交流调速课程设计

1、辽宁工业大学交流调速控制系统 课程设计（论文）题目： 交流电机三相电压源型逆变电路设计院（系）：电气工程学院专业班级：自动化132班学 号: 130302042学生姓名：杜鹏指导教师： （签字）起止时间：2016.12.19-2016.12.30欢迎下载、课程设计(论文)任务及评语院(系)：电气工程学院教研室：自动化132学号130302042学生姓名杜鹏专业班级自动化132课程设 计(论 文)题目交流电机三相电压源型逆变电路设计课程设计1论文>任务课题完成的功能：本课程设计以微机作为控制核心，完成交流电机三相电压源型逆变电路及绝缘栅双极晶体管IGBT的驱动设计。设计任务及要求：(1)确

2、定交流电机逆变电路驱动系统总体设计方案及系统控制结构框图。(2)完成交流电机逆变主电路设计，包括直流侧电压源输入、分立搭建IGBT器件、三相逆变电路输出及相关辅助电路。(3)完成IGBT驱动电路设计，选择专用的IGBT混合集成驱动电路实现与主电路的接口及相关保护电路的设计。(4)完成单片机最小系统及驱动接口的硬件和软件设计。(5)撰写课程设计论文， 包括系统组成总体结构及方案说明、硬件设计、软件设计等内容。技木参数：额定直流输入电压 220V,连续工作功率输出 10kW,逆变输出电压 380VAC± 2%,逆变 输出波形为正弦波，逆变输出频率50Hz±0.5%,转换效率93

3、%,功率因数，0.99。进度计划(1)布置任务，查阅资料，确定系统设计方案(2天)(2)系统各组成部件功能分析与设计(3天)(3)系统功能电路设计及软件设计(3天)(4)撰写、打印设计说明书(1天)(5)验收及答辩(1天)指导教师评语及成绩平时：总成绩：_论文质量：答辩：.指导教师签字：年 月日注：成绩：平时20% 论文质量60% 答辩20%以百分制计算三相电压型逆变电路的主电路。直流电源采用相控整流电路，由普通品闸管 组成。逆变电路由6个导电臂组成，每个导电臂均由具有自关断能力的全控型器件 及反并联二极管组成，所以实际上也是一种全控型逆变电路。电压型逆变电路主 要用于两方面：笼式交流电动机变

4、频调速系统。IGBT（Insulated Gate BipolarTransistor）,绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场 效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入 阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱 动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于 直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、 牵引传动等领域。关键词：三相电压型；IGBT;逆变电路第1章绪

5、论 4第2章课程设计的方案 62.1 概述 62.2 系统组成总体结构 6第3章硬件设计 83.1 主电路的设计 83.2 IGBT驱动电路 93.3 保护电路 133.4 驱动电路的设计 错误！未定义书签。第4章 控制电路的设计 错误!未定义书签。4.1 采用单片机控制 144.2 单片机程序 错误！未定义书签。4.3 三相电压源逆变电路的连接 错误！未定义书签。第5章软件设计 165.1 系统总流程图 错误！未定义书签。5.2 单片机初始化流程图 195.3 子程序流程图 20第6章课程设计总结 21参考文献 22第1章绪论逆变电路直流侧电源是电压源的称为电压型逆变电路， 三相电压型逆变电

6、路 的主电路。直流电源采用相控整流电路，由普通品闸管组成。逆变电路由6个导电 臂组成，每个导电臂均由具有自关断能力的全控型器件及反并联二极管组成， 所以 实际上也是一种全控型逆变电路。电压型逆变电路主要用于两方面，逆变电路是通用变频器核心部件之一， 起着非常重要的作用。逆变电路是与整流电路相对应，把直流电变成交流电的 电路。逆变电路的基本作用是在控制电路的控制下将中间直流电路输出的直 流电源转换为频率和电压都任意可调的交流电源。逆变电路的应用非常广泛。 在已有的各种电源中，蓄电池、太阳能电池等都是直流电源，当需要这些电源向 交流负载供电时，需要通过无源逆变电路；无源逆变电路与其它电力电子变换电

