新技术的物理基础ppt课件

1、18-1 固体的能带理论固体的能带理论固体指具有确定形状和体积的物体。固体指具有确定形状和体积的物体。分为：晶体、非晶体和准晶体分为：晶体、非晶体和准晶体一、晶体结构和晶体分类一、晶体结构和晶体分类1、晶体结构、晶体结构外观上：具有规则的几何形状外观上：具有规则的几何形状微观上：晶体点阵晶格）微观上：晶体点阵晶格）基本特征：规则排列，表现出长程有序性基本特征：规则排列，表现出长程有序性晶体中的重复单元称为晶胞晶体中的重复单元称为晶胞 Na Cl立方立方 Cs Cl体心体心立方立方Cu面心面心立方立方晶胞晶胞晶体晶体组成组成结合力结合力结合力结合力特性特性晶体晶体特性特性离子晶体离子晶体正、负离

2、子正、负离子库仑吸引力库仑吸引力（离子键）（离子键）无方向性无方向性无饱和性无饱和性硬度高、熔点高、硬度高、熔点高、性脆、电子导电性弱性脆、电子导电性弱共价晶体共价晶体原子原子共价键共价键有方向性有方向性有饱和性有饱和性硬度高、熔点高、硬度高、熔点高、沸点高、不溶于沸点高、不溶于所有寻常液体所有寻常液体晶体晶体组成组成结合力结合力结合力结合力特性特性晶体晶体特性特性金属晶体金属晶体原子实、价电子原子实、价电子金属键金属键有明显方向性有明显方向性有饱和性有饱和性具有导电性、导具有导电性、导热性、金属光泽热性、金属光泽分子晶体分子晶体电中性的无极分子电中性的无极分子范德瓦耳斯力范德瓦耳斯力（范德瓦

3、耳斯键）（范德瓦耳斯键）无方向性无方向性无饱和性无饱和性熔点低、硬度低、熔点低、硬度低、导电性差导电性差二、固体的能带二、固体的能带1、电子共有化、电子共有化U r单个原子单个原子U r两个原子两个原子 由于晶体中原子的周期由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象，为单个原子所有的现象，称为电子的共有化。称为电子的共有化。U r 晶体中周期性势场晶体中周期性势场2E1E2、能带的形成、能带的形成电子的共有化使原先每个原子中具有相同能级的电子的共有化使原先每个原子中具有相同能级的电子能级，因各原子间的相互影响而分裂成一系电子能级，因各原子间的相互影响而分裂

4、成一系列和原来能级很接近的新能级，形成能带。列和原来能级很接近的新能级，形成能带。Os1BrA0rEE 氢原子的能级分裂氢原子的能级分裂E 原子中原子中的能级的能级晶体中的能带晶体中的能带能带的一般规律：能带的一般规律：2. 越是外层电子，能带越是外层电子，能带越宽，越宽，E越大。越大。 1. 原子间距越小，能带原子间距越小，能带越宽，越宽，E越大。越大。 3. 两个能带有可能重叠。两个能带有可能重叠。禁带：两个相邻能带间禁带：两个相邻能带间可能有一个不被允许的可能有一个不被允许的能量间隔。能量间隔。离子间距离子间距r02p2s1sEO能带重叠示意图能带重叠示意图电子在能带中的分布：电子在能带

5、中的分布：1、每个能带可以容纳的电子数等于与该能带相应、每个能带可以容纳的电子数等于与该能带相应的原子能级所能容纳的电子数的的原子能级所能容纳的电子数的N倍倍N是组成晶是组成晶体的原子个数）。体的原子个数）。2、正常情况下，总是优先填能量较低的能级。、正常情况下，总是优先填能量较低的能级。满带：各能级都被电子填满的能带。满带：各能级都被电子填满的能带。 满带中电子不参与导电过程。满带中电子不参与导电过程。价带：由价电子能级分裂而形成的能带。价带：由价电子能级分裂而形成的能带。 价带能量最高，可能被填满，也可不满。价带能量最高，可能被填满，也可不满。空带：与各原子的激发态能级相应的能带。空带：与

