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文档简介
1、第九章一、填空题1、本征半导体自由电子浓度 空穴浓度;N型半导体的自由电子浓度 空穴浓度;P型半导体的自由电子浓度 空穴浓度(大于;小于;等于)。2、P型半导体中空穴为_载流子,自由电子为_载流子。3、 二极管最主要的电特性是 ,在常温下,硅二极管正向导通压降约为 ;锗二极管正向导通压降约为 。4、下图所示各电路中二极管为理想二极管,则VD ,(导通;截止),UAB= 。5、如图电路中,D1为硅二极管,D2为锗二极管,则D1处于 状态,D2处于 状态。6、若稳压二极管V1和V2的稳定电压分别为5V和9V,求图示电路的输出电压uO(忽略二极管正向导通电压)。图a,u0= 图b,u0= 图c, u
2、0= 7、判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止,并求UAB(设二极管均为理想二极管) 图a:VD_,UAB=_。 图b:VD_,UAB=_。 二、选择题1、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于 。A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态2、杂质半导体中的少数载流子浓度取决于_。 A 掺杂浓度 B 工艺 C温度 D 晶体缺陷3、在单相桥式整流电路中,所用整流二极管的数量是 。A、 一 个B、二个 C、四个 D、六个4、整流的目的是 。A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将正弦波变为方波D、将直流变为交流3、 计算题1、如图所示
3、桥式整流电路,若u的波形是正弦波,试说明该电路的工作原理,并画出uo的波形。解: u正半周,Va>Vb,二极管 1、3 导通,2、4 截止,uo=u; u 负半周,Va<Vb,二极管 2、4 导通,1、3 截止,uo=-u。波形如下图所示:2、如图所示,二极管是理想的,试画出 uo 波形。解:当 ui > 8V,二极管导通,可看作短路, uo = 8V ui < 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui第十章一、填空题BCE1、 该符号表示 (PNP、NPN)型晶体管。其中C为 , B为 ,E为 。2、三极管的三个工作区域是 、 、 。3、当三极管作为开关使用时,其
4、工作在 区和 区。若半导体三极管发射结正偏,集电结反偏,则该三极管工作在 区。4、晶体管工作在 区时,相当于闭合的开关;工作在 时,相当于断开的开关。5、NPN型晶体管处在放大状态时,三个电极以 电位高, 电位最低。6、某晶体管的管压降UCE不变,基极电流为30 uA时,集电极电流等于3 mA;这时这只晶体管的= 。7、三极管出现饱和失真是由于静态工作点设置偏 ;出现截止失真是由于静态工作点设置偏 ;解决截至失真的办法是将RB调 。二、选择题1、射极跟随器具有_特点。A、电流放大倍数高 B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于且小于输入电阻高,输出电阻低 D、电流放大倍数近似于且小于输入电阻高
5、,输出电阻低2、某NPN型三极管的输出特性如图所示,当Uce=6V时,其电流放大系数为 。A、=25 B、=50 C、=100 D、=1503、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,则此三极管为 。 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管4、PNP型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是_。A、<< B、<< C、>> D、<<5、在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz的正弦电压信号后,用示波器观察和,则二者的相位关系为_。 A、相差9
6、0º B、相差45º C、相同 D、相差180º6、上图共发射极电路中,电容C1 ,C1的作用为_。 A、隔直流通交流 B、隔交流通直流C、保证三极管工作在放大状态 D、没有作用7、三极管工作于饱和状态的条件是 。A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏8、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是( )。A、(E、B、C) B、(B、C、E) C、(B、E、C) D、(C、B、E)9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。A、都为0 B、相等 C、小 D、
