第4章半导体理论ppt课件

1、第第4 4章章 半导体理论半导体理论4.1 半导体导电特性半导体导电特性4.2 PN结的单向导电性结的单向导电性4.3 二极管和稳压管二极管和稳压管4.4 单相整流电路单相整流电路4.5 滤波与稳压电路滤波与稳压电路4.6晶体管晶体管4.7基本放大电路基本放大电路4.8晶闸管及其应用晶闸管及其应用4.9集成运算放大器及其应用集成运算放大器及其应用4.10数字逻辑电路数字逻辑电路4.1 半导体的导电特性半导体的导电特性导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡绝缘体：有的物质几乎

2、不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显

3、改变。它的导电能力明显改变。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体结构：体结构：一、本征半导体的导电机理一、本征半导体的导电机理在绝对在绝对0 0度度T=0KT=0K和没有外界激发时和没有外界激发时,

4、 ,价电价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子即载流子），它的导电能以运动的带电粒子即载流子），它的导电能力为力为 0 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它

5、力的作用下，空穴吸引附近的电子空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。自由电子和空穴。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。大特点。本征半导

6、体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。二、二、 杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体）。

7、称为空穴半导体）。N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体）。也称为电子半导体）。1、N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子很容易被激发而成

8、为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。子给出一个电子，称为施主原子。+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子N 型半导体中型半导体中的载流子是什的载流子是什么？么？1.1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2.2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称

9、为多数载流子多子），空穴称为少数载流子少子）。子多子），空穴称为少数载流子少子）。2 2、P P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以

10、称为原子接受电子，所以称为受主原子。受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。型半导体中空穴是多子，电子是少子。一、一、 PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P P 型半导型半导体和体和N N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了交界面处就形成了PN PN 结。结。4.2 PN结的单向导电性P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电

11、荷区越宽。荷区越宽。内电场越强，就使漂移内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。间电荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。漂移运动漂移运动P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位V VV01.1.空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中

12、内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P中的空穴中的空穴.N.N区区 中的电子都是多子向对方运动扩散中的电子都是多子向对方运动扩散运动）。运动）。3.P 3.P 区中的电子和区中的电子和 N N区中的空穴都是少），区中的空穴都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意注意: :二、二、PN结的单向导电性结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是：结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区区加正、加正、N 区加负电压。区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是：结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区区加负、加负、N 区加正电

13、压。区加正电压。+RE1 1、PN PN 结正向偏置结正向偏置内电场内电场外电场外电场变薄变薄PN+_内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成的扩散加强能够形成较大的扩散电流。较大的扩散电流。2 2、PN PN 结反向偏置结反向偏置+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被加强，多子的内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电只能形成较小的反向电流。流。RE4.3 半导体二极管半导体二极管一、基本结构一、基本结构PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳和引线，就成为半导体二极管

14、。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号：二极管的电路符号： 二、伏安特性二、伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降: : 硅硅管管0.60.7V,0.60.7V,锗管锗管0.20.3V0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR三、主要参数三、主要参数1. 最大整流电流最大整流电流 ICM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。正向平均电流。2. 反向击穿电压反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电二极管反向击穿时的电压

15、值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压压URWMURWM一般是一般是UBRUBR的一半。的一半。3. 反向电流反向电流 IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比管的反向电流较小，锗

16、管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。保护等等。四、四、 稳压二极管稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ稳压稳压误差误差曲线越陡，曲线越陡，电压越稳电压越稳定。定。+-UZ动态电阻：动态电阻：ZZIUZrrz越小，稳越小，稳压性能越好。压性能越好。（2稳定电流稳定电流IZ、最大、最小稳定电流、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。（3最大允许功耗最大允许功耗maxZZZMIUP稳压二极管的

17、参数稳压二极管的参数:（1稳定电压稳定电压 UZ整流电路的作用整流电路的作用: : 将交流电压转变为脉动的直流电压。将交流电压转变为脉动的直流电压。 常见的整流电路：常见的整流电路： 半波、全波、桥式和倍压整流；单相和三相整流；半波、全波、桥式和倍压整流；单相和三相整流；可控和不可控整流等。可控和不可控整流等。整流原理：整流原理： 利用二极管的单向导电性和晶闸管的可控性利用二极管的单向导电性和晶闸管的可控性4.4 单相整流电路单相整流电路交流交流直流直流整流整流逆变逆变下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回上一节上一节一、单相半波整流电路一、单相半波整流电路 +aTrDuou2bRLi