6、各原子的激发态能级相应的能带。 正常情况下没有电子填入。正常情况下没有电子填入。 禁带禁带gE 空带空带（导带）（导带）满带满带 导带导带 满带满带三、导体和绝缘体三、导体和绝缘体当温度接近热力学温度零度时，半导体和绝缘当温度接近热力学温度零度时，半导体和绝缘体都具有满带和隔离满带与空带的禁带。体都具有满带和隔离满带与空带的禁带。 禁带禁带gE 空带空带满带满带半导体能带半导体能带eV.Eg5110 禁带禁带空带空带满带满带绝缘体能带绝缘体能带eVEg63 禁带禁带gE 价带价带满带满带 空带空带满带满带 空带空带价带价带 gE 满带满带一个好的金属导体，它最上一个好的金属导体，它最上面的能带

7、或是未被电子填满，面的能带或是未被电子填满，或虽被填满但填满的能带却或虽被填满但填满的能带却与空带相重叠。与空带相重叠。四、半导体四、半导体 本征半导体是指纯净的半导体。本征半导体是指纯净的半导体。杂质半导体是指掺有杂质半导体。杂质半导体是指掺有杂质半导体。电子导电电子导电半导体的载流子是电子半导体的载流子是电子空穴导电空穴导电半导体的载流子是空穴满带上半导体的载流子是空穴满带上 的一个电子跃迁到空带后的一个电子跃迁到空带后, ,满带满带 中出现的空位）中出现的空位）SiSiSiSiSiSiSiP1、 n型半导体型半导体 在四价元素中掺入少量五价元素，形成在四价元素中掺入少量五价元素，形成n型

8、半导体。型半导体。导带导带施主施主能级能级 gE 满带满带DE E SiSiSiSiSiSiSi2、 p型半导体型半导体 在四价元素中掺入少量三价元素，形成在四价元素中掺入少量三价元素，形成p型半导体。型半导体。B 导带导带受主受主能级能级 gE 满带满带AE E3、p-n结的形成结的形成由于由于n n区的电子向区的电子向p p区扩散，区扩散，p p区的空穴向区的空穴向p p区扩散，在区扩散，在p p型半导体和型半导体和n n型半导体的交型半导体的交界面附近产生了一个电场界面附近产生了一个电场 , , 称为内电场。称为内电场。p-n结结阻阻En型型p型型0U导带导带禁带禁带满带满带 区区p区区

9、n0eU 区区p区区n )a()b(p-n结的单向导电性结的单向导电性在在p-n结的结的p型区接电型区接电源正极，源正极，n区接负极区接负极阻挡层势垒被削弱、阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向变窄，有利于空穴向n区运动，电子向区运动，电子向p区区运动，形成正向电流。运动，形成正向电流。Ep型型n型型I阻阻EU伏）伏）I （毫安）（毫安）O在在p-n结的结的p型区接电型区接电源负极，源负极，n区接正极。区接正极。阻挡层势垒增大、变阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向宽，不利于空穴向n区区运动，也不利于电子运动，也不利于电子向向p区运动。区运动。U(伏伏)I（微安）（微安）Ep型型n型型阻阻EI4

10、、半导体的其他特征和应用、半导体的其他特征和应用热敏电阻热敏电阻半导体的电阻随温度的升高而指数下降，半导体的电阻随温度的升高而指数下降，导电性能随变化十分灵敏。导电性能随变化十分灵敏。热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长光敏电阻光敏电阻在可见光照射下，半导体硒的电阻随光强增加而急在可见光照射下，半导体硒的电阻随光强增加而急剧减小，但要求照射光的频率大于红限频率。剧减小，但要求照射光的频率大于红限频率。温差电偶温差电偶将两种不同的半导体组成回路，两个接头处于不同将两种不同的半导体组成回路，两个接头处于不同温度，回路中将产生温差电动势。温度，回路中将产生温差电动势。n型