7、大10、二极管两端电压大于( )电压时,二极管才导通。A、击穿电压 B、死区 C、饱和 D、导通11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。A、正、反向电阻相等 B、正向电阻大 ,反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍 D、正、反向电阻都等于无穷大12、共射放大电路,输出电压与输入电压相位相差( )度。A、0 B、90 C、180 D、27013、当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为UC( )UB 。A、 > B、< C、= D、14、共模抑制比越大,表明电路 。A、放大倍数越稳定 B、 交流放大信号越大 C、抑制温漂能力越强 D
8、 、输入信号中差模成分越大15、在直接耦合放大电路中,采用差动式电路结构的主要目的是 。A、提高电压放大倍数 B、改善频率响应C、提高带负载能力 D、抑制零点漂移16、图示互补对称功放电路中,所采用的三极管应是 才能正常工作。A、T1为PNP;T2为PNP B、T1为NPN;T2为NPNC、T1为PNP;T2为NPN D、T1为NPN;T2为PNP三、分析计算题1、如图所示分压式偏置放大电路,回答下列问题。(P23、34)(1)其中电容C1和C2具有什么作用?直流电源VCC具有什么作用?(2)简要说明该电路稳定静态工作点的过程。解:(1)电容的作用是隔直流通交流。直流电源VCC的作用:提供能量
9、;保证发射结正偏,集电极反偏。 (2)该电路稳定静态工作点的过程: uiu0RBC1C2RLRC+UCC2、(如图所示电路图,已知:UCC=12V,RB=300K,RC=3K,RL=6K,。(1) 求静态工作点(忽略);(2) 画该电路的微变等效电路;(3) 求电压放大倍数。(1) 静态工作点:uiu0RBRLRCrbeibib(2)微变等效电路:(4) 电压放大倍数:其中 963= 3、下图示放大电路中,已知三极管的,、, 。(1)画直流通路,并试估算静态工作点;(2)画微变化等效电路;(3)求出电压放大倍数、输入电阻和输出电阻; (2) 直流通路+UCCRCRBRe静态工作点:RLuiu0
10、RBRCrbeibib(2) 微变等效电路:(3) 电压放大倍数:其中 =输入电阻:输出电阻: 第十一章1、电路如图,VI14mV,VI22mV,VI35mV,求V01和V0。V02222VI3VI2VI1V0150KR250KR130K10K60K60K A2 A1 V01=-26mv V0=2、电路如图a,b所示,试分析计算集成运放输出电压与输入电压关系。 uO1(Rf /R) uI10 uIuO2(1+Rf /R ) uI11 uI3、如图所示的运算电路中,已知 :R1=Rf1=10千欧, R3=20千欧,Rf2=100k,ui1=0.5 V,求输出u0。第十三章 一、填空题1、(23)
11、10=( 10111)2=( 17 )162、(11001)2=( 25 )10=( 19 )163、在逻辑关系中,最基本的关系是与、 或 和非。4、在时间上和数值上均作连续变化的信号称为模拟 信号;在时间上和数值上离散的信号叫作数字 信号。6、(1986)10=(0001 1001 1000 0110)8421BCD7、(1001 0111 0110 1000)8421BCD=(9768)10二、选择题1、二输入端的与非门,其输入端为A、B,输出端为Y,则其表达式Y=(B )。A、AB B、 C、 D、A+B 2、与逻辑式 相等的是( C )。A、ABCD B、1+BCD C、A D、 3、
12、是8421BCD码的是( A )。A、0100 B、1101 C、1100 D、11114、欲对全班20个学生以二进制代码编码表示,最少需要二进制码的位数是( A )。A、5 B、4 C、3 D、65、二输入端的或非门,其输入端为A、B,输出端为Y,则其表达式Y= ( C )。A、AB B、 C、 D、A+B 6、 数字电路中机器识别和常用的数制是( A )。A、二进制 B、八进制 C、十进制 D、十六进制7、欲对全班30个学生以二进制代码编码表示,最少需要二进制码的位数是( D )。A、6 B、4 C、3 D、5四、分析题 1、根据逻辑门电路的符号,写出逻辑门电路的名称和表达式。 名称:与非
13、 名称:或非表达式: 表达式: 名称: 异或 名称:与或非表达式: 表达式:2、 电路如图所示,请写出Y的逻辑函数式,列出真值表,指出电路完成了什么功能?(1) 写出输出逻辑函数式(2)列逻辑函数真值表输 入输 出A B CY0 0 00 0 10 1 00 1 11 0 01 0 11 1 01 1 1 00010111(3)分析逻辑功能 当输入A、B、C中有2个或3个为1时,输出Y为1,否则输出Y为0。所以这个电路实际上是一种3人表决用的组合电路:只要有2票或3票同意,表决就通过。3、设计一个三人表决电路,结果按“少数服从多数”的原则决定。设三人的意见为变量A、B、C,表决结果为函数L。对于变量A、B、C,设同意为逻辑1,不同意为逻辑0。对于函数L,设表决通过为逻辑1,没通过为逻辑0。要求画出真值表,写出逻辑表达式并化简,最后画出逻辑电路图。(1) 逻辑问题分析 设三人的意见为变量A、B、C,表决结果为函数L。对变量及函数进行如下状态赋值:对于变量A、B、C,设同意为逻辑1,不同意
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