电容式镀膜技术要求

1、触摸屏镀膜线成套设备技术规格一、镀膜线成套设备技术指标及功能要求：序号指标项技术规格要求1234567891011121314151617颗粒18电源品牌19真空泵2021工控方式22设备稳定性23UTT说明：双面ITO钼铝钼玻璃1）、产品结构：双面玻璃ITO电阻 7090 正面：钼/铝/钼膜层厚度：50um /250um /50um  电阻：小于0.32）、加工玻璃基板规格：最大1500mmx800mm、厚度0.4mm-3.2mm             

2、;                              单面ITO钼铝钼玻璃                    

3、;                                     双面ITO钼铝钼玻璃二、 镀膜线成套设备验收标准1真空要求1) 极限压力加热/传送腔、反转腔、溅射腔： 1.3310-4 Pa测量工具：电离真空计 测试值获取条件：

4、在室温下洁净的真空腔中,不放入样品和基板的情况下,并安装内部治具,进行12小时连续排气后测得。2） 排气速度进/出片腔：在50秒内从大气压抽至 26.6Pa 。测量工具：皮拉尼真空计 排气速度的测量：当充满氮气的腔回到大气压后立即进行排气。3) 漏率 加热/传送腔、反转腔、溅射腔：6.7 x 10-4Pa.m3/sec方式：确认到达极限压力后关闭主阀，在10分钟后测量真空腔压力.测量工具：电离真空计 公式：Q= 10×60秒Q：漏率 (Pa.m3/sec)V：每个腔的内容积(m3)4) 工作压力溅射腔：0.4 1.3 Pa方法：氩气和氧气的P-Q 曲线图.测量工具：测氩气压力用隔膜式

5、真空计 测氧气压力用电离式真空计P-Q曲线图通过调节TMP的旋转速度，以及氩气和氧气的流量来获得。5) 工作压力加热/传送腔、反转腔：0.4 1.3 Pa方法：氩气和氧气的P-Q曲线图 .测量工具：测氩气和氧气压力用电离式真空计P-Q曲线图通过调节氩气、氧气的流量来获得。1真空要求2SiO2溅射要求3ITO溅射要求测量点请见备注1。3ITO溅射要求1) 膜厚：约20200nm2) 膜厚均一性基板内：5% 基板间：5%基板间： Tmax:：一片玻璃上9点的最大值Tmin：一片玻璃上9点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值3) ITO方块电阻

6、基板内：在膜厚为200nm时10/生产节拍：基板加热温度：300基板尺寸：400×500×0.7 (mm)所用ITO阴极：同时用2台溅射压力：约0.5 Pa测量工具：4端子方块电阻仪基板：抛光玻璃测量点：9点/基板×2基片架基板测量点请见备注1。4) ITO透过率基板内：在膜厚为200nm时当=550nm, ITO 200nm, 90%以基板为参考生产节拍：基板加热温度：300基板尺寸：400×500×0.7 (mm)所用ITO阴极：同时用2台溅射压力：约0.5 Pa测量工具：双波长分光计基板：抛光玻璃测量点：9点/基板×2基片架基板

7、测量点请见备注1。4Mo溅射要求测量点请见备注1。4Mo溅射要求测量点请见备注1。5Al溅射要求测量点请见备注1。6加热要求生产节拍：基板尺寸：400×500×0.7 (mm)测量工具：温度测量器 基板：抛光玻璃 测量点：3点/基片 加热条件由设备生产厂家选择。测量点请见备注2。所有加热器规格一样，需保证玻璃基片表面温度可以达到350。7ITO与金属靶材利用率1)靶材利用率：45% wt(重量效率)在靶材耗尽时的利用率公式：重量效率 = (含新靶材的B.P重量含残靶材的B.P.)÷最初靶材重量 ×(靶材厚度÷残靶材的最大腐蚀深度)81113自动

8、操作每种模式的功能检查检查各种模式的操作正常无误.14互锁机构互锁机构检查检查手动和自动操作中的互锁机构.检查每个报警电路.在持续操作测试中提交内锁清单.15外观检查外观检查通过外观检查确认并无丢失部件，外观无明显缺陷；并且安全测量中并无缺陷。16操作说明操作说明设备操作说明书.保养程序.故障解决方案.安全工作训练. 备注1SiO2, ITO，MoAlMo膜厚均一性，电阻率,透过率/反射率测量点的示意图.基片架搬运方向10105004001010A1A1A1A1A1A1A1A1A1A11010500A1A2A2A2A2A2A2A2A2A2(基板尺寸: 400x500) 附件2基板加热温度测量点示意图.基片架搬运方向101050040019010104001901010101