江大材料物理性能复习资料

1、精选优质文档-倾情为你奉上第1章 材料的热学性能1. 热容的概念(P42)：热容是分子或原子热运动的能量随温度变化而变化的物理量，其定义是物体温度升高1K所需增加的能量。温度不同，物体的热容不一定相同，温度T时物体热容为：（简单点就直接用这个吧：）PS：物理意义：吸收热量提高点阵振动能量，对外做功，加剧电子运动比热容（单位质量）：2. 晶体热容的经验定律(P42)：杜隆珀替定律：恒压下元素的原子热容为25J/(K·mol)奈曼柯普定律：化合物热容等于构成此化合物各元素原子热容之和3. 从材料结构比较金属、无机非金属、高聚物的热容大小(P46)：A金属：a纯金属：热容由点阵振动和自由电

2、子运动两部分组成： b合金金属：符合奈曼柯普定律图2-5 热焓、热容与加热温度的关系)。B无机非金属：a符合热容理论，一般都是从低温时的一个低数值增加到1273K左右近似于 25J/(K·mol)的数值；b无机材料热容与材料结构关系不大，但单位体积热容与气孔率有关，多孔质轻热容小；c当材料发生相变：一级相变：体积突变，有相变潜热，温度Tc热容无穷大，不连续变化；二级相变：无体积突变，无相变潜热，在转变点热容达到有限极大值(P47 C高聚物：多为部分结晶或无定型结构，热容不一定符合理论式，热容相对较大，且由化学结构决定，温度升高链段振动加剧，改变链运动状态（主链、支链（链节、侧基）。4

3、. 从材料结构比较金属、无机非金属、高聚物的热传导机制(P53)：A金属：有大量自由电子，且电子质轻，实现热量迅速传递，热导率一般较大。纯金属温度升高使自由程减小作用超过温度直接作用，热导率随温度上升而下降；合金热传导以自由电子和声子为主，因异类原子存在，温度本身起主导作用，热导率随温度上升增大。B无机非金属：晶格振动为主要传导机制，即声子热导为主，约为金属热传导的三十分之一。C高聚物：热导率与温度关系比较复杂，但总体来说热导率随温度的增加而增加。高聚物主要依靠链段运动传热为主，而高分子链段运动比较困难，热导能力比较差。5. 材料热膨胀物理本质：热膨胀是指物体体积或长度随温度升高而增大的现象。

4、膨胀是原子间距（晶格结点原子振动的平衡位置间的距离）增大的结果，温度升高，原子平衡位置移动，原子间距增大，导致膨胀。双原子模型：P49 图2-6.6. 热膨胀系数和熔点之间的关系(P49)：温度升高至熔点，原子热运动突破原子间结合力，破坏原固态晶体结构变为液态，所以固态晶体膨胀有极限值。格律乃森定律： (C为常数，约在0.06-0.076之间，)线膨胀系数与熔点： 固态晶体熔点越高，膨胀系数越低，间接反映晶体原子间结合力大小。（增大）7. 热分析法概念：测量材料在加热或冷却过程中热效应所产生的温度和时间的关系。但材料固态相变时，产生的热效应小，普通热分析测量精度不高。8. 差热分析法概念：在程

5、序控温下，将被测物与参比物在相同条件下加热或冷却，测量试样与参比物之间的温差随温度、时间的变化关系。对参比物的要求：应为热惰性物质，在测试温度范围内本身不发生分解、相变、破坏，也不与被测物质发生化学反应，且比热容、热传导系数应尽量与试样接近。（如硅酸盐采用Al2O3、MgO；钢铁采用镍。）9. 热应力(P63)：由于材料热膨胀或收缩引起的内应力称为热应力。材料内应力：产生原因：杆件材料两端完全刚性约束，热膨胀无法实现，则杆件与支撑体间产生很大应力；多相组成材料，不同相膨胀系数不同，温度变化时各相膨胀收缩量不同而相互牵制产生热应力；各相同性材料，存在温度梯度时也会产生热应力。10. 抗热冲击断裂

