单片机应用技术中级教程2ppt课件

1、教学内容：单片机的根本组成、教学内容：单片机的根本组成、80C51单片机的引脚功能、单片机的引脚功能、80C51的构造框图、的构造框图、80C51 CPU的构造、的构造、PC、DPTR、PSW、SP功能，时钟电路内部时钟、外部时钟、时序概念振荡功能，时钟电路内部时钟、外部时钟、时序概念振荡周期、时钟周期或称形状周期、机器周期、指令周期、周期、时钟周期或称形状周期、机器周期、指令周期、80C51单片机的存贮器配置、任务存放器、存放器的分区构造、单片机的存贮器配置、任务存放器、存放器的分区构造、特殊功能存放器、位地址空间、布尔处置器、复位形状和复位特殊功能存放器、位地址空间、布尔处置器、复位形状和

2、复位电路、低功耗任务方式。电路、低功耗任务方式。教学要求：掌握教学要求：掌握MCS-51单片机的组成及其构造特点，掌握单片机的组成及其构造特点，掌握MCS-51单片机储存器的配置方式及其地址空间；掌握程序储单片机储存器的配置方式及其地址空间；掌握程序储存器、外部数据储存器、内部数据储存器、特殊功能存放器在存器、外部数据储存器、内部数据储存器、特殊功能存放器在运用时的要求，以及各个储存器空间的功能划分；了解时序概运用时的要求，以及各个储存器空间的功能划分；了解时序概念；了解复位形状和复位电路、低功耗任务方式。念；了解复位形状和复位电路、低功耗任务方式。第二章 单片机的根本构造与任务原理第二章 单

3、片机的根本构造与任务原理2.1 单片机的根本组成 P13 图2-1各组成部分的特点：各组成部分的特点：1.中央处置器CPU：较普通CPU增设了位处置等“面向控制 的功能。2.存储器：有程序和数据存储器一致寻址的普林斯顿构造与分别寻址的哈佛构造2种。MCS-51采用哈佛构造。程序存储器为ROM，数据存储器RAM。且有片内、片外之分。3.并行I/O口：有4个8位的I/O口P0-P3。部分I/O口还是系统总线或控制信号线。4.串行口：有1个通用异步接纳和发送器UART即串行通讯口。5.定时器/计数器：有2个16位的可编程定时器/计数器。6.时钟电路：时钟是定时的根底，单片机内有一个反相放大器构成振荡

4、电路，可用内部或外部两种方式产生单片机所需的时钟。7.中断源：有多个可编程的中断源，可设置优先级。 下面我们将以80C51为主，对其功能和构造作详细引见。2. 2 80C51单片机的引脚功能和构造框图单片机的引脚功能和构造框图2.2.1 80C51的引脚功能的引脚功能 有有40脚脚DIP和和44脚脚QFP封装封装2种种,P16 各引脚的功能如下：各引脚的功能如下：1电源和晶振：电源和晶振：Vcc(+5V)，Vss(地地)，XTAL1 / 2接晶振。接晶振。2I/O口：口：4个，个，32根。其中根。其中 P0：8位双向口，地址和数据分时复用，可驱动位双向口，地址和数据分时复用，可驱动8个个TTL

5、负载。负载。 P1：8位准双向口，可驱动位准双向口，可驱动4个个TTL负载。负载。 P2：8位准双向口，输出高位准双向口，输出高8位地址，可驱动位地址，可驱动4个个TTL负载。负载。 P3：8位准双向口，具有多功能见下位准双向口，具有多功能见下,可驱动可驱动4个个TTL负负载。载。 P3.0RXT(串行输入，串行输入，P3.1 TXD(串行输出；串行输出； P3.2外部中断外部中断0 ，/INT0 ，P3.3 外部中断外部中断1 ，/INT1； P3.4 T0/ 计数器计数器0输入，输入， P3.5 T1/ 计数器计数器1输入；输入； P3.6 /WR(片外存写选通，片外存写选通，P3.7 /

