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1、TPS92310大功率LED驱动器典型应用电路文章出处:木头东瓜 发布时间: 2012-4-1 11:30:08 | 3591 次阅读 | 69次推荐 | 1条留言TI 公司的TPS92310是离线初级侧检测带PFC的控制器,设计用来照明的大功率LED驱动器,采用恒定的导通时间和准谐振开关技术,具有高的功率系数,良好的EMI行能和高的系统效率。主要用在A19 (E26/27,E14),PAR30/38和GU10型LED灯与固态照明。本文介绍了TPS92310主要特性,方框图,典型应用电路图,隔离和非隔离拓扑的电路图,以及TPS92310 EVM-8W评估模块主要特性,电路图,材料清单和模块PC

2、B元件布局图。图1.TPS92310方框图图2.TPS92310典型应用电路图图3.TPS92310隔离拓扑电路图图4.TPS92310非隔离拓扑电路图LED驱动电源电路图LED和其他用电器电源电路一样,如,采用开关电源电路,可以让负载得到质量很好的直流电源,但是电路图,不方便制作,下面给大家介绍一种简易电路,专用于LED驱动电源电路图中,LED驱动电源电路中的元器件也很少,方便制作,元器件参数在电路中,供参考。LED驱动电源电路图如下: 本文介绍一种大功率LED驱动电路模块。主要用于大功率led灯电路中,可以大功率LED灯电路的驱动问题,采用PAM2803就可以轻松实现驱动问题,先

3、介绍一下PAM2803模块的功能。PAM2803介绍  PAM2803模块是专用于对大功率LED灯电路实现驱动之用。PAM2803启动电压小,只有0.9V,PAM3803恒流工作电压是1.86v,自带过压保护。封装采用SOT23-6。最适用于用于电池供电而升压的LED驱动电路中。PAM2803采用PWM控制方式开DC-DC升压驱动电路。可以驱动3W大功率LED灯电路,电流可以由外部反馈电路调节,可以在500MA1A可调,效率可以达到90%。 大功率LED灯电路驱动电路图    应用本模块,元器件少,方便制作,只要安装少量的元器件就可以稳定工作,

4、非常适应于简易电路中,元器件参数在电路中,可以自己制作试一试,效果非常好。ic集成电路集成电路(integrated circuit,港台称之为积体电路)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。·

5、ic集成电路特点o 具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。· ic集成电路应用o ic集成电路不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。· ic集成电路分类o 一、集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间边疆变化的信号。例如半

6、导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等),其输入信号和输出信号成比例关系。数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号)。二、按集成度高低不同,可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路,由于工艺要求较高、电路又较复杂,所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路,集成50100个元器件为中规模集成电路,集成100个以上的元器件为大规模集成电路。对数字集成电路,一般认为集成110等效门片或10100个元件片为小规模集成电路,集成10100个等效门片或1001000元件片为中规模集成电路,

7、集成10010,000个等效门片或1000100,000个元件片为大规模集成电路,集成10,000以上个等效门片或100,000以上个元件片为超大规模集成电路。三、按其制作工艺不同,可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路;膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上,以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽,精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件,因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际

8、应用中,多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件,使之构成一个整体,这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同,膜集成电路又分为厚膜集成电路(膜厚为1m10m)和薄膜集成电路(膜厚为1m以下)两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。四、按导电类型不同,分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。双极型集成电路频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型属于这一类。单极型集成电路工作速度低,但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规

9、模集成,其主要产品为MOS型集成电路。MOS电路又分为NMOS、PMOS、CMOS型。(1)NMOS集成电路是在半导体硅片上,以N型沟道MOS器件构成的集成电路;参加导电的是电子。(2)PMOS型是在半导体硅片上,以P型沟道MOS器件构成的集成电路;参加导电的是空穴。(3)CMOS型是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路称为互补型MOS集成电路,简写成CMOS集成电路。五、按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专

10、用集成电路。1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器(CPU)集成电路、存储器集成电路等。2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路,电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电

11、路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。六、按应用领域分可分为标准通用集成电路和专用集成电路。七、按外形分可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型。· ic集成电路的封装种类o 1、BGABGA的全称是Ball Grid Array(球栅阵列结构的PCB),它是集成电路采用有机载板的一种封装法。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI,然后用模压树脂或灌封方法进行密封

12、。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。 BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,