11、型p型型1T0T热端热端冷端冷端负载负载电流电流电流电流电势差增加，半导体内电势差增加，半导体内电场也增强，阻止载流电场也增强，阻止载流子扩散，最后达到平衡。子扩散，最后达到平衡。18-2 激光原理激光原理Light Amplification by Stimulated Emission of RadiationLaser受激辐射光放大受激辐射光放大一、激光的基本原理一、激光的基本原理1、自发辐射与受激辐射、自发辐射与受激辐射光与原子体系相互作用，同时存在吸收、光与原子体系相互作用，同时存在吸收、自发辐射和受激辐射三种过程。自发辐射和受激辐射三种过程。自发辐射自发辐射 在没有任何外界作用下，

12、激发态原子自发地从在没有任何外界作用下，激发态原子自发地从高能级向低能级跃迁，同时辐射出一光子。高能级向低能级跃迁，同时辐射出一光子。满足条件：满足条件：h=E2-E11E 2E h 1E2E随机过程，用概率描述随机过程，用概率描述N2t时刻处于能级时刻处于能级E2上的原子数上的原子数自自 dtdN21单位时间内从高能级自发跃迁到单位时间内从高能级自发跃迁到 低能级的原子数低能级的原子数22121NAdtdN 自自A21自发辐射概率自发跃迁率）：表示一个原自发辐射概率自发跃迁率）：表示一个原子子 在单位时间内从在单位时间内从E2自发辐射到自发辐射到E1的概率的概率 自发辐射过程中各个原子辐射出

13、的光子的相位、自发辐射过程中各个原子辐射出的光子的相位、偏振状态、传播方向等彼此独立，因而自发辐射的偏振状态、传播方向等彼此独立，因而自发辐射的光是非相干光。光是非相干光。受激辐射受激辐射 处于高能级处于高能级E2上的原子，受到能量为上的原子，受到能量为h= E2- E1的外来光子的激励，由高能级的外来光子的激励，由高能级E2受迫跃迁到低能级受迫跃迁到低能级E1，同时辐射出一个与激励光子全同的光子。，同时辐射出一个与激励光子全同的光子。频率、相位、偏振态、频率、相位、偏振态、传播方向等均同传播方向等均同 1E2E h h 1E2E h随机过程，用概率描述随机过程，用概率描述受受 dtdN21单

14、位时间内从高能级单位时间内从高能级E2受激跃迁到受激跃迁到 低能级低能级E1的原子数的原子数22121NWdtdN 受受B21受激辐射系数由原子本身性质决定）受激辐射系数由原子本身性质决定）W21表示一个原子在单位时间内从表示一个原子在单位时间内从E2受激辐射受激辐射 跃迁到跃迁到E1的概率的概率)t ,(BW 2121 ( ,t)辐射场的能量密度辐射场的能量密度受激吸收受激吸收 能量为能量为h= E2- E1的光子入射原子系统时，原的光子入射原子系统时，原子吸收此光子从低能级子吸收此光子从低能级E1跃迁到高能级跃迁到高能级E2。N1t时刻处于能级时刻处于能级E1上的原子数上的原子数吸吸 dt

15、dN12单位时间内由于吸收光子从单位时间内由于吸收光子从E1跃迁跃迁 到到E2的原子数密度的原子数密度11212NWdtdN 吸吸W12受激吸收跃迁概受激吸收跃迁概率率B12受激吸收系数受激吸收系数 ( ,t)辐射场的能量密度辐射场的能量密度)t ,(BW 21122、粒子数反转、粒子数反转 激光是通过受激辐射实现光放大，即要使受激激光是通过受激辐射实现光放大，即要使受激辐射超过吸收和自发辐射辐射超过吸收和自发辐射根据玻尔兹曼根据玻尔兹曼能量分布律能量分布律kTEEeNN)(1212 热动平衡下，热动平衡下， N2N1，即处于高能级的原子，即处于高能级的原子数大大少于低能级的原子数数大大少于低