6、RD(读选读选通通)； 3控制线：控制线：4根根RST， /EA，ALE，/PSEN 输入： RST复位输入信号，高电平有效。在振荡器任务时， 在RST上作用两个机器周期以上的高电平，将器件复位。 /EA /VPP片外程序存储器访问允许信号，低电平有效。在编程时，其上施加21V或12 V的编程电压 输入、输出： ALE /PROG地址锁存允许信号，输出。 用做片外存储器访问时，低字节地址锁存。ALE以1/6的振荡频率稳定速率输出，可用做对外输出的时钟或用于定时。在EPROM编程期间，作输入。输入编程脉冲/PROG。ALE可以驱动8个LSTTL负载。 输出控制线： PSEN片外程序存储器选通讯号

7、，低电平有效。在从片外程序存储器取指期间，在每个机器周期中，当/PSEN有效时，程序存储器的内容被送上P0口数据总线。/PSEN可以驱动8个LSTTL负载。2.2.2 80C51的内部构造框图和组成见的内部构造框图和组成见 P18 图图2-3 主要包括算术逻辑部件主要包括算术逻辑部件ALU、累加器、累加器ACC(有有时也简称为时也简称为A) 、只读存储器、只读存储器ROM、随机存取、随机存取存储器存储器RAM、指令存放器、指令存放器IR、程序地址存放、程序地址存放器、程序计数器器、程序计数器PC、数据指针、数据指针DPTR、定时器、定时器计数器、并行计数器、并行IO口口 P0P3、串行口、程、

8、串行口、程序形状标志存放器序形状标志存放器PSW以及定时控制逻辑电以及定时控制逻辑电路等。这些部件经过内部总线衔接起来，构成路等。这些部件经过内部总线衔接起来，构成一个完好的微型计算机。一个完好的微型计算机。 2. 3 80C51CPU的构造和特点的构造和特点P1928 这里主要引见控制器、运算器及时序电路，而任务存放器放在以后与片内存放器一同讲。 2.3.1 中央控制器 它是识别指令，并根据指令控制计算机各组成部分进展任务的部件。包括：程序计数器PC、地址存放器、指令存放器及译码器、条件转移逻辑电路及定时控制逻辑电路。 1。程序计数器PC和数据指针DPTR16位 程序计数器PC的变化决议程序

9、的流程，每步自动加1，它的宽度决议了程序存储器的寻址范围16位- 64K，PC的值即下一条指令的地址。中断或子程序调用，PC值将入栈，前往时出栈。 PC的输出也就是程序的地址，与P0、P2口各位的关系见 P20图2-4： PC0 P0.0 A0 , PC7 P0.7 A7 (低8位地址 PC8 P2.0 A8 , PC15 P2.7 A15 高8位地址 数据指针DPTR 既可以作为16位的数据存放器，也可以拆成两个8位的存放器DPH，DPL；在间接寻址时，作为片外数据存储器的地址存放器，与P0、P2口各位的关系 见 P20 图2-5： 续DPTR与P0、P2口各位的关系： DPL0 P0.0

10、A0 , DPL7 P0.7 A7 (DPL0 P0.0 A0 , DPL7 P0.7 A7 (低低8 8位地址位地址 DPH0 P2.0 A8 , DPH7 P2.7 A15 DPH0 P2.0 A8 , DPH7 P2.7 A15 高高8 8位地址位地址 例：访问片外数据存储器：例：访问片外数据存储器： MOVX AMOVX A，DPTR (DPTR (读读) ) MOVX MOVX DPTRDPTR，A (A (写写) ) PC PC 和和DPTRDPTR也可作为访问程序存储器时的基址存放器：也可作为访问程序存储器时的基址存放器： MOVC AMOVC A，A+PCA+PC MOVC A

