硅抛光片表面质量目检测量方法

1、ICS H 80中华人民共和国国家标准 GB/T 6624200×代替GB/T 6624-1995 200×-××-××发布200×-××-××实施中华人民共和国国家质量技术监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会 硅抛光片表面质量目检测量方法 Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection（讨论稿）发布前 言本标准与GB/T 6624-1

2、995，相比主要有如下改动，更改高强度钨丝灯照度要求；新增净化室级别要求；更改照度计测量范围；新增测量长度工具；更改检测条件：光源与硅片之间的距离和，ß角要求。本标准由中国有色工业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准主要起草单位：上海合晶硅材料有限公司。本标准主要起草人：徐新华、王珍。本标准所替代标准的历次版本发布情况为：GB/T 6624-86、GB/T 6624-1995。硅抛光片表面质量目检测量方法本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验单晶单面抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法。本标准适用于归抛光片表面质量检验。2. 规范性引

3、用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 14264 半导体材料术语3. 方法原理硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可以产生光的漫反射，且能目测观察，据此可目测检验其表面缺陷。4. 设备和器具4.1 高强度汇聚光源：钨丝灯。照度不小于200klx。4.2 大面积漫射光源：可调节光强度的荧光灯或乳白灯，是检测面上的光强度为430650lx。4.3 净化室：净化室级别应该

4、与硅片表面颗粒检测的水平相一致，不低于100级。4.4 净化台：大小能容纳检测设备，净化级别优于100级，离净化台正面边缘230mm处背景照度为50650lx。4.5 真空吸笔：吸笔头可拆卸清洗，抛光片与其接触后不留下任何痕迹，不引入任何缺陷。4.6 照度计：应可测到0330klx。4.7 公制尺：150mm长度，最小刻度1mm5. 试样按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。6. 检测程序6.1 检测条件 在净化室内，用真空吸笔吸住抛光片背面，使抛光面朝上，正对光源。光源、抛光片与检测人位置如图所示。光源离抛光片距离为1020cm。角为商定角度±10°

5、;，ß角为商定角度±10°。见图1。图1 用高强度会聚光检测硅片正面的示意图 检测光源分别为:高强度汇聚光：照度200klx大面积散射光：照度430650lx 用真空吸笔吸住抛光片背面，使高强度汇聚光束斑直射抛光片表面（如图所示）。 晃动抛光片，改变入射光角度，目测检测整个抛光片正面的缺陷：沾污，雾，划道，颗粒。 将光源换成大面积散射光源，目测检查抛光片正面的缺陷：边缘碎裂,桔皮，鸭爪，裂纹，槽，波纹，浅坑，小丘，刀痕，条纹。用真空吸笔吸住抛光片背面，使背面向上，在大面积散射光照射下，目测检查抛光片背面的缺陷：边缘碎裂，沾污，裂纹，刀痕。6.2.4 6.2.4条中的术语应符合GB/T 14264的规定。7.1计算和记录观察到的颗粒数。7.2估计和记录沾污或缺陷面积占硅片总面积的百分数（精确到10%）。7.3 记录划道根数及长度（精确到10%）。计算和记录观察到边缘碎裂，弧坑，波纹，小丘,浅坑数。7.5记录抛光片的裂纹，鸡爪和条纹数7.6 估计和记录桔皮，未抛光部分的面积占抛光片总面积的百分数（精确到10%）。7.7 记录槽的根数和累计长度（以直径为单位，精确到10%）。7.8估计和记录抛光片的刀痕，退刀痕长度（精