16、能级的原子数粒子数的正常分布粒子数的正常分布受激辐射占支配地位受激辐射占支配地位粒子数反转粒子数反转高能级上的粒高能级上的粒子数超过低能子数超过低能级上的粒子数级上的粒子数实现粒子数反转的条件：实现粒子数反转的条件：要有实现粒子数反转分布的物质，这种物质具有要有实现粒子数反转分布的物质，这种物质具有 适当的能级结构；适当的能级结构；必须从外界输入能量，使工作物质中尽可能多的必须从外界输入能量，使工作物质中尽可能多的 粒子处于激发态。（激励或泵浦）粒子处于激发态。（激励或泵浦）激励方法：光激励、电激励、化学激励激励方法：光激励、电激励、化学激励工作物质的能级结构：具有亚稳态工作物质的能级结构：具

17、有亚稳态(寿命较长寿命较长)只有具有亚稳态的工作物质才能实现粒子数反转只有具有亚稳态的工作物质才能实现粒子数反转1E3E4E2E)a(1E3E4E2E)b(工作跃迁工作跃迁粒粒子子数数反反转转的的实实现现3、光学谐振腔、光学谐振腔输出输出全反射镜全反射镜（100%反射镜）反射镜）部分透光反射镜部分透光反射镜（98%反射）反射）光光学学谐谐振振腔腔激发态激发态原子原子基基态态受激辐射受激辐射自发辐射自发辐射实现粒子数反转实现粒子数反转分布的激活介质分布的激活介质辐射的光的位相、辐射的光的位相、偏振状态、频率、偏振状态、频率、传播方向是随机的。传播方向是随机的。输出输出全反射镜全反射镜（100%反

18、射镜）反射镜）部分透光反射镜部分透光反射镜（98%反射）反射）光光学学谐谐振振腔腔光学谐振腔的作用：光学谐振腔的作用： 1. 1.使激光具有极好的方向性沿轴线）；使激光具有极好的方向性沿轴线）； 2. 2.增强光放大作用延长了工作物质）；增强光放大作用延长了工作物质）； 3. 3.使激光具有极好的单色性选频）。使激光具有极好的单色性选频）。4、纵模与横模、纵模与横模谐振条件：光波在谐振腔内能形成驻波谐振条件：光波在谐振腔内能形成驻波3 , 2 , 1,2 kkLk nLckk2 或或腔长腔长谐振频率谐振频率频谱中每个谐振频谱中每个谐振频率成为一个振频率成为一个振荡纵模。荡纵模。激光的纵模激光的

19、纵模相邻两纵模间隔相邻两纵模间隔nLcnLcknLckk222) 1( 0 N个纵模个纵模谐振腔选频作用：谐振腔选频作用： 工作物质辐射的谱线有一工作物质辐射的谱线有一定宽度，只有满足阈值条件，定宽度，只有满足阈值条件，并处于物质辐射谱线宽度内。并处于物质辐射谱线宽度内。输出纵模个数：输出纵模个数：kN 激光的横模激光的横模激光斑中的光的强度有不同形式的稳定分布花样，激光斑中的光的强度有不同形式的稳定分布花样，在光束横截面上的稳定分布称为激光横模。在光束横截面上的稳定分布称为激光横模。基横模在激光光束的横截面上各点的位相相同，基横模在激光光束的横截面上各点的位相相同，空间相干性最好。空间相干性

20、最好。工作物质：具有亚稳态能级结构工作物质：具有亚稳态能级结构光学谐振腔：维持光振荡光学谐振腔：维持光振荡鼓励又叫泵浦系统：供给能量，输出激光鼓励又叫泵浦系统：供给能量，输出激光二、激光器二、激光器He-Ne 气体激光器气体激光器S11S32S12S5S4S3P2P3P4HeNeeV66.20eV78.19eV70.16eV70.18eV30.20 39. 36328 15. 1电子碰撞电子碰撞碰撞转移碰撞转移He、Ne原子部分能级图原子部分能级图三、激光的特性三、激光的特性4、能量集中、能量集中3、相干性好、相干性好2、方向性好、方向性好1、单色性好、单色性好Hz971010 单色性较好的普