6、(P64)：发生瞬时断裂，抵抗这类破坏的性能。第一热应力断裂抵抗因子：最大热应力不超过强度极限，则材料安全。材料可承受温度变化范围越大，热稳定性约好。第二热应力断裂抵抗因子：，越大，热稳定性约好。（散热）第三热应力断裂抵抗因子：（冷却速率）抗热冲击损伤(P62)：在热冲击循环作用下，材料表面开裂、剥落，并不断发展，最终碎裂或变质，抵抗这种破坏的性能称为抗热冲击损伤性能。抗热应力损伤因子，二者值越高抗热损伤性能越好。11.提高抗热冲击断裂措施(P69)：1)提高材料强度，减小弹性模量E，使提高（同种材料若晶粒细小、晶界缺陷小、气孔少且分散均匀，往往强度高，抗热冲击性能好）。2)提高材料的热导率，

7、提高（大的材料传递热量快，材料内外温差较快得到缓解、平衡，降低短期热应力的聚集）。3）减小材料的热膨胀系数，热膨胀系数小的材料，在同样温差下产生热应力小。4）减小表面热传递系数h，保持缓慢散热降温。5）减小产品的有效厚度。第2章 材料的导电性能1. 超导电性(P115)：一定低温条件下，材料突然失去电阻的现象。（超导态电子对运动不耗能）超导体的两个基本特性：A完全导电性：电阻为零，超导体为等电位，内部没有电场。 B完全抗磁性（迈斯纳效应）：屏蔽磁场和排除磁通的性能。2. 固溶体的导电性：1） 固溶体组元浓度影响：形成固溶体合金导电率降低，原因A溶质原子引起溶剂点阵畸变，破坏晶格势场周期性，增加

8、电子散射概率，增大电阻率；B组元间化学相互作用增强，有效电子数减少，电阻率增大。2） 有序固溶体：A组元间化学相互作用加强，电子结合比无序固溶体强，电子数减少，电阻率增强；B晶体的离子电场有序化后更对称，减少电子散射，电阻降低，这一因素占优势。总体合金电阻降低。3） 不均匀固溶体：冷加工变形使电阻减小。形成不均匀固溶体时，点阵形成原子偏聚，偏聚区成分与固溶体成分不同，原子聚集区域的集合尺寸与电子波波长相当（1nm），可强烈散射电子波，提高合金电阻率。聚集区域的原子为有序排列，冷加工能有效地破坏固溶体中的这种近程有序状态，是不均匀组织变成无序的均匀组织，因此合金电阻率明显降低。温度、压力、形变对

9、于导电性质的影响温度：金属电阻率随温度升高而增大，温度升高会使离子振动加剧，热振动振幅加大，原子的无序度增加，周期势场的涨落也加大。这些因素都使电子运动的自由程减小，散射概率增加而导致电阻率增大。大多数金属在熔化成液态时，其电阻率会突然增大约1.52倍，这是由于原子排列的长程有序被破坏，从而加强了对电子的散射，引起电阻增加。应力的影响：弹性应力范围内的单向拉应力，使原子间的距离增大，点阵的畸变增大，导致金属的电阻增大。高的压力往往能导致物质的金属化。引起导电类型的变化，而且有助于从绝缘休半导体金属超导体的转变。冷加工变形的影响：引起金属电阻率增大，是由于冷加工变形使晶体点阵畸变和晶体缺陷增加，

10、特别是空位浓度的增加，造成点阵电场的不均匀而加剧对电子散射的结果。若对冷加工变形的金属进行退火，使它产生回复和再结晶，则电阻下降。再结晶生成的新晶粒的晶界增多，对电子运动的阻碍作用增强所造成的，晶粒越细，电阻越大。（回复退火可以显著降低点缺陷浓度，因此使电阻率有明显的降低。再结晶过程可以消除形变时造成的点阵畸变和晶体缺陷，所以再结晶可使电阻率恢复到冷变形前的水平。）3. 金属化合物导电性：合金导电率比纯组元低，因原子间一部分金属键转化成共价键或离子键，有效电子数减少，电阻率增高。4. 多相合金的导电性：与组成相的导电性、相对量、合金的组织形态有关。5. 影响金属导电性的因素(P119)：1）