11、 MOVC A，A+DPTR JMP A+DPTR JMP A+DPTRA+DPTRPC 和和DPTR的异同点：的异同点： 两者都是与地址有关的两者都是与地址有关的16位存放器，但位存放器，但PC只和程序存储器地只和程序存储器地址有关，址有关，DPTR和数据存储器地址有关也可和程序存储器地址有和数据存储器地址有关也可和程序存储器地址有关；此时，它们的内容都经关；此时，它们的内容都经P0和和P2口输出。口输出。 PC的输出与的输出与ALE及及/PSEN有关；有关；DPTR的输出，那么与的输出，那么与ALE、/WR、/RD相联络。相联络。 PC 只能作为只能作为16位存放器运用，位存放器运用， D

12、PTR还可作为两个还可作为两个8位存放位存放器器DPH，DPL对待，对待，PC不能；不能；PC具有自动加具有自动加1功能，而功能，而DPTR 不能自动加不能自动加1，需用，需用INC DPTR 增增1无无 INC PC。续上页2.3.1 中央控制器 2。指令存放器、指令译码器及控制逻辑 指令存放器用来存放指令操作码，经指令译码器进展译码后，送定时控制逻辑电路产生控制信号见P21图2-6。2.3.2 运算器见P22 图2-7 运算器主要用于实现算术与逻辑运算及位操作，包括算术逻辑单元ALU、累加器ACC(A)、暂存器、B存放器、程序形状字PSW 等。 1。算术逻辑单元ALU：它是计算机中必不可少

13、的数据处置单元。本质是一个全加器，其运算输入主要来自两个暂存器和累加器ACC。 2。累加器ACC：它是CPU中运用最频繁的一个存放器，简称A存放器。它既是ALU的输入单元之一，又是ALU运算结果的存放单元；且CPU的数据传送大部分都经过累加器。 3。 B存放器：可作为一个普通的8位存放器。同时它在乘、除运算中有特殊用途： 乘法中，两个乘数分别放在A、B，乘积的低位放A、高位放B中； 除法中，被除数放在A，除数放在B，商放在A、余数放在B中。续上页 2.3.2 运算器 4。程序形状字PSW：它是一个逐位定义的、程序可以按位访问的8位存放器，其中每位的定义如下： PSW.0 P：奇偶标志位。假设累

14、加器A中为1的位数是奇数个， 那么P=1，否那么，P=0。 PSW.1 -：保管位，未定义。 PSW.2 OV：溢出标志位。假设运算结果超出A所能表示的带 符号的数的范围-128 +127 ),那么 OV=1,否那么置0 。 PSW.6 AC：辅助进位标志位。当加减运算时，假设低4位向 高4位发生进位或借位时，AC = 1，否那么置0 。 PSW.7 CY：进位标志位。表示运算结果中，假设最高位有进 位或借位，那么CY=1，否那么置0。 PSW.5 F0：用户定义位。可由用户根据需求自定义之。CYACF0RS1RS0OVP 5。堆栈指针SP：它是一个8位的特殊功能存放器，SP的内容 可指向80

15、51/31片内00H-7FH RAM的任何单元。MCS-51单片机把堆栈设置在片内数据RAM区中，详细位置可由SP设定。开机或系统复位后，SP初始化为07H即默许的栈底地址为07H，每执行一次入栈操作PUSH，SP+1；而执行一次出栈操作POP，SP-1。 例题：知A=7AH， R1=30H， (30H)=A5H PSW=81H，问执行以下指令的结果。 1. XCH A , R1 (A)=30H , (R1)=7AH , P=0 2. XCHD A , R1 (A)= 75H , (30H)=AAH , P=1 3. ADDC A , R1 (A)=ABH , (CY) = 0 , P=1 4

16、. SUBB A , #30H (A)= 49H , (CY ) = 0 , (OV) = 0 5. RLC A (A)= F5H , (CY) = 0 , P=0 6. RR A (A)= 3DH , (CY) = 1 , P=12.3.3 时钟电路及时钟电路及CPU的任务时序的任务时序 1。时钟电路：8051内部有一个高增益反相放大器，其输入端为 XTAL1，输出端为XTAL2。在XTAL1和XTAL2两端跨接适当的石英晶振及2个10-30 PF的小电容，就可构成稳定的自振荡器见以下图A 或 P24图2-8。两个小电容对振荡频率有微调作用，同时其大小影响振荡器的稳定性与起振的快速性。电路板

