CA50低温不开机问题分析

1、 低温不开机问题分析报告 目前CA50的项目工作进入尾声，在此就再开发过程中比较重大的问题进行一个总结回顾。下面是本人对于低温不开机这个问题的一些分析，比较片面，不妥之处希望大家指正，一起讨论学习。 32CA50的量试机在低温负荷实验时（-10度和-5度）出现了不开机问题，经过初步检讨，发现不开机这个现象其实是两个原因引起，一是电源板不同电（5VSTB都没有）；二是开机屏亮但任何操作无效（从打印信息来分析是开机过程中死机了）。电源方面的检讨阳GL有详细的分析，这里就不再赘述了，主要说下主板方面的问题。 最初检讨时并没有头绪，因为用万用表测量主板各处电压都是正常的，排除了电压不对之后就考虑是否是

2、某处时序不正常，随即在-10度出问题时用示波器测量了DDR1.8V的上电时序，结果如下：怀疑此处是问题所在 然后比较了常温下正常开机的波形，结果如下： 发现DDR1.8V上电很正常没有下挫。从DDR1.8V从LDO出来上面有滤波电容到地：通过分析，我们认为是电解电容在低温环境下，电解液凝固造成滤波特性变差，所以造成1.8V波形变差，于是给出对策，在C7602位置追加1个100U的钽电解电容，理由是钽电容的温度特性较好。4月29日对策了两台进行实验，结果OK。HSE按照该对策在29日晚上进行生产。4月30日用生产机进行确认，发现仍然有机器出现问题，于是继续对策。 仔细察看线路图发现两个DDR的0

3、.9V上的瓷片滤波电容略有差异DDR1 DDR2 经过调查，发现出现此差异的原因是最初南美向UH4L技试1出现开不了机问题，经检讨发现是C5539被损坏造成1.8V下挫DDR不能正常工作，方案公司的工程师给出的对策就是变更这两个电容的值，接下来的SEI向，中国向都延用了该对策。为什么会损坏电容，当时的结论是开机时DDR的冲击电流太大。于是分析可能是由于DDR0.9V的滤波电容值不同，造成两个DDR上电的时序略有差异，遂将两个DDR0.9V前的滤波电容值统一，另外再在C5541的位置追加10U的钽电容，目的是更好的滤除0.9V上的杂波。 5月3日按照如下对策（1，追加C7602 ：CT0J101

4、KDGANG ；2，追加C5541：CT1A100KJRANG；3，追加C7600：CK0J106KMBBNG；4，C5540变更为： CKXLB1C103YAG  ；C5539变更为：CKXLB1C104YAG ）整改了7台机进行实验，结果全部OK。于是HSE决定按照该对策继续生产。到此为止，低温不开机问题算是基本解决。小结一下，上面的对策思路就是一个字“堵”，即通过追加电容的方式来增强滤波能力把杂波滤除掉。当然这并不是最好的解决办法，一是钽电容成本较高，二是并没有真正对策掉产生问题的源头。于是继续寻找更好的对策方法。我们测试了一下常温正常工作时的电流情况，DD

5、R1.8V开机的瞬间电流高达2A（方案公司测试的结果是1.6A，相差不多），正常开机后工作电流只有300MA左右。查看原理图，1.8V出来之后有个滤波电感L5502：查了一下这个电感的规格，没有关于电流与温度相对应的信息，但是电感的最大电流就是2A。根据这点，可以推断出电感在低温环境下性能变差，电流超出了电感能承受的最大值，所以电感产生自激二引起了电压不能一下上到1.8V。所以我们给出了新的对策，将L5502直接短路，5月6日对策了5台42CA50进行验证，全部OK。5月7日我们又将此对策加在了32CA50上，但是仍然有机器在-10度时开不了机，-5度OK。于是又再分析，电感取消掉了，应该是丧失了一定的滤波能力，所以我们又变更了C5551和C5539为10U的瓷片电容进行实验，最终结果都OK。因此最终对策为：1，删除L5502直接短接；2，C5551变更为10U。个人认为问题的源头就在电感这个地方，这个对策应该是最有效的，当然在检讨过程中我们也尝试了通过更改程序来延长DDR初始化的时间以达到降低开机瞬间电流的目的，但是结果都不理想。个人还存在一个疑问，为什么开机瞬间的电流会这么大？仅仅通过DATASHEET了解到的信息是无法解释这个现象的。值得一提的是DDR要正常工作对各