杭电计组实验

1、杭电计组实验-存储器设计实验作者:日期:实验报告成绩：姓名阳光男学号16041321班级16052317专业任课老师实验序号实验时间计算机科学与技术张翔老师2018/5/12指导老师实验名称实验地占八、课程名称计算机组成原理与系统结构试验张翔老师机位号默认实验五存储器设计实验1 教 211实验设备号个人电脑、Nexys3开发板2018年_5_月 5 日一、实验程序源代码存储器顶层电路代码：module top_RAM_B(Mem_Addr,C,Mem_Write,Clk,LED);in put 7:2Mem_Addr; 开关的 3、4、5、6、7、8 位in put Mem_Write,Clk

2、;/clk为按键C9,读写使能信号为按键 C4, 0为读，1为写in put 1:0C;/选择写入数据+ 读操作时选择显示字节，为开关1、2位output reg 7:0LED;wire 31:0M_R_Data;存在存储器里的32位读出数据reg 31:0M_W_Data;寄存在暂存器的32位写入数据RAM_B test_ram (.clka(Clk), 输入时钟信号.wea(Mem_Write), /输入读写信号.addra(Mem_Addr7:2), / 输入 5 位地址信号.dina(M_W_Data), / 写入 32 位数据.douta(M_R_Data) /读出 32 位数据);

3、always(*)begi nLED=0;/初 始化M W Data=0;/ 初始化if(!Mem_Write) 读操作begi ncase(C)2'b00:LED=M_R_Data7:0;/读出数据的 0-7 位 2'bO1:LED=M_R_Data15:8;/读出数据的 8-15 位 2'b10:LED=M_R_Data23:16;/读出数据的 16-23 位 2'b11:LED=M_R_Data31:24;/读出数据的 24-31 位 endcaseendelsebeg incase(C)2'b00:M_W_Data=32'h0055_75

4、23; 写入第一个数据 2'b01:M_W_Data=32'h1234_5678; 写入第二个数据 2'b10:M_W_Data=32'h8765_4321; 写入第三个数据 2'b11:M_W_Data=32'hffff_ffff; 写入第四个数据 endcaseendenden dmodule测试代码：module test;/ I nputsreg clka;reg 0:0 wea;reg 5:0 addra;reg 31:0 dina;/ Outputswire 31:0 douta;/In sta ntiate the Unit Un

5、der Test (UUT)RAM_B uut (.clka(clka),.wea(wea),.addra(addra),.din a(d in a),.douta(douta)；in itial beg in/I nitialize In putsclka = 0;wea = 0;addra = 0;dina = 0;/ Wait 100 ns for global reset to finish#100;/ Add stimulus hereclka = 1;wea = 0;addra = 6'b000001;dina = 32'h0000_0003;#100;clka =

6、 0;wea = 0;addra = 6'b000001;di na = 32'h0000_0607;#100;clka = 1;wea = 1;addra = 6'b000001;竹晋I1D0 bk Bii i i i 1 ii i，. 1 .陀巴11500 sk ,I1 i 11 i i 1 i |'G0 ns|1 i 11 i 1 H 1皿0咖皿:!_momi1ft dkaCl1(1 11 1101I 5t=l1 1* . diufil 町ttiUtti|QOWMmOOOKiflOTrffffffff顶层电路模块top_RAIVl_Bcn：o） 了I.LE

7、D7 0)Mem_Addr(7：2)r叫Mem_WritekAtop_RAIVI_B顶层电路内部结构:FRAM B甜却（也JdaHjf31i：0liClkMem_W4ileWHOP)dtatest_ramaLEpR:&top_RAM_B四、引脚配置（约束文件）NET "Clk" LOC = C9;NET "LED4" LOC = M11;NET "LED3" LOC = V15;NET "LED2" LOC = U15;NET "LED1" LOC = V16;NET "LED

8、0" LOC = U16;NET "Mem_Addr7" LOC = U8;NET "Mem_Addr6" LOC = N8;NET "Mem_Addr5" LOC = M8;NET "Mem_Addr4" LOC = V9;NET "Mem Addr2" LOC = T10;NET "Mem_Write" LOC = C4;NET "Mem_Addr3" LOC = T9;NET "C1" LOC = T5;NET &quo

9、t;C0" LOC = V8;NET "LED7" LOC = T11;NET "LED5" LOC = N11;NET "LED6" LOC = R11;五、思考与探索(1)读操作实验结果记录表存储器地址初始化数据读出数据写入新数据读出数据5 '00000032'0000000032'0000000032'h0055_752332'h0055_75235 '00000132'0000000132'0000000132'h0055_752332'

10、h0055_75235 '00000232'0000000232'0000000232'h0055_752332'h0055_75235 '00000332'0000000332'0000000332'h0055_752332'h0055_75235 '00000432'0000000432'0000000432'h0055_752332'h0055_75235 '00000532'0000000532'0000000532'h0055_752332'h0055_75235 '00000632'000