DDR和DDRDDR从外观上的区别

1、DDR和DDR2，DDR3从外观上的区别1、防呆缺口 DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。2、DDR内存的颗粒为长方形，DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形，而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一。3、使用电压不同DDR2的电压1.8VDDR3的电压1.5V.4 DDR1内存全是采用引角焊接技术，DDR2内存都是BGA焊接技术。所谓的BGA焊接技

2、术就是看不见引角有点象芯片用胶粘在PCB板上的5 内存上有 型号和 编号 可以知道 PC4200 以上包括 PC4200 都是DDR2的 DDRDDR2DDR3关于DDR与DDR2的整理，ddr1与ddr2的区别什么是 DDR？DDR 内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称，全称 :Double Data Rate,DDR 内存是 SDRAM 向前发展的产品，本质上与 SDRAM 完全相同。什么是 DDR2？DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。什么是 DDR1

3、？有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。区别分析:DDR2 不能向下兼容 DDR, DDR2 内存芯片与内存模组与 DDR 有很大差异。例如，DDR2 的工作电压为 1.8 伏，低于 DDR 的 2.5 伏。DDR2 DIMMs 不能插入 DDR 的插口，反之也不能，因为内存模组有专门的 “ 键 ” 或者插口与其连接器相连。这些键必须与存储器中的一个键相连，才能插入模块。所有 DDR 和 DDR2 模块类型是不同的，以防止插入了不兼容的插口。如果外观看，很难区别 DDR2 和 DDR

4、主板。特别提醒:当 DIMM 键与插口键不匹配时，不要强行插入模组。问：内存ddr1和ddr2的区别是什么？533 400 800是什么意思？DDR1和DDR2分别是两个不同接口的。DDR1内存在一个周期内执行2条指令，当他工作频率是200MHZ时，就是我们常说的DDR400，同样道理，市场上还有DDR333，466，566，677甚至800的内存。对于DDR2来说，因为设计的原因，它在1个周期内能解决4条指令，换句话说，工作频率同样是200的DDR2内存，我们称其为DDR2 800。现在的新配机器已经都采用了DDR2作为标准的DIMM内存。包括AMD刚刚上市的AM2处理器也集成了DDR2内存

5、控制器。可以这么说，除非是老机器升级内存可以选购DDR400内存，一般新配机器基本都是DDR2533或DDR2667的内存。同代产品向下兼容，DDR1的333 和DDR1的400 可以混插，不同代的DDR不能混用。软件的话用EVEREST比较准而且全面，能看整个电脑所有的硬件而且可以简单测试CPU和内存的性能，CPU-Z体积比较小巧但只能测CPU和内存及主板。如何从外观上区分ddr1和ddr2内存条？一般DDRII内存的内存颗粒都是比较小，一眼就可以看到。还有就是一般在内存的品牌铭牌上面都会标注有（贴在内存颗粒上的）；另外就是DDR内存是184pin，也就是说金手指那里是两面一共是184个触点

6、，而DDRII是240pin，240个触点。通过观察就会发现DDRII的金手指触片较细较密。下图是金士顿DDR400 1G内存条图片下图是金士顿DDRII667 1G内存条图片DDRII667 1G 内存条图片DDRII667 2G内存条图片从外观区别DDR和DDR2，DDR3收集者：小路  发布于：  发布时间：2009-11-18 13:29:41  发布人：小路1、DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚

7、，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.2、DDR内存的颗粒为长方形DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一DDR2和防呆缺口 DD3、使用电压不同 DDR2的电压1.8V DDR3的电压1.5V参数不同之处  好好购 淘宝导购网 电压 VDD/VDDQ2.5V/2.5V1.8V/1.8V(±0.1)1.5V/1.5V(±0.075)I/O接口SSTL_25SSTL_18SSTL_15数据传输率(Mbps)2004004008008002000容量标准64M

8、1G256M4G512M8GMemory Latency(ns)152010201015CL值1.5/2/2.5/33/4/5/65/6/7/8预取设计(Bit)248逻辑Bank数量2/44/88/16突发长度2/4/84/88封装TSOPFBGAFBGA引脚标准184Pin240Pin240Pin下一代DDR3内存技术与DDR2的区别作者：海枫DDR2内存的好日子还没过上几天，它的下一代产品DDR3又成为了人们关注的对象。在本届2006台北Computex会展上，威刚科技向人们展示了新一代的DDR3内存。威刚此次展示的vitesta DDR3无缓冲DIMM内存包括DDR3-1066和DDR

9、3-1333两种规格，单条容量均为1GB，针脚数240，核心电压1.5+/-0.1V，延迟设定为CL7，虽然DDR3与DDR2一样存在高延迟的缺点，不过DDR3比DDR2拥有更高频率的优势。威刚科技表示，此次仅展示了DDR3-1066/1333规格，但DDR3 1666也会很快到来。 在威刚最新推出的DDR3内存中，加入了数据同步设计（Data Synchronization），使电压降低为1.5V，这对以省电为诉求的笔记本计算机而言，电池续航力增加，电池寿命及热量可得到更好的改善。威刚DDR3系列初期将提供512M、1G容量规格，采用BGA封装，未来根据市场需求，相对地会推出2GB和4GB的