17、设计时，石英晶振及2个小电容应尽能够接近 CPU 芯片。 也可运用外部振荡脉冲信号，由XTAL2端输入，XTAL1端接地(见以下图B)，这种外部振荡脉冲方式常用于多块CPU同时任务的系统，以便于同步，外部脉冲信号应是频率低于12MHz的方波。 2。时序定时单位：80C51的时序定时单位共有4种，从小到大为： 节拍：即振荡脉冲周期，用P1、P2表示(其频率 = fosc) 。 形状：一个形状S包含两个节拍。前半周为P1，后半周为P2。 机器周期：规定一个机器周期的宽度为6个形状，依次表示 为S1、S2、S6，由于每个形状有2个节拍，所以 一个机器周期共12个节拍，分别记为S1P1，S1P2, S

18、6P1,S6P2 即机器周期是振荡脉冲的12分频。 指令周期：执行一条指令所需求的时间称为指令周期。 80C51的指令周期依指令不同，可包含1，2，3，4个 机器周期但大部分为单机器周期和双机器周期。 3。80C51指令时序：8031/8051共有111条指令，按指令所占的 字节长度可分为：单字节、双字节、三字节指令。 执行这些指令所需的机器周期数是不同的，概括起来有(6种)： 单字节单机器周期； 单字节双机器周期； 双字节单机器周期； 双字节双机器周期； 三字节(全)双机器周期； 单字节(乘除)四机器周期； 从书中P21图2-10可看到单周期和双周期指令的执行时序举例： 例如：单机器周期指令

19、时见图2-10 的 b 和 a )： 假设是双字节指令如 ADD A，#0BH，在S1P2读入操作码到指令存放器；在S4P2再读入第二个字节。 假设是单字节指令如 INC A ，在S1P2读入操作码到指令存放器；在S4P2也读入第二个字节，但内容被忽略，且PC不加1。 图2-10其它指令的时序留作自学。下面作几点补充阐明： 1图中的ALE是地址锁存允许信号，其频率为1/6振荡脉冲频率，在一个机器周期中，ALE信号两次有效，每有效一次将对应一次读指令操作。见前面的时序图和P21 图2-10 a, b, c 2但在单字节双周期的MOVX类指令中，第1机器周期时,是从ROM读取指令，与上述情况一样；

20、第二机器周期时，是进展外RAM访问，其S1P1无ALE信号，因此无读指令操作图2-10 d )。 2.4 存储器构造和地址空间 前面曾经提到，MCS-51单片机的存储器是哈佛构造，即程序存储器和数据存储器截然分开，各有本人的寻址方式、寻址空间和控制系统。80C51不仅在片内驻留有一定容量的程序存储器与数据存储器，而且还具有很强的外部存储器扩展才干，寻址范围分别可到达64 KB。 2.4.1 程序存储器：程序存储器用于存放程序、表格和固定的常数。它分为片内和片外两部分，共64KB，实行延续、一致的编址。 1可由/EA引脚的电平来确定是片内还是片外寻址：对于8031CPU，由于它没有片内程序存储器

21、，所以应把/EA接地，迫使系统全部执行片外的程序存储器。 物理上物理上4 4个存储器地址空间：个存储器地址空间：片内片内/ /片外程序存储器空间片外程序存储器空间片内片内/ /片外数据存储器空间片外数据存储器空间逻辑上逻辑上3 3个存储器地址空间：个存储器地址空间：64KB 64KB 程序存储器程序存储器256B 256B 片内数据存储器片内数据存储器而对于有片内ROM/EPROM的8051/8751，正常运转时，应把/EA接高电平，此时，最低4KB0000-0FFFH为片内ROM/EPROM，大于4KB为片外EPROM60KB，从1000H - FFFFH。2程序存储器开头的部分单元0000