7、 路组合形成具有特殊功能的电力电子设备，如无源逆变器与整流器组合为交-直-交变频器（来自交流电源的恒定幅度和频率的电能先经整流变为直流电，然后经无源逆变器输出可调频率的交流电供给负载）。当电网提供的50Hz工频电源不能满 足负载的需要，就需要用交-直-交变频电路进行电能交换。如感应加热需要较高 频率的电源；交流电动机为了获得良好的调速特性需要频率可变的电源。随着电力电子技术的发展，逆变电路主要应用于各种直流电源，如蓄电池、 干电池、太阳能电池等；还可以应用于交流电机调速用变频器、不间断电源、感 应加热电源等电力电子装置的核心部分。逆变电路根据直流侧电源性质的不同可分为两种：直流侧是电压源的称为

8、电 压型逆变电路；直流侧是电流源的称为电流型逆变电路。逆变电路可用以构成静 止式中频加热电源。它具有主电路简单、起动性能好的优点，但负载适应性较差， 故只适用于负载变化不大但又需要频繁起动的场合。由于电压型逆变电路具有直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无 脉动；输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；阻感负载时需要提 供无功功率等特点而具有广泛的应用。在晶闸管逆变电路中，负载换相式电压型 逆变电路利用负载电流相位超前电压的特点来实现换相，不用附加专门的换相电 路，因而应用较多。常见的三相电压型逆变电路有三相全桥型、三单相全桥型及三相多电平型等 几种。单个的三相全桥和三单相全桥型

9、逆变器具有结构和控制简单的优点，但由 于受其容量和谐波性能的限制，很少将它们直接应用到电力系统中。止匕外，三相 全桥型逆变器不能直接用于补偿系统的零序分量。为实现三相全桥和三单相全桥 型逆变器的大容量化，常采用的方法有两种：一是每个逆变器桥臂采用多个开关器件串联和并联，该方法存在的主要问题是当器件的串并联个数较多时，每个器 件的均压、均流将变得非常困难。止匕外，该方法无助于逆变器谐波性能的提高。 二是采用多重化结构，该方法还可提高装置的谐波性能。但也存在两个问题：一 是多重化需采用特殊结构的变压器，这种变压器存在结构复杂、造价高、体积大 的缺点，因此多重化的数目受到限制；二是逆变器各个桥臂的开

10、关器件需在关断 状态下承受整个直流侧电压，由于现有单个开关器件耐压值的限制，在制造大容 量补偿装置时仍需采用多个开关器件串联的方法来解决开关器件的耐压问题。除 了采用多重化方法外，提高谐波性能的另一种方法是采用对开关频率要求相对较 高的PWM调制方式，只是装置的损耗将随开关频率的增加而增加。克服上述缺点的一种有效方法是采用多电平逆变器。 在三相多电平逆变器中, 开关器件在关断状态时只需承受一个直流电容器上的电压，较好地解决了在大容 量装置中开关器件的耐压问题。它不需要通过变压器的多重化方法，就能输出阶 梯波形的电压，即输出电压谐波含量低。止匕外，多电平逆变器还具有响应速度快、 损耗小的优点，但

11、也具有结构复杂、造价高的缺点。当电平数过多时，由于电路 中相应的附加二极管、杂散电感和限流电感过多，装置损耗过大，一般不予采用 此外，多电平逆变器还存在直流侧电容器均压问题，为解决这个问题，应对多电 平逆变电路进行了改进，但由于过多地采用了钳位电容器，使电路的结构变得更 为复杂。第2章课程设计的方案2.1 概述本次设计主要是综合应用所学知识，设计交流电动机三相电压源型逆变电路, 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉冲；输出电压为矩形波，输 出电流因负载阻抗不同而不同；阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧 反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。在三相逆变电路中，应用最 广

12、的是三相桥式逆变电路，采用IGBT作为开光器件的电压型三相逆变电路。2.2 系统组成总体结构图2.1系统的结构框图由220V直流电源给三相逆变电路供电，由单片机 89C51来编写程序，IGBT驱动电路，模块选用 EXB841,来使三相逆变电路运行，采用过电流保护，提高电路的稳定性，三相逆变电路输出电流给交流电机，使直流电转变为交流电，更好的给交流电机供能。电压型三相桥式逆变电路，电路由三个半桥电路组成，开关管可以采用全控型电力电子器件，以IGBT为例，VD1-VD6为续流二极管。 电压型三相桥式逆变电路的基本工作方式为180°导电型，即每个桥臂的导电角为180°。同一相上下

