金属间化合物要点

1、金属间化合物要点1定义 金属间化合物是指由两个或更多的金属组元或类金属组元按比例组成的具有金属基本特性金属基本特性和不同于其组元的晶体结构的化合物。TiAl(L10)金 属金 属间 化间 化合物合物几何密排相几何密排相拓扑密排相拓扑密排相以面心立方结构为以面心立方结构为基的长程有序结构基的长程有序结构以体心立方结构为以体心立方结构为基的长程有序结构基的长程有序结构以密排六方结构为以密排六方结构为基的长程有序结构基的长程有序结构长周期超点阵长周期超点阵Cu3Au型（型（L12型）型）CuAu型（型（L10型）等型）等CuPt型（型（L11型）型）CuZn型（型（B2型）型）Fe3Al型（型（D0

2、3型）型）Cu2MnAl型（型（L21型）等型）等Mg3Cd型（型（D019型）等型）等CuAu型等型等laves相相相相相相Cr3Si（-W）相）相 相等相等MgCu2相相MgZn2相相MgNi2相相2晶体结构分类n几何密排相 n拓扑密排相n几何密排相 定义：由密排面密排面按不同方式堆垛堆垛而成的。类型：面心立方、体心立方、密排六方结 构为基的长程有序结构和长周期超点阵。特点：较高的对称性对称性，位错运动滑移面滑移面较多，是有利于得到塑性。 n堆垛密排相定义：由不规则的四面体填充空间的密堆结构 。类型：laves相，相，相，-W相等。特点：晶体中的间隙完全由不规则的四面体间隙组成，没有八面体

3、间隙，配位数12，致密度0.74；原子间距极短 ，原子间电子交互作用强烈，对称性低，滑移系少，塑性差。n以面心立方结构为基的长程有序结构 Cu3Au型（L12型） 化学式为A3B。面心立方晶胞的面心位置由Cu原子占有，而其顶角位置由Au原子占据。典型的例子有Ni3Al，Ni3Mn，Ni3Fe等。 Cu3Au型（L12型）n以面心立方结构为基的长程有序结构CuPt型（L11型） 化学式为AB。面心立方的（111）面被仅由Cu原子组成的原子面及仅由Pt原子组成的原子面交替重叠堆垛而成。 CuPt型（L11型）n以面心立方结构为基的长程有序结构CuAu型（L10型） 化学式为AB。原面心立方（001

4、）面被仅由Cu原子组成的原子面及仅由Au原子组成的原子面交替重叠堆垛而成。典型的例子有CuAu，TiAl等。CuAu型（L10） CuAu型（L10型）n以体心立方结构为基的长程有序结构 CuZn型（B2型） 化学式为AB。Cu原子占据体心位置，Zn原子占据各顶角，典型例子有AlNi，AuCd等。 CuZn型（B2型）n以体心立方结构为基的长程有序结构Fe3Al型（D03型） 化学式为A3B。Al占据X位置，其余位置为Fe原子所占据；如果增加Al含量，Al原子将占据Y位置，直到Al原子占满X和Y点阵位置。当Al原子占满X和Y位置时，就成为了B2结构，化学式为FeAl。典型例子有Cu3Al，Li

5、3Be，Fe3Si等。Fe3Al型（D03型）n以体心立方结构为基的长程有序结构 Cu2MnAl型（L21型） 化学式为A2BC。Al原子占据B位置，Mn原子占据C位置，Cu原子占据A位置。典型例子有Cu2MnAl，Cu2MnSn，Ni2TiAl等。 Cu2MnAl型（L21型）BACn以密排六方结构为基的长程有序结构 Mg3Cd型（D019型） 化学式为A3B。由4个密排六方单胞组成1个大单胞，Cd原子占据大单胞8个顶点以及1个小单胞的位置，其余点阵位置全部由Mg原子占据。典型例子有Mg3Cd，Ni3Sn，Ni3In等。 Mg3Cd型（D019型）n长周期超点阵 有些长程有序结构以一定大小的

6、区域改变其位向交替地在一维或二维周期排列，这称为长周期超结构。典型的一维长周期超结构的例子是CuAu型结构。这种超结构单胞中原子排列和CuAu型相同，但沿着010方向经过5个晶胞后的5个晶胞的取向是（010）面作（a+c）/2位移；然后按此方法不断重复。nLaves相 以面心立方、体心立方和密排六方为基础的结构，并且广泛存在的典型结构，化学式为AB2。其典型代表分别为MgCu2，MgZn2和MgNi2，分别称为C14型、C15型和C36型结构，其中最简单的是六方晶系MgZn2结构 MgZn2结构nMgZn2结构 原子半径小的Zn原子形成四面体，原子半径大的Mg原子占据四面体间隙之中，本身构成一