18、o+u1t uDO u2 正半周，正半周，VaVb，二极管二极管D导通；导通； u2 负半周，负半周，Va Vb， 二极管二极管D 截止截止 。u tOuoOt U2U2U2 (1) (1) 整流电压平均值整流电压平均值 UoUo(2) (2) 整流电流平均值整流电流平均值 IoIoLLRURUI245. 0oo (3) (3) 流过二极管电流平均值流过二极管电流平均值 IDIDoDII (4) (4) 二极管的最高反向电压二极管的最高反向电压URmURm2Rm2 UU ) d( sin2212ttU 20.45 U oU整流二极管的选择：整流二极管的选择： 平均电流平均电流ID ID 与最高

19、反向电压与最高反向电压URmURm 是选择整流二极管的主要依据。是选择整流二极管的主要依据。IF ID ， UR URm 电路及工作原理电路及工作原理下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回上一节上一节二、单相桥式整流电路二、单相桥式整流电路u1D4D2D1D3RLuou2+aTbu2正半周:VaVb，uo= u2D1和和D3导通导通,+aTbu1D4D2D1D3RLuou2u2负半周:VaIC，UCE0.3V称为称为饱和区。饱和区。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBEIC，UCE0.3

20、V (3) 截止区：截止区： UBE 死区电压，死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 四、主要参数四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。集接法。共射直流电流放大倍数：共射直流电流放大倍数：BCII_工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为直流上的交流信号。基极电流的变化量为IBIB，相应的集电极电流变化为，相应的集电极电流变化为ICIC，则交，则交流电流放大倍数为：流电流放大

21、倍数为：BIIC1. 电流放大倍数电流放大倍数和和 _2.集集-基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO AICBOICBO是是集电结反集电结反偏由少子偏由少子的漂移形的漂移形成的反向成的反向电流，受电流，受温度的变温度的变化影响。化影响。BECNNPICBOICEO= IBE+ICBO IBE IBEICBO进入进入N区，形区，形成成IBE。根据放大关系，根据放大关系，由于由于IBEIBE的存的存在，必有电流在，必有电流IBEIBE。集电结反集电结反偏有偏有ICBO3. 集集-射极反向截止电流射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响受温度影响很大，当温度上很大，当温度上升时，升时，ICEO

22、增加增加很快，所以很快，所以IC也也相应增加。三极相应增加。三极管的温度特性较管的温度特性较差。差。4.集电极最大电流集电极最大电流ICM集电极电流集电极电流ICIC上升会导致三极管的上升会导致三极管的值的下值的下降，当降，当值下降到正常值的三分之二时的集值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为电极电流即为ICMICM。5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压当集当集-射极之间的电压射极之间的电压UCEUCE超过一定的数值超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是2525C C、基极开路时的击穿电压、基极开路时的击穿电压U(BR)CEOU

23、(BR)CEO。6. 集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM 集电极电流集电极电流IC 流过三极管，流过三极管， 所发出的焦耳所发出的焦耳 热为：热为：PC =ICUCE 必定导致结温必定导致结温 上升，所以上升，所以PC 有限制。有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区4.7 基本放大电路基本放大电路 放大器的作用：把微弱的电信号电压、电流放大器的作用：把微弱的电信号电压、电流和功率放大到所需的量级。和功率放大到所需的量级。一、电路组成一、电路组成下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回共发射极基本电路共发射极基本电路ECRSesRB

24、EBRCC1C2T+RL+ui+uo+二、各元件的作用二、各元件的作用晶体管晶体管T-T-放大元件放大元件, , iC=iC= iB iB。要保证集。要保证集电结反偏电结反偏, ,发射结正发射结正偏偏, ,使晶体管工作在使晶体管工作在放大区放大区 。基极电源基极电源EBEB与基极与基极电阻电阻RB-RB-使发射结使发射结 处于正偏，并提供处于正偏，并提供大小适当的基极电大小适当的基极电流。流。ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回集电极电源集电极电源EC -EC -为为电路提供能量。并保电路提供能量。并保证集电结反偏。证集电结反偏。