10、更高容量。 目前DDR2尚未完全取代DDR内存，在目前的整机环境下，DDR2基本能够满足各类型电脑的应用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有哪些优势，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另外，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是： 1更高的外部数据传输率 2更先进的地址/

11、命令与控制总线的拓朴架构 3在保证性能的同时将能耗进一步降低 为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：18bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 2采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。3采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 DDR3与DDR2几个主要的不同之处： 突发长度（Burst Length，BL） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也

12、固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在25之间，而DDR3则在511之间，且附加延迟（AL）的设

13、计也有所变化。DDR2时AL的范围是04，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。 在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，

14、DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。参考电压分成两个 在DDR3系统中，对于

15、内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。 点对点连接（Point-to-Point，P2P）这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数

16、据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片

17、-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方?DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商 而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在

18、一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下 降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了 DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自 不同存储器模块的数据。DDL本

19、质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了 新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR2的详解RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的

20、传输模 式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂 的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟 周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留

21、，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数 据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读 出的数据长度可以达到256字节。“上古”时代的FP/EDO内存，由于半导体工艺的限制，频率只有25MHz/50MHz，自SDR以后频率从66MHz一路飙升至133MHz，终于遇 到了难以逾越的障碍。此后所诞生的DDR1/2/3系列，它们存储单元官方频率（JEDEC制定）始终在100MHz-200MHz之间徘徊，非官方（超 频）频率也顶多在250MHz左右，很

22、难突破300MHz。事实上高频内存的出错率很高、稳定性也得不到保证，除了超频跑简单测试外并无实际应用价值。既 然存储单元的频率（简称内核频率，也就是电容的刷新频率）不能无限提升，那么就只有在I/O（输入输出）方面做文章，通过改进I/O单元，这就诞生了 DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的内存种类。通常大家所说的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其实并非是内存的真正频率，而是业界约定俗成的等效频率，这些DDR1/2/3 内存相当于老牌SDR内存运行在400MHz、800MHz、1600MHz时的带宽，因此频率看上去很夸张，其实真正的内核频率都只有200M

23、Hz而 已！内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。核心频率即为内存Cell阵列(Memory Cell Array，即内部电容)的刷新频率，它是内存的真实运行频率；时钟频率即I/O Buffer（输入/输出缓冲）的传输频率；而有效数据传输频率就是指数据传送的频率。近年来内存的频率虽然在成倍增长，可实际上真正存储单元的频率一直在133MHz-200MHz之间徘徊，这是因为电容的刷新频率基本到了上限。而每一代 DDR的推出，都能够以较低的存储单元频率，实现更大的带宽，并且为将来频率和带宽的提升留下了一定的潜力。虽然存储单元的频率一直都没变，但内存颗粒的I/O频率

24、却一直在增长，再加上DDR是双倍数据传输，因此内存的数据传输率可以达到核心频率的8倍之多！相信很多人都知道，DDR1/2/3内存最关键的技术就是分别采用了2/4/8bit数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍，与此同时I /O控制器也必须做相应的改进。预取，顾名思义就是预先/提前存取数据，也就是说在I/O控制器发出请求之前，存储单元已经事先准备好了2/4/8bit 数据。简单来说这就是把并行传输的数据转换为串行数据流，我们可以把它认为是存储单元内部的Raid/多通道技术，可以说是以电容为单位的。这种存储阵列内部的实际位宽较大，但是数据输出位宽却比较小的设计，就是所谓的数据预取技术

25、，它可以让内存的数据传输频率倍增。试想如果我们把一条细水管 安装在粗水管之上，那么水流的喷射速度就会翻几倍。DDR3内存的优势：低功耗低发热通过8bit预取技术，DDR3内存的有效频率在DDR2的基础上再次翻倍，延续了SDR/DDR的生命。但DDR3并非是片面提升频率从而得到高带宽， 实际上DDR3除了高频率之外，还有很多不为人知的优点。工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%众所周知，半导体芯片的功耗与晶体管数成正比，与工作电压的平方成正比，所以电压对其功耗与发热的影响最大。和CPU/GPU的发展类似，DRAM在提高 频率和容量的同时，电压也在不断的降低。DDR1的

26、标准电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的(都是 200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%！但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发 热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好的印象。使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降。时代在发展工艺在进步，DDR3作为最新产品自然会使用最先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降 33%，还不到DDR2的一半！经常关注笔记本的朋友应该会发现2008下半年很多品牌都开始标配DDR3内存，笔记本领先台式机开始普及DDR3，虽然笔记本CPU尚无法利用到 D