22、H002DH普通被保管用 于特定的程序入口地址。它们是： 复位或启动 0000H， 外部中断0 0003H 定时器T0中断 000BH， 外部中断 1 0013H 定时器T1中断 001BH， 串行口中断 0023H 定时器T2中断 002BH。 通常，程序在这些中断入口地址设置无条件转移指令AJMP 。 2.4.2 2.4.2 数据存储器数据存储器 数据存储器由数据存储器由RAMRAM构成，也分为片内、片外构成，也分为片内、片外RAMRAM两部分。两部分。 片内数据存储器地址只需片内数据存储器地址只需8 8位，寻址范围为位，寻址范围为256256个字节个字节256B256B； 片外数据存储器

23、寻址范围为片外数据存储器寻址范围为64KB64KB1616位地址，其中头位地址，其中头256B256B与与 片内地址反复，但可由指令自动区分片内片内地址反复，但可由指令自动区分片内MOVMOV、片外、片外 MOVXMOVX。 1。片内数据存储器： 共256B，它是最灵敏的地址空间。又可分为两个功能不同的区：片内RAM区和特殊存放器区SFR。 片内RAM区：80C51为该地址空间的低128B； 80C52为该地址空间的0 256B。 特殊存放器区：(SFR)为该地址空间的高128B。对于80C52， 它的高128B的RAM区与SFR区重叠，终究是访问什么区 是经过不同的寻址方式来加以区别，即访问

24、高128BRAM 采用间接寻址方式；访问SFR区，那么采用直接寻址方式。 1片内数据RAM区：根据不同的寻址方式又可分为几个区： 任务存放器区：00H 1FH，共32B，分为4个通用任务存放器组(0 3组)，每组包含8个8位的存放器，编号为 R0 R7 ( 见P32 表21 )。 在某一时辰，只能选用一个任务存放器组，它经过软件对PSW 的RS0、RS1赋值来实现。此特点可在中断及子程序调用时，用于实现任务存放器现场维护，为此带来极大的方便。 位寻址区：片内RAM区的20H2FH(共16B，包含168=128bit 是既可字节寻址又可位寻址的RAM区由指令类型而定。其位地址与字节地址的关系见P

25、33表2-2(字节20H对应于位07H - 00H)。 字节寻址区：片内RAM区的30H7FH，共80个字节，可以采用直接字节寻址；而80C52的高128B数据RAM区，只能采用间接字节寻址的方法访问。 堆栈及其指针SP:堆栈设在片内数据RAM区中前面已述，略。RS1RS0组号单元地址(R0R7)00000H 07H01108H 0FH10210H 17H11318H 1FH 2特殊功能公用存放器SFR区：它是80C31/51单片机中各功能部件( 如累加器、形状字、I/O口、定时器等 ) 所对应的存放器，用于存放各部件的控制命令、形状、数据等。 80C31/51单片机的特殊功能存放器除了PC和

26、4个通用任务存放器组外，其他的都在片内的高128B的RAM中，这128B对于80C31/51来说，仅占用了很少的21个80C52占用26个，其他地址均访问无效80C52可间址访问。 各特殊功能存放器的称号和地址见P34表2-3，对于字节地址能被8整除的即字节地址低位为0或8的特殊功能存放器，还具有位地址和位寻址才干。对应的位地址及位定义见P36表2-5。如：标识符 存放器称号 字节地址 位地址 ACC 累加器 0E0H 0E7H 0E0H PSW 程序形状字 0D0H 0D7H 0D0H DPTR 数据指针 83H、82H 无 SCON 串行口控制 98H 9FH 98H2 。片外数据存储器：