7、个四面体骨架。每个Zn原子与6个Mg原子和6个Zn原子相邻，Zn原子的配位数为12；每个Mg原子与4个Zn原子和12个Mg原子相邻，Mg原子的配位数为16。MgZn2结构A ssessed T i-A l phase diagram.晶体结构的稳定性 n外因：温度，压强n内因： 原子百分比， 结合能因素， 原子尺寸因素， 原子序数因素， 负电性， 电子浓度。 D019L10D022内在因素相互关联并非独立参量。 晶体结构的稳定性晶体结构的形成条件是什么？采用吉布斯自由能函数通过一些容易计算的参量来判断相结构，如原子半径，负电性，电子浓度。这一做法并不全面。晶体结构的稳定性 根据相平衡时系统总的

8、吉布斯自由能最低，由原子百分比和各相的吉布斯自由能曲线这两个因素，则可确定金属间化合物的相结构。 晶体结构的稳定性 牛津大学的D. G. Pettifor引入了另一个独立因素（Chemical Scale），并利用这个因素将所有已知二元化合物的相结构进行排序，设计思路如下：第一第一、利用门捷列夫的元素周期表，略加修改后将每个元素排序，序号即为独立因素，也称为门捷列夫序数（the Mendeleev number）。因素为纯粹的由实验得到的，但它基本符合元素周期表的排列顺序，因此它包含了原子大小及原子外层电子的排布规律。晶体结构的稳定性门捷列夫序数（门捷列夫序数（the Mendeleev nu

9、mber），因素），因素晶体结构的稳定性Pettifor Structure Maps第二、将所有已知二元化合物写成A1-xBx的形式，x值相同的所有二元化合物编为一组，建立直角坐标系，其中横坐标为A元素对应的门捷列夫序数（A值），纵坐标为B元素对应的门捷列夫序数（B值），坐标系内的点对应A1-xBx的相结构例如：Ti3Al：TiAl0.25， TiAl：Ti1-1Al1A1-xBx晶体结构的稳定性 Pettifor Structure Maps只是一种将已知二元化合物的相结构的事实积累，并非一种科学规律的提炼，尽管它为揭示内在规律、预测未知化合物的相结构提供了有益的参考。Pettifor也只

10、用了两个独立因素就确定了相结构。考虑外在因素（温度和压强），相结构是温度，压强，原子百分比和表示原子之间相互作用能的参数的函数，即：( , ,)Wf P T 其中：W为相结构参数，P为压强，T为温度，为原子百分比，表示原子之间相互作用能作用能，与原子的结构有关，受原子尺寸、负电性和电子浓度等因素的影响。几何密排相的稳定性 几何密排相是由密排面堆垛而成的，根据密排面上原子排列方式和堆垛方式的不同，又分为多种结构形式。下面以CuAu，CuPd，CuPt和CuRh为例进行说明。n原子百分比均为50%；nCuAu的晶体结构为L10型，CuPt的晶体结构为L11型，CuPt的晶体结构为B2型，CuRh化

11、合物不存在（室温下它自动分解为Cu和Rh）。 几何密排相的稳定性Cu-Au，Cu-Pd，Cu-Pt和Cu-Rh二元平衡相图 几何密排相的稳定性 下表为CuAu，CuPd，CuPt和CuRh原子结构有关的一些参量，包括原子尺寸相对差、形成能、外层电子s、d轨道能量差和负电性差。这些参数并不能直接给出晶体结构，例如比较CuRh和CuPt的一些参数，负电性和s，d轨道的能量差并没有多大区别，但最终的晶体结构却明显不同。 化合物（A1-xBx）x=1/2/(%)H（mev/atom）es(A)- es(B)Hartree-Fock(eV)ed(A)- ed(B)Hartree-Fock(eV)cA-c

12、BPaulingCuRh分解5.10-0.89-3.51-0.3CuPtL118.2-174.3-0.78-3.38-0.3CuPdB27.3-142.3-0.71-2.25-0.3CuAuL1012.0-90.7-0.63-2.16-0.5注：原子尺寸相对差/=2(aA- aB)/(aA- aB)；结合能为H；s轨道能量差为es(A)- es(B)；d轨道能量差为ed(A)- ed(B)；负电性差为cA-cB。几何密排相的稳定性 采用第一性原理计算晶体结构的电子结构和基态性能，为解释晶体结构的选择倾向上取得一定的成果。根据结合能最低，结构最稳定的原则，由图可知，当两种原子的原子百分比均为50

