ESD 静电放电知识培训

1、2022-4-10ESD 静电放电知识培训培训讲师：培训讲师： 2006/07/282022-4-10静电基本概念vElectrostatic静电：绝缘体与绝缘体相互进行磨擦，分开后将在其表面附着大量正或负离子，这些在绝缘体中不能流动的电荷就叫静电。例如：胶尺在与干布磨擦之后能够吸引纸屑；冬天脱毛衣听到之声及看到之火花均为静电现象。 What is Electrostatic ？2022-4-10ESD基本概念 ESD: Electrostatic Discharge静电泄放，指静电累积到一定的电势能后对电子元器件造成的一种快速放电现象。What is ESD？2022-4-10ESD防护基本

2、概念ESD防护:就是为了防止静电满泄放对静电敏感器件造成伤害而采取的一切保护措施。同时还包括对操作人员的安全保护要求 。What is ESD Safety？2022-4-10ESD/S SD基本概念 ESD/S SD：ESD/Static Sensitive Devices静电敏感器件,指受到一定能量的静电泄放后将会引起暂时性或永久性损伤的电子器件。 What is ESD Sensitive Devices？2022-4-10ESD放电模型ESD 静电放电模型有：v HBMHBM：Human Body ModelHuman Body Model人体模型人体模型 参考：参考：ESD STM

3、5.1v MM：Machine Model机器模型 参考：参考：ESD STM 5.2v CDM：Charged Device Model带电器件模型 参考：参考：ESD DS 5.3.12022-4-10HBM放电模型 HBM HBM：人体静电是引起静电损失和发生意外人体静电是引起静电损失和发生意外爆炸的最主要和最经常的因素，因此国内外爆炸的最主要和最经常的因素，因此国内外对产品的防静电危害要求都是以防人体静电对产品的防静电危害要求都是以防人体静电为主，并建立了人体模型，为主，并建立了人体模型，HBM是是ESD模型模型中建立最早和最主要的模型之一。人体能贮中建立最早和最主要的模型之一。人体能

4、贮存一定的电荷，所以人体明显地存在电容。存一定的电荷，所以人体明显地存在电容。人体也有电阻，这电阻依赖于人体肌肉的弹人体也有电阻，这电阻依赖于人体肌肉的弹性、水份、接触电阻等因素。性、水份、接触电阻等因素。美国海军美国海军1980年提出了一个电容值为年提出了一个电容值为100PF，电阻为，电阻为1.5的所谓的所谓“标准人体模型标准人体模型”。这一标准得到。这一标准得到广泛采用，但在后来也遇到一些问题。广泛采用，但在后来也遇到一些问题。 2022-4-10HBM等效电路图及其ESD等级2022-4-10MM等效电路图及其ESD等级2022-4-10CDM等效电路图及其ESD等级2022-4-10

5、ESD静电敏感等级试验等级参考：MIL-STD-883，GJB1649, GJB548A-97等标准一般分为以下3个等级分类来控制: Class1: 01999V Class2: 2kV3999V Class3: 4kV15999V 16000V以上为非静电敏感产品2022-4-10ESD 标准 ANSI/ESD S20.20-1999：该标准是由USA国家标准协会制订，于1999.8.4发行生效的ESD标准，该标准作为ESD控制的国际标准被广泛采用。 该标准可以作为认证标准使用；获得证书必须满该标准可以作为认证标准使用；获得证书必须满足相应的标准需求：即建立控制方案和控制计划足相应的标准需求

6、：即建立控制方案和控制计划并实施、记录运行状况和核实标准的遵守并实施、记录运行状况和核实标准的遵守/ /满足满足情况情况ANSI/ESD S20.20-19992022-4-10ESDS器件分类器件种类耐ESD的灵敏度（V）MOS场效应晶体管100-200JFET结型场效应晶体管140-7000CMOS250-3000ECL500-1500SCR680-1000TTL100-200100-25002022-4-10器件ESD等级分类级别静电敏感度范围元器件类型区域颜色I01999 V 微波器件（肖特基二极管、点接触二极管）离散型微波器件（肖特基二极管、点接触二极管）离散型MOSFET器件、声表

7、面波器件、声表面波SAW、电耦合器件、电耦合器件CCDS、结型场效应晶体管结型场效应晶体管JFETs、精密稳压二极管、运算放、精密稳压二极管、运算放大器大器OPAMPs、MOS集成电路集成电路IC、使用、使用I级元器件的级元器件的混合电路、超高速集成电路混合电路、超高速集成电路UHSIC、可控硅整流器、可控硅整流器红色红色II20003999 V 由试验数据确定为由试验数据确定为II级的元器件和微电路，离散型级的元器件和微电路，离散型MOSFET器件、结型场效应晶体管器件、结型场效应晶体管JFETs、运算放大、运算放大器器OPAMPs、IC、超高速集成电路、超高速集成电路UHSIC、使用、使用

8、II级级元器件的混合电路、精密电阻网络元器件的混合电路、精密电阻网络RZ、低功率双模型、低功率双模型晶体管晶体管III400015999 V 由试验数据确定为由试验数据确定为III级的元器件和微电路，离散型级的元器件和微电路，离散型MOSFET器件、结型场效应晶体管器件、结型场效应晶体管JFETs、运算放大、运算放大器器OPAMPs、IC、超高速集成电路、超高速集成电路UHSIC、使用、使用II级级元器件的混合电路、片式电阻器、光电器件、小信号元器件的混合电路、片式电阻器、光电器件、小信号二极管、硅整流管、低功率双模型晶体管二极管、硅整流管、低功率双模型晶体管蓝色蓝色非敏感16000 V 不需

9、实施不需实施ESD防护区域的器件防护区域的器件 绿色绿色2022-4-10湿度对ESD静电场的影响静电产生方式静电电位（V）相对湿度10-20相对湿度65-90在聚乙烯地面上步行12000250在工作台上工作的工人6000100在工作台上拿起的聚酯口袋200001200用聚氯基甲酸泡沫塑料填充的工作椅180001500在地毯上步行3500015002022-4-10静电产生的原因 2022-4-10ESD控制方法根据静电的产生原因和相关的标准要求：ANSI/ESD S20.20：1999，制订适合于公司内部管控的ESD控制方案和ESD控制计划静电防护标准 ESD STANDARD2022-4-10ESD防静电材料的种类2022-4-10ESD防护类别2022-4-10ESD防护具体方法一 2022-4-10