13、桥臂交替导电。各相开始导电的时间一次相差120°。在一 个周期内，6个开关管触发导通的次序为 V1-V2-V3-V4-V5-V6 ,依次相隔60° , 任意时刻均有三个管子同时导通，导通的组合顺序为V1V2V3 , V2V3V4 , V3V3V4V5 , V4V5V6,V5V6V1，每种组合工作。IGBT集成驱动芯片选用 EXB841, EXB841主要由放大、过流保护、5V基准电压和输出等部分组成。其中放大部分 由TLP550,V2,V4,V5和R1,C1,R2,R9组成，TLP550待改进。起信号输入和隔离 作用，V2是中间级，V4和V5组成推挽输出；短路过流保护部分由

14、V1,V3,V6,VZ1 和C2,R3,R4,R5,R6,C3,R7,R8,C4等组成，实现过流检测和延时保护功能。EXB841 的6脚通过快速恢复二极管接至IGBT的C极，检测IGBT的集射之间的通态电 压降的高低来判断IGBT的过流情况加以保护；5V电压基准部分由R10,VZ2,C5组 成，为IGBT驱动提供-5V反偏压。单片机核心控制，89C51是一种带4K字节闪 烁可编程可擦除只读存储器(FPEROM -Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压、高性能 CMOS8位微处理器，俗称单片机。单片机的 可擦除只读存储器可以反复

15、擦除100次。该器件采用ATMEL高密度非易失存储 器制造技术制造，与工业标准的 MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功 能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中，ATMEL的89C51是一种高效微控 制器，89C2051是它的一种精简版本。89C单片机为很多嵌入式控制系统提供了 一种灵活性高且价廉的方案，采用过电流保护。第3章硬件设计3.1 主电路的设计用三个单相逆变电路可以组合成一个三相逆变电路。但在三相逆变电路中， 应用最为广泛的还是三相桥式逆变电路。采用IGBT作为开关器件的三相电压型桥式逆变电路如图3.1所示，可以看成是由三个半桥逆变电路组成。电路的直流侧通常只有一个电容器就

16、可以了，但为了方便分析，画作串联的 两个电容器并标出假想中点N o和单相半桥、全桥逆变电路相同，三相电压型桥 式逆变电路的基本工作方式也是180导电方式，即每个桥臂的导电角度为180 , 同一相（即同一半桥）上下两个臂交替导电，各相开始导电的角度以此相差120 o 这样，在任一瞬间，将有三个桥臂同时导通。可能是上面一个臂下面两个臂，也 可能是上面两个臂下面一个臂同时导通。因为每次换流都是在同一相上下两个桥 臂之间进行，因此也被称为纵向换流。三相逆变输出的电压与电流分析类似，负载参数已知，以U相为例，负载的阻抗角 不一样，iu的波形形状和相位都有所不同，在阻感负载下，M从通态转换到断态时，因负载

17、电感中电流不能突变， VD4先导通续流，待负载电流降为零， V4才开始导通。负载阻抗角 越大，VD4导通时间越长。在uNN1 0时，10时 为VD1导通，iu 0时为V1导通；在uNN1 0时，iu 0时VD4导通，iu 0时为V4 导通。iv、iw的波形与iu形状相同，相位一次相差120°。将三个桥臂电流相加可 得到直流侧电流id。在上述导电方式逆变器中，我们采用“先断后通”的方法来防止同一相上下 两桥臂的开关器件同时导通而引起直流侧电压短路，使得在通断信号之间留有一 个短暂的死区时间。采用IGBT作为开光器件的电压型三相桥式逆变电路，可以 看成由三个半桥逆变电路组成。图 3.1的

18、直流侧通常只有一个电容就可以了，但 为了分析方便，画作串联的两个电容器并标出假象中点N'。和单相半桥、全桥逆变电路相同，三相电压型桥式逆变电路的基本工作方式也是180。导电方式，即每个桥臂的导电角度为 180。，同一相（即同一半桥）上下两个臂交替导电， 各相开始导电的角度依次相差 120°。这样，在任一瞬间，将有三个桥臂同时导 通。可能是上面一个臂下面两个臂，也可能是上面两个臂下面一个臂同时导通。 因为每次换流都是在同一相上下两个桥臂之间进行，因此也被称为纵向换流。图3.1三相电压型逆变电路3.2 IGBT驱动电路3.2.1 IGBT的特点IGBT是MOSFET与双极晶体管的

19、复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点， 又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶 体管之间，可正常工作于几十 kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用 中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只 有nA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容（几千至上万 pF）,在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输 出一定的峰值电流。IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁 定现象而造成损坏的