11、温度：温度升高，热振动振幅加大，原子无序度增加，电子运动自由程减小，散射概率增大，电阻率增大。2） 应力：拉应力使原子间距增大，点阵畸变增大，电阻增大。电阻率。3） 冷加工变形(塑性变形)：使晶体点阵畸变，晶体缺陷增加，空位浓度增加 ，造成离子场不均匀，对电子波散射率增大，导致电阻增加。回复退火再结晶降低缺陷浓度，降低电阻率。6. 三个热电效应概念及物理本质：热电效应指热与电的转换效应1) 第一热电效应（塞贝克效应P141）：两种不同导体组成一个闭合回路，若两接头处存在温差，回路中将有电势及电流产生。回路中产生的电势、电流称为热电势、热电流；该回路称为热电偶或温差电池。产生机理：A接触电位差：

12、原因a两种金属的电子逸出功（电子从金属表面逸出所需的最小能量，与金属表面势垒E0和费米能级EF有关）不同，电位差；b两种金属自由电子密度不同，电位差。B温差电位差：指金属两端温度不同引起热流，造成自由电子流动，从而引起的电位差。热端高能电子向冷端扩散，热端带正电，冷端带负电，金属内部产生阻止电子扩散的温差电场，稳定后为Va（T1，T2）、Vb(T1，T2)。总电位差：塞贝克效应应用：测量温度、温差发电、材料成分组织分析。中间金属定律：一系列金属串联的接触电势，只要中间金属两端温度相同，不论其性质如何都与中间金属无关，只与两端金属有关。2） 第二热电效应（波尔帖效应P148）：指电流通过两个不同

13、金属接触点，除电流产生焦耳热，还额外产生放热吸热的现象。焦耳热与电流方向无关，波尔贴热与电流方向有关且热力学可逆。正反通电，两次的热量差为2Q（两倍波尔帖热）。产生机理：用接触电位差解释（P149图4-53），A接头处两金属接头有接触电位差V12，阻碍电流电子运动，电子反抗电场力做功eV12，电子动能减小；减速电子与金属原子相碰，从金属原子获得动能，则该处温度降低，需从外界吸收能量。B接头处接触电位差使电子运动加速，电子动能增加eV12，碰撞将动能传递给原子，温度升高释放热量。3） 第三热电效应（汤姆逊效应P149）：指当电流通过有温差的导体时，会有一横向热流流入或流出导体（横向吸热或放热），

14、其方向视电流或温度梯度方向而定的现象：。产生机理：（P149 图4-54）金属存在温差时，高温端电子扩散快为正电，低温端为负电，形成高温端指向低温端的电位差，当外加电流与V(T1，T2)同向时，电子被温差电场加速获得能量，与晶格碰撞传给晶格，金属能量升高并放热。外加电流反向则吸热。l 一个由两种导体组成的回路，接触端温度不同，三种热效应会同时产生：塞贝克热效应产生热电势、热电流，热电流通过接触点要吸收或放出波尔帖热，通过导体时要吸收或放出汤姆逊热。第3章 材料的介电性能1. 电介质（P154）：放在平板电容器中增加电容的材料称为介电材料。电介质即在电场作用下能建立极化的物质。2. 束缚（感应）

15、电荷：在真空平板电容中嵌入一块电介质，外加电场时，正极板附近的介质表面感应出负电荷，负极板介质表面感应出正电荷，这种感应出的表面电荷称为束缚电荷。3. 电介质极化：电介质在电场作用下产生束缚电荷的现象，可使电容器增加电荷的存储能力。4. 电介质的压电性、热释电性、铁电性的产生条件：1） 压电性（P181）：在晶体的一些特定方向上加力，在力的垂直方向的平面出现正、负束缚电荷的现象。产生条件：A必须是电介质；B结构必须带有正、负电荷的质点，有离子或离子团的存在，即必须为离子晶体或由离子团组成的分子晶体；C结构没有对称中心。2） 热释电性(P182)：晶体由于温度作用使电极化强度变化。条件：A具有自

