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1、集成电路CAD课程设计报告 四位串行加法器设计1串行进位加法器简介1.1加法器 实现多为二进制数相加的电路,称为加法器。根据进位方式不同,有串行进位加法器和超前进位加法器之分。采用串行进位方式 ,优点是电路简单,连接方便;缺点是运算速度不高。 原理:把四个全加器(例如两片74LS183)依次级联起来,便可构成四位串行进位加法器。因此四位串行进位加法器的设计可以分以下两步进行: (1)全加器设计; (2)将全加器级联,构成四位串行进位加法器 (a) (b)图(1)四位串行加法器74831.2 图2为四位串行加法器7483逻辑图图(2)四位串行加法器2 四位串行进位加法器的设计实现:2.1 输出级
2、电路设计与TTL电路兼容驱动10个TTL输出高电平时IoH<=20 VoHmin=4.4V输出低点平时IoH<=20m VoHmax=0.4V 输出级充放电时间tr=tf计算电路如图3所示以15个PF的电容负载代替10个TTL电路来计算tr、tf输入V为的前一级的输出被认为是理想的输出,即:ViL=Vss,ViH=Vdd计算电流时,负载为电流负载,有拉电流的灌电流。图3(1)CMOS N管(W/L)N的计算:当输入为高电平时(Vi=Vdd),N管导通后级TTL电路有较大的灌电流输入,此时(表示成对称形式)使方括号中的值和栅电容Cox及电子迁移率un为最小值:(2) CMOS P管(
3、W/P)p的计算IoH<=20时有 VoHmin=4.4V tr=tf 以Ioh<=20时VoHmin=4.4V的条件计算最坏的情况下Vdd=4.5V,Vohmin=4.4v,Vtp=0.8V, 经计算可得tr=tp的条件计算:CMOS中p=n所以2.2 输入级设计输入电平Vih可能为2.4V(1)拉管P2为了节省面积,同时又能使Vih较快上升,取图4(2)CMOS反向器的P1管此P1管应取内部基本反向器的尺寸(3)CMOS反相器的N管TTL的输出电平在0.4-2.4之间V1*=ViLmax+Vihmin=1.4V式中k=kn/kp,Vdd=5V,Vtn=0.7V,Vi*=1.4V
4、, k=17.162.3 内部基本反相器中各MOS管尺寸的计算内部反相器的负载电容:本级漏极的PN结电容Cpn下级的栅电容Cc1连线杂散电容CsCpn+Cc1=10CsCs :铝线宽5um,长100um,在场区上面,此铝线的电容为Cpn 和Cl:N管 其衬底是P型,所以 NB=2´1016 cm-3设结深Xi=0.5um R=20/对于P管 Cpn=而CC1可以由:Cc1=10Cs-Cpn求出。下面具体计算N管和P管的尺寸。N管单位尺寸电阻为 ,总电阻为 ,P管单位尺寸电阻为 ,总电阻为 。总电容C=Cpn+Cc1+Cs=Cpn+Cc1Cc1=(Wn+Wp)LCox=10Cs-aWn
5、CpnaWn图 5a为有源区宽度,因为最小孔为3A*3,孔与等晶栅的间距为2,孔与有源区边界的间距为1(1=1.5um),所以a=6=9um上升时间:tr=下降时间:tf= Wp=kWn 2.4 内部逻辑门设计N管放大三倍图62.5 缓冲级的设计(1)输入缓冲级M1M2M3 图7 输入级缓冲器M1为输入级,M2为内部门,M3为缓冲器三输入与非门尺寸:M3负载的栅面积: M2负载的栅面积: 图8扇出系数N=N=加入一级缓冲后,管子逐级放大的尺寸为 =2.597 M3管子尺寸为 =36/2 =79/2 内部反相器的尺寸为 n2=21/3=14/2 p2=46.5/3=31/2(2)输出缓冲级M0M
6、1M2缓冲级M1的计算: 图9由 及N的值可得2.6 输入保护电路的设计二极管的有效面积取500mm2图 10工程估算从输入到输出的所有各支路中,只有C3端加入了缓冲级因而增加了延时与功耗,因此估算考虑最坏的情况(1)模型简化四个三输入与非门中只有一个可被选通并工作,而另三个不工作,所以在C3端经三级反相器后,将不工作的三输入与非门等效为负载电容CL1,与非门的两个输入接高电平,只将C3端信号加在反相器上,因此计算X点之后的部分.X点以前的部分CS这一条之路,最后将结果乘以3倍就可以了.图 11输入门输入缓冲门输出缓冲门输出门内部门三输入与非门 图 12(2)功耗计算静态功耗.瞬态功耗,交变功
7、耗,只考虑瞬态功耗PT=CL总fC(VOH-VOL)VDDCL总4路三输入与非门的栅作为前级负载,COX考虑最坏情况,故取 设工作频率(3)延迟估算定义每级反相器,充电时间常数为放电时间常数为: 于是,充电时间放电时间u为从低电平充到高电平的归一化电平,u为从高电平放电到低电平的归一化电平。估算中取值 一级反相器的延时为:电路模拟(1)指标要求:输出级 tr=tf(2)指标要求:tpHL<25 ns tpLH=25 ns tpLH <25 ns(3)指标要求:fwork=30 MHz 两个译码器的功耗 PD,max=150 mW 即单译码器PD,max=75 mW 3 版图设计版图设计采用了3um,
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