20、问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电 流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保 护特性是十分必要的。IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，具击穿电压一般只能达到2030V,因此栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。在应 用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄 生电感和栅极一集电极间的电容耦合， 也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此。 通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可 以抑制振荡电压。由于IGBT的栅极发射极和栅极集电极间存在着分布电容 Cge和Cg

21、c,以 及发射极驱动电路中存在有分布电感 Le,这些分布参数的影响，使得IGBT的实 际驱动波形与理想驱动波形不完全相同，并产生了不利于 IGBT开通和关断的因 素。栅极驱动电压的上升、下降速率对IGBT开通关断过程有着较大的影响。IGBT 的MOS沟道受栅极电压的直接控制，而 MOSFET部分的漏极电流控制着双极部 分的栅极电流，使得IGBT的开通特性主要决定于它的 MOSFET部分，所以IGBT 的开通受栅极驱动波形的影响较大。IGBT的关断特性主要取决于内部少子的复 合速率，少子的复合受MOSFET的关断影响，所以栅极驱动对IGBT的关断也有 影响。在高频应用时，驱动电压的上升、下降速率

22、应快一些，以提高 IGBT开关速 率降低损耗。在正常状态下IGBT开通越快，损耗越小。但在开通过程中如有续 流二极管的反向恢复电流和吸收电容的放电电流，则开通越快，IGBT承受的峰值电流越大，越容易导致IGBT损害。此时应降低栅极驱动电压的上升速率，即 增加栅极串联电阻的阻值，抑制该电流的峰值。其代价是较大的开通损耗。利用 此技术，开通过程的电流峰值可以控制在任意值。由以上分析可知，栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程影响较大，而对关断过程影响小一些，串联电阻小有利于加快关断速率，减小关断损 耗，但过小会造成di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。因此对串联电阻要根 据具体设计要

23、求进行全面综合的考虑。栅极电阻对驱动脉冲的波形也有影响。电阻值过小时会造成脉冲振荡，过大 时脉冲波形的前后沿会发生延迟和变缓。IGBT的栅极输入电容Cge随着其额定 电流容量的增加而增大。为了保持相同的驱动脉冲前后沿速率，对于电流容量大 的IGBT器件,应提供较大的前后沿充电电流。为此，栅极串联电阻的电阻值应 随着IGBT电流容量的增加而减小。3.2.2 IGBT混合集成驱动芯片EXB841是日本富士公司提供的300A/1200V快速型IGBT驱动专用模块，整 个电路延迟时间不超过1八 最高工作频率达40 50kHz,它只需外部提供一个 +20V单电源，内部产生一个一 5V反偏压，模块采用高速

24、光耦合隔离，射极输出。 有短路保护和慢速关断功能。EXB841驱动器的各引脚功能如下：脚1：连接用于反向偏置电源的滤波电容器；脚2:电源（+ 20V）;脚3:驱动输出；脚4:用于连接外部电容器，以防止过流保护电路误动作（大多数场合不需 要该电容器）；脚5:过流保护输出；脚6:集电极电压监视；脚7、8不接；脚9:电源；脚10、11不接;脚14、15:驱动信号输入（-,+）;由于本系列驱动器采用具有高隔离电压的光耦合器作为信号隔离，因此能用 于交流380V的动力设备上。IGBT通常只能承受10仙s的短路电流，所以必须有快速保护电路。EXB841 驱动器内设有电流保护电路，根据驱动信号与集电极之间的

25、关系检测过电流，当 集电极电压高时，虽然加入信号也认为存在过电流，但是如果发生过电流，驱动 器的低速切断电路就慢速关断IGBT （ 10 pS的过流不响应），从而保证IGBT 不被损坏。如果以正常速度切断过电流，集电极产生的电压尖脉冲足以破坏 IGBT。IGBT在开关过程中需要一个+15V电压以获得低开启电压，还需要一个-5V 关栅电压以防止关断时的误动作。这两种电压（+15V和-5V）均可由20V供电的驱动器内部电路产生。过电流保护电路图3.2 EXB841 功能框图EXB841的工作原理：（1）正常开通过程当控制电路使EXB841输入端脚14和脚15有10mA的电流流过时，光耦合 器TS0