16、发极化（固有极化）能力的晶体；B在结构上有极轴（晶体唯一的轴，轴两端有不同的性质，采用对称操作不能与其他晶向重合的方向）C结构没有对称中心。3） 铁电性：晶体中极化强度随外加电场变化而变化的性质。一般电介质、压电体、热释电体、铁电体存在的宏观条件一般电介质压电体热释电体铁电体电场极化电场极化电场极化电场极化无对称中心无对称中心无对称中心自发极化自发极化极轴极轴电滞回线第4章 材料的磁学性能1. 原子磁矩包括 电子轨道磁矩（电子绕原子核运动产生）、电子自旋磁矩、原子核磁矩。2. 原子固有磁矩概念（P194）：电子轨道磁矩和电子自旋磁矩构成原子固有磁矩（本征磁矩）。产生的本质：电子层各个轨道电子排

17、满，电子磁矩相互抵消，该电子层磁矩和为零；若原子中所有电子层都排满，形成球形对称集体，则电子轨道磁矩和电子自旋磁矩各自相互抵消，此时原子本征磁矩为零。原子中有未被填满的电子壳层，其电子的自旋磁矩未被抵消（方向相反的电子自旋磁矩可以相互抵消），原子具有“永久磁矩”。3. 任何物质都具有抗磁性本质的原因(P198)：外加磁场作用下由于电子轨道运动产生与外磁场方向相反的附加磁矩。顺磁性原因：外磁场作用下，为降低静磁能，原子磁矩要转向外磁场方向，使总磁矩不为零表现出磁性。4. 铁磁性金属产生自发磁化的原因(P203)：（自发磁化：在没有外加磁场的情况下，材料发生的磁化）A有未填满的电子层，因电子间的相

18、互作用产生自发磁化（两原子相接近，电子云互相重叠且电子层的能量相差不大，因此电子可互换位置，使相邻原子自旋磁矩产生有序排列）B电子互换产生附加能量为交换能，当a/r>3，A>0，有自发磁化倾向。5. 铬、锰是反铁磁质的原因(P196、P203)：反铁磁体的磁化率是小的正数，在温度低于某一温度时，磁化率随温度升高而增大，高于这一温度，其行为像顺磁体。当a/r<3时，A0，自旋磁矩取反向平行排列能量最低。相邻原子磁矩相等时，原子磁矩反平行排列，原子磁矩相互抵消，自发磁化强度等于零，这一特性称为反铁磁性。Mn、Cr为反铁磁体，无论在什么温度下其宏观特性都是顺磁性的，磁化率为正。温度

19、极低时，相邻原子自旋相反，磁矩抵消，磁化率接近0；温度升高，自旋反向作用减弱，磁化率增加。在一定温度Tn（尼尔点）磁化率有最大值，温度在Tn以上，反磁体与顺磁体有相同的磁化行为。6. 超交换的概念(P226)：超交换作用是指夹杂在磁性离子间的氧离子形成的间接交换作用，是铁氧体有很强自发磁化的原因。7. 尖晶石型(P226)元细胞由8个分子组成，氧四面体空隙位置A位，八面体空隙位置B位，用 表示。正尖晶石型的特点和表示方法：离子分布为M2+处于A位，Fe3+处于B位的铁氧体为正尖晶石。A位被不具有磁矩的Zn+、Cd2+占据，A-B不存在超交换作用，B位两个Fe3+磁矩反平行耦合，B-B磁矩完全抵

20、消，不出现自发磁化。反尖晶石型的特点表示方法：M2+占B位，Fe3+占A位及剩余B位。A位与B位的Fe3+有超交换相互作用，则二者磁矩反向平行并相互抵消，仅余剩下B位M2+磁矩，因此几乎所有亚铁磁性尖晶石都是反型。8. 磁化曲线、磁滞回线(P197图6-2)磁性能点：a) 饱和磁感应强度Bs b) 剩余磁感应强度Br ，铁磁物质磁化到饱和后，又将磁场强度下降到零时，铁磁物质中残留的磁感应强度 c) 矫顽力Hc，铁磁物质磁化到饱和后，由于磁滞现象，要使磁介质中B为零，须有一定的反向磁场强度-H，磁场场强度称为矫顽力Hc。9. 磁致伸缩效应(P206)：铁磁

