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文档简介
1、1章介绍2章启动配置SiRFatlasVI支持多种启动介质,包括NANDflash和SD卡以下的表格列出了各种由X_TEST_MODE5:01制的启动模式,这些管脚内部没有上下拉电阻,所以在系统上电的时候没有默认值,建议使用一个0-10k的上拉/下拉电阻。使用电源为VDDIO_RTCWorMrvgModeXJTEST_M8C5冏SubModaX-IEST-MODEpiqFeature3'bO'DC.Nonna(26MHzclockdirttctlyInput)3W1:NormalwrihARMJTAG(26MHzclockdirectlyinput;,3boi0:korrnal
2、(26Hzclackuscullatormode)3W11;KormaiwithARMJTAG(26MHzclockascillatormode)3HbOOORomCode+NAND-SDRrtooiRcmCode*USBi3bOlORcmCode+SD23'bOilRcmCode+SDO3'blOORcmCode+FFUSENAND3'blDlRcmCode+SP113'bllORcmCodetNANMDR3bli1RcmCode+SDl)B5T.bto2,1:MoteGonflgwvtionPha3章供电系统PowerMh.Norn.Max.UMVDD_CO
3、RtTBD11TBDVVD2JIOVDDIO_NWDDIO_SD33.03336V2730S3V1.621.61.&BVVDDIO_L27303mV3.D3336V1.651.01.&6VVDDIO,RF171由3336VVDDIOJJEM(DDR3)14251.S01575VVDDIO.MEM(DDR3L)1.261351.45VVDDIO_MEM(DDR2)1.701.8(11.G0VVDDlO_MEM(LPDDR21.141.201.30VVREF_MEf/0.49xVDDIO_7E70.5xVDDlO_MEPJ0.S1kVDDlO_MEMVVDDlO.ftTCP_RTC
4、LDOlK(seeImportantNotei1.623.33.63VVDD.RTC1021.11.21VVDDIO_26M1,7187336VVDDA3V3_US013,0733363VVDDA2V5_US012.3325275VVDD_USB11.021.1121VPowerMki.Nflm,M«cUrtitVDDA2V5_USB.PLJL22525275VVOOIVI.USBPLL0.99111.21VVDD_PLLV2/30.991.11.21VVDDQ_EF2.252.52.75V*_VINANA»3.3VVDDtVfl_AJD*1.8V3.1:SiRFattwV
5、lCtwwfterUttnVDD_core-(5A)VDDIO-(2A)VDDIO_L(1A)CDD_MEN(3.5A)VCC_SYS5V-(5A)VDDIO-N,VDDIO_RT,VSS_ADC,按照1A设计,VCC_SYS3V3-(1A)其他的电源可以按照1A设计滤波CSR推荐使用:17个100nF/0402MLCC8波电容对VDD_CORE行滤波12个220nF/0402MLCC电容对VDDIO_MEM其他的电源使用100nf的滤波电容进行滤波。4章储存器特征支持DDR2/DDR3/LPDDR2件16位数据模式支持高达512MB,A1咻口CS1同用.支持时钟为400MHZ勺DDR2/DD
6、R3支持时钟频率为333MHz勺LPDDR2.支持的DDR3勺所有指令。支持OD砌能工作模式数字锁相环锁环/失锁模式;DDR3/LPDDR2式;低电压模式开关状态;原理图设计MemoryInterfaceDDRWDR3L164)HConnectionLPDDR264)ftConnectionx.ma(0Command/AddressCommand/AddressX_E咽x.ma3x_e,4x_ma5x_ma(6x.ma7x.ma(9x_ma(10)Nousex_Ea11x.ma12x_ma(13MemoryInterfaceDDR3/DDR3LConnecttonLPDOR216-bltCon