27、采用存放器间接寻址，所用的存放器为DPTR、R0或R1。用16位的DPTR时，寻址范围为64KB，用R0或R1时，最大寻址范围为低256B。片内RAM可位寻址的位有： 8031/8051/8751： 12883(11个SFR)211位8032/8052/8752： 12893(12个SFR) 221位2.5 布尔位处置器布尔位处置器 MCS-51单片机中，设置了功能极强的位处置器，这是该单片机中，设置了功能极强的位处置器，这是该单片机的一个突出的优点，它使单片机的一个突出的优点，它使“面向控制的实践运用带来了面向控制的实践运用带来了很大的方便。很大的方便。 主要有如下的设置：主要有如下的设置：

28、 1累加器的进位位累加器的进位位CY：CY既是数据源之一，又是运算结果既是数据源之一，又是运算结果存放处和位数据传送中心。根据存放处和位数据传送中心。根据CY的形状设置程序转移的形状设置程序转移(JC ，JNC)。 2位寻址的片内位寻址的片内RAM区区:字节字节202FH，有，有128个可位寻址个可位寻址的位。的位。 3位寻址的存放器：字节地址可被位寻址的存放器：字节地址可被8整除的特殊功能存放器。整除的特殊功能存放器。 4位寻址的位寻址的I/O口：口：P0 P3口都可以位寻址。口都可以位寻址。 5位操作指令系统：可实现置位、清位操作指令系统：可实现置位、清0、取反、位传送、位、取反、位传送、

29、位逻辑运算等。逻辑运算等。 利用以上位处置功能，不仅可进展位逻辑设计，而且免去了过多的数据往返传送、字节屏蔽和位测试分支操作，大大简化了编程，节省了存储空间，加快了处置速度。这些特性，尤其适用于那些需求数据采集、实时测控的运用系统。有关位处置的指令及其运用的详细情况，待以后详述。2.6 80C51单片机的任务方式单片机的任务方式 80C51单片机共有四种任务方式，即：复位、程序执行、单片机共有四种任务方式，即：复位、程序执行、低功耗以及编程和校验。低功耗以及编程和校验。2.6.1 复位方式复位方式 1。复位操作：它是单片机的初始化操作，包含开机和出错复位。其主。复位操作：它是单片机的初始化操作

30、，包含开机和出错复位。其主要功能是：把要功能是：把PC初始化为初始化为0000H，使单片机从，使单片机从0000H开场执行程序。开场执行程序。 此外，复位操作还对其它一些特殊功能存放器的取值有影响，详此外，复位操作还对其它一些特殊功能存放器的取值有影响，详见见P37表表2-6：它使：它使P0P3置置FFH， SP置置07H ，ACC、B、PSW、SCON、TL0、TH0、TL1、TH1置置00H，TCON置置0000000B，TMOD置置000000B，PCON置置0 0000B，SBUF不定。不定。 2。复位信号及其产生。复位信号及其产生 1复位信号：高电平有效，由复位信号：高电平有效，由R

31、ST脚引入，有效时间应不小于脚引入，有效时间应不小于2个个机器周期如：机器周期如：6MHz晶振，晶振，4微秒。微秒。 2复位方式：有三种复位方式：上电自动复位、按键电平复位、外复位方式：有三种复位方式：上电自动复位、按键电平复位、外部脉冲复位。相应的复位电路见部脉冲复位。相应的复位电路见P38图图2-14 a、b 、 c 。2.6.2 程序执行方式：它是单片机的根本任务方式，从程序执行方式：它是单片机的根本任务方式，从0000H开场执行程开场执行程序，但普通放一跳转序，但普通放一跳转AJMP指令，转到适当的地址去执行。指令，转到适当的地址去执行。2.6.3 低功耗任务方式：低功耗任务方式：80

32、C51这类带这类带C标的单片机具有两种低功耗任务标的单片机具有两种低功耗任务方式，即待机方式和掉电维护方式。它们与不带方式，即待机方式和掉电维护方式。它们与不带C标的单片机的差别主要是标的单片机的差别主要是芯片制造工艺不同，带芯片制造工艺不同，带C的是采用的是采用CMOS互补金属氧化物半导体工艺，互补金属氧化物半导体工艺，具有低功耗、抗干扰强的特点；而它们的管脚及指令系统都一样。待机方具有低功耗、抗干扰强的特点；而它们的管脚及指令系统都一样。待机方式或掉电维护方式由式或掉电维护方式由PCON的的IDL位或位或PD位来控制位来控制. 待机方式和掉电方式时所涉及的硬件如图2-15所示。SMODGF