21、通光单色性较好的普通光Hz110 He-Ne激光器发出的红光激光器发出的红光rad531010 散射角散射角四、激光的应用四、激光的应用4、激光在受控核聚变中的应用、激光在受控核聚变中的应用3、光信息处理和激光通信、光信息处理和激光通信2、激光加工与激光医疗、激光加工与激光医疗1、激光测距、激光测距干涉测长、激光调制测距、激光雷达测距干涉测长、激光调制测距、激光雷达测距打孔、切割、焊接打孔、切割、焊接 、外科手术刀、武器、外科手术刀、武器光盘的高速高密记录、激光打印机光盘的高速高密记录、激光打印机5、激光的非线性效应、激光的非线性效应激光光纤通讯激光光纤通讯由于光波的频率由于光波的频率比电波的

22、频率高比电波的频率高好几个数量级，好几个数量级， 一根极细的光纤一根极细的光纤 能承载的信息量，能承载的信息量，相当于图片中这相当于图片中这麽粗的电缆所能麽粗的电缆所能承载的信息量。承载的信息量。激光手术刀激光手术刀 （不需开胸，不住院）（不需开胸，不住院） 照明束：照亮视场照明束：照亮视场 纤维镜激光光纤：纤维镜激光光纤： 成象成象 有源纤维强激光：有源纤维强激光： 使堵塞物熔化使堵塞物熔化臂动脉臂动脉主动脉主动脉冠状动脉冠状动脉内窥镜内窥镜附属通道附属通道有源纤维有源纤维套环套环纤维镜纤维镜照明束照明束 附属通道：附属通道： （可注入气或液）（可注入气或液） 排除残物以明视线排除残物以明视

23、线套环：套环： （可充、放气）（可充、放气）阻止血流或使血流流通阻止血流或使血流流通 激光激光 原子力显微镜原子力显微镜(AFM) 用一根钨探针或硅用一根钨探针或硅探针在距试样表面探针在距试样表面几毫微米的高度上几毫微米的高度上反复移动反复移动, ,来探测固来探测固体表面的情况。体表面的情况。试样通常是试样通常是微电子器件。微电子器件。激光激光-原子力显微镜原子力显微镜（AFM）激光器激光器分束器分束器布喇格室布喇格室棱镜棱镜检测器检测器反馈机构反馈机构接计算机接计算机微芯片微芯片压电换能器压电换能器压电控制装置压电控制装置18-3 超导电性超导电性1911年昂尼斯年昂尼斯K.Onnes发现超

24、导现象。发现超导现象。一、超导的基本特性一、超导的基本特性1、零电阻效应、零电阻效应某些金属、合金及化合物的温度低于某一值时，某些金属、合金及化合物的温度低于某一值时，电阻突然为零。电阻突然为零。说明：只有稳恒电流的情况下才有零电阻效应。说明：只有稳恒电流的情况下才有零电阻效应。超导体超导体临界温度临界温度Tc2、迈斯纳效应完全抗磁性）、迈斯纳效应完全抗磁性）处于超导态的超导体内磁感应强度总为零。处于超导态的超导体内磁感应强度总为零。外磁场外磁场抗磁电流磁场抗磁电流磁场总磁场总磁场3、临界磁场和临界电流、临界磁场和临界电流超导态能被足够强的磁场所破坏。超导态能被足够强的磁场所破坏。120)TT

25、(HHccc 时时超超导导体体的的临临界界磁磁场场为为00 THc超导体所能承载的电流也受限制。超导体所能承载的电流也受限制。超导材料只有满足下述条件才能处于超导态超导材料只有满足下述条件才能处于超导态cccII ,HH,TT 4、同位素效应、同位素效应超导临界温度与元素的同位素质量有关超导临界温度与元素的同位素质量有关）常常量量（030500.TMc 5、能隙、能隙超导中电子的能量存在类似半导体禁带的情况超导中电子的能量存在类似半导体禁带的情况eV410 二、超导体的微观机制二、超导体的微观机制1、金属导体电阻的电子理论、金属导体电阻的电子理论电子波在非严格周期性势场中传播将会发生电子波在非