26、1就会导通，A点电位迅速下降至0V,使VT1和VT2截止；VT2截止使 D点电位上升至20V, VT4导通，VT5截止，EXB841通过VT4及栅极电阻Rc 向IGBT提供电流使其迅速导通，Uc下降至3V。同时，VT1截止使+20V电源通 过R3向电容C2充电，时间常数p 1为2. 42以这又使B点电位上升，IGBT延 迟约1 2后导通，UCE下降至3V,从而将EXB841脚6的电位钳制在8V左右， 因此B点和C点电位不会上升到13V,而是上升到8V左右，这个过程时间为1.24 NS；因稳压管VZ1的稳压值为13V,所以IGBT正常开通时不会被击穿，VT3不 通，E点电位仍为20V左右，二极管

27、VD6截止，不影响VT4和VT5的正常工作。（2）正常关断过程当控制电路使EXB841输入端脚14和脚15无电流流过时，光耦合器 TS01 不通，A点电位上升使 VT1和VT2导通；VT2导通使VT4截止，VT5导通，IGBT 栅极电荷通过VT5迅速放电，使EXB841的脚3的电位迅速下降至0V （相对于 EXB841脚1低5V）,使IGBT可靠关断，UCE迅速上升，使EXB841的脚6 “悬 空”。与此同时，VT1导通，C2通过VT1更快放电，将B点和C点电位钳制在 0V,使VZ1仍不通，IGBT正常关断。（3）保护动作若IGBT已正常导通，则 VT1和VT2截止,VT4导通，VT5截止,B

28、点和C 点电位稳定在8V左右，VZ1不被击穿，VT3不导通，E点电位保持为20V,二 极管VD6截止。若此时发生短路，IGBT承受大电流而退饱和，UCE上升很多， 二极管VD7截止，则EXB841的脚6 “悬空”，B点和C点电位开始由8V上升； 当上升至13V时，VZ1被击穿，VT3导通，CT4通过R7和VT3放电，E点电位 逐步下降，二极管 VD6导通时D点电位也逐步下降，从而使 EXB841的脚3的 电位也逐步下降，从而缓慢关断IGBT。B点和C点电位由8V上升到13V的时 间为 8. 3（i So此时慢关断过程结束，IGBT栅极上所受偏压为0V （设VT3管压降为0.3V, VT6和VT

29、5的压降为0. 7V）,这种状态一直持续到控制信号使光电耦合器 TS01 截止，此时VT1和VT2导通，VT2导通使D点下降到0V,从而使VT4完全截 止，VT5完全导通，IGBT栅极所受偏压由慢关断时的 0V迅速下降到-5V, IGBT 完全关断。VT1导通使C2迅速放电、VT3截止，20V电源通过R8对C4充电，则 E点恢复到正常状态需135仙s,至此EXB841完全恢复到正常状态，可以进行正 常的驱动。EXB841在设计上充分考虑到IGBT的特点，电路简单实用。它具有 如下特点。模块仅需单+20V电源供电，它通过内部5V稳压管为IGBT提供+15V和-5V 的电平，既满足了 JGBT的驱

30、动条件，又简化了电路，为整个系统设计提供了很 大方便。输入采用高速光耦隔离电路，既满足了隔离和快速的要求，又在很大程度 上使电路结构简化。通过精心设计，将过流时降低 UCE与慢关断技术综合考虑，一旦电路检测 到短路后，要延迟约1.5仙s （VZ1导通时，R4会有压降）UCE才开始降低，冉过约8s后UGE才降低至I 0V （相对EXB841的脚1）。在这10 s左右的时间 内，如果短路现象消失，UCE会逐步恢复到正常值，但恢复时间决定于时间常数 t13。VDt+ AtV图3.3 EXB841原理图23.3 保护电路电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。过电流分为 过载和短路两种

31、情况。通常采用的保护措施有：快速熔断器、直流快速断路器和 过电流继电器。一般电力电子装置均同时采用集中过流保护措施，以提高保护的 可靠性和合理性。综合本次设计电路的特点，采用快速熔断器，即给晶闸管串联一个保险丝实 施电流保护。如图3.4电流保护电路所示。对于所选的保险丝，遵从12t值小于晶 闸管的允许12t值。图3.4三相电压源逆变电路的过流保护电路3.4 单片机控制本论文的单片机采用MSC-51E其兼容系列芯片，采用24MH或更高频率晶振， 以获得较高的刷新频率，时期显示更稳定。在芯片中， P1 口低4位与行驱动器相 连，送出行选信号；P1.5P1.7 口则用来发送控制信号。P0 口和P2