33、1GF0PDIDL电源控制存放器电源控制存放器 (PCON)SMOD 波特率倍增位，在串行通讯时运用。GF1 通用标志位1。GF0 通用标志位0。PD 掉电方式位，PD=1,那么进入掉电方式。IDL 待机方式位，IDL=1，那么进入待机方式。要想使单片机进入待机或掉电方式，只需执行一条能使IDL或PD位为1的指令即可。1 待机方式 待机方式的进入：假设运用指令使PCON存放器IDL位置1，那么80C51即进入待机方式。这时振荡器依然运转，并向中断逻辑、串行口和定时器/计数器电路提供时钟，但向CPU提供时钟的电路被阻断，因此CPU不能任务，而中断功能继续存在，但与CPU有关的如SP、PC、PSW

34、、ACC以及全部通用存放器都被“冻结在原形状。待机方式的退出：采用中断方法退出待机方式。在待机方式下，假设引入一个外中断恳求信号，在单片机呼应中断的同时，PCON.0位即IDL位被硬件自动清“0，单片机就退出待机方式而进入正常任务方式。在中断效力程序中只需安排一条RETI指令，就可以使单片机恢复正常任务后，前往断点继续执行程序。2 掉电方式 掉电方式的进入：PCON存放器的PD位控制单片机进入掉电方式。当80C5l单片机，在检测到电源缺点时，除进展信息维护外，还应把PCON.1位置“1,使之进入掉电方式。此时单片机一切任务都停顿，只需内部RAM单元的内容被保管。掉电方式的退出：80C51单片机

35、备用电源由Vcc端引入。当Vcc恢复正常后，只需硬件复位信号维持10 ms，即能使单片机退出掉电方式。2.6.4 编程编程 / 校验方式：校验方式：87C51 / 52和和89C51 / 52还具有编程还具有编程方式，我们以当前最新的、具有电擦写功能的方式，我们以当前最新的、具有电擦写功能的8位单片机位单片机89C51为例来阐明。为例来阐明。89C51片内有片内有4KB的的E2PROM，有低电压，有低电压(5V)编程编程和高电压编程和高电压编程(12V)两种，低电压编程为用户在线编程提供了方两种，低电压编程为用户在线编程提供了方便，而高电压编程与普通的便，而高电压编程与普通的FLASH或或EP

36、ROM编程兼容。编程兼容。1 。闪速存储器编程方式：该编程方式下有关管脚的逻辑电平见。闪速存储器编程方式：该编程方式下有关管脚的逻辑电平见P41表表2-8。编程前，必需使整个。编程前，必需使整个FLASH存储器为全擦空存储器为全擦空(全全FFH)。表中有关的电平的配合可由专门的写入器卡及其软。表中有关的电平的配合可由专门的写入器卡及其软件实现。件实现。2。闪速存储器编程：。闪速存储器编程：(假设需在线编程，应了解此部分内容假设需在线编程，应了解此部分内容) (1)编程方法：在对编程方法：在对89C51E2PROM编程之前，编程之前，89C51的地址、的地址、数据、控制信号必需按数据、控制信号必需按P41表表2-8和图和图2-16所示设置好。所示设置好。图中：时钟图中：时钟 46MHz ； 编程数据编程数据 P0口口 地址地址4KB0000H 0FFFH P1口口+ P2.0 P2. 3 /EA H/12V ( V pp ) ； ALE 负脉冲或高电平负脉冲或高电平V IH P2.6、P2.7、P3.6、P3.7 由编程确定其高低见由编程确定其高低见P41表表28 /PSEN 接