26、严格周期性势场中传播将会发生散射，使自由电子的动量发生变化，即电子散射，使自由电子的动量发生变化，即电子在电流方向上的加速受到阻碍。在电流方向上的加速受到阻碍。散射的原因散射的原因缺陷缺陷热振动热振动cT电电阻阻率率不不纯纯纯纯超超导导体体温温度度杂质电阻杂质电阻热振动电阻热振动电阻Tl i与杂质与杂质浓度有关浓度有关2、弗罗里希的、弗罗里希的“电电-声声作用作用电子密度在局部范围内有大有小，高密度的电子会电子密度在局部范围内有大有小，高密度的电子会对附近的离子晶格产生较大吸引力，是该处的离子对附近的离子晶格产生较大吸引力，是该处的离子实离开自己的平衡位置而产生振动，振动传播形成实离开自己的平

27、衡位置而产生振动，振动传播形成晶格波。晶格波。A晶格波的能量量子化，每一份能量为晶格波的能量量子化，每一份能量为为为格格波波的的频频率率声声子子 h电子之间有一种有效吸引，电子之间有一种有效吸引，是通过交换声子而实现的。是通过交换声子而实现的。qp 1qp 2)(q 声声子子（电电子子）1p）（电电子子 22p3、BCS理论理论只要两个电子之间存在有净的吸引作用，不论多只要两个电子之间存在有净的吸引作用，不论多么微弱，结果总能形成电子对束缚态。么微弱，结果总能形成电子对束缚态。库珀电子对库珀电子对库珀对使整个导体处于更为有序化的状态。库珀对使整个导体处于更为有序化的状态。电子位置有序化电子位置

28、有序化BCS理论的核心：理论的核心：在超导态中，电子通过电在超导态中，电子通过电声作用而结成束缚态的声作用而结成束缚态的库珀对，而泡利不相容原理使所有的库珀对电子有库珀对，而泡利不相容原理使所有的库珀对电子有序化为群体电子的动量和角动量相关为零。序化为群体电子的动量和角动量相关为零。超导体处于超导态时，价电子以库珀对为整体与晶超导体处于超导态时，价电子以库珀对为整体与晶格作用，库珀对电子在散射前后总动量仍然保持不格作用，库珀对电子在散射前后总动量仍然保持不变，即电流的流动不发生变化，因此没有电阻。变，即电流的流动不发生变化，因此没有电阻。三、超导材料的分类三、超导材料的分类按超导体在临界磁场按

29、超导体在临界磁场Hc时将磁通排斥在时将磁通排斥在超导体外的方式分类：超导体外的方式分类：在临界磁场以下，磁在临界磁场以下，磁通是完全被排斥在超通是完全被排斥在超导体之外的，只要磁导体之外的，只要磁场高于临界磁场，磁场高于临界磁场，磁场就完全透入超导体场就完全透入超导体中，材料也恢复正常。中，材料也恢复正常。第第类超导材料类超导材料超导态向正常态的转变无任何中间态。超导态向正常态的转变无任何中间态。J电流密度电流密度H磁场磁场T温度温度正常正常超导超导存在两个临界磁场下临界磁场和上临界磁场），存在两个临界磁场下临界磁场和上临界磁场），材料处于下临界磁场时是完全超导态，在下临界磁材料处于下临界磁场

