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1、 MOS集成电路中的隔离集成电路中的隔离 增加场区二氧化硅的厚度局部场氧化增加场区二氧化硅的厚度局部场氧化 侧墙掩膜隔离侧墙掩膜隔离 双极集成电路中的隔离双极集成电路中的隔离 结隔离结隔离MOSFET本身自隔离本身自隔离产生寄生场效应晶体管产生寄生场效应晶体管抑制方法抑制方法防止开启防止开启提高寄生场效应晶体管的阈值电压提高寄生场效应晶体管的阈值电压增加场区二氧化硅的厚度局部场氧化增加场区二氧化硅的厚度局部场氧化增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层挡层 主要介绍主要介绍0.18 m的的CMOS集成电路硅工集成电路硅工艺的主要步骤。这有助于对半导体

2、制造有艺的主要步骤。这有助于对半导体制造有一个更好的了解。一个更好的了解。 CMOS反相器由两个晶体管构成，一个反相器由两个晶体管构成，一个nCMOS和一个和一个pCMOS。 在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬底相在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬底相反的区域称阱反的区域称阱well。阱通常是通过注。阱通常是通过注入或扩散工艺形成，掺杂为入或扩散工艺形成，掺杂为n型称为型称为n阱，阱，掺杂为掺杂为p型称为型称为p阱阱,而在同一硅片上形成而在同一硅片上形成n阱和阱和p阱的称为双阱阱的称为双阱twin-well。 浅槽隔离浅槽隔离STI是在衬底上制作的晶体管有是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。源区之间隔离区的一种可选工艺。 分为三步：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物分为三步：槽刻蚀、氧

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