32、口空着，在 有必要的时候可以扩展系统的 ROM RAM 引脚说明： 电源引脚Vcc （40脚）:典型值+ 5V。Vss （20脚）:接低电平。外部晶振X1、X2分别与晶体两端相连接。当采用外部时钟信号时，X2接振荡信号，X1接地 输入输出口引脚：P0口 ： I/O双向口。作输入口时，应先软件置 “ 1P1 口 ： I/O双向口。作输入口时，应先软件置 “ 1P2口： I/O双向口。作输入口时，应先软件置 “ 1P3口： I/O双向口。作输入口时，应先软件置“ 1控制弓I脚:RST/Vpd、ALE/-PROG、-PSEN、-EA/Vpp组成了 MSC-51 的控制总线。RST/Vpd （9脚）：

33、复位信号输入端（高电平有效）。ALE/-PROG（30脚）：地址锁存信号输出端。第二功能：编程脉冲输入。-PSEN （29脚）：外部程序存储器读选通信号。-EA/Vpp（31脚）：外部程序存储器使能端。第二功能：编程电压输入端（+21V）.(A8 )P2. 0GND.(A9 )P2. 1XTA L1(A1 0)P2. 2XTA L2.(A1 1)P2. 3P3.7 (RD).(A1 2)P2. 4 P3 .6 (WR)(A1 3)P2. 5 P3.5 (T1) .(A1 4)P2. 6 P3 .4 (T0) .(A1 5)P2. 7 P3 .3(IN 11 )PS ENP3 .2 (IN T0

34、 ).ALE/PR OGP3 .1 (T XD ) .EATVP P P3 .0(RX D)(AD 7)P0 .7RST.(AD6)P0.6P1.7.(AD5)P0.5P1.6(AD4)P0.4P1.5.(AD3)P0.3P1.4.(AD2)P0.2P1.3(AD1)P0.1P1.2.(AD0)P0.0P1.1.VCCP1 .020191 81 7161 51 41 3121 110987654321U 1ST C8 9c 51n1"C 2VCCS1C 1+fR 1SW -P B10K10uf5T过电流保护电,图3.5单片机与驱动芯片的连接图3.5单片机系统电路21222324252

35、62728293031323334353637383940第4章软件设计4.1单片机程序#include <AT89C51.h>static unsigned int count; /static int step_index; /static bit turn; /static bit stop_flag; /static int speedlevel; /static int spcount; /void delay(unsigned int endcount); /void gorun();/void main(void)count = 0;step_index = 0;sp

36、count = 0;stop_flag = 0;P1_0 = 0;P1_1 = 0;P1_2 = 0;P1_3 = 0;EA = 1;/ET0 = 1; /TH0 = 0xFE;TL0 = 0x0C; /TR0 = 1; /turn = 0;speedlevel = 2;delay(10000);speedlevel = 1;dospeedlevel = 2; delay(10000);speedlevel = 1; delay(10000);stop_flag=1;delay(10000);stop_flag=0;while(1);case 6: /3P1_0 = 0;P1_1 = 0;P1

37、_2 = 0;P1_3= 1; break;case 7: /3 0P1_0= 1;P1_1 = 0;P1_2 = 0;P1_3= 1;if (turn=0)step_index+;if (step_index>7) step_index=0; elsestep_index-;if (step_index<0) step_index=7;欢迎下载4.2系统总流程图图4.1系统总流程图三相逆变电路供电，由单片机 89C51来编写程序，IGBT驱动电路，模块选 用EXB841,来使三相逆变电路运行，采用过电流保护，提高电路的稳定性，三 相逆变电路输出电流给交流电机，使直流电转变为交流电，更好的给交流电机供欢迎下载4.3单片机初始化流程图欢迎下载图5.2单片机初始化流程图采用MSC-5做其兼容系列芯片，采用24MH做更高频率晶振，以获得较高的 刷新频率，时期显示更稳定。把变量变成初始值 .设置定时器的工作方式及初值， 开放相应的中断源的中断并设置优先级。4.4子程序流程图开始中断入口欢迎下载中断返回图5.3子程序流程图在主程序中打开用行口中断，在定时器子程序中使用地址寄存器作为地址指 针，开始时指向数据表首地址，当字符显示完成后，进入下一字符，从右到左的 流动显示，指向字符表字节，同时第一次调用行数据发送子程序，使指向字符表 的第一个字节。第6章课程设计总结交流课程设计终