认识整流器(简体版)

1、认识整流器一.何谓二极体整流器?1-1半导体二极体是目前各种电子系统中最基本的组成元件之一，同时，它的特性类似一般的开关，具有整流的作用，亦可作為电路保护使用,因此在电子电路中也扮演着极重要的角色。1-2、内容说明 半导体是一种导电度介於决缘材料(导电度非常低)及导体(导电度非常高)之间的材料。若将某些杂质原子掺入相当纯的半导体材料中就会对这半导体材料的特性產生狠大的影响。即使所加的杂质只有千万分之一的程度，却会藉能带结构的改变而使得材料的电气特性完全改观。经过这种掺杂过程的半导体材料称為外质材料。 在半导体装置的製造上有两种非常重要的外质材料 : n型及 p型。他们也是构成半导体装置的基本单

2、元。 n 型材料是当所加的杂质為像锑、砷及磷这种五个价电子的元素。 p型材料是在纯锗或矽晶体中掺入具有叁个价电子的杂质原子而形成，如硼、 鎵和銦。 一个理想的二极体為两端点装置，且其符号与特性如下图 (a) (b): 从注意到二极体由外加电压所產生的电流方向即可轻易地判断出二极体是处於导通或截止状态。对惯性电流而言(与电子流方向相反)，若所產生的电流 方向与二极体符号的箭头方向相同时，就表示二极体处於导通区域。反之则為截止，下图為常见的二极体外形: 由製造商对某一半导体装置所提供的表格通常有两种形式。一种是仅对装置作一简要的说明。另一种则是藉着图表、应用等对某一个别装置作详细的说明。但是，不论

3、何种形式，有些数据是必要的，这些数据包括: (1)顺向电压 F:在接面温度為常温时.加以由P至N的额定顺向电流.於接面所量测的电压读值.量测时必须以四点测试為之.否则由於测端接触电阻会引响量测的準确性.另外温度对VF亦会引响量测值.温度越高读值越低. (2)最大逆向电压 VR:也就是PIV的量测.於N面加高电压直到P面达到额定的逆向漏电流.引响PIV最主要的因数為接面深度及晶片阻值.一般逆向特性曲线有下列几种 1. Sharp 2. Round 3.Ride-in 4. Ride-out 5. Snapdown 6.Short (3)逆向漏电流 :ir 於n面加额定高电压再於p面读到的逆向漏电

4、流.一般漏电流会随温度的增加而增加.温度每升高10度漏电流会增加1倍 (4)逆向恢復时间 :Trr 电路中使用频率的影响由於P N-接面载子浓度变化率及接面电容效应.使整流作用有一定频率的限制.一般我们使用RG-1线路来测试. (5) VF surge 顺向突波电压:与材料的功率值成正比.一般测试的波形有8.3ms和10ms(sine wave)两种. (6) Reverse surge 逆向突波电流:以正常漏流的一千倍.10MS的短暂高压突波来衝击接面. (7) : DVF利用材料的负电阻温度特性.以筛选焊接面不良的產品.方法為先通过一10MA的顺向小电流读取值為VF1.再以5倍的额定电流75MS使接面发热.间格0.4MS再次通过前述的10MA小电流读取值為VF2.DVF=VF1-VF2 (8) DVZ: 设定两段不同的崩溃电流.如此可限制材料的崩溃斜率.同时对於ride-in 及ride-out的材料亦可筛选.一般以10MA来读取VZ1.再以100UA来读取VZ2. DVZ=VZ2-VZ1(9) : DIR以额定的逆向电压加到接面.连续10次读取IR.取最大值减去最小值為DIR值.此法可筛选漏电流不稳定的材料. (10) VFR: 顺向恢復最高电压.也就是di/dt来量测 材料电感性的响应.量测直越低越佳. 整流器除上述几种量测外.另外还有多种