7、nectionx_mba0jBankaddressNousex_mba1Jx.mba2Jx_mal4_mcsl_bChipSelect1/MA(14)ChipSelect1K_mcsO_bChipSelect0ChipSelect0x_Ecas_bCommandinputsNousex_Eras_bx_mw_bx.mckeClockenableClockenablex_mclkCockClockx_mclk_bx.modtOOn-dietermination0Nousex_modt1On-dietermination1x_mreset_DResetNousex_mzq2400(1%)pullt
8、oGND2400(1%>)pulltoGNDx_mtpaNouseNouaex-mtpdOx-mtpd1VREF.MEMUsetwo1kQ(1%)resistorstocreateqpotentialdivisioncircuit.AddqdecouplingcaponVREF-MEM.Table4.1:DDRAddraeaandCommandInterfaceFigure4.1showsanexampleofasignalswap.MDQ13nonnweMDM1MDQ9MwVUWIVDQ1DM1DQ2DQ3DQ4DQ5DQSCDQ6DQS”0DQ7DQS1DO8DDRICdqs#inr
9、)QMOMOMDQ10MDQ15MDQ11MDQ8MDQS1MDQ14M0QS1_BMDQ12MDQSOMDQOMDQSO-BIMDQ6MDQ3DQ10DQ11DQ12DQ13DQ14CSWDQ15CS#1MDQ1MDQ5MDQ4MDQ2WCSO.BMDQ7MCS1BFigure4.1:SignalSwapSampleInFigure4.1.dataisswappedbetweenthe2groupsDOSandDQMatthesametime.Withineachgroup.dataisalsoswapped.PCBlayout指导1 ,分组:数据组,地址组,2 ,滤波以及电源走线。3 ,S
10、I方面走线注意事项,3W原则,参考平面,阻抗控制等4 ,误差控制六层/八层板的layout指导测试点设计在接收端进行测试设计,尤其是对读,写网络的测试。测试点必须放在靠近接收端,并且避免干扰。差分对的测试点设计,在测试点附近放置地测试点/过孔,保证回流。5章UART1对于使用NANDflash和S吓进行引导多媒体时,使用UART仆载非弓I导图像数据,这就意味着UART仍须用来做NANDlash和SD卡启动模型的调试接口UART1的TXD/RXD?脚可以和SB1的DP/DMff脚复用,当X_USBONL低电平时UART端号可以通过USB1端口这是通过判定是否使用USB(高电平,还是使用UART1
11、低电平),在这里USB只能是从机模式。只有当X_USBONL高电平时USB的信号才可以通过USB1端口。6 章I2C信号线上接的上拉电阻。如果在I2C总线上接有多个I2C器件,保证这些器件同时上/掉电。否则总线被占用着。8 章USB对地阻抗90欧姆在USBR络加上必要的EM畸件。9 章TSC/ADCPCBlayout指导模拟走线尽量短。所有的模拟电路网络使用AGNm为参考地,特别是单端信号。处理输入走线的时候特别需要注意,任何的噪声耦合都被当做输入信号,由此会降低ADC的动态范围。所有参考线,等电平走线,电源走线尽量宽,为了保证走线的阻抗和增大走线宽度,可能需要进行隔层参考。在进行换层的时候,
12、多打过孔。10章SD/多媒体SD0/1采用SD和NAND_flash共用,只有SD2是全接口。SD3和SPI共用,SD5和GPS#用,SD5有一个固定的电源域所有SD信号都必须外加一个10k至100k的上拉电阻(开漏接口)SD在时支持高达50m的时钟频率。和数据以及CMD®号相连的上拉电阻必须接到SD电源上,所有的SD/MMCS片都必须在系统掉电后1ms内保持低于,否则在系统配置启动后将不会别识别,所有建议使用快速充电UC,例如AAT4280ICU-3-T1.使用芯片作为boot时,将X_SD_VCC_ON郅至ijMMC5片的复位管脚。11章视频输出所有信号走线等长12章LCD所有信
13、号线等长。13章振荡电路Tanle13,1shos26MHzoscillatorcesignrequre-nents.ktomInpuVOutputUnitValueDMcriptipnXIN1VV1/1.2CIockinputforOSCmods10103.3CIockinputforinputmodfrXOUT0V1,1/1.2InOSCmode:ree<lb3GkoutputtocrystaloaciiialorlrnputfT.ode:DonolcareVXCAP._26MHiI/OV105ConnectedIooff-chip1pFstabilizationcapacLor(l