21、体在磁场中被磁化，尺寸形状都发生变化的现象。大小用磁致伸缩系数表示：。产生的本质原因：原子磁矩有序排列时，电子间相互作用导致原子间距自发调整引起的，是其内部各个磁畴形变的外观表现。10. 铁磁质的技术磁化(P212)：技术磁化概念：在外磁场作用下铁磁体从完全退磁状态磁化至饱和状态的内部变化过程。两种机制方法：畴壁迁移（壁移磁化）、磁畴旋转（畴转磁化）。过程三阶段：1）起始磁化阶段：锐角磁畴能态低，钝角畴能态高，磁畴壁自旋磁矩能态高，受磁场影响转动，即磁畴壁移动，则锐角畴扩大，钝角畴缩小，若撤销磁场畴壁迁移可逆。2） 急剧磁化阶段：外加磁场增强，畴壁发生瞬时跳跃，钝角畴瞬时转向锐角易磁化方向，畴

22、壁以不可逆跳跃式进行，称为巴克豪森效应（巴克豪森跳跃）。3） 缓慢磁化至饱和阶段：原子磁矩都转向与磁场成锐角的易磁化方向后成为单畴，增强外磁场，磁场要为增加磁晶各向异性能做功，磁畴转动困难而微弱。（转动可逆）磁化壁移阻力(P213)：1） 阻力来源：A磁化产生退磁能B晶体内部缺陷。2） 阻力来源理论：A内应力理论：晶体缺陷及磁化产生的磁致伸缩效应会产生分布不均匀的内应力，内应力的分布状态决定壁移阻力。B杂质理论：从能量角度看，畴壁处于杂质处，被杂质穿孔而畴壁总面积减少，畴壁能降低，外磁场使畴壁移动，畴壁面积增大、畴壁能增大，造成畴壁迁移阻力。11. 提高剩余磁化强度Mr方法(P216)：1）使

23、外磁场方向与易磁化方向一致，Mr=Ms；2）进行磁场热处理，让外磁场从高于居里点温度向低温冷却，形成磁织构。提高矫顽力Hc的方法(P217)：需增加壁移阻力1）提高磁致伸缩系数；2）使材料产生内应力，增加杂质浓度和弥散度；3）选择K值较高Ms较低的材料。12. 形变对剩余磁化强度、磁性能的影响(P219)：形变使晶格缺陷增加，应力场和壁移阻力增加，使磁导率下降，矫顽力Hc增加，剩余磁感应强度Br在临界变形度下急剧下降，以上则增强（刘强老师说：参考图6-41）。晶粒细化也使磁导率减小，矫顽力和磁滞损耗增大。13. 坡莫合金的成分(P221)：指铁镍合金，含镍量在35%90%之间。磁性能特点：在弱

24、磁场中也有较高的磁导率。Ni含量30%处，发生的相转变，导致许多磁学性能改变，的最大值在Ni含量78%处，此时趋于0。14. 单畴颗粒（P210）：颗粒足够小，可在一个方向自发磁化到饱和形成单个磁畴的颗粒。磁化特点：不存在畴壁，在技术磁化时无壁移过程，只靠畴的转动，需克服磁晶各向异性能，技术磁化和退磁都不易，具有低磁导率和高矫顽力。第五章 材料的光学性能1.光的折射率的产生：折射的实质是由于介质密度不同，光在其中传播速度也不同。光在真空中传播速度与在致密材料中传播速度之比称为材料的绝对折射率。2.介质中光速比真空中慢原因：在介质中的光波是入射波与介质中振子(原子、分子、离子等微观粒子的抽象概念

