系统，其收发系统均需要采用GaAs超高速专用电路。n 随着光电子产业和自动化的发展，用作显示器件LED、测距、玩具、条形码识别等应用的高亮度发光管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器等均有极大市场需求，还有GaAs基高效太阳能电池的用量也十分大，对低阻低位错GaAs产业的需求十分巨大而迫切。我国数十亿只LED管芯，所有的可见光激光器、高亮度发光管、近红外激光器等几乎都依靠进口，因此生产高质量的低阻GaAs单晶，促进LED管芯、可见光激光器、高亮度发光管和高效率高效太阳能电池的商品化生产，将有力地发

9、展我国民族的光电子产业。Page 12n 2004年度中国新材料领域十大年度最具创新力企业：n 中材高新材料股份有限公司n 中信国安盟固利电源技术有限公司n 北京云电英纳超导电缆有限公司n 包头昭和稀土高科新材料有限公司n 广东炜林纳功能材料有限公司n 上海杉杉科技有限公司n 山西丰海纳米科技有限公司n 恩平嘉维化工实业有限公司n 北京中科镓英半导体有限公司n 天威英利新能源有限公司中科镓英新材料领域最具创新力企业Page 13n 中科镓英借鉴了日本，德国和美国砷化镓材料制作工艺的特点，全部采用日本，德国和美国的晶片加工设备设计创建了一个多功能，全自动晶片加工平台，特别是零级超净全封闭全自动晶

10、片清洗平台可以保证晶片表面超高质量要求和高度均匀一致性。n 为达到最低的成本，中科镓英在自行开发生产LEC法和VGF/VB法砷化镓单晶材料的同时，将与中国国内几个特色砷化镓单晶生产厂家组成联合体，利用中科镓英的晶片加工平台生产满足各种用户要求的最低成本最高质量的砷化镓单晶片。n 中科镓英将在现已进行2英寸至6英寸超净级单双面抛光片的生产基础上，向多品种化合物半导体材料发展，现已具备2英寸至4英寸超净级磷化铟抛光片的商业性生产。中科镓英技术Page 14第三代半导体材料GaNn 禁带宽度Eg1.5介电常数11.812.812.510.09.0Page 16n （1）凭借GaN半导体材料在高温高频

11、、大功率工作条件下的出色性能取代部分硅和其它化合物半导体材料器件市场n （2）凭借GaN半导体材料宽禁带、激发蓝光的独特性质开发新的光电应用产品n GaN区别于第一和第二代半导体材料最重要的物理特点是具有更宽的带宽，可以发射波长比红光更短的蓝光GaN应用领域Page 17n 实现半导体照明。国内外倍加关注的半导体照明是一种新型的高效、节能和环保光源，将取代目前使用的大部分传统光源，被称为21世纪照明光源的革命，而GaN基高效率、高亮度发光二极管的研制是实现半导体照明的核心技术和基础。n 提高光存储密度。DVD的光存储密度与作为读写器件的半导体激光器的波长平方成反比，如果DVD使用GaN基短波长

12、半导体激光器，则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高45倍，因此，宽禁带半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。n 改善军事系统与装备性能。高温、高频、高功率微波器件是雷达、通信等军事领域急需的电子器件，如果目前使用的微波功率管输出功率密度提高一个数量级，微波器件的工作温度将提高到300，不仅将大大提高雷达（尤其是相控阵雷达）、通信、电子对抗以及智能武器等军事系统与装备的性能，而且将解决航天与航空用电子装备以及民用移动通信系统的一系列难题。细分应用领域Page 18高亮度LED市场规模和增长分析1995-20031995-2003年高亮度年高亮度LEDLED市场市场2

132008年高亮度年高亮度LEDLED市场市场20032003年高亮度年高亮度LEDLED应用市场分布应用市场分布资料来源:Strategies Unlimited2003年高亮度LED市场规模总体增长47%，达到27亿美元预计高亮度LED市场销量保持30%以上的年增长率Page 19市场分布分析20032003年全球年全球GaNGaN基基LEDLED芯片产量芯片产量n 按全球LED市场划分，目前市场主要集中在日本、美国、欧洲等发达国家和地区，仅日本、美国市场就占到全球的60以上。n 按应用领域划分，目前，高亮度LED主要用途及市场有显示器背光源（如手机、PDA）、标志