14、oVSS)ESL<0.1GandESL<10nH(includingRDL,PdGandPCS)VDDIO_2&MI/OV1eto3.3Anslogpcv/er(-5%-11%forinputTDods(off-ChipRCfit»r£tapra-filterM网号rnoisesrecoiTimended)Table13.1:26MHzOscillatorDesignRequirenMnt注:在设计时进行模式选择和晶体选型需参考各个端口电压。错误的模式选择和器件选型会对XIN损坏。在晶振电路中的电容需要满足振荡的基频,具体可以通过"=L1*C2
15、)/(C1+C2)+Cs计算其中:C1,C2是电路中的电容,Cs是.PCBlayout指导电容,晶体,电阻会对其他信号产生干扰,所以尽量摆在一起,晶体输出信号必须通过C1CM可以进入芯片管脚。振荡电路下面保证地平面的完整,并进行包地处理,在晶体下方打地孔确保回流路径。14章复位在RTC电源稳定后保持x_rtc_rst至少400ms的低电平,以保证RTC复位复位源1,上电复位,系统上电后,电源管理器产生复位信号系统复位。2,软件复位,软件控制,复位后,外部存储器自行更新,大部分功能模块复位3,热复位(调试口),看门狗复位,效果和软件复位一样。4,图像/多媒体复位,15章通用I/O口GPIO口有两
16、种情况1,和LCM用没有高电平输入误差限度没有自动防护装置默认为输入2,和其他功能共用自动防护5V的容差为在这种情况下需要串接一个33欧姆的电阻的容差为,默认为输入3 GPIO0GPIO侨口GPIO6为RTC电源域。4 ,VDDIO_N,VDDIO_LandVDDIO_SD2VDDIOH时开/关防止发生开漏5,当状态保持功能开启的时候,一下情况是不能一同激活的输入为上拉状态,但是PADM另外一个芯片强迫低/高电平输出为高时,但是PAD被另外一个芯片强迫低/高电平输出为低时,但是PAD被另外一个芯片强迫高电平16章音频音频控制相关管脚NameFunctionMICBIASMicophonwBia
17、sSourceSPPSpeakerPositiveLineOutputSPMSpeakerNJegaliveLineOutputHPRHeadphoneRightAmplifierOutputHPLHeadphoneLeftAmplifierOutputMICIN1PMicrophoneInput1:Positivefordifferential1MICIN2MMicrophoneInput2:Negativefordifferential1LIN日N1LineInput1LINEIN2LineInput2DIGMICCLKDigitalMicrophoneClockOutputTable16
18、J:AudioSystemPinDescription音频电路设计1,提供2W俞出功率2 , A6输出端到PA之间设计一个带通滤波器进行滤波。电路如下Audio PA* IN分析:R1,C1组成一个F=1/2Pi*RC=86KHZ勺低通滤波器,R2,C2组成一个截止频率为33KHz的高通滤波器。则通过的带宽为33K86KHz而DACEI定采样频率为44K,Figure 162: Microphone and Une Input Connection,力QdE:日 Dm!Mlr叫MIUJF二、厘舌EWJ后首频ADC勺电路设计1|EClk.X"Jir<J|"l141QM圜IF1|-(_l阳1g为了防止信号的跳动在输入端口添加一个10K的电阻PCBlayout指导1,把音频部件尽量在同一层上靠近摆放,“一”字形摆放,远离高频信号,数字区,远离干扰源(开关电源等)2,把microphones摆放在远离噪声源例如强驱动器(风扇,卡片驱动,扬声器,硬盘)。3,音频走线时尽量走在同一层,而且走线宽度为12mil,确保音频走线下面至少有一个地平面和其他数字信号隔离,如果没有地平面则需要进行包地处理。4,在走差分输出信号
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