13、由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。优点:封装面积减少;功能加大,引脚数目增多;PCB板溶焊时能自我居中,易上锡;可靠性高;电性能好,整体成本低。2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右

14、(见QFP)。3、C(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIPG(G即玻璃密封的意思)。5、Cerquad表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5

15、2W的功率。但封装成本比塑料QFP高35倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJG(见QFJ)。6、COB(chipboard)板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装

16、技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。7、DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。8、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).9、DIL(dual in-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP(dual in-line package)双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电

17、路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。11、DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。12、DICP (dual tape carrier package)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于

18、利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将DICP命名为DTP。13、DIP(dual tape carrier package)日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。14、FP(flat package)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸

19、 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。16、FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。17、CPAC(globe top pad array carrier)美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。18、CQFP

20、(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。19、H-(with heat sink)表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。20、pin grid array(surface mount type)表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在

21、封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。21、JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。22、LCC(Leadless chip carrier)无

22、引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFNC(见QFN)。23、LGA(land grid array)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所

23、增加。24、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的 中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。26、LQUAD陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高78 倍,具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,

24、从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装, 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。27、MCM(multi-chip module)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCML,MCMC 和MCMD 三大类。 MCML 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCMC 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚

25、膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCML。MCMD 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。28、MFP(mini flat package)小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。29、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm2.0mm 的标准QFP(见QFP)。30、MQUAD(metal quad

26、)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。31、MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。32、OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。33、P(plastic)表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。34、PAC(p

27、ad array carrier)凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。35、PCLP(printed circuit board leadless package)印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。目前正处于开发阶段。36、PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。37、PGA(pin grid array)陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门

28、表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64256引脚的塑料PGA。 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装型PGA)。38、piggy back驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通。39、PLCC(plastic leaded

29、chip carrier)带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电

30、子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。40、PLCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用PLCC 表示无引线封装,以示区别。41、QFH(quad flat high package)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。

31、部分半导体厂家采用的名称。42、QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。43、QFJ(quad flat J-leaded package)四侧J形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J字形。是日本电

32、子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18至84。陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。44、QFN(quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP小,高度比QFP低。但是,当印

33、刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP的引脚那样多,一般从14到100左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外,还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、PLCC 等。45、QFP(quad flat package)四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶 瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时

34、, 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。另

35、外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂 保护 环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP

36、里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。46、QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。47、QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。48、QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)

37、。49、QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。50、QTP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。51、QUIL(quad in-line)QUIP 的别称(见QUIP)。52、QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.

38、27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。53、SDIP(shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SHDIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。54、SHDIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。55

39、、SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。56、SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有3040的DRAM 都装配在SIMM 里。57、SIP(single in-line pack

40、age)单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。58、SKDIP(skinny dual in-line package)DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。59、SLDIP(slim dual in-line package)DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。60、SMD(s

41、urface mount devices)表面贴装器件。偶而,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。61、SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。62、SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。63、SOJ

42、(Small Out-Line J-Leaded Package)J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM )。64、SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。65、SONF(Small Out-Line Non-Fin)无散热片的

43、SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。66、SOP(small Out-Line package)小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过1040 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8 44。另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1

44、.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。67、SOW(Small Outline Package(Wide-Jype)宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。· ic集成电路发展简史o 1.世界集成电路的发展历史1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;1950年:结型晶体管诞生;1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺;1951年:场效应晶体管发明;1956年:C S Fuller发明了扩散工艺;1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开

45、创了世界微电子学的历史;1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门);1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标

46、志着大规模集成电路出现;1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明;1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世;1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC;1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRA

47、M;1985年:80386微处理器问世,20MHz;1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段;1989年:1Mb DRAM进入市场;1989年:486微处理器推出,25MHz,1m工艺,后来50MHz芯片采用 0.8m工艺;1992年:64M位随机存储器问世;1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6工艺;1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35工艺;1997年:300MHz奔腾问世,采用0.25工艺;1999年:奔腾问世,450MHz,采用0.25工艺,后采用0.18m工

48、艺;2000年: 1Gb RAM投放市场;2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18工艺;2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13工艺。2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。2.我国集成电路的发展历史我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展阶段:1965年-1978年:以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件;1978年-1990年:主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化;1990年-2000年:以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展。· ic集成电路的好坏判别方法o 一、不在路检测这种方法是在ic未焊入电路时进行的,一般情况下可用万用表测量各引脚对应

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