25、集电极电阻集电极电阻RC-RC-将将电流放大转变为电电流放大转变为电压放大。压放大。耦合电容耦合电容C1 C1 、C2 C2 -隔离输入、输出隔离输入、输出与放大电路的直流与放大电路的直流联系，使交流信号联系，使交流信号顺利输入、输出。顺利输入、输出。信信号号源源负载负载共发射极基本电路共发射极基本电路ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回单电源供电电路单电源供电电路共发射极基本电路共发射极基本电路+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBE

26、uCEiCiBiE直流量：大写字母，大写下标，如直流量：大写字母，大写下标，如 IB交流量：小写字母，小写下标，如交流量：小写字母，小写下标，如 ib混合量：小写字母，大写下标，如混合量：小写字母，大写下标，如 iB下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回iB = IB + ib三、放大电路的基本工作原理三、放大电路的基本工作原理静态：未加输入信号时放大器的工作状态。静态：未加输入信号时放大器的工作状态。 动态：加上输入信号时放大器的工作状态。动态：加上输入信号时放大器的工作状态。下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回上一节上一节 uCE = UCC iC RC uo 0uBE

27、= UBE+ uiuCE = UCE+ uo1、 放大电路的静态分析放大电路的静态分析1)1)静态工作点的确定静态工作点的确定(1)(1)图解法图解法 静态工作点：在晶体三极管输入、输出特性上所静态工作点：在晶体三极管输入、输出特性上所对应的工作点对应的工作点 Q (IBQ (IB、ICIC、UCE )UCE )。由电路结构由电路结构 IB Q IB Q输入特性输入特性由由IBIB值值 一条曲线一条曲线输出特性输出特性下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回上一节上一节直流负载线直流负载线UCEUCCICRC)相交相交 Q (2)(2)估算法估算法下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返

28、 回回上一节上一节BBECCB RUUI BCCBRUI BC II 当当UBE 0 、UGK0时时T1导通ib1 = i giC1 = ig = ib2ic2 =ib2 = ig = ib1T2导通形成正反馈形成正反馈晶闸管迅速导通；晶闸管迅速导通；T1进一步导通晶闸管开始工作时晶闸管开始工作时 ，UAK加反向电压，加反向电压，或不加触发信号即或不加触发信号即UGK = 0 ）；）；晶闸管导通后，晶闸管导通后， UGK，去掉去掉依靠正反馈，依靠正反馈，晶闸管仍维持导通状态；晶闸管仍维持导通状态；晶闸管截止的条件：晶闸管截止的条件：（1）（2）晶闸管正向导通后，令其截止，必需晶闸管正向导通后，

29、令其截止，必需减小减小UAK，或加大回路电阻，使晶闸管，或加大回路电阻，使晶闸管中电流的正反馈效应不能维持。中电流的正反馈效应不能维持。结论结论晶闸管具有单向导电性正晶闸管具有单向导电性正晶闸管一旦导通，控制极失去作用。晶闸管一旦导通，控制极失去作用。若使其关断，必须降低若使其关断，必须降低UAK或加大回路电阻，把阳极或加大回路电阻，把阳极电流减小到维持电流以下。电流减小到维持电流以下。 向导通条件：向导通条件：A、K间加正向间加正向 电压，电压，G、K间加触发信号）；间加触发信号）；正向特性：正向特性： 控制极开路时，随控制极开路时，随UAK的加大，阳极的加大，阳极电流逐渐增加。当电流逐渐增

30、加。当U = UDSM时，晶闸管自动导通。时，晶闸管自动导通。正常工作时，正常工作时， UAK应小于应小于 UDSM 。UDSM：断态不重复峰值电压，又称正向转折电压。：断态不重复峰值电压，又称正向转折电压。U - 阳极、阴极间的电压阳极、阴极间的电压I - 阳极电流阳极电流反向特性：随反向电压的增加，反向漏电流反向特性：随反向电压的增加，反向漏电流稍有增加，当稍有增加，当U = URSM 时，反向极击穿。正常时，反向极击穿。正常工作时，反向电压必须小于工作时，反向电压必须小于URSM。URSM ：反向不重复峰值电压。：反向不重复峰值电压。3、伏安特性、伏安特性UDRM：断态重复峰值电压。（晶