14、（如户外显示）、景观照明、汽车、电子设备、交通信号灯及照明等。 Page 20n 技术创新与新产品开发速度加快 n 市场空间进一步扩大，经济、社会效益逐渐显现 n 企业积极介入，部分产品竞争加剧 n 产业链中成熟技术逐渐向劳动力成本低的地区转移n 跨国公司加强战略联盟，通过专利授权等手段，垄断高端市场 市场发展趋势分析Page 21n 固体冷光源、效率高、绿色环保n 寿命长、可以达到10万小时（连续10年）n 低电压工作n 实现方式： 基于蓝光LED，通过荧光粉激发黄光，组成白光 通过红、绿、蓝三种LED组合成白光 基于紫外光LED，通过三色基粉，组合成白光白光LED优异的性能和实现方式Pag

15、e 22n 从2000年起国家投资5亿美元n 到2010年 55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯取代n 每年节电达350亿美元n 2015年形成每年500亿美元的半导体照明产业市场美国半导体照明计划n 投入资金50亿日元n 到2007年 30%的白炽灯被置换为半导体照明灯日本21世纪照明计划n 应用半导体照明实现：n 高效n 节能n 不使用有害环境的材料n 模拟自然光欧盟彩虹计划韩国“固态”照明计划n 2004年-2008年韩国政府计划投入1亿美元，企业提供30%配套资金，近期开始实施，预计2008年LED的发光效率达到80lm/W Page 23n 我国有近百名专家（两院院士）联名向国务院呼吁，

16、以三峡工程的5%费用，支持我国的半导体照明产业，用5-10年的时间的努力，1/3照明应用半导体照明，每年可以节约的电量1000亿度，多于一个三峡水电站的发电量（800亿度）n 国家启动国家半导体照明工程中国专家的呼吁Page 24联创光电LED业务分析子公司主营业务行业地位厦门华联下游LED封装和应用产品国内最大的LED封装企业，盈利较好，新近实施的“半导体照明光电器件封装及应用项目”可提供稳定新增收入南昌欣磊中游LED芯片盈利水平在业内处于较高水平，拥有多条蓝光芯片线，可逐渐批量生产南昌分公司下游LED封装产品规模较小，尚在亏损联创致光下游LED应用产品规模较小，尚在亏损光电材料分公司上游L

17、ED外延片曾引进两台MOCVD，但技术不过关，基本停滞，已放弃高亮度GaN蓝光外延片项目。厦门三安、大连路美、方大国科在GaN外延片上做得较好。（上游）外延片（中游）芯片（下游）封装衬底-外延蒸镀-光刻-电极-划片粘贴-引线-树脂密封Page 25GaN外延方法子公司分子束外延（MBE）有机金属化学气相沉积（MOCVD）技术层次中高量产能力低高产品良率高中生产速度中、低中外延纯度高高外延平整度好好缺点机器需要抽真空填料，每年需打开一次填料，有一个月不运转期，设备费用是MOCVD法的1.6倍参数控制不易，重新开机参数要重新调整，每台机器产出都要经过重新认证n 很难生长GaN晶棒n 目前大都在兰宝

18、石或SiC衬底上制造GaN器件，专利被日美垄断n 南昌大学成功在Si衬底上制造GaN基蓝光LED，可小批量生产Page 26联创光电盈利预测名称200120022003200420052006E2007E2008E2009E通讯线缆6976912810733141571661819942239302871634459增长率30.85%17.58%31.90%17.38%20%20%20%20%光电器件25548227713027242953437315685090960136440191016增长率-10.87%32.94%41.89%1.8%30%60%50%40%继电器2372129424339304659248819585837030084360101232增长率24.04%15.31%37.32%4.78%20%20%20%20%其它6990132131157511057132151453