涡流无损检测

1、涡 流 无 损 检 测 E T答辩人： 王炎 13010123 王信 13010110 赵言吾 130101091工程背景2实验环节3实验结果4改进方案CONTENT工程背景 在在先进的集成电路中，薄金属、半先进的集成电路中，薄金属、半导体和聚合物薄膜是必不可少的元素。评估导体和聚合物薄膜是必不可少的元素。评估这些薄膜这些薄膜状态状态是在这些领域的工作一个重要是在这些领域的工作一个重要的部分。的部分。一、工程背景u电磁感应电磁感应 涡流涡流 楞次定律楞次定律 反反磁场磁场u集肤效应集肤效应实验环节电路图2.1 原理检测成图原理l内置线圈，电阻，导线内置线圈，电阻，导线l四线两端，输入输出四线两

2、端，输入输出l总长总长10 cm10 cm，8 cm8 cm2.2 硬件准备探头头部铁氧体磨尖铁氧体磨尖电电阻阻线圈线圈内部结构内部结构Hs3函数发生器根据电路图连线；根据电路图连线；利用位移机器进行精准扫描；利用位移机器进行精准扫描；利用利用labviewlabview缺陷成图。缺陷成图。2.3 实验过程请观赏视频数据分析1.1.不通电情况下的不通电情况下的 正常及小正常及小型缺陷；型缺陷；2.2.创新实验创新实验。实验结果3.1 3.1 不不通电情况下通电情况下的正的正常及小型缺常及小型缺陷陷0 016/cm16/cm待测缺陷待测缺陷小三角形缺口大三角形缺口大缺陷小缺陷 实实验结验结果果

3、由由上图可以对比看出，此传感器对上图可以对比看出，此传感器对于缺陷的检测是可行的，但限于传感器的精于缺陷的检测是可行的，但限于传感器的精度不够高，所以对于小型缺陷的检测不够有度不够高，所以对于小型缺陷的检测不够有效。并且由于衬板为波纹纸板，自身有一定效。并且由于衬板为波纹纸板，自身有一定的弧度，所以无缺陷区所显示的阻抗略有不的弧度，所以无缺陷区所显示的阻抗略有不同。同。结果分析3.2 3.2 创新实验创新实验待测缺陷待测缺陷通电电极1V 实实验结验结果果100KHz100KHz5V10V1V 实实验结验结果果300KHz300KHz5V10V1V 实实验结验结果果500KHz500KHz5V1

4、0V 我们对的到实验数据进行了处理，我们对的到实验数据进行了处理，分析了结果并得到了一些结论。分析了结果并得到了一些结论。结果分析结果分析29.129.229.329.429.529.629.729.829.93030.1024681012300k/Min808590951001051101150246810300k/Max阻抗阻抗电压/V电压/V结果分析40455055606570758085024681012300k/Max-Min阻抗电压/V100KHz 实实验结验结果果5V5V300KHz500KHz结果分析28.428.628.82929.229.429.629.83030.201002003004005006005V/Min8085909510010501002003004005006005V/Max频率/KHz频率/KHz阻抗阻抗结果分析404550556065707501002003004005006005V/Max-Min阻抗频率/KHz改进方案1.1.铁氧体尖端的研磨做的更细一点；铁氧体尖端的研磨做的更细一点；2.2.对于焊点的绝缘处理做的更严密；对于焊点的绝缘处理做的更严密；3.3.制制作工序更合理，避免不必要的误差；作工序更合理，避免不必要的误差；4.4.