13、%时，稳定的晶体结构分别为L10，B2和L11。 Cu-Au，Cu-Pd和Cu-Pt二元合金形成的化合物在基态时的结合能 拓扑密排相的稳定性 拓扑密排相只有四面体间隙，没有八面体间隙。为了得到这种只有纯四面体间隙的长程规则排列，必须要有两种大小不同的原子，所以原子尺寸因素原子尺寸因素是拓扑密排相的主要形成条件。此外拓扑密排相的原子间距极短，原子的外层电子之间相互作用强烈，可以产生电子迁移，电子浓度因素电子浓度因素往往也起着重要作用。 拓扑密排相的稳定性n化学式为AB2 三种结构MgCu2相，MgZn2相，MgNi2相。n原子尺寸因素的影响 理论上Laves相的A原子和B原子的半径之比为： 实际

14、上这比值约在1.051.68范围内，不同原子之间电子的转移造成A原子和B原子的膨胀和压缩，使得实际原子半径比接近理论值。 /3/21.225ABrr 下面以Laves相进行说明 拓扑密排相的稳定性n电子浓度的影响222结构。 拓扑密排相的稳定性n原子尺寸因素和电子浓度因素在只能定性预测晶体结构，无法定量预测。n表征晶体结构的参数应是能量单位（ev/atom），表征不同原子结合的参数也应为能量单位（ev/atom）。n计算公式：( , , , )Wf P T 3 金属间化合物的电子理论 金属间化合物介于金属和陶瓷之间的一种化合物，结合键介于金属键和共价键（或离子键）之间，主要可分为三类： 金属键

15、 公有化结合电子与核的相互作用，点阵中异类原子间的电子密度要高些，但不形成定向键。典型例子有电子化合物和密排相KNa2。金属键含有部分定向共价键 例如：Ni3Al中的结合键由Ni原子3d电子部分公有化形成的金属键和Ni原子3d电子和Al原子3p电子形成的定向共价键组成。可作为结构材料的金属间化合物大多具有这类电子结构。 离子键和（或）共价键 正负离子间通过电子的转移（离子键）和（或）电子的公用（共价键）而形成稳定的8电子组态ns2np6的电子结构。这类化合物又称价化合物，主要呈现非金属性质或半导体性质。典型例子有MgSe，Mg2Si。 前两类金属间化合物在化学式规定成分两侧通常具有一定的成分范

16、围，后一类金属间化合物在化学式规定成分两侧没有成分范围。主要研究方向是第二类金属间化合物。 能量最低的量子态称为基态 ，合金的基态满足能量最低原理和泡利不相容原理，指合金在T=0k时的状态。合金的基态性质包括形成能、结合能、电形成能、结合能、电荷密度和态密度。荷密度和态密度。形成能形成能是指原子由单质状态形成化合物时释放的能量，表示该种合金化合物熔炼形成能力的好坏。结合能结合能通常指孤立原子结合成稳定晶体的过程中所释放出来的能量，或把晶体分离成相距无限远的孤立原子所需的能量，表征原子之间结合的强弱，即材料的稳定性。电荷密度是电子云在合金中空间位置上的分布情况，其值为电子波函数绝对值的平方。通过

17、电荷密度的分析可以看到，原子在构成晶体材料过程中成键电荷的空间分布形态。 态密度（Density of States，DOS）表示在能带结构中单位能量间隔范围内的能级数。可分为总态密度（DOS）和局域态密度 （PDOS）Ti3Al化合物（L019型）的态密度DOSPDOSn金属间化合物的电子结构（electronic structure）决定了它的结合键形式。电子轨迹可以相互重叠形成能带，导致复杂的能带结构和电子交换，产生各种不同的结合键，多数是金属键含有部分定向共价键， n第一性原理(First-Principles)，固体与分子经验电子理论（EET），线性Muffin-tin势方法（Lin

18、ear Muffin-tin orbital approach, LMTO)，FP-LAPW等。n第一性原理计算方法也叫“从头算（ab initio）”。n基本思路就是将多个原子构成的体系理解为由电子和原子核组成的多粒子系统，然后求解这个多粒子系统的薛定谔方程组，获得描述体系状态的波函数以及对应的本征能量有了这两项结果，从理论上讲就可以推导出系统的所有性质。n计算出体系的总能量、电子结构等。n第一性原理计算方法也叫“从头算（ab initio）”。n基本思路就是将多个原子构成的体系理解为由电子和原子核组成的多粒子系统，然后求解这个多粒子系统的薛定谔方程组，获得描述体系状态的波函数以及对应的本征能量有了这两项结果，从理论上讲就可以推导出系统的所有性质。n计算出体系的总能量、电子结构等