30、时是完全超导态，在下临界磁场和上临界磁场之间，处于混合态。当磁场达到上场和上临界磁场之间，处于混合态。当磁场达到上临界磁场时，磁场完全透入材料并完全恢复到有电临界磁场时，磁场完全透入材料并完全恢复到有电阻的正常态。阻的正常态。第第类超导材料类超导材料cT混合态混合态H外磁场外磁场T温度温度正常态正常态超导超导)(Hc02)(Hc01)T(Hc1高温超导材料高温超导材料K35K.648K.892K.8133K.24四、超导理论新动向四、超导理论新动向“激子机制激子机制而形成电子对。而形成电子对。1987年安德逊提出共振理论，认为电子在晶格年安德逊提出共振理论，认为电子在晶格附近配成自旋相反的共价

31、键，通过掺杂的驱动，附近配成自旋相反的共价键，通过掺杂的驱动，这种共价电子就共振转变为超流的库珀对而形这种共价电子就共振转变为超流的库珀对而形成超导。成超导。罗伏兹提出固体中电子气的密度发生起伏，罗伏兹提出固体中电子气的密度发生起伏，以波的形式传递而形成电荷密度波。以波的形式传递而形成电荷密度波。现在超导材料主要是多元金属氧化物。现在超导材料主要是多元金属氧化物。五、超导电性在工业上的应用五、超导电性在工业上的应用电能在零电阻输送，完全没有损耗电能在零电阻输送，完全没有损耗大尺度、强磁场、低消耗大尺度、强磁场、低消耗2、超导电缆、超导电缆1、超导磁体、超导磁体3、超导储能、超导储能超导体圆环置

32、于磁场中，降温至材料临界温度超导体圆环置于磁场中，降温至材料临界温度以下，撤去磁场，由于电磁感应，圆环中有感以下，撤去磁场，由于电磁感应，圆环中有感生电流产生。只要温度保持在临界温度以下，生电流产生。只要温度保持在临界温度以下，电流便会持续。电流便会持续。六、约瑟夫逊效应及其应用六、约瑟夫逊效应及其应用绝缘层对电子来说是一个势垒，电子动能小于绝缘层对电子来说是一个势垒，电子动能小于势垒高度时，仍有一定的概率贯穿势垒。势垒高度时，仍有一定的概率贯穿势垒。超导结：超导结：N-I-N结、结、N-I-S结、结、S-I-S结结N正常态金属膜，正常态金属膜，S超导体，超导体，I绝缘层绝缘层1、单电子隧道效

33、应、单电子隧道效应AVIVOAVIVOAVIVOe/ e/ )(21 只要隧道结的势垒层足够薄，库珀对可贯穿势垒。只要隧道结的势垒层足够薄，库珀对可贯穿势垒。库珀对的库珀对的S-I-S结隧道效应结隧道效应2、约瑟夫逊效应、约瑟夫逊效应AVIVOe/ 2JIabcab段结电压段结电压S-I-S结两端电压为零，结两端电压为零，此时电流为超导隧道电流。此时电流为超导隧道电流。bc段显示出正常态的电流电压关系。段显示出正常态的电流电压关系。 sinIIJ函函数数的的位位相相差差为为绝绝缘缘层层两两侧侧库库珀珀对对波波12 结电压为零时，结电压为零时，为常数，电流恒定。为常数，电流恒定。(1)直流约瑟夫

34、逊效应直流约瑟夫逊效应IVOe/ 2JIabc隧道电流超过最大约瑟夫逊电流，隧道电流超过最大约瑟夫逊电流，结电压不为零时结电压不为零时V)he(dtd2 结电压不为零时，会出现一个交变电流。结电压不为零时，会出现一个交变电流。(2)交流约瑟夫逊效应交流约瑟夫逊效应002 tVhe)tVhesin(IIc002 (1)超导量子干涉器超导量子干涉器3、约瑟夫逊效应的主要应用、约瑟夫逊效应的主要应用IQP超超导导ab绝绝缘缘体体(2)电压标准电压标准(3)超导计算机器件超导计算机器件18-4 纳米科学技术简介纳米科学技术简介一、纳米材料学一、纳米材料学纳米材料是线度为纳米量级的超微颗粒在一定条件纳米材料是线度为纳米量级的超微颗粒在一定条件下加压制成固体材料或用沉积方