31、闸管耐压值。断态重复峰值电压。（晶闸管耐压值。一般取一般取 UDRM = 80% UDSM 。普通晶闸管。普通晶闸管UDRM 为为 100V-3000V）URRM：反向重复峰值电压。（控制极断路时，：反向重复峰值电压。（控制极断路时， 可以重复作用在晶闸管上的反向重复电可以重复作用在晶闸管上的反向重复电 压。一般取压。一般取URRM = 80% URSM。普通晶。普通晶 闸管闸管URRM为为100V-3000V） ITAV：通态平均电流。（环境温度为通态平均电流。（环境温度为40OC时时,在在 电阻性负载、单相工频电阻性负载、单相工频 正弦半波、正弦半波、导电导电角不小于角不小于170o的电路

32、中，晶闸管允许的的电路中，晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管最大通态平均电流。普通晶闸管ITAV 为为1A-1000A。）。）4、 主要参数主要参数ITAV含义说明含义说明it2ITAV m0mTAVI) t(tdsinI21I主要参数续）主要参数续）UTAV ：通态平均电压。（管压降。在规定的条件：通态平均电压。（管压降。在规定的条件 下，通过正弦半波平均电流时，晶闸管阳、下，通过正弦半波平均电流时，晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。一般为阴两极间的电压平均值。一般为1V左右。）左右。）IH：维持电流。：维持电流。(在室温下，控制极开路、晶闸管在室温下，控制极开路、晶闸管 被触发导通后

33、，维持导通状态所必须的最被触发导通后，维持导通状态所必须的最 小电流。一般为几十到一百多毫安。）小电流。一般为几十到一百多毫安。）UG、IG：控制极触发电压和电流。（在室温下，：控制极触发电压和电流。（在室温下， 阳极电压为直流阳极电压为直流6V时，使晶闸管完全导通时，使晶闸管完全导通 所必须的最小控制极直流电压、电流所必须的最小控制极直流电压、电流 。一。一 般般UG为为1到到5V，IG为几十到几百毫安。）为几十到几百毫安。）晶闸管型号晶闸管型号通态平均电压通态平均电压UTAV）额定电压级别额定电压级别UDRM）额定通态平均电流额定通态平均电流（ITAV）晶闸管类型晶闸管类型P-普通晶闸管普

34、通晶闸管K-快速晶闸管快速晶闸管S -双向晶闸管双向晶闸管晶闸管晶闸管K二、二、 可控整流电路可控整流电路（一）（一） 单相半波可控整流电路单相半波可控整流电路1、电阻性负载电阻性负载电路及工作原理电路及工作原理设设u1为为正弦波正弦波 u2 0 时，加上触发电压时，加上触发电压 uG ，晶闸管导，晶闸管导通通 。且。且 uL 的大小随的大小随 uG 加入的早晚而变化；加入的早晚而变化； u2 R时，时， ILAV在整个周期中可近在整个周期中可近似似看做直流。看做直流。LR Uo （二）（二） 单相全波可控整流电路单相全波可控整流电路1、电阻性负载桥式可控整流电路电阻性负载桥式可控整流电路（1

35、电路及工作原理电路及工作原理u2 0的导通路径：的导通路径：u2 (A)T1RLD2u2 (B)T1、T2 -晶闸管晶闸管D1、D2 -晶体管晶体管T1T2D1D2RLuLu2AB+-T2RLD1u2 (A)u2 (B)u2 u 时，时， uo = +Uo(sat) u+ u 时，时， uo = + Uo(sat) u+ 0 ui = Ui 1 1 0逻辑表达式：逻辑表达式：Y=A10AY逻辑符号逻辑符号1AY有有“0出出“1”，全，全“1出出“0”&ABCY&ABC00010011101111011001011101011110ABYCY=A B C1Y有有“1出出“0”，全

