贴片电容基础知识

1、贴片电容英贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写：MLCC。目录一、基本概述二、尺寸三、命名四、分类五、MLCC电容品牌与选型六、作用七、内部结构八、封装一、基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名

2、方法。二、尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02英寸，其他类同型号尺寸（mm）三、命名 1、贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。如下华新科（WALSIN）系列的贴片电容的命名

3、：原厂命名料号：0805N102J500CT 0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸；N：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容；102：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102也就是= 1000PF ；J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的；500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有 多少个零；C：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡

4、T：是指包装方式；T：表示7"盘装编带包装；2、贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异，贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。3、贴片电容有中高压贴片电容和普通贴片电容，系列电压有4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、5000V。4、贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系列的型号有0201、0402、0

5、603、0805、1206、1210、1812、2010、2225等。 5、贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,Y5V NPO：此种材质电性能最稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路。容量精度在5%左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF 以下，100PF- 1000PF 也能生产但价格较高；X7R：此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，容量精度在10%左右；Y5V：此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20%左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。四、分

6、类贴片电容的分类区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。1、 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55到 125时容量变化为0±30ppm/，电容量随频率的变化小于±0.3C。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于&#

7、177;2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。封 装 DC=50V DC=100V0805 0.5-1000pF 0.5-820pF1206 0.5-1200pF 0.5-1800pF1210 560-5600pF 560-2700pF2225 1000pF-0.033F 1000pF-0.018FNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。2、 X7R电容器X7R电

8、容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55到 125时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%C，表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。封 装 DC=50V DC=100V0805 330pF-0.056F 330pF-0.012F1206 1000pF-0.15F 1000pF-0.047F1210 100

9、0pF-0.22F 1000pF-0.1F2225 0.01F-1F 0.01F-0.56F3、 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。封 装 DC=25V DC=50V08

10、05 0.01F-0.12F 0.01F-0.1F1206 0.01F-0.33F 0.01F-0.27F1210 0.01F-0.68F 0.01F-0.47F2225 0.01F-1F 0.01F-1FZ5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围10 - 85温度特性 22% - -56%介质损耗 最大 4%4、 Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30到85范围内其容量变化可达 22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7F电容器。Y5V电容器的取值范围如下表所示封 装 DC=25V DC=50V0805 0.01F-0.39F 0

11、.01F-0.1F1206 0.01F-1F 0.01F-0.33F1210 0.1F-1.5F 0.01F-0.47F2225 0.68F-2.2F 0.68F-1.5FY5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30 - 85温度特性 22% - -82%介质损耗 最大 5%贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。五、MLCC电容品牌与选型主要MLCC主要生产厂家：日本：京瓷(KYOCERA)、村田(MURATA)、TDK、太阳诱电；韩国：三星(SAMSUNG)；台湾：达方、禾伸堂(HEC)、国巨(YAGEO)、华新科（WALSIN)；大陆：宇阳、风华高

12、科、三环；电容选形时需要考虑的因素很多，以下探讨了MLCC的电容选形要素；-参数：电容值、容差、耐压、使用温度、尺寸-材质-直流偏置效应-失效-价格与供货不同介质性能决定了MLCC不同的应用-C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容-X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用-Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路-Y5V电容器温度特性最差，但容量大，可取代低容铝电解电容MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格，不同的规格有不同的特点和用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体

13、积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。六、作用电路中的作用在直流电路中，电容器是相当于断路的。 电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，

14、物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是绝缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。陶制电容器但是，在交流电路中，因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而电容器充放电的过程是有时间的，这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化的函数。实际上，电流是通过场的形式在电容器间通过的。在中学阶段，有句话，就叫通交流，阻直流，说的就是电容的这个性质。电容的作用:1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电

15、容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2）去耦去耦，又称解耦。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池

16、”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1F、0.01F 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10F 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1F 的电容大多

17、为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000F）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4）储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40450VDC、电容值在220150 000F 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的B43504 或B435