新型高效晶硅电池技术——HIT重点

1、HIT Solar Cell Technologyscvcnstar-洋HIT电池的发展I 1990年，Sanyo必司最早推出磁拈專康知构的HIT电池，幷 仪得了 12%的携换枚彳。 1992年，Sanyo亦司做tfc 7 18.1%的转换敢事。 1994年，Sanyok司右Jem?面积上获得20%轴換效丰。 1997年，Sanyo 4S司吐行产业亿生*,幷広纯HlOOcm?面 积上获得了 17.39%的转换效車。 2002年，Sanyo亦司电池政卓达18.5%,俎件就卓达16.1%。 2002年，Sanyo必司乜迪效半达21.3%,俎件败卒达17%。 2006年，Sanyo心可电池败车达21

2、.8% 2008年，Sanyo公司做出100.5 cm 厚度为70pm的电也效 率 22.3%。 2010年，Sanyo公司的HIT研发电庖敢隼达23%。至2008年吐界HIT电池的研究现状nw位帖体”更即足否绒IM肯面场工艺效卒11本冷anyoCZn足丽*SiPECVD22.3%FZnn4SiPECVD9.8%SIK/11NUFZp楚p-SiPECVDI7.4otW.NRELFZnn-a-SimvcvD1818%中国冲科院CZpaA!HWCVD36%1利WivRmgtENE 八czp&AlPECVD17.1%決国/LPICMCZpftAlPECVD15.2% Grid electrode二洋

3、双面HIT电池结构图p-type a-Si：* 0.01 pm/4ype a-Si* 001 pmn-type a-Si *0.01 pm昂硅/非站硅异质结结构增加开珞电圧提高转换败率HIT电池工艺制程p-type a-Si:-0.01 pm/-type a-Si 0.01 pmn-type a-Si： 0.01 pm.一 Grid electrodeR&R工艺谕洗制扳正面PECVD背面PECVD_ 正面PVD背而PVD丝网印剧HIT电池的优点HIT电池斗冇较為的开珞电UVoc.三卑规構亿生尹败阜 可想过20%。良好的温度村性.左外使用湛度经帝会达対7480度A 同样的拓温下.HIT电池比枯理

4、丈阳电池社能衷减更少。 HIT电池工艺均疫200度以下，对子村底睦材崭的宴求较 低。热能投入少同对对环犹滋净租度要求软低.仝卵疫统式设备.易于实现勺动亿效卓可以做到19%,与17%的专观电池赦 率和比，加舌于节不9%的成本決度柠性0.3%/K vs.0.43%/K,熠加4%的能 量输出，节省4%的成本。R&R HJT电池的优点工艺对比工艺夕赧冷加，很各更 夏杂。多才SunFab生产歿 的成本，R&R的沒备价格罔边刘蚀工序只能改A 景后，不能像油規工艺 4Ad的主丸PECVD工 艺为亘接丸憑率一般 夠13.56MHz,管丸 _PECVD覆&也可号主理三洋产能增长缓慢rs2CCXF产ft MV/)

5、第-名Fkit Soldi1100勇二名兀愠刊三7W麵三名S359552 cet586弟五名S25320另七名400冬人名399*Afi397氨十名&368近年三洋的电池产能排纟不斷障低O刊 2009年己经跌出前十。相似的垄斷技术 企业First Solar和SunPower直锋持强妙 的增长HIT技术难点1. 非甜硅太阳电也的巧屯，现區主要着重于改昙非站 硅廡本身性质，以减少缺陷密盛。产格控制aSi/cSi 界面质量，不斯吟低缺陷态密度。2. 优亿光陷，阵低反射率。3 提為透期导物膜的电导率，遗射率。4 海低佥属桶筑的接紐电阻。PECVD技术难点一等离子体的不稅丸性。等妥子体的稳爻性旻一个复

6、亲的问題。#衣子体本身是由电 孑.禽孑等奉电电荷殂成的准中性毛体闻此它的状态汆易 吳列外界条件的巧响而发生变化.材底起面的帑屯状态.反 吐的溥膜附痔.屯源的发动.毛体的沆速等都会改支等 拓孑体的状态.改支其中活性社子的种类处救匕 从而改支所 沉积萼膜的性凰；另外宼丸規筷生产中在较大的而积上保持 孑需孑体的均匀桂也是一件同強的寧.逹种垒异的虑因孩孩 是隐性的解决这一问題芳要希通孑冑子体的专业知识。PECVD技术难点二r孑专子体中电子及离子辐照对沉积萍膜结构及电子学特性 福伤等寫子体加工过租中另一方面的问赵是寻离子体掛伤主要垢 需子表出及光子辎脛除了会冷低沉积膜的质量外.还对昌体 Si材底带来損伤。光谱响应的研屯结果发观利用等禽于体技 术制备的HIT电血庄蓝光光谱响应提心 而右.红光区光 锵响应哆低.这一方面表朗本准层的钝化作用提葛了盔光区的 光量子效準.另一方面裹朗孑育子体对耳件的损伤洙入列孚件 内却，度成宝要衣Si体内彼沒收的红光区的量子效半下萍。为 琴低寻离子体损伤焉娶严格疑*1孑禽子体的放电功卓将其 淙低圣最小.以能维特放电为進.这实际上萍低了寻富子体的 稳衣性增加了工艺多數桂制的难度。PECVD技术难点三碉和碑的搀杂滾度瑙以提需。沉积P世和N型非船硅的过程