36、，全“0出出“1”1Y00010010101011001000011001001110ABYCABC 1YABC 1Y=A+B+CABY1有有“0出出“0”，全，全“1出出“1”有有“1出出“1”，全，全“0出出“0”&ABY1 1ABY2Y2AAAA100011AAAAAAAAAA 01AAAAABBAABBACBABCAAA)()(CBACBA )()(CBACBACABACBA)()()()(CABACBA)()(CABABCBCAA)(BCBCA)(1BCAA+1=1 A A=A.110011111100BABABABA列状态表证明：列状态表证明：AB0001101111100

37、100ABBABABABA0000证明：证明：BAAABA)(A+AB = ABAABABAAABBAA)(BABAA)(（3）（4）ABABA)(ABAAB)(（5）（6）两互补输出端两互补输出端两输入端两输入端&.G1&.G2反馈线反馈线 触发器输出与输入的逻辑关系触发器输出与输入的逻辑关系101设触发器原态设触发器原态为为“1态。态。翻转为翻转为“0态态(1) SD=1，RD = 0.G1&.&G2设原态为设原态为“0态态10触发器保持触发器保持“0态不态不变变复位复位 结论结论: 不论不论 触发器原来触发器原来 为何种状态，为何种状态， 当当 SD=1，

38、 RD=0时，时， 将使触发器将使触发器 置置“0或称或称 为复位。为复位。.G1&.&G2设原态为设原态为“0态态0翻转为翻转为“1态态(2) SD=0，RD = 1.G1&.&G2设原态为设原态为“1态态01触发器保持触发器保持“1态不态不变变置位置位 结论结论: 不论不论 触发器原来触发器原来 为何种状态，为何种状态， 当当 SD=0， RD=1时，时， 将使触发器将使触发器 置置“1或称或称 为置位。为置位。.G1&.&G2设原态为设原态为“0态态1保持为保持为“0态态(3) SD=1，RD = 1.G1&.&G2设原态为

39、设原态为“1态态11触发器保持触发器保持“1态不态不变变 当当 SD=1， RD=1时，时， 触发器保持触发器保持 原来的状态，原来的状态， 即触发器具即触发器具 有保持、记有保持、记 忆功能。忆功能。.G1&.&G2110011111110若若G1先翻转，则触发器为先翻转，则触发器为“0态态“1态态(4) SD=0，RD = 0 当信号当信号SD= RD = 0同时变为同时变为1时，时，由于与非门的翻由于与非门的翻转时间不可能完转时间不可能完全相同，触发器全相同，触发器状态可能是状态可能是“1态，也可能是态，也可能是“0态，不能根据态，不能根据输入信号确定。输入信号确定。.G

40、1&.&G210逻辑符号逻辑符号QQSDRDSDRDQ1 0 0 置置00 1 1 置置11 1 不变不变 坚持坚持0 0 同时变同时变 1后不确定后不确定功能功能基本基本R-S触发器触发器导引电路导引电路& G4SR& G3C.& G1& G2.SDRDQQ当当C=0时时01111.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C当当 C = 1 时时1翻开翻开11.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C当当 C = 1 时时1(1) S=0, R=00011触发

41、器保持原态触发器保持原态触发器状态由触发器状态由R，S 输入状态决定。输入状态决定。11.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C1101010(2) S = 0, R= 1触发器置触发器置“0”(3) S =1, R= 0触发器置触发器置“1”11.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C1110011110Q=1Q=011(4) S =1, R= 1当时钟由当时钟由 1变变 0 后后 触发器状态不定触发器状态不定11.& G1& G2.SDRDQQ& G4SR& G3C0

42、 0 SR0 1 01 0 11 1 不定不定Qn+1QnQn+1时钟到来后触发器的状态时钟到来后触发器的状态逻辑符号逻辑符号QQSR CSDRD不定不定不定不定QQ10 0 SR0 1 01 0 11 1 不定不定Qn+1QnC0 0 SR 0 1 0 1 0 1 1 1 不定不定Qn+1QnQ=SQ=R从触发器从触发器主触发器主触发器C CKQRQJS R CF主主QJKQSRS CF从从QQQQSDRD1互补时互补时钟控制钟控制主、从主、从触发器触发器不能同不能同时翻转时翻转0101RS CF从从QQQQSDRD1R CF主主QJKQSC C0110F主封锁主封锁0RS CF从从QQQQSDRD1R CF主主QJKQSC