25、)受迫振动所发射的次波的合成波。合成波的频率与入射光波相同，但其位相却因受到振子固有振动频率的制约而滞后。因此，波合成的结果使介质中的光速比真空中慢。3.反射的决定因素有哪些：W是单位时间内通过单位面积的反射光的能量流，若入射光的单位能量流为W时。反射系数R=W/W光的反射：指光在传播到不同物质时，在分界面上改变传播方向又返回原来物质中的现象。影响因素：在垂直入射的情况下，光在界面上反射的多少取决于两种介质的相对折射率n21 ，如果n1和n2相差很大，那么界面反射损失就严重。如果n1等于n2，几乎没有反射损失。由许多块玻璃组成透镜系统，反射损失更可观。为了减小这种界面损失，常常采用折射率和玻璃

26、相近的胶将它们粘起来，这样，除了最外和最内的表面是玻璃和空气的相对折射率外，内部各界面都是玻璃和胶的较小的相对折射率，从而大大减小了界面的反射损失。4.双折射的概念、特点。光波入射各向异性的晶体，分解成振动方向互相垂直、传播速度不等的两种偏振光，此现象即为双折射；双折射光纤中，平行于入射面的光线的折射率，称为常光折射率n0，严格遵循折射定律。另一条与之垂直的光线所构成的折射率随入射方向改变而变化，称非常光折射率ne。当光沿晶体光轴方向入射时只有常光折射率存在，与光轴垂直入射时，非常光折射率达到最大。5.单折射在结构上的要求：双折射是非均质晶体的特性，只要材料不是各向异性，就会产生单折射。6.电

27、介质在紫外红外产生吸收峰的原因：紫外吸收增加因为波长越短，光子能量越大。当光子能量达到禁带宽度时，电子就会吸收光子能量从满带跃迁到导带，此时吸收系数将骤然增大；红外吸收是因为离子的弹性振动与光子辐射产生谐振消耗能量所致，材料发生振动的固有频率由离子间结合力决定。7.选择性吸收概念：同一物质对某一种波长的吸收系数可以非常大，而对另一种波长的吸收系数可以非常小的现象称为“选择吸收。均匀吸收概念：如果介质在可见光范围对各种波长的吸收程度相同，则称为均匀吸收。8. 色散的概念：材料的折射率随入射光的频率的减小(或波长的增加)而减小的性质。9.散射概念：光在通过结构成分不均匀介质微区域时，有一部分能量偏

28、离原来的传播方向而向四面八方弥散开来，这种现象称为光的散射产生原因：主要是光波遇到不均匀结构产生的次级波与主波方向不一致，二者合成出现干涉现象，使光偏离原来的方向，从而引起散射。10.弹性与非弹性散射区别、包含哪几类：散射前后，光的波长(或光子能量)不发生变化的散射称为弹性散射。包含：廷德尔散射、米氏散射、瑞利散射；散射光中频率发生改变的光散射称为“非弹性散射”。其中包含瑞利散射线、布里渊散射线、拉曼散射线、斯托克斯线、反斯托克斯线。从波动和能量观点解释红、蓝移：波动的观点来看，光的非弹性散射机制是光波电磁场与介质内微观粒子固有振动之间的耦合，从而激发介质微观结构的振动或导致振动消失，以至于散

29、射光波频率相应出现红移或蓝移；能量观点来看，处于低能级的介质分子受到某频率入射光子作用后跃迁到某虚能级再向下跃迁回来时并没有回到原能级，但发射出一个与原先频率不同的光子。这个光子频率与入射光自相比有了能量差，便产生了红移或蓝移现象。11.影响透光性的因素：材料透光性主要与材料的吸收系数，反射系数及散射系数影响。散射系数是影响材料透光率的主要因素。12.受激辐射：当一个能量满足h=E2-E1的光子趋近高能级E2的原子时，入射的光子诱导高能级原子发射一个和自己性质完全相同的光子。自发辐射：原子处于高能级，那么它就可能自发的、独立的向低能级跃迁并发射一个光子。受激吸收：原子在低能级时受到h=E2-E1的光子趋近时，原子可能吸收一个光子并跃迁到高能级。自发与受激辐射的异同：自发辐射和受激辐射都发射出光子；但各原子的自发辐射过程完全是随机的，所以自发辐射光是非相干的。但受激辐射会发射出一个和外来光特性完全相同的光子，所以受激辐射光是相干的。13.激活介质的作用：突破玻尔兹曼分