模电 半导体器件练习有答案

1、二极管和三极管练习题1、N型半导体中的多数载流子是( A )，而P型半导体中的多数载流子是( B )。A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D. 负离子2、要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺入少量的( A )，要得到N型半导体，则需要掺入少量的( C )。A.三价元素 B.四价元素C.五价元素 D.六价元素3、杂质半导体中多数载流子浓度( B )。A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关4、PN结正偏是指( B )。A.N区电位高于P区 B.P区电位高于N区C.与外加电压无关 D.P区和N区电位相等5、在常温下，硅二极管的开启电压约为

2、( C )V。A.0.1 B.0.7C.0.5 D.0.26、当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分( C )， 反向特性曲线( B )。A.上移 B.下移 C.左移 D.右移7、理想二极管模型相当于( A )。A.一个理想开关 B.一个恒压源C.一个动态电阻 D.一条斜线8、理想二极管构成的电路如图所示，则（ C ）。AV截止U010VBV截止U03V CV导通U010V DV导通U06V9、由理想二极管构成的电路如图所示，电压UAB=( B )。A. -3VB. -12VC. 0VD. - 15V10、理想二极管构成的电路如图，则( D )。A.V截止U0=-4VB.V导通U0=+4V

3、C.V截止U0=+8VD.V导通U0=+12V11、图示电路中，D1、D2为理想二极管，则ao两端的电压为（C ）。A3VB0VC1VD4V 12、图示电路，二极管VD1，VD2为理想元件，则UAB 为（C）伏。A12VB15VC0VD3V 13、如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压UAB=（C）。A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是（ A ）。   A.vO的b列 B.vO的c列C.vO的a列 D.vO的d列15、图示

4、电路中，二极管导通时压降为0.7V，若UA=0V,UB=3V,则UO为（ B ）。A.5VB.0.7VC.3.7VD.0V16、二极管正偏时应重点关注（ A ），反偏时应重点关注（ A ）。A.导通电流和耗散功率，最大反向电压B.结电容，最高工作频率C.最高工作频率，导通电流和耗散功率D.最高工作频率，最大反向电压17、对于普通的点接触二极管，一般具有的特性是 ( B )。A. 最大整流电流大，最高工作频率高 B. 最大整流电流小，最高工作频率高C. 最大整流电流大，最高工作频率低 D. 最大整流电流小，最高工作频率低18、两只稳压值分别为6V和9V硅稳压管并联，可得到的稳压值是( A )。A

5、.6V，0.7V B.0.7V，0.7VC.9V，0.7V D.6V，9V19、稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为6.3 V，正向导通电压为0.7V，其输出电压Uo为（ B ）。A.0.7V B.7V C.6.7V D.1.4V20、电路如图所示，设DZ1的稳定电压为5V，DZ2的稳定电压为7V，两管正向压降均为0V，若输入Ui为8V，则输出U0的值为（ A ）。A. 5VB. 7VC. 12VD. 2V21、图示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，则输出电压UO为( A )。A.2V B.14V C.6V D.8V22、下图中正确使用稳

6、压二极管的稳压电路是 ( B )。23、稳压管稳压电路如图所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo为( D )。A.6V B.0C.7V D.1V24、在下图所示的电路中，已知稳压管DZ1的稳定电压VZ1=5V，DZ2的稳定电压VZ2=12V，则输出电压V0为（ B ）。A 0.7V B 5V C 12V D 20V25、发光二极管正常工作时处于( A )状态，光电二极管正常工作时应处于( B )状态。A.正偏 B.反偏 C.反向击穿 D.任意26、晶体管是一种( C )的器件。A.电流控制电压 B.电压控制电压C.电流控制电流 D.电压控制电流27、晶体管

7、的( C )。A.发射区的掺杂浓度小于集电区B.基区很薄，掺杂浓度较大C.基区与集电区的接触面积较大D.发射极与集电极可以互换28、工作在放大区的某晶体管，如果测得晶体管IB=30uA时IC=2.4mA，而IB=40uA时IC=3mA，则该管的交流电流放大系数为( B )。A.100 B.60 C.80 D.759、半导体三极管处在放大状态时是( D )。A.C结正偏e结正偏 B.C结反偏e结反偏C.C结正偏e结反偏 D.C结反偏e结正偏30、某放大状态的三极管，测得其管脚电位为：脚u1=0V,脚u2=-0.7V，脚u3=6V，则可判定该管为( C )。A.NPN型是e极 B.NPN型是e极C

8、.NPN型是e极 D.NPN型是c极31、测得放大电路中的三极管管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V，说明该晶体管是( B )。A.NPN锗管 B.PNP锗管C.NPN硅管 D.PNP硅管31、用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各电极对地电位如图所示，说明该晶体管的工作状态是( D )。A.放大 B.损坏C.饱和 D.截止32、某电路中晶体三极管的符号如图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（C）。A放大状态B饱和状态C截止状态D状态不能确定33、测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示，该管的电极从左到右依次为( A )。A. e、b、cB. b、e、cC. c、e、bD. c、b、e34

9、、晶体管的ICEO大，说明其( A )。 A.热稳定性差 B.工作电流大C.击穿电压高 D.寿命长35、某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO）=30V，若它的工作电压UCE=1V，则工作电流IC不得超过( C )mA。A.150 B.5C.100 D.5036、根据下图所示的晶体管电极上所标的实测对地电压数据，则该管是处于（ B ）。A. 饱和状态B. 截止状态C. 放大状态D. 倒置状态37、根据下图所示的晶体管电极上所标的实测对地电压数据，则该管是处于（ A ）。A. 放大状态B. 截止状态C. 饱和状态D. 倒置状态38、三极管的主要参数UC

10、EO其定义是 ( A )。A. 集电极发射极反向击穿电压 B. 集电极发射极正向压降C. 基极发射极正向压降 D. 集电极发射极反向饱和电流39、某三极管接在放大电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=-12V，U2=-5.2V，U3=-5V，则对应该管的管脚排列依次是 ( D )。A. E、B、C B. B、C、E C. B、E、C D. C、B、E40、NPN型三极管处在放大状态时是( C )。A.UBE<0, UBC<0 B.UBE>0, UBC>0C.UBE>0, UBC<0 D.UBE<0, UBC>041、工作在放大状态的某PNP晶体三

11、极管，各电极电位关系为( A )。A.VC<VB<VE B.VC>VB>VEC.VC<VE<VB D.VC>VE>VB42、从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施：( B )。A. 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 B. 发射区掺杂浓度高，集电结面积大C. 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D. 发射区掺杂浓度低，集电结面积大43、某一晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=15V，在下列情况下，为正常工作状况的是（D）。A.UCE=8V，IC=18mAB.UC

12、E=2V，IC=40mAC.UCE=20V，IC=10mAD.UCE=3V，IC=10mA44、三极管工作在开关状态下，其“关”态和“开”态，分别指三极管的( A )。A.截止状态和饱和状态 B.截止状态和放大状态C.放大状态和饱和状态 D.饱和状态和放大状态45、晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是( B )。A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结正向偏置，集电结正向偏置C.发射结反向偏置，集电结反向偏置D.发射结反向偏置，集电结正向偏置46用万用表的R×100和R×1k挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是( B )。                                                                          A.